KR970077431A - 기판 온도 측정을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

기판을 가열하기 위해 열 처리 챔버에서 온도 프로브 판독을 수정하는 방법이, 기판을 처리 온도로 가열시키는 단계와; 기판의 온도를 측정하기 위해 제1, 제2 및 제3프로브를 이용하며, 제1 및 제3프로브는 제1유효 반사도를 제2프로브는 제2유효 반사도를 갖으며, 제1프로브는 제1온도 표시를 발생하며, 제2프로브는 제2온도표시를 발생하며 제3프로브는 제3온도 표시를 발생하며, 여기서 상기 수정된 온도 판독은 제1 및 제2프로브에 의해 발생된 수정되지 않은 판독보다 더 정밀한 기판의 실제 온도의 표시기이다. 그 후, 제3프로브의 환경에서 기판의 실제 온도의 더 정확한 표시기인 수정된 온도 판독을 제공하기 위해 제3프로브의 환경과 관련된 측정된 방사도 감도에 따라서 제1프로브에 대해 계산된 온도 수정을 거절하므로 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독을 유도한다. 본 발명의 방법을 수행하기 위한 장치도 개시된다.

Description

기판 온도 측정을 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반사기가 기판 주변에 배치된 기판 온도 측정 스케임의 개략적 횡측 단면도.

Claims (17)

  1. 기판을 가열하기 위해 열 처리 챔버내에서 온도 프로브 판독을 수정하는 방법에 있어서, 상기 기판의 한쪽 측면상에서 반사 공동을 형성하며, 상기 기판을 처리 온도로 가열하며, 상기 반사 공동으로부터 에너지를 샘플하기 위해 제1프로브, 제2프로브 및 적어도 하나의 제3프로브를 이용하는데, 상기 제1 및 제3프로브는 제1유효 반사도와 결합되었으며 상기 제2프로브는 제2유효 반사도와 결합되었으며, 상기 제1프로브로부터의 샘플된 에너지는 제1온도 표시를 발생하며, 제2프로브로부터의 샘플된 에너지는 제2온도 표시를 발생하며 제3프로브로부터의 샘플된 에너지는 제3온도 표시를 발생하며, 상기 제1 및 제2유효 반사도는 서로 다르며, 상기 제1 및 제2온도 표시로부터, 상기 수정된 온도 판독이 제1온도 표시 및 조절 온도의 합인 제1프로브에 대한 수정된 온도 판독을 유도하며, 상기 조절 온도는 상기 제1 및 제2온도 표시 사이의 차로부터 유도되며, 여기서 제1프로브에 대한 수정된 온도 판독은 제1 및 제2프로브에 의해 발생된 수정되지 않은 판독보다 제1프로브의 환경에서 더 정확한 상기 기판의 실제 온도 표시기이며, 조절 온도와 제3온도 표시로부터, 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독을 유도하며, 여기서 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독이, 제3프로브에 의해 발생된 수정되지 않은 판독보다 제3프로브의 환경에서 더 정밀한 기판의 실제 온도 표시기인 것을 특징으로 하는 온도프로브 판독 수정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1프로브에 대한 제1비접촉 프로브 이용하며, 제2프로브에 대한 제2비접촉 프로브를 이용하며 제3프로브에 대한 제3비접촉 프로브를 이용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독수정 방법.
  3. 제2항에 있어서, 제1, 및 제2 및 제3프로브를 이용하여 수행되는 온도 측정은 제시간에 수행되는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  4. 제2항에 있어서, 제1, 제2 및 제3프로브를 이용하여 수행되는 온도 측정은 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  5. 제2항에 있어서, 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독은, 제3프로브 및 제3온도 표시에 대한 감도 요소로 증배된 조절 온도의 적의 합인 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  6. 제2항에 있어서, 제3프로브에 대한 유도 단계는 제3프로브 위치에 대한 감도 요소를 계산하는 것을 포함하며, 여기서 상기 감도 요소 및 제1프로브에 대해 유도된 조절 온도의 적은 상기 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독을 야기시키기 위해 제3온도 표시와 합산되는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 감도 요소는, 선정된 방사도 레벨을 갖는 다수의 조정 기판에 대해 인가된 평균온도로부터 온도 변동을 결정하므로 계산되는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  8. 제7항에 있어서 상기 다수의 조정 기판은 높은 방사도 레벨을 갖는 적어도 한의 가판과, 낮은 방사도를 갖는 적어도 하나의 기판과, 높고 낮은 레벨 사이의 방사 레벨을 갖는 적어도 하나의 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제3프로브에 대한 감도 요소는, 제1프로브에 대해 수정된 유도된 온도 데이타와 상기 조정 기판에 대해 인가된 평균 온도로부터 국부화된 온도 변동과 결합된 감도 곡선의 직선 근사치에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  10. 제1항에 있어서, 제1, 제2 및 제3프로브에 대한 광학 고온 측정계 이용을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  11. 열 처리 가열 챔버에서 기판의 온도를 측정하기 위한 장치에 있어서, 그 사이에서 반사 공동을 형성하기 위해 상기 기판의 한쪽 표면 다음에 배치된 반사 판; 상기 반사 공동으로부터 에너지를 수신하고 제1온도 판독을 발생하기 위해 배치된 제1프로브; 상기 반사 공동으로부터 에너지를 수신하며 제2온도 판독을 발생하기 위해 배치된 제2프로브를 포함하고, 상기 제1프로브는 상기 제2프로브 보다 상기 공동에 대한 서로 다른 유효 반사도와 결합되었으며, 상기 반사공동으로부터 에너지를 수신하고 제3온도 판독을 발생하기 위해 배치된 적어도 하나의 제3프로브로서, 상기 제3프로브는 상기 제1프로브와 상기 공동에 대해 거의 같은 유효 반사도와 결합되었으며, 처리동안에 제1, 제2 및 제3프로브로부터 제1, 제2 및 제3온도 표시를 수신하는 온도 측정 모듈로서, 상기 모듈은 상기 제1 및 상기 제2온도 표시로부터 상기 제1 및 상기 제2온도 표시로부터 상기 제1프로브에 대해 수정된 온도 판독을 유도하도록 프로그램 되며, 상기 제1프로브에 대해 상기 수정된 온도 판독은 상기 제1온도 표시 및 계산된 조절 온도의 합을 판독하며, 상기 조절 온도는 상기 제1 및 제2온도 표시 사이에 차로부터 계산도며, 상기 수정된 온도 판독은 상기 제1 및 제2프로브의 수정되지 않은 판독보다 제1프로브와 관련된 영역에서 상기 가판의 실제 온도의 더 정확한 표시기이며, 상기 온도 측정 모듈은 상기 조절 온도로부터의 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독과 제3온도 판독을 유도하기 위해 프로그램 되며, 여기서 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독을 제3프로브에 의해 발생된 수정되지 않은 판독보다 제3프로브의 환경에서 실제 기판 온도의 더 정확한 표시기인 것을 특징으로 하는 기판의 온도를 측정하기 위한 장치.
  12. 제11항에 있어서, 제1, 제2 및 제3프로브는 광 파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 온도를 측정하기 위한 장치.
  13. 제11항에 있어서, 제1, 제2 및 제3프로브는 제1, 제2 및 제3홀에 배치되며, 상기 제1, 제2 및 제3홀은 반사판에 형성되며 여기서 상기 제2홀은 상기 제1 및 상기 제3홀보다 더 큰 것을 특징으로하는 기판의 온도를 측정하기 위한 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 온도 측정 모듈은 제3프로브에 대한 감도 요소를 계산되며, 여기서 제3프로브에 대한 상기 감도 요소 및 조절 온도의 적은 제3프로브에 대한 수정된 온도 판독을 야기시키기 위해 제3온도표시와 합산되는 것을 특징으로 하는 기판의 온도를 측정하기 위한 장치.
  15. 제14항에 있어서, 제3프로브에 대한 감도 요소는, 선정된 방사도 레벨을 갖는 다수의 조정 기판에 대해 인가된 평균 온도로부터 온도 변동을 결정하므로 계산된다는 것을 특징으로 하는 온도 프로브 판독 수정 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 다수의 조정 기판을 높은 방사로 레벨을 갖는 적어도 하나의 기판과, 낮은 방사도 레벨을 갖는 적어도 하나의 기판과, 높고 낮은 레벨 사이의 방사도 레벨을 갖는 적어도 하나의 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 온도를 측정하기 위한 장치.
  17. 제16항에 있어서, 제3프로브에 대한 감도 요소는, 제1프로브에 대한 유도된 수정된 온도 데이타와 상기 조정 기판에 대해 인가된 평균 온도로부터 국부화된 온도 변동과 관련된 감도 곡선의 직선 근사치에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 기판의 온도를 측정하기 위한 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6179466B1 (en) * 1994-12-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
US6207936B1 (en) 1996-01-31 2001-03-27 Asm America, Inc. Model-based predictive control of thermal processing
JPH09246200A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 熱処理方法および輻射加熱装置
WO1998020521A1 (de) * 1996-11-01 1998-05-14 THEVA DüNNSCHICHTTECHNIK GMBH Vorrichtung zur herstellung oxidischer dünnschichten
US6395363B1 (en) 1996-11-05 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Sloped substrate support
US6123766A (en) * 1997-05-16 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for achieving temperature uniformity of a substrate
US6157106A (en) * 1997-05-16 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Magnetically-levitated rotor system for an RTP chamber
US5944422A (en) * 1997-07-11 1999-08-31 A. G. Associates (Israel) Ltd. Apparatus for measuring the processing temperature of workpieces particularly semiconductor wafers
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6226453B1 (en) * 1997-09-16 2001-05-01 Applied Materials, Inc. Temperature probe with fiber optic core
US6260997B1 (en) * 1997-10-28 2001-07-17 Michael Claybourn Method and apparatus for high spatial resolution spectroscopic microscopy
EP0921558A3 (de) * 1997-12-08 2002-04-24 STEAG RTP Systems GmbH Optische Strahlungsmess-Vorrichtung
US6079874A (en) * 1998-02-05 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Temperature probes for measuring substrate temperature
US6200388B1 (en) * 1998-02-11 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support for a thermal processing chamber
US6183130B1 (en) * 1998-02-20 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for substrate temperature measurement using a reflecting cavity and detector
US6625846B2 (en) 1998-03-06 2003-09-30 Shigeo Takizawa Caster for robot
US6064799A (en) * 1998-04-30 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the radial temperature gradient of a wafer while ramping the wafer temperature
US6169271B1 (en) 1998-07-13 2001-01-02 Mattson Technology, Inc. Model based method for wafer temperature control in a thermal processing system for semiconductor manufacturing
US6374150B2 (en) * 1998-07-30 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring and/or end point detecting a process
US6174080B1 (en) 1998-08-06 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for measuring substrate temperature
US6462310B1 (en) 1998-08-12 2002-10-08 Asml Us, Inc Hot wall rapid thermal processor
US6300600B1 (en) 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6900413B2 (en) 1998-08-12 2005-05-31 Aviza Technology, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6164816A (en) * 1998-08-14 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Tuning a substrate temperature measurement system
US6110288A (en) * 1998-12-17 2000-08-29 Eaton Corporation Temperature probe and measurement method for low pressure process
US6478875B1 (en) 1999-03-03 2002-11-12 The Research Foundation Of State University Of New York Method and apparatus for determining process-induced stresses and elastic modulus of coatings by in-situ measurement
JP2000266603A (ja) 1999-03-19 2000-09-29 Tokyo Electron Ltd 放射温度測定方法及び放射温度測定装置
US6151446A (en) * 1999-07-06 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for thermally processing substrates including a processor using multiple detection signals
US6121581A (en) * 1999-07-09 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US6280081B1 (en) * 1999-07-09 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for calibrating temperature measurements and measuring currents
US6805466B1 (en) * 2000-06-16 2004-10-19 Applied Materials, Inc. Lamphead for a rapid thermal processing chamber
GB0019176D0 (en) * 2000-08-05 2000-09-27 Cambridge Material Science Lim Monitoring thermal events
US6492625B1 (en) 2000-09-27 2002-12-10 Emcore Corporation Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates
US6350964B1 (en) 2000-11-09 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Power distribution printed circuit board for a semiconductor processing system
US6344631B1 (en) 2001-05-11 2002-02-05 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly and processing apparatus
KR100432135B1 (ko) * 2001-06-30 2004-05-17 동부전자 주식회사 급속 열처리 장치
WO2003073055A1 (fr) * 2002-02-28 2003-09-04 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Systeme de mesure de la temperature, dispositif de chauffage utilisant le systeme, procede de production d'une plaquette a semi-conducteurs, element translucide de protection contre les rayons calorifiques, element reflechissant la lumiere visible, miroir reflechissant utilisant un systeme d'exposition, dispositif a semi-co
US6987240B2 (en) * 2002-04-18 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Thermal flux processing by scanning
US6818864B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-16 Asm America, Inc. LED heat lamp arrays for CVD heating
US6912872B2 (en) * 2002-08-23 2005-07-05 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for producing a purified liquid
US7778533B2 (en) * 2002-09-12 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Semiconductor thermal process control
US7704327B2 (en) * 2002-09-30 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High temperature anneal with improved substrate support
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
US7127367B2 (en) 2003-10-27 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Tailored temperature uniformity
US20080090309A1 (en) * 2003-10-27 2008-04-17 Ranish Joseph M Controlled annealing method
US6976782B1 (en) 2003-11-24 2005-12-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for in situ substrate temperature monitoring
US8658945B2 (en) * 2004-02-27 2014-02-25 Applied Materials, Inc. Backside rapid thermal processing of patterned wafers
US20060286807A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Jack Hwang Use of active temperature control to provide emmisivity independent wafer temperature
US20060004493A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Jack Hwang Use of active temperature control to provide emmisivity independent wafer temperature
US8422127B2 (en) * 2005-03-17 2013-04-16 Hamamatsu Photonics K.K. Microscopic image capturing device
US7972441B2 (en) 2005-04-05 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Thermal oxidation of silicon using ozone
US7767927B2 (en) 2005-05-16 2010-08-03 Ultratech, Inc. Methods and apparatus for remote temperature measurement of a specular surface
CN101288035B (zh) * 2005-09-14 2013-06-19 马特森技术有限公司 可重复热处理的方法和设备
US8372203B2 (en) * 2005-09-30 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Apparatus temperature control and pattern compensation
US7691204B2 (en) * 2005-09-30 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation
US7860379B2 (en) * 2007-01-15 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US7977258B2 (en) * 2007-04-06 2011-07-12 Mattson Technology, Inc. Method and system for thermally processing a plurality of wafer-shaped objects
CN101702950B (zh) 2007-05-01 2012-05-30 加拿大马特森技术有限公司 辐照脉冲热处理方法和设备
EP3573092B1 (en) 2008-05-02 2021-12-22 Applied Materials, Inc. System for non radial temperature control for rotating substrates
US8111978B2 (en) * 2008-07-11 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with shower head
US8254767B2 (en) 2008-08-29 2012-08-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for extended temperature pyrometry
US9279727B2 (en) 2010-10-15 2016-03-08 Mattson Technology, Inc. Methods, apparatus and media for determining a shape of an irradiance pulse to which a workpiece is to be exposed
US8506161B2 (en) * 2011-06-21 2013-08-13 Advanced Energy Industries, Inc. Compensation of stray light interference in substrate temperature measurement
CN102564598B (zh) * 2012-01-06 2013-09-25 电子科技大学 一种红外探测器测温的定标和校正方法及相应的测温方法
TWI654666B (zh) 2014-01-27 2019-03-21 Veeco Instruments, Inc. 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具
JP6245209B2 (ja) * 2015-03-30 2017-12-13 Ｊｆｅスチール株式会社 温度計測装置、メッキ鋼板の加熱装置、メッキ鋼板のプレス装置、メッキ鋼板の加熱方法、およびメッキ鋼板のプレス方法
KR20190138315A (ko) * 2017-05-03 2019-12-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 세라믹 가열기 상의 통합형 기판 온도 측정
KR101983326B1 (ko) * 2017-09-29 2019-05-29 에이피시스템 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN110411609A (zh) * 2019-02-14 2019-11-05 辽宁达能电气股份有限公司 一种分布式光纤测温在线校准装置及校准方法
US20240055232A1 (en) * 2021-03-25 2024-02-15 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN114371525A (zh) * 2022-01-18 2022-04-19 北京北方华创微电子装备有限公司 反射部件及工艺腔室

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5234230B2 (ko) * 1971-12-27 1977-09-02
BE880666A (fr) * 1979-12-17 1980-04-16 Centre Rech Metallurgique Dispositif et procede pour mesurer l'emissivite d'un produit
US4611930A (en) * 1983-12-16 1986-09-16 Exxon Research And Engineering Co. Pyrometer measurements in the presence of intense ambient radiation
US4659234A (en) * 1984-06-18 1987-04-21 Aluminum Company Of America Emissivity error correcting method for radiation thermometer
US4708474A (en) * 1985-11-14 1987-11-24 United Technologies Corporation Reflection corrected radiosity optical pyrometer
US4881823A (en) * 1988-03-29 1989-11-21 Purdue Research Foundation Radiation thermometry
US5188458A (en) * 1988-04-27 1993-02-23 A G Processing Technologies, Inc. Pyrometer apparatus and method
US4919542A (en) * 1988-04-27 1990-04-24 Ag Processing Technologies, Inc. Emissivity correction apparatus and method
KR960013995B1 (ko) * 1988-07-15 1996-10-11 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 반도체 웨이퍼 기판의 표면온도 측정 방법 및 열처리 장치
US4956538A (en) * 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
US5029117A (en) * 1989-04-24 1991-07-02 Tektronix, Inc. Method and apparatus for active pyrometry
US5011295A (en) * 1989-10-17 1991-04-30 Houston Advanced Research Center Method and apparatus to simultaneously measure emissivities and thermodynamic temperatures of remote objects
DE69118513T2 (de) * 1990-01-19 1996-10-02 Applied Materials Inc Vorrichtung zum erwärmen von halbleiterscheiben oder -substraten
US5156461A (en) * 1991-05-17 1992-10-20 Texas Instruments Incorporated Multi-point pyrometry with real-time surface emissivity compensation
US5226732A (en) * 1992-04-17 1993-07-13 International Business Machines Corporation Emissivity independent temperature measurement systems
EP0612862A1 (en) * 1993-02-24 1994-08-31 Applied Materials, Inc. Measuring wafer temperatures
US5660472A (en) * 1994-12-19 1997-08-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures

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