JPH05507356A - 物体の温度測定方法及び装置並びに加熱方法 - Google Patents
物体の温度測定方法及び装置並びに加熱方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 9
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 52
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 5
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000010219 correlation analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0801—Means for wavelength selection or discrimination
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
- G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0803—Arrangements for time-dependent attenuation of radiation signals
- G01J5/0804—Shutters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0896—Optical arrangements using a light source, e.g. for illuminating a surface
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/80—Calibration
- G01J5/802—Calibration by correcting for emissivity
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
物体の温度測定方法及び装置並びに加熱方法特に、いわゆる迅速熱処理RTP
(Rapid Thermal Processing)装置において短時間で
行われる半導体ウェハの加熱にあたり、該ウェハの温度測定は周囲の影響とかウ
ェハの透明性により精確に行うことが困難である。
本発明の出願人による当該技術分野における先の特許出願としてオランダ国特許
出願第89.00003号及びその対応ヨーロッパ特許出願及び米国特許出願、
更には未公告のオランダ国特許出願第90.01200号がある。
精確な温度測定を行うには、射出輻射量と温度間の補正係数を知る必要がある。
この場合、重要な問題点はつぎのとおりである・物体から射出される輻射線が常
時ボルツマンの法則にしたがって“黒体”物体から射出される輻射線より少ない
場合である。現実の物体の輻射率EinLは○〜】の範囲内の値を有する;
環境での反射(及び透過)により実際上の測定輻射率は上述した輻射率Eint
よりも大きい;
同時に物体が加熱されるのであれば、熱源の輻射熱が測定に影響を及ぼす。
本発明は、少なくとも1つの輻射源により加熱される物体の温度を測定するにあ
たり、少なくとも1つの輻射線検出手段により上記物体から発生される輻射線を
検出し、上記輻射源の少なくとも一部分の強度を予め定めた繰り返し周波数をも
って変化させ、上記輻射線検出手段により測定された輻射線変動値に基つき上記
物体の反射能及び/又は輻射率の補償度合を定める、物体の温度測定方法を提供
するものである。
また、本発明は、測定対象の物体を加熱する少な(とも1つの輻射源、上記物体
から発生される輻射線を検出する輻射線検出手段、上記輻射源の強度を予め定め
た繰り返し周波数をもって変化させる変調手段、および上記輻射線検出手段によ
り検出された輻射線測定値に基つき上記物体の反射能及び/又は輻射率を定める
補償手段により構成した物体の温度測定装置を提供するものである。
更にまた、本発明は、上記方法及び装置の補償手段を使用した物体の加熱方法を
提供するものである。
更に他の本発明の特徴及び利点を、好ましい実施例を示す次の添付図面を参照し
て以下に説明する:
第1図は本発明の好ましい実施例の概略断面図である。
第2図は第1図の■−■線から見た図である。
第3図及び第4図は共に本発明の好ましい実施例の説明図である。
第5図は本発明による測定結果の1例を示すグラフである。
概括的に符号1を付して示すRTP装置(第1図及び第2図)に、物体W、例え
ばシリコーンSi物質から成る、絶縁部分を形成され又は形成されていないウェ
ハが載置され、該装置1の上部及び下部にそれぞれ配置されたハロゲンランブ2
及び3により加熱処理に付される。輻射線検出器6はノ・ロゲンランブ3間に概
略的に示す開口8に配向されかつウェハWに向けて配置されたレンズ7を備える
。
比較的強力なレンズ7を用いることにより大きな口径Ωが得られ、第1図中破線
で示すように、各ハロゲンランプ3の光線がウェハWで反射されるとともにハロ
ゲンランプ2から該ウェハWを透過した輻射線が十分に大きな立体角をもって受
光される。
ハロゲンランプの強度■が第3図に示すように時間tとともに変化させられ、そ
れらランプに供給される平均電力が9KWとされる一方、強度が周波数4Hzを
もって繰り返し変化させられ、その最小強度が最大強度の約50%とされ、該揺
らぎが輻射線検出器又はパイロメータ6により検出される。
第4図に示すように、熱電対により測定された曲線C4は、第3図に示されるよ
うに第1図の各ハロゲンランプ2に給電したとき、時間tの温度関数であること
を示す。曲線C言よパイロメータ6により受信された信号を示し、該パイロメー
タ6は波長1. 7μm付近の輻射線に感応するものとされる。信号C1におけ
る揺らぎは約20秒間を経過した後には完全に消失したことが明白であり、これ
はウェハW(it図診照)の温度約600″Cにおいて該ウェハWがハロゲンラ
ンプ2から発生された赤外線に対し不透過性になったことを示し、これは理論計
算値と一致することがわかる。パイロメータ6の信号C7における揺らぎの大き
さに基づき任意の温度における物体Wの透過率を決定することができる。
同様にして、ハロゲンランプ3から発生された輻射線の強さに関する種々の変数
を用いて物体Wの反射能を決定することができる。
上部及び下部からそれぞれハロゲンランプ2及び/又は3により物体Wを加熱す
る時、輻射線検出器又はパイロメータ6の出力信号は相関性技術を用いて物体W
の透過率及び反射率に対し補償することができ、該物体Wの物質とか表面粗さ等
に関係無く、信頼性の高いウェハ温度測定を行うことができる。
ハロゲンラップ2及び3をそれぞれ互いに異なった周波数をもって変化又は変調
することによりよく知られている相関性分析方法を用いて反射能又は輻射率のい
ずれに対してもパイロメータ6の出力信号を個別に補償することができる。
ランプ2及び3を包囲する側壁は好ましくは反射性を有するもにすれば、大刀の
均一性を有する輻射源がパイロメータ6により“観察”可能となる。上記装置1
の上部4の背面壁に好ましくはフィルターとか有機コーティング層等を用いた非
反射層又は黒体層を配置する。
各ハロゲンランプの特性を個別に補償するために、好ましくはパイロメータ6の
前方に窓型のフィルターを配置し、それにより開口Ω全体にわたりランプ2の輻
射強度の均一分布か得られる。
第5図において、本発明の方法により測定された曲線C1が熱電対により測定さ
れたようにウェハの’JAW曲線C4と対応している。更に曲線C5及びCI+
はそれぞれパイロメータの信号及び輻射率を示す。
要約書
少な(とも1つの輻射源により加熱される物体の温度を測定するにあたり、少な
くとも1つの輻射線検出手段により上記物体から発生される輻射線を検出し、上
記輻射源の少なくとも一部分の強度を予め定めた繰り返し周波数をもって変化さ
せ、上記輻射線検出手段により測定された輻射線変動値に基づき上記物体の反射
能及び/又は輻射率の補償度合を定めて物体の温度を測定する。
国際調査報告
、、4.−−−、−N、PCT/EP 92100039
Claims (9)
- 1.少なくとも1つの輻射源により加熱される物体の温度を測定するにあたり、 少なくとも1つの輻射線検出手段により上記物体から発生される輻射線を検出し 、 上記輻射源の少なくとも一部分の強度を予め定めた繰り返し周波数をもって変化 させ、 上記輻射線検出手段により測定された輻射線変動値に基づき上記物体の反射能及 び/又は輻射率の補償度合を定める、物体の温度測定方法。
- 2.輻射源の輻射強度が周波数1〜10Hzをもって繰り返し変化させられ、該 輻射張度の周期的変化幅が輻射源の平均強度の約50%である、第1項記載の測 定方法。
- 3.物体の温度を測定する測定装置において、上記物体を加熱する少なくとも1 つの輻射源、上記物体から発生される輻射線を検出する、輻射線検出手段、上記 幅射源の強度を予め定めた繰り返し周波数をもって変化させる変調手段、および 、 上記輻射線検出手段により検出された輻射線測定値に基づき上記物体の反射能及 び/又は輻射率を定める補償手段により構成した、物体の温度測定装置。
- 4.輻射源が互いに隣接させて配置した一群の長尺のハロゲンランプである、第 3項記載の測定装置。
- 5.各ハロゲンランプがそれぞれ平坦ミラーで包囲されている、第3項又は第4 項記載の測定装置。
- 6.輻射線検出器の前方にレンズを配置して該輻射線検出器に対し大きな開口数 を設定するようにした、第3項、第4項又は第5項記載の測定装置。
- 7.輻射線検出器を一群のハロゲンランプの背後に配置するとともこそれらハロ ゲンランプ間の開口を貫通するように配向せしめた、第3項〜第6項のいずれか に記載の測定装置。
- 8.輻射線検出器の前方に窓型フイルターを配置した、第5項、第6項又は第7 項記載の測定装置。
- 9.第1項又は第2項に記載の測定方法及び/又は第3項〜第8項のいずれかに 記載の測定装置を使用した物体の加熱方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9100018 | 1991-01-08 | ||
NL9100018A NL9100018A (nl) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | Werkwijze en inrichting voor het meten van de temperatuur van een voorwerp, alsmede verwarmingswerkwijze. |
PCT/EP1992/000039 WO1992012405A1 (en) | 1991-01-08 | 1992-01-08 | Method and device for measuring the temperature of an object and heating method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05507356A true JPH05507356A (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=19858700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP92502086A Pending JPH05507356A (ja) | 1991-01-08 | 1992-01-08 | 物体の温度測定方法及び装置並びに加熱方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0519033A1 (ja) |
JP (1) | JPH05507356A (ja) |
KR (1) | KR920704108A (ja) |
NL (1) | NL9100018A (ja) |
WO (1) | WO1992012405A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006066452A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Fujitsu Ltd | 急速熱処理装置及び方法 |
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1991
- 1991-01-08 NL NL9100018A patent/NL9100018A/nl not_active Application Discontinuation
-
1992
- 1992-01-08 EP EP92901693A patent/EP0519033A1/en not_active Withdrawn
- 1992-01-08 JP JP92502086A patent/JPH05507356A/ja active Pending
- 1992-01-08 WO PCT/EP1992/000039 patent/WO1992012405A1/en not_active Application Discontinuation
- 1992-01-08 KR KR1019920702168A patent/KR920704108A/ko not_active Application Discontinuation
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL9100018A (nl) | 1992-08-03 |
KR920704108A (ko) | 1992-12-19 |
EP0519033A1 (en) | 1992-12-23 |
WO1992012405A1 (en) | 1992-07-23 |
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