JPH1019690A

JPH1019690A - 基板温度モニタ

Info

Publication number: JPH1019690A
Application number: JP8197051A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Yamaguchi; 一郎山口; Ko Fuwa; 耕不破; Saburo Shimizu; 三郎清水; Fumio Kimijima; 文雄君島; Kimitachi Watanabe; 君達渡辺
Original assignee: Ulvac Inc; RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Current assignee: Ulvac Inc; RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Priority date: 1996-07-08
Filing date: 1996-07-08
Publication date: 1998-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】真空成膜装置内における基板の温度を非接触
で連続的に精度高く測定し得て、更には基板温度のプロ
グラム制御にも使用し得る基板温度モニタを提供するこ
と。【解決手段】覗き窓を介して、真空成膜装置１４内の
基板１１にレーザ１からレーザ光を照射し、散乱反射さ
れて生ずるスペックル・パターンをイメージセンサ２、
３で受像する。基板１１の加熱前後におけるスペックル
・パターンの移動量がイメージセンサ２、３に接続され
る相関計８、９で求められ、コンピュータ５１で基板温
度が演算される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空成膜装置内で成
膜中の基板の温度を測定する装置に関するものであり、
更に詳しくは非接触で精度高く測定し得て基板温度のプ
ログラム制御にも使用し得る温度測定装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、真空成膜装置内で基板に薄膜を形
成させる場合の基板の温度の測定には熱電対や放射型赤
外線温度計が使用されている。周知のように、熱電対は
２種の金属線の接点を測定対象に取り付けた時の起電力
の大きさから温度を測定する素子であり、放射型赤外線
温度計は測定対象から放射される赤外線の強度、すなわ
ち放射エネルギ密度が温度によって変化することから、
特定波長の強度変化を捉えて温度を測定する非接触タイ
プの温度計である。

【０００３】熱電対はその接点と基板との接触具合によ
って指示温度が異なり、隙間があると実際の基板の温度
よりも低く指示し、場合によっては数十度の誤差を生ず
る。実際の温度測定においては基板と基板を載置するヒ
ータ部との間で熱電対の接点が挟持されるようにヒータ
部の表面に固定するか、または各基板に熱電対の接点を
取り付けることになるが、前者の方法は交換される基板
毎に接点と基板との接触が微妙に異なり測定温度にバラ
付きを生じて正確な温度測定にはならない。又、基板毎
に熱電対の接点を取り付ける後者の方法は、熱電対のリ
ード線が成膜の障害になり、又、接点の取り付け部で形
成される薄膜が欠損するほか、基板の１枚ずつに接点を
取り付けること自体煩雑な作業であり、真空成膜装置の
成膜枚数を低下させるという点において生産には向かな
い。

【０００４】放射型赤外線温度計は、例えば真空成膜装
置内の基板から放射され覗き窓を透過する赤外線を装置
外において光学レンズでＳｉフォトダイオードなどの検
出素子に集光してその強度を求め得るが、測定波長の強
度が弱いと測定精度が低下するので、非接触タイプでは
あるものの測定端子を基板に近接させる必要がある。し
かし、基板の表面への近接は成膜の障害になるので、図
６にその取り付けを示すように、基板１１を載置する基
板ホールダ１２’、及びこれと一体的なヒータ１３’と
からなるヒータ部に穿設した貫通孔に、他端を赤外線強
度測定装置４５に接続した光ファイバ４４の先端の石英
ロッド４３をプローブとして挿入して赤外線の強度を求
めることが行われ、基板１１の裏面の温度が測定されて
いる。このプローブとしての石英ロッド４３には基板１
１からの赤外線のほかに、ヒータ１３からの赤外線、石
英ロッド４３自身が高温になることにより放射する赤外
線などが混在してくるので、その測定精度は必ずしも満
足なものではない。又、ヒータ部に貫通孔を設けること
は加熱分布の均一性を低下させるし、ましてや基板面の
温度を多点測定するには多くの貫通孔を必要とし、多点
測定は実際上無理である。

【０００５】さらには、上記の基板温度の直接測定とは
異なり、基板温度を間接的に求める方法もある。すなわ
ち、ヒータ部に熱電対の接点を埋め込んで、加熱した時
の熱電対の指示値と基板温度との関係を予め較正曲線と
して作成しておき、実際の成膜に当たってはヒータ部の
温度から較正曲線に基いて基板の温度を求める方法であ
る。この方法においては、成膜に使用する基板の平面性
が１枚毎に微妙に異なる場合にヒータ部との接触具合も
異なり較正曲線からのズレを生じる。

【０００６】又、放射型赤外線温度計においては、加熱
した時のヒータへの投入電力と放射型赤外線温度計によ
る基板温度との関係を予め較正曲線として求めておき、
放射型赤外線温度計を取り外して行なう実際の成膜にお
いては、ヒータへの投入電力から較正曲線に基いて基板
の温度を求める方法もある。この方法ではヒータ部に貫
通孔が残ったままとなるので較正曲線作成時と成膜時と
で加熱分布が異なり、不均一性も増大する。

【０００７】加えて、間接的な測定においては、予め測
定する基板温度は正確であらねばならないが、前述の如
く、熱電対、放射型赤外線温度計は基板温度の精度の高
い測定には難がある。

【０００８】別な方法としてヒータ部の温度とヒータへ
の投入電力との較正曲線を予め作成しておき、成膜時に
は投入電力によってヒータ部の温度を制御しこれを基板
の温度とする方法もあるが、この方法ではヒータ部へ基
板を載置すると加熱される部分の熱容量はヒータ部と基
板との合計になるので、較正曲線からのズレを生ずる
し、基板の温度を求める方法としては正確さに欠ける。

【０００９】従って、基板の温度は直接的な方法で測定
することが望まれている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みてなされ、真空成膜装置内において成膜されている
基板の温度を非接触で連続的に精度高く測定し得て、更
には基板温度のプログラム制御にも使用し得る基板温度
モニタを提供することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、真空成膜
装置内の基板へ照射するレーザ光の発振源と、レーザ光
の照射点から光軸と反射光軸とを含む面の両側へ等角度
で等距離の対称位置に配置され前記レーザ光が前記基板
で散乱反射されて生ずるスペックル・パターンを受像す
るための一対のイメージセンサとが前記真空成膜装置に
取り付けられ、前記一対のイメージセンサのそれぞれに
前記基板の加熱前後における前記スペックル・パターン
の移動量を求める相関計が接続され、前記スペックル・
パターンの移動量の差、前記一対のイメージセンサの配
置されている前記角度と前記距離、および既知である前
記基板の熱膨張係数から前記基板の温度を演算するコン
ピュータが前記相関計に接続されていることを特徴とす
る基板温度モニタ、によって達成される。

【００１２】レーザ光の発振源から照射されるレーザ光
が基板で散乱反射されて生じ、所定の位置に配置された
一対のイメージセンサに受像されるスペックル・パター
ンは基板の加熱によって移動するが、その移動量が相関
計で求められ、相関計に接続されたコンピュータがスペ
ックル・パターンの移動量の差、イメージセンサの位
置、既知である基板の熱膨張係数から基板の温度を演算
するので、真空成膜装置内の基板の温度を非接触で連続
的に精度高く測定し得る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
基板温度モニタについて図面を参照して具体的に説明す
る。

【００１４】図１は本発明の実施の形態による基板温度
モニタの基本的な構成図である。すなわち、真空成膜装
置の真空チャンバ１４内におけるヒータ１３と一体的な
基板ホールダ１２上に載置された基板１１に対して、真
空チャンバ１４の外壁に設けたレーザ光を透過させる覗
き窓１６を通してレーザ光の発振源１（以下、レーザ１
と省略する）からレーザ光が照射され、基板１１の表面
の微細な凹凸によって散乱反射されて生ずる干渉模様、
すなわちスペックル・パターンがレーザ光を透過させる
覗き窓１７、１８を通してイメージセンサ２、３に受像
されるようになっている。そしてイメージセンサ２、３
はレーザ光の光軸Ｚを含む同一面内において、レーザ光
の照射点Ｐから光軸Ｚの両側へ角度±θ、距離Ｌ₀ の対
称位置に配置されている。なお、レーザ１は基板１１へ
の照射角度を調整し得るように、又イメージセンサ２、
３はその位置する角度±θと距離Ｌ₀ とを調整し得るよ
うに、覗き窓１６、１７、１８を含む真空チャンバ１４
に固定されるが、図１においてはその固定冶具は省略さ
れている。又、図１において、真空チャンバ１４を排気
するための真空ポンプの図示は省略されている。

【００１５】更には、イメージセンサ２、３にはそれぞ
れ相関計８、９が接続され、これら相関計８、９にはコ
ンピュータ５１が接続されている。

【００１６】基板１１が加熱されて伸びを生ずることに
よりスペックル・パターンは移動するが、その移動はイ
メージセンサ２、３で捉えられる。２基のイメージセン
サ２、３を使用するのは伸び以外の要因によるスペック
ル・パターンの移動を排除するためである。加熱前後に
おける上記スペックル・パターンの移動量はイメージセ
ンサ２、３のそれぞれに接続されている相関計８、９に
よって求められ、相関計８、９が接続されているコンピ
ュータ５１によって基板１１の加熱前後におけるスペッ
クル・パターンの移動量の差、イメージセンサ２、３の
位置する角度±θと距離Ｌ₀ 、及び既知である基板１１
の熱膨張係数αから基板１１の加熱後の温度が演算され
るようになっている。

【００１７】すなわち、イメージセンサ２、３の並ぶ方
向をＸ方向として、イメージセンサ２、３における加熱
前後のスペックル・パターンの移動量のＸ成分をそれぞ
れＡ₁ 、Ａ₂ とすると、Ａ₁ とＡ₂ との差ΔＡは ΔＡ＝−２ΔＬ／Ｌ・Ｌ₀ ｔａｎθ・・・・・・（１）となる。ここにおいて、Ｌは加熱前の基板１１のＸ方向
の長さ、ΔＬは加熱による基板１１の伸びである。加熱
前の温度Ｔ₀ と加熱後の温度Ｔとの温度差ΔＴと基板１
１の熱膨張係数αとは次のように表される。 ΔＬ／Ｌ＝α・ΔＴ・・・・・・・・・・・・・（２）従って、式（１）、（２）から ΔＴ＝−ΔＡ・Ｌ₀ ｔａｎθ／２α・・・・・・（３）となる。このようにして式（３）から基板１１の加熱前
後の温度差ΔＴが求められるので、加熱前の温度Ｔ₀ を
基準にして加熱後の温度Ｔを求め得る。

【００１８】レーザ光のように干渉性の大きい光が粗面
で散乱反射した時に生ずるスペックル・パターンは物体
の微小な変位、変形量、移動速度、その他の測定に利用
されており（岩波理化学辞典、第４版、１９８７年）、
特開平４−１３２９４４号公報に係る「熱膨張係数測定
装置」には、図７に示すような測定原理図に基いて、加
熱前後におけるサンプルの長さ変化、すなわち熱膨張係
数をスペックル相関法で求める装置が開示されている。
しかし、レーザ光を温度測定に使用した装置機器は未だ
知られていない。

【００１９】

【実施例】以下、実施例によって本発明の基板温度モニ
タを具体的に説明する。

【００２０】（実施例１）図２はＳｉ基板２１の表面に
ＣＶＤ（化学的気相蒸着）法によってＳｉホモエピタキ
シャル膜を形成させるための、本発明の基板温度モニタ
を取り付けたＣＶＤ装置２０の概略図である。

【００２１】真空チャンバ２４内のヒータ２３と一体的
な基板ホールダ２２上に載置される基板２１に対し、真
空チャンバ２４の外壁に設けたレーザ光を透過させる覗
き窓２５を通してレーザ１からレーザ光が照射され、Ｓ
ｉ基板２１の表面で散乱反射されて生ずるスペックル・
パターンが覗き窓２５を通して一対のイメージセンサ
２、３に受像され、イメージセンサ２、３には加熱前後
のスペックル・パターンの移動量を求める相関計８、９
が接続され、これらに基板温度を演算するコンピュータ
５２が接続されていることに変わりはない。基板ホール
ダ２２にはＳｉ基板２１の加熱前の温度を測定するため
の熱電対２６の接点が埋め込まれている。すなわち、真
空チャンバ２４内で十分な時間を経過させたＳｉ基板２
１は基板ホールダ２２と熱平衡に達していると考えられ
るので、Ｓｉ基板２１の加熱前の表面温度は熱電対２６
で測定される基板ホールダ２２の温度に等しい。熱電対
２６の出力電圧は増幅器２７を介してコンピュータ５２
に入力され、基板温度の演算に使用される。更には、コ
ンピュータ５２は求めたＳｉ基板２１の温度に基いてヒ
ータ電力調整器２８を介しＳｉ基板２１の表面温度を制
御するようになっている。

【００２２】更には、真空チャンバ２４にはＣＶＤ用の
反応ガスとしてのＨ₂ ガスボンベ３１とＳｉ₂ Ｈ₆ （ジ
シラン）ガスボンベ３２とがそれぞれの流量計３３、３
４を介して接続され、ぞれぞれの噴出ノズル３５、３６
から真空チャンバ２４内へ流入されるようになってい
る。又、真空チャンバ２４には真空ポンプ２９が接続さ
れている。なお、図２において、レーザ１、イメージセ
ンサー２、３の固定治具の図示は省略されている。

【００２３】成膜に際しては、真空ポンプ２９によって
真空チャンバ２４が排気され１００Ｐａの真空とされた
後、Ｓｉ基板２１の加熱前の表面温度Ｔ₀ が熱電対２６
からコンピュータ５２へ入力される。次いで、コンピュ
ータ５２は、組み込まれた制御プログラムに従い、ヒー
タ電力調整器２８を介しヒータ２３でＳｉ基板２１の表
面を９３０℃に加熱してクリーニングを行なう。この加
熱の間に、レーザ１からＳｉ基板２１の表面に照射され
散乱反射されて生ずるスペックル・パターンは移動する
が、その移動はイメージセンサー２、３に受像され、相
関計８、９で移動量が求められる。コンピュータ５２は
その移動量のほか、入力されている加熱前の温度Ｔ₀ 、
イメージセンサー２、３の位置因子（±θ、Ｌ₀ ）、Ｓ
ｉ基板の熱膨張係数α_S からＳｉ基板２１の表面温度Ｔ
を演算し連続的にモニタする。すなわち、スペックル・
パターンの移動から温度上昇分ΔＴが求められ、先に入
力されている加熱前のＳｉ基板２１の表面温度Ｔ₀ に温
度上昇分ΔＴが加算されて加熱されているＳｉ基板２１
の表面温度Ｔ（＝Ｔ₀ ＋ΔＴ）がモニタされる。そして
Ｓｉ基板２１の表面温度Ｔが９３０℃近くに達すると、
コンピュータ５２はヒータ電力調整器２８によってヒー
タ２３の加熱を調整し、Ｓｉ基板２１の表面温度Ｔを９
３０℃となるように制御する。

【００２４】温度が一定した時点で、Ｈ₂ ボンベ３１か
らＨ₂ ガスが流量３０ＳＬＭ（１分間当りの標準状態リ
ットル数）で５分間導入される。この操作によってＳｉ
基板２１の表面の酸化膜が除去される。

【００２５】次いで、コンピュータ５２はＳｉ基板２１
の表面温度をＳｉホモエピタキシャル膜の成長温度であ
る７００℃とするようにヒータ電力調整器２８によって
ヒータ２３の加熱を調整し、７００℃において安定化す
ると、そのことをコンピュータ５２のＣＲＴ画面に表示
するので、Ｈ₂ ボンベ３１とＳｉ₂ Ｈ₆ ボンベ３２を開
け、Ｈ₂ ガスとＳｉ₂ Ｈ₆ ガスをそれぞれ１０ＳＬＭ、
５０ＳＣＣＭ（１分間当りの標準状態ＣＣ数）の流量と
なるように流す。この状態を５分間維持して膜を成長さ
せることにより、Ｓｉ基板２１上に厚さ１μｍのＳｉホ
モエピタキシャル膜が形成される。

【００２６】以上のように、Ｓｉホモエピタキシャル膜
の結晶性と成長速度に影響を与えるＳｉ基板２１の表面
温度が基板温度モニタによって非接触で精度高く連続し
て測定されるので、それに基づいた反応ガスボンベ３
１、３２の開閉と、基板温度モニタのコンピュータ５２
による加熱温度のプログラム制御が行われ、Ｓｉ基板２
１上に意図した通りのＳｉホモエピタキシャル膜を所定
の厚さで形成させることができる。

【００２７】（実施例２）図３は基板１１の裏面温度を
測定するように基板温度モニタを取り付けた真空チャン
バ６４の概略図である。基板１１を載置する基板ホール
ダ６２、及びこれと一体的なヒータ６３に、照射するレ
ーザ光と散乱反射されてくるスペックル・パターンを通
過させるだけの大きさの円錐台形状の貫通穴６５が設け
られている。レーザ１、イメージセンサー２、３は真空
チャンバ６４の底面側の覗き窓６７を通して基板１１の
裏面をのぞむ位置にセットされる。イメージセンサー
２、３にそれぞれ相関計８、９が接続され、相関計８、
９にコンピュータ５１が接続されていることに変わりは
ない。この基板１１の裏面の温度を測定するような基板
温度モニタの取り付けは基板１１の直上方にアノードと
してのターゲットが配置されるスパッタリング成膜装置
など、基板１１の上方への基板温度モニタの取り付けが
困難な真空成膜装置に対して有効である。なお、図３に
おいてレーザ１及びイメージセンサー２、３の固定治具
と、真空ポンプの図示は省略されている。

【００２８】（実施例３）実施例１、実施例２において
はレーザ光はＳｉ基板２１、又は基板１１に対し、基板
面に垂直な方向から照射されているが、図４、図５はレ
ーザ光が基板１１の表面に対して斜めに照射される基板
温度モニタの取り付けを示し、図４はその側面概略図、
図５は平面概略図である。

【００２９】すなわち、図４、図５を参照して、真空チ
ャンバ７４内におけるヒータ７３と一体的な基板ホール
ダ７２上に載置される基板１１に対して、真空チャンバ
７４の一方の側壁に設けた覗き窓７１を通してレーザ１
からのレーザ光が基板１１の表面となす角度θ₁ の光軸
Ｚ₁ で照射され、図４の側面図で示して基板１１の表面
となす角度θ₂ 、図５の平面図で示して、基板１１の表
面に投影された反射光軸Ｚ₂ となす角度±θ₀ のＺ₃ 、
Ｚ₃ ’の方向へ散乱反射されて生ずるスペックル・パタ
ーンを受像するようにイメージセンサー２、３が対称的
に配置されている。そして、このイメージセンサー２、
３に対応させて、真空チャンバ７４の覗き窓７１を設け
た側壁と対向する側壁に覗き窓７２、７３が設けられて
いる。イメージセンサー２、３にそれぞれ相関計８、９
が接続され、相関計８、９にコンピュータ５１が接続さ
れることに変わりはない。なお、図４、図５においても
レーザ１及びイメージセンサー２、３の固定治具と真空
ポンプの図示は省略されている。

【００３０】この実施例のようなレーザ１とイメージセ
ンサー２、３とを照射点Ｐを中にして対向させる配置に
おいて、角度θ₁ と角度θ₂ とを等角度とする必要はな
い。すなわち、イメージセンサー２、３が光軸Ｚ₁ と反
射光軸Ｚ₂ を含む面の両側において対称位置にある限
り、何れの位置にあっても散乱反射で生ずるスペックル
・パターンを受像し得るからである。又、対称位置にイ
メージセンサー２、３を配置するのは伸び以外の要因に
よるスペックル・パターンの移動をキャンセルするため
であることは実施例１、実施例２の場合と同様である。

【００３１】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。

【００３２】例えば、使用するレーザ光の波長は限定さ
れないが、発振波長が可視領域にあるＨｅ−Ｎｅレーザ
が好適に使用される。又、小型化のためには半導体レー
ザが使用され得る。発振波長が非可視領域、例えば赤外
線領域にある場合には、照射の光軸を決めるために可視
領域のガイドビームを設けることが望ましい。

【００３３】又、使用するイメージセンサーは一次元又
は二次元の光電変換素子であり、スペックル・パターン
の移動を捉え得るものであればその種類を問わないが、
小型軽量の観点からは電荷転送方式のＣＣＤイメージセ
ンサが好ましく使用される。

【００３４】又、覗き窓はレーザ光を透過させるもので
あればよく、特に材料的には限定されない。更には、高
温の基板から放射される赤外線がイメージセンサに入射
してノイズとなることを防ぐために、使用するレーザ光
の波長のみを選択的に透過させるフィルタを覗き窓に取
り付けることは好ましい。この選択透過フィルタはイメ
ージセンサに取り付けてもよい。

【００３５】又、各実施例において、レーザと覗き窓と
の間、イメージセンサ２、３と覗き窓との間に、レーザ
光、又はスペックル・パターンを生じている散乱反射光
を覆うカバーを設けていないが、実際の測定に当たって
は外部からの光の影響を排除するためのカバーを設ける
ことはより好ましい。

【００３６】なお、各実施例においては、レーザ１、イ
メージセンサ２、３はレーザ光を透過させる覗き窓を介
して基板をのぞむように真空チャンバの外部に固定した
が、これらは真空チャンバ内部に固定してもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の基板温度モ
ニタによれば、その温度測定はレーザ光が基板で散乱反
射されて生ずるスペックル・パターンの加熱前後の移動
を捉えることによるものであるから、直接的な測定であ
りながら非接触であり基板に何らの変化損傷を与えず、
かつ他の要因による誤差を含みにくいので測定精度が極
めて高い。従って、成膜プロセス中に基板毎の温度測定
が可能であり、更には基板温度モニタを構成するコンピ
ュータによって、基板温度のプログラム制御を行い得る
ので、真空成膜装置内の基板を成膜の各段階に応じて最
適の温度、時間に制御しての成膜が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板温度モニタの基本的な構成図であ
る。

【図２】実施例１としての、基板温度モニタを取り付け
たＣＶＤ装置の概略図である。

【図３】実施例２としての、基板温度モニタが基板裏面
の温度を測定するように取り付けられた真空チャンバの
概略図である。

【図４】実施例３としての、レーザ光が基板表面に斜め
に照射するように基板温度モニタを取り付けた真空チャ
ンバの側面概略図である。

【図５】図４に対応する平面概略図である。

【図６】従来例の放射型赤外線温度計の基板温度測定時
における配置図である。

【図７】公開されている熱膨張係数測定の原理図であ
る。

【符号の説明】

１レーザ２イメージセンサ３イメージセンサ８相関計９相関計１１基板１２基板ホールダ１３ヒータ１４真空チャンバ１６覗き窓１７覗き窓１８覗き窓２０ＣＶＤ装置２１Ｓｉ基板２２基板ホールダ２３ヒータ２５覗き窓２６熱電対２７増幅器２８ヒータ電力調整器５１コンピュータ５２コンピュータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者清水三郎神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内 (72)発明者君島文雄神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内 (72)発明者渡辺君達神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空成膜装置内の基板へ照射するレーザ
光の発振源と、レーザ光の照射点から光軸と反射光軸と
を含む面の両側へ等角度で等距離の対称位置に配置され
前記レーザ光が前記基板で散乱反射されて生ずるスペッ
クル・パターンを受像するための一対のイメージセンサ
とが前記真空成膜装置に取り付けられ、前記一対のイメ
ージセンサのそれぞれに前記基板の加熱前後における前
記スペックル・パターンの移動量を求める相関計が接続
され、前記スペックル・パターンの移動量の差、前記一
対のイメージセンサの配置されている前記角度と前記距
離、および既知である前記基板の熱膨張係数から前記基
板の温度を演算するコンピュータが前記相関計に接続さ
れていることを特徴とする基板温度モニタ。
【請求項２】前記コンピュータが前記基板の温度を演
算すると共に、前記基板の温度をプログラム制御する請
求項１に記載の基板温度モニタ。
【請求項３】前記レーザ光の発振源が前記基板への照
射角度を調整し、前記一対のイメージセンサがその位置
する前記角度と前記距離を調整し得るように取り付けら
れている請求項１または請求項２に記載の基板温度モニ
タ。
【請求項４】前記レーザ光の発振源から前記レーザ光
が前記基板に対して垂直に照射され、前記レーザ光の発
振源と前記一対のイメージセンサとが前記照射点を含み
同一面内に配置されている請求項１から請求項３までの
何れかに記載の基板温度モニタ。
【請求項５】前記レーザ光の発振源から前記レーザ光
が前記基板に対して斜めに照射され、前記一対のイメー
ジセンサが前記照射点を中にして前記レーザ光の発振源
と対向する位置に配置されている請求項１から請求項３
までの何れかに記載の基板温度モニタ。