CN103726033A - 一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法 - Google Patents

一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103726033A
CN103726033A CN201210381992.8A CN201210381992A CN103726033A CN 103726033 A CN103726033 A CN 103726033A CN 201210381992 A CN201210381992 A CN 201210381992A CN 103726033 A CN103726033 A CN 103726033A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
heating
furnace body
heating tube
heating power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210381992.8A
Other languages
English (en)
Inventor
吴晓松
宋准
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Suntech Power Co Ltd
Original Assignee
Wuxi Suntech Power Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi Suntech Power Co Ltd filed Critical Wuxi Suntech Power Co Ltd
Priority to CN201210381992.8A priority Critical patent/CN103726033A/zh
Publication of CN103726033A publication Critical patent/CN103726033A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,预先设定温度目标值,实时采集炉体各个温区的实际温度,计算出与温度目标值的温度差值;根据该差值,通过模糊控制器控制炉体内的加热管的加热功率输出,以使得炉体各个温区的实际温度与温度目标值的偏差值小于预先设定的阈值,模糊控制器所采用的模糊控制决策包括温度偏差程度模糊规则,为针对实际的温度差值控制加热管的加热功率输出;当炉体各个温区的实际温度与温度目标值的偏差值小于预先设定的阈值后,启用增量型PID控制器控制加热管的加热功率输出。本发明的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,有效缩短开始加热工艺腔到达到工艺腔正常工艺时的时间。

Description

一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池制备工艺领域,尤其涉及一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法。
背景技术
在太阳能电池或半导体制程的镀膜工艺中都会碰到如何有效加热工艺腔到指定工艺温度的问题。现有技术中,由于一般工艺腔在正常工艺时腔体内是真空的,这使得升温、降温过程极不对称。真空状态下工艺腔内温度定值控制时的腔内实际温度曲线为非对称的S曲线。即开始时腔体内温度缓慢上升,几分钟后腔体内温度快速上升并冲高至设定温度之上,然后再极其缓慢的下调至设定温度之下。由于升温、降温过程极不对称使得从开始加热工艺腔到达到工艺腔正常工艺时的时间大大延长,较长的温控时间影响了产量并加大了能耗。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,有效缩短开始加热工艺腔到达到工艺腔正常工艺时的时间,整个温度控制过程采用了模糊控制决策,模拟人的快速升温经验过程。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,包括以下步骤:
S1:预先设定温度目标值,实时采集所述炉体各个温区的实际温度,并计算出与所述温度目标值的温度差值;
S2:根据所述温度差值,通过模糊控制器控制所述炉体内的加热管的加热功率输出,以使得所述炉体各个温区的实际温度与所述温度目标值的偏差值小于预先设定的阈值,所述模糊控制器所采用的模糊控制决策包括温度偏差程度模糊规则,所述温度偏差程度模糊规则为针对实际的温度差值控制加热管的加热功率输出,温度差值越大,加热管的加热功率输出越大,温度差值越小,加热管的加工功率输出越小;
S3:当所述炉体各个温区的实际温度与所述温度目标值的偏差值小于预先设定的阈值后,启用增量型PID控制器控制所述炉体内的加热管的加热功率输出。
作为优选,所述预先设定的阈值为1~2℃。
作为优选,所述模糊控制决策还包括炉体状态模糊规则,所述炉体状态模糊控制规则为针对炉门开度控制加热管的加热功率输出,炉门开度越大,加热管的加热功率输出越大,炉门开度越小,加热管的加热功率输出越小。
作为优选,所述模糊控制决策还包括真空状态模糊规则,所述真空状态模糊规则为针对炉体内为真空状态与否来控制加热管的加热功率输出,包括:
炉体内为真空状态时,当炉体温度在预先设定温度目标值的100℃以下时,加热管的加热功率以全功率输出方式工作;当炉体温度在预先设定温度目标值的80℃以下时,加热管的加热功率输出按真空状态下非线性曲线加热炉体,在该真空状态下非线性曲线中,越接近预先设定温度目标值,加热管的加热功率越低;当炉体温度在预先设定温度目标值的10℃以下时,启用自动真空PID控制器控制炉体温度,
炉体内为非真空状态时,当炉体温度在预先设定温度目标值的85℃以下时,加热管的加热功率以全功率输出方式工作;当炉体温度在预先设定温度目标值的60℃以下时,加热管的加热功率输出按非真空状态下非线性曲线加热炉体,在该非真空状态下非线性曲线中,越接近预先设定温度目标值,加热管的加热功率越低;当炉体温度在预先设定温度目标值的20℃以下时,启用自动非真空PID控制器控制炉体温度,
非真空状态下非线性曲线与真空状态下非线性曲线的差别是,在相同炉体温度条件下,所述真空状态下非线性曲线比非真空状态下非线性曲线的曲线斜率更大。
作为优选,所述模糊控制决策还包括气体流量模糊控制规则,所述气体流量模糊控制规则为针对喷入炉体的气体流量的大小控制加热管的加热功率输出,根据喷入炉体的气体流量给加热管的加热功率值乘以气体流量系数,喷入炉体的气体流量越大,该气体流量系数越大。
作为优选,所述模糊控制决策还包括等离子状态模糊规则,所述等离子状态模糊规则包括,在开启等离子设备之前,判断炉体温度偏差是否在10℃以内,如偏差在10℃以内,则在打开等离子时,停止加热管的加热功率输出,同时继续监视炉体温度,当炉体温度低于预先设定温度目标值10℃以下,重新开始加热管的加热功率输出。
作为优选,所述模糊控制决策还包括各个温区的温度偏差程度模糊规则,所述各个温区的温度偏差程度模糊规则为在加热过程中,对最高、高、中、低、最低五个温区的实际温度进行温度跟踪,随时获取最高温区的温度与最低温区的温度,将各温区的温度与最高和最低温区的温度进行比较,计算出各个温区与最高温区温度的上偏差和各个温区与最低温区温度的下偏差,当最高温区与最低温区温度的最大下偏差大于30℃时,最高温区暂时停止加热,以等待最低温区温度提升;当高、中、低、最低四个温区的上偏差大于20℃时,将高、中、低、最低四个温区的加热曲线乘以温区上偏差修正系数,上偏差越大,该系数越大。
与现有技术相比,本发明的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法的有益效果在于:通过对炉体加入模糊控制决策,包括炉体状态模糊规则、真空状态模糊规则、气体流量模糊控制规则、等离子状态模糊规则、各个温区的温度偏差程度模糊规则,有效缩短开始加热工艺腔到达到工艺腔正常工艺时的时间,整个温度控制过程采用了模糊控制决策,模拟人的快速升温经验过程。
附图说明
图1为本发明的实施例的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法的控制框图;
图2为使用本发明的实施例的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法的实验曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的实施例的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法作进一步详细描述,但不作为对本发明的限定。
图1为本发明的实施例的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法的控制框图,图2为使用本发明的实施例的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法的实验曲线图。本发明的实施例的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,包括以下步骤:
S1:预先设定温度目标值,实时采集所述炉体各个温区的实际温度,并计算出与所述温度目标值的温度差值,
S2:根据所述温度差值,通过模糊控制器控制所述炉体内的加热管的加热功率输出,以使得所述炉体各个温区的实际温度与所述温度目标值的偏差值小于预先设定的阈值,所述模糊控制器所采用的模糊控制决策包括温度偏差程度模糊规则,所述温度偏差程度模糊规则为针对实际的温度差值控制加热管的加热功率输出,温度差值越大,加热管的加热功率输出越大,温度差值越小,加热管的加工功率输出越小,其中,温度目标值430℃到450℃左右,本实施例中阈值取1~2℃。
作为改进,由于工艺炉体的炉门在打开时,炉内的温度会由于空气对流而造成炉内温度下降,尤其是靠近炉口的加热区内的温度会急剧下降。为此,可在炉门打开和关闭这两种状态下对不同的温区设定不同的加热策略。模糊控制决策还包括炉体状态模糊规则,所述炉体状态模糊控制规则为针对炉门开度控制加热管的加热功率输出,炉门开度越大,加热管的加热功率输出越大,炉门开度越小,加热管的加热功率输出越小。
作为改进,由于在真空下,炉内加热主要靠辐射来完成,而在非真空状态下炉内加热靠传导和辐射来完成。为此,可对炉内为真空状态与否设定不同的加热策略。因此,所述模糊控制决策还可以包括真空状态模糊规则,所述真空状态模糊规则为针对炉体内为真空状态与否来控制加热管的加热功率输出,包括:
炉体内为真空状态时,当炉体温度在预先设定温度目标值的100℃以下时,加热管的加热功率以全功率输出方式工作;当炉体温度在预先设定温度目标值的80℃以下时,加热管的加热功率输出按真空状态下非线性曲线加热炉体,在该真空状态下非线性曲线中,越接近预先设定温度目标值,加热管的加热功率越低;当炉体温度在预先设定温度目标值的10℃以下时,启用自动真空PID控制器控制炉体温度;
炉体内为非真空状态时,当炉体温度在预先设定温度目标值的85℃以下时,加热管的加热功率以全功率输出方式工作;当炉体温度在预先设定温度目标值的60℃以下时,加热管的加热功率输出按非真空状态下非线性曲线加热炉体,在该非真空状态下非线性曲线中,越接近预先设定温度目标值,加热管的加热功率越低;当炉体温度在预先设定温度目标值的20℃以下时,启用自动非真空PID控制器控制炉体温度;
非真空状态下非线性曲线与真空状态下非线性曲线的差别是,在相同炉体温度条件下,所述真空状态下非线性曲线比非真空状态下非线性曲线的曲线斜率更大。
作为改进,由于喷入的气体是常温的,气体在进入炉体后会冷却腔体,有气体喷入与没有气体喷入的加热曲线不一样,即,当有气体喷入时,加热曲线必须乘以一个气体流量系数(此系数>1),此系数与气体的流量大小相关。所述模糊控制决策还包括气体流量模糊控制规则,所述气体流量模糊控制规则为针对喷入炉体的气体流量的大小控制加热管的加热功率输出,根据喷入炉体的气体流量给加热管的加热功率值乘以气体流量系数,喷入炉体的气体流量越大,该气体流量系数越大。
作为改进,由于等离子体本身会产生热量,并且离子体产生的热量一般大于炉体散失的热量,故在打开等离子时,基本上断开炉体的加热系统(但仍继续监视炉体温度,如温度低于设定温度10℃以下,则必须重启加热系统)。所述模糊控制决策还包括等离子状态模糊规则,所述等离子状态模糊规则包括,在打开等离子之前,判断炉体温度偏差是否在10℃以内,如偏差在10℃以内,则在打开等离子时,断开加热管的加热功率输出,同时继续监视炉体温度,当炉体温度低于预先设定温度目标值10℃以下,重新打开加热管的加热功率输出。
作为改进,由于炉体内分为五个温区,即最高、高、中、低、最低五个温区,炉体内五个温区的温度应该一致。但在实际的加热过程中,五个温区的温度往往不一致。为此,为各个温区的温度偏差制定控制规则。总体原则为:温度高的温区等待温度低的温区。所述模糊控制决策还包括各个温区的温度偏差程度模糊规则,所述各个温区的温度偏差程度模糊规则为在加热过程中,对最高、高、中、低、最低五个温区的实际温度进行温度跟踪,随时获取最高温区的温度与最低温区的温度,将五个温区的温度与最高温区的温度进行比较,计算出各个温区与最高温区温度的上偏差和各个温区与最高低温区温度的下偏差,当最高温区与最低温区温度的最大下偏差大于30℃时,最高温区暂时停止加热,以等待最低温区温度提升;当高、中、低、最低四个温区的上偏差大于20℃时,将高、中、低、最低四个温区的加热曲线乘以温区上偏差非线性修正系数,上偏差越大,该系数越大。
最终的炉体五个温区的温度加热曲线是设定温度、炉内温度、炉壁温度、炉门状态、真空状态、气体流量、等离子状态加热管位置的函数。此函数由反复多次的实践逐步逼近来获取。
如图2所示,在图示的温度曲线中,设定温度为430℃,实际温度为429℃~430℃,整个温度控制过程采用了上述的模糊控制决策,模拟人的快速升温经验过程,达到了快速、稳定的有益控制效果。
以上实施例仅为本发明的示例性实施例,不用于限制本发明,本发明的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本发明的实质和保护范围内,对本发明做出各种修改或等同替换,这种修改或等同替换也应视为落在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:预先设定温度目标值,实时采集所述炉体各个温区的实际温度,并计算出与所述温度目标值的温度差值;
S2:根据所述温度差值,通过模糊控制器控制所述炉体内的加热管的加热功率输出,以使得所述炉体各个温区的实际温度与所述温度目标值的偏差值小于预先设定的阈值,所述模糊控制器所采用的模糊控制决策包括温度偏差程度模糊规则,所述温度偏差程度模糊规则为针对实际的温度差值控制加热管的加热功率输出,温度差值越大,加热管的加热功率输出越大,温度差值越小,加热管的加工功率输出越小;
S3:当所述炉体各个温区的实际温度与所述温度目标值的偏差值小于预先设定的阈值后,启用增量型PID控制器控制所述炉体内的加热管的加热功率输出。
2.根据权利要求1所述的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,其特征在于,所述预先设定的阈值为1~2℃。
3.根据权利要求2所述的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,其特征在于,所述模糊控制决策还包括炉体状态模糊规则,所述炉体状态模糊控制规则为针对炉门开度控制加热管的加热功率输出,炉门开度越大,加热管的加热功率输出越大,炉门开度越小,加热管的加热功率输出越小。
4.根据权利要求3所述的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,其特征在于,所述模糊控制决策还包括真空状态模糊规则,所述真空状态模糊规则为针对炉体内为真空状态与否来控制加热管的加热功率输出,包括:
炉体内为真空状态时,当炉体温度在预先设定温度目标值的100℃以下时,加热管的加热功率以全功率输出方式工作;当炉体温度在预先设定温度目标值的80℃以下时,加热管的加热功率输出按真空状态下非线性曲线加热炉体,在该真空状态下非线性曲线中,越接近预先设定温度目标值,加热管的加热功率越低;当炉体温度在预先设定温度目标值的10℃以下时,启用自动真空PID控制器控制炉体温度,
炉体内为非真空状态时,当炉体温度在预先设定温度目标值的85℃以下时,加热管的加热功率以全功率输出方式工作;当炉体温度在预先设定温度目标值的60℃以下时,加热管的加热功率输出按非真空状态下非线性曲线加热炉体,在该非真空状态下非线性曲线中,越接近预先设定温度目标值,加热管的加热功率越低;当炉体温度在预先设定温度目标值的20℃以下时,启用自动非真空PID控制器控制炉体温度,
非真空状态下非线性曲线与真空状态下非线性曲线的差别是,在相同炉体温度条件下,所述真空状态下非线性曲线比非真空状态下非线性曲线的曲线斜率更大。
5.根据权利要求4所述的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,其特征在于,所述模糊控制决策还包括气体流量模糊控制规则,所述气体流量模糊控制规则为针对喷入炉体的气体流量的大小控制加热管的加热功率输出,根据喷入炉体的气体流量给加热管的加热功率值乘以气体流量系数,喷入炉体的气体流量越大,该气体流量系数越大。
6.根据权利要求5所述的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,其特征在于,所述模糊控制决策还包括等离子状态模糊规则,所述等离子状态模糊规则包括,在开启等离子设备之前,判断炉体温度偏差是否在10℃以内,如偏差在10℃以内,则在打开等离子时,停止加热管的加热功率输出,同时继续监视炉体温度,当炉体温度低于预先设定温度目标值10℃以下,重新开始加热管的加热功率输出。
7.根据权利要求6所述的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法,其特征在于,所述模糊控制决策还包括各个温区的温度偏差程度模糊规则,所述各个温区的温度偏差程度模糊规则为在加热过程中,对最高、高、中、低、最低五个温区的实际温度进行温度跟踪,随时获取最高温区的温度与最低温区的温度,将各温区的温度与最高和最低温区的温度进行比较,计算出各个温区与最高温区温度的上偏差和各个温区与最低温区温度的下偏差,当最高温区与最低温区温度的最大下偏差大于30℃时,最高温区暂时停止加热,以等待最低温区温度提升;当高、中、低、最低四个温区的上偏差大于20℃时,将高、中、低、最低四个温区的加热曲线乘以温区上偏差修正系数,上偏差越大,该系数越大。
CN201210381992.8A 2012-10-10 2012-10-10 一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法 Pending CN103726033A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210381992.8A CN103726033A (zh) 2012-10-10 2012-10-10 一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210381992.8A CN103726033A (zh) 2012-10-10 2012-10-10 一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103726033A true CN103726033A (zh) 2014-04-16

Family

ID=50450321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210381992.8A Pending CN103726033A (zh) 2012-10-10 2012-10-10 一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103726033A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105239058A (zh) * 2015-09-25 2016-01-13 圆融光电科技股份有限公司 校准mocvd设备设定温度的方法
CN107608408A (zh) * 2016-07-11 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 温度控制方法、装置及半导体加工设备
CN110109496A (zh) * 2019-04-17 2019-08-09 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种用于pcvd保温炉的自动升温控制系统
CN110384398A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 烹饪器具及其防溢出控制方法和控制装置
CN113110635A (zh) * 2021-03-26 2021-07-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及外点火装置的温度控制系统、方法及控制器
CN113819770A (zh) * 2021-09-13 2021-12-21 安徽首矿大昌金属材料有限公司 一种温升曲线可控电加热炉控制方法
CN116414162A (zh) * 2023-01-31 2023-07-11 江苏拓米洛高端装备股份有限公司 一种试验箱温度控制方法、装置和试验箱
CN117626444A (zh) * 2023-11-15 2024-03-01 淮安捷泰新能源科技有限公司 扩散炉的控制方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1651602A (zh) * 2005-02-21 2005-08-10 西北工业大学 碳/碳复合材料热梯度化学气相渗透过程温度自动控制器
US20070292598A1 (en) * 2005-04-04 2007-12-20 Tokyo Electron Limited Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus
CN101469418A (zh) * 2007-12-29 2009-07-01 沈阳中科博微自动化技术有限公司 等离子增强化学气象沉积设备的控制方法
CN101906622A (zh) * 2010-08-20 2010-12-08 华晟光电设备(香港)有限公司 用于mocvd系统中控制外延片温度及均匀性的装置与方法
JP2011222703A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Sharp Corp 加熱制御システム、それを備えた成膜装置、および温度制御方法
CN102560435A (zh) * 2010-12-15 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热控制方法、装置和系统、以及pecvd设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1651602A (zh) * 2005-02-21 2005-08-10 西北工业大学 碳/碳复合材料热梯度化学气相渗透过程温度自动控制器
US20070292598A1 (en) * 2005-04-04 2007-12-20 Tokyo Electron Limited Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus
CN101469418A (zh) * 2007-12-29 2009-07-01 沈阳中科博微自动化技术有限公司 等离子增强化学气象沉积设备的控制方法
JP2011222703A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Sharp Corp 加熱制御システム、それを備えた成膜装置、および温度制御方法
CN101906622A (zh) * 2010-08-20 2010-12-08 华晟光电设备(香港)有限公司 用于mocvd系统中控制外延片温度及均匀性的装置与方法
CN102560435A (zh) * 2010-12-15 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热控制方法、装置和系统、以及pecvd设备

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
曾允文: "《智能控制在变频传动系统中的应用》", 31 March 2012, 机械工业出版社 *
朱胤等: "CVD金刚石衬底温度场的自调整模糊PID控制器研究", 《先进制造与智能控制》 *
陈丁跃: "《现代汽车控制及其智能化》", 30 April 2011, 西安交通大学出版社 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105239058A (zh) * 2015-09-25 2016-01-13 圆融光电科技股份有限公司 校准mocvd设备设定温度的方法
CN105239058B (zh) * 2015-09-25 2017-10-20 圆融光电科技股份有限公司 校准mocvd设备设定温度的方法
CN107608408A (zh) * 2016-07-11 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 温度控制方法、装置及半导体加工设备
CN110384398A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 烹饪器具及其防溢出控制方法和控制装置
CN110109496A (zh) * 2019-04-17 2019-08-09 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种用于pcvd保温炉的自动升温控制系统
CN113110635A (zh) * 2021-03-26 2021-07-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及外点火装置的温度控制系统、方法及控制器
CN113110635B (zh) * 2021-03-26 2023-08-18 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及外点火装置的温度控制系统、方法及控制器
CN113819770A (zh) * 2021-09-13 2021-12-21 安徽首矿大昌金属材料有限公司 一种温升曲线可控电加热炉控制方法
CN116414162A (zh) * 2023-01-31 2023-07-11 江苏拓米洛高端装备股份有限公司 一种试验箱温度控制方法、装置和试验箱
CN117626444A (zh) * 2023-11-15 2024-03-01 淮安捷泰新能源科技有限公司 扩散炉的控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103726033A (zh) 一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法
WO2011156239A3 (en) Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
CN104962727B (zh) 一种连续退火炉加热段炉温控制系统及方法
WO2011149790A3 (en) Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control
CN105423334B (zh) 热风炉燃烧过程智能控制系统及方法
CN110257577A (zh) 一种球式热风炉烧炉过程控制方法及系统
CN104456618B (zh) 一种蓄热式燃烧控制系统及其控制方法
CN103978546B (zh) 全自动免烧砖养护装置
CN106931646A (zh) 一种中央热水器智能控制方法
CN202099324U (zh) 三段连续式真空退火炉
CN103305683B (zh) 一种低功率下连续退火炉烧嘴燃烧的控制系统及其方法
CN114317860A (zh) 一种蓄热式热风炉燃烧控制方法
CN107949088B (zh) 电磁加热系统的功率控制方法和功率控制装置及电磁炉
CN203992395U (zh) 真空烧结炉冷却系统
CN109539359A (zh) 分工况pid+自适应前馈补偿的相变电蓄热供暖系统及方法
CN205897871U (zh) 一种真空炉加热系统
CN103740380B (zh) 一种焦炉烘炉工艺
WO2017101286A1 (zh) 微波炉的控制方法及控制装置
CN110953572B (zh) 农林生物质水冷振动炉排锅炉减温水联合调控策略及方法
KR101499167B1 (ko) 난방 제어장치 및 그 방법
CN109812800A (zh) 燃煤机组高压加热器抽汽节流参与的再热汽温控制方法
CN105404143A (zh) 燃气炉窑炉膛压力计算机智能模糊控制节能方法
CN104864490A (zh) 智能位式控制方法
Yang et al. Self-tuning-parameter fuzzy PID control in fresh air system
CN110109496A (zh) 一种用于pcvd保温炉的自动升温控制系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140416