JP2002329770A - 基板検出装置、基板処理装置及びその運転方法。 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 基板の反りが大きい場合にも、プレート上の
基板の有無を確実に検知できるようにすることである。 【解決手段】 基板検出装置において、載置台から基板
までの距離を検出するセンサ１５１と、センサの出力を
それぞれ異なる閾値ｘ１，ｘ２で評価する第１及び第２
比較手段１５３ａ，１５３ｂと、第１及び第２比較手段
の出力に基づいて基板の有無を評価する評価手段１５２
とを備える。第１及び第２比較手段の出力を評価するこ
とにより、「基板有り無し」を判別するとともに、基板
の反りの程度や基板搬送の成否を知ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板検出装置、特
に、液晶表示パネルやプラズマ表示パネル等に用いるガ
ラス基板、半導体ウエハ等を検出する基板検出装置に関
する。

【０００２】本発明は、基板処理装置、特に、液晶表示
パネルやプラズマ表示パネル等に用いるガラス基板、半
導体ウエハ等に所定の処理を施す基板処理装置に関す
る。本発明は、基板処理装置における基板検出方法、特
に、液晶表示パネルやプラズマ表示パネル等に用いるガ
ラス基板、半導体ウエハ等に所定の処理を施す基板処理
装置における基板検出方法に関する。

【０００３】

【従来の技術】液晶表示装置又はプラズマ表示装置（Ｐ
ＤＰ）用のガラス基板（ＦＰＤ基板）や半導体ウエハ等
の製造プロセスにおいては、基板の表面にレジスト膜を
形成して露光・現像を行う基板処理装置が必要である。
この基板処理装置は、複数の処理ユニットを接続して一
貫した処理を可能にした装置（インラインシステム）で
あり、例えばフォトリソグラフィ工程では、露光機と接
続して塗布前洗浄から塗布・露光・現像までを連続して
行えるようにしたコータ／デベロッパ装置がある。

【０００４】このような基板処理装置では、例えば、基
板の洗浄後に水滴を蒸発させるために基板をホットプレ
ートで加熱したり、その後にクーリングプレートにより
冷却する処理を行っている。ホットプレート又はクーリ
ングプレートにより基板を加熱又は冷却する場合、搬送
装置により基板をプレート上に載置させ、加熱又は冷却
処理後に搬送装置により基板をプレートから持ち上げ
る。このような加熱又は冷却処理では、基板がホットプ
レート又はクーリングプレートに載置されたことや持ち
上げられたことを確認しつつ、熱処理や搬送動作を行う
のが好ましく、プレート上の基板の有無を検知する必要
がある。従来、プレートに埋め込まれたセンサ（例えば
フォトセンサ）により基板とプレートとの距離を検出
し、その検出値が予め設定した閾値より小さい場合は基
板がプレート上に在ると判断し、その検出値が予め設定
した閾値より大きい場合は基板が持ち上げられてプレー
トから離れている（プレート上に基板無し）と判断して
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の基
板に加熱や冷却等の熱処理を施すと、その熱によって基
板に反りが生じる。基板の反りが大きいと、基板がプレ
ート上にある場合でも基板とセンサとの距離が大きくな
り、基板を検知できないことがある。反っている状態の
基板の検知を確実にするために上記の閾値を大きくする
ことも考えられるが、基板を搬送機構により持ち上げた
場合には、基板無しと判断しなければならないため、閾
値を大きくするにも制約がある。

【０００６】特に、液晶表示装置用やＰＤＰ用のガラス
基板では、面積が大きく、その分基板の反りも大きく、
今後、ガラス基板がますます大面積になったり薄くなっ
たりすると、基板の反りはさらに大きくなる。基板がプ
レート上にあるときの反りの大きさが、搬送機構によっ
て基板を持ち上げる距離よりも大きくなったり、両者を
区別できないほど差が小さくなってくると、上述のよう
なセンサの閾値を大きくすることでは基板検知は不可能
である。また、この問題は搬送機構で基板を持ち上げる
距離を十分に大きくすれば、閾値を適当に設定する上述
の手法で解決可能であるが、現実には、搬送のための時
間を長くできないことや装置の大きさの制約から、上述
の手法は採用できない。

【０００７】本発明の目的は、基板の反りが大きい場合
にも、プレート上の基板の載置や持ち上げの状況を確実
に検知できるようにすることである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る基板検出
装置は、載置台に載置される基板の状態を検出する基板
検出装置であって、載置台の特定位置において基板の存
在高さを検出するセンサと、センサの検出結果を第１の
閾値と比較する第１比較手段と、センサの検出結果を第
１の閾値とは異なる第２の閾値と比較する第２比較手段
と、第１及び第２比較手段の検出結果を評価し、載置台
における基板の状態を判断する評価手段とを備えてい
る。

【０００９】ここでは、複数の閾値を用いて基板の状態
を評価しているので、基板の載置状態を確実に判断する
ことができる。請求項２に係る基板検出装置は、請求項
１に係る基板検出装置において、評価手段が、第１及び
第２検出手段の検出結果を評価して基板の反りの状態を
判断する。

【００１０】請求項３に係る基板処理装置は、基板に所
定の処理を施す基板処理装置であって、基板を載置可能
な載置台と、載置台に載置される基板の状態を検出する
基板検出装置とを備え、基板検出装置は、載置台の特定
位置において基板の存在高さを検出するセンサと、セン
サの検出結果を第１の閾値と比較する第１比較手段と、
センサの検出結果を第１の閾値とは異なる第２の閾値と
比較する第２比較手段と、第１及び第２比較手段の検出
結果を評価し、載置台における基板の状態を判断する評
価手段とを有する。

【００１１】ここでは、複数の閾値を用いて基板の状態
を評価しているので、基板の載置状態を確実に判断する
ことができる。請求項４に係る基板処理装置は、請求項
３に係る基板処理装置において、評価手段が、第１及び
第２検出手段の検出結果を評価し、基板の反りの状態を
判断する。

【００１２】請求項５に係る基板処理装置は、請求項３
又は４に係る基板処理装置において、基板を載置台に載
置する第１位置と及び載置台から持ち上げる第２位置と
に移動可能な搬送手段と、搬送手段を制御する制御手段
とをさらに備え、評価手段は、制御手段による搬送手段
の制御状態を参照して載置台における基板の状態を判断
する。

【００１３】これにより、搬送手段による搬送状態が、
基板載置状態なのか持ち上げ状態なのかを参照しなが
ら、載置台における基板の状態や反りの状態を判断でき
る。請求項６に係る基板処理装置は、請求項５に係る基
板処理装置において、第１の閾値が、載置台に載置され
ている基板に生じる反りが起こり得る最大量となったと
きの特定位置における基板の存在高さであり、第２の閾
値が、搬送手段が第２位置に移動することによって持ち
上げられたときの特定位置における基板の存在高さの最
小値である。

【００１４】これにより、基板の持ち上げ状態と基板の
反りの状態を考慮して、確実に基板の状態を判断するこ
とができる。請求項７に係る基板処理装置は、請求項６
に係る基板処理装置において、第１の閾値を、第２の閾
値よりも高く設定可能である。

【００１５】これにより、基板の反り量が搬送手段によ
る持ち上げ高さよりも大きい場合でも、それらを適正に
設定して確実に基板の状態を判断することができる。請
求項８に係る基板処理装置は、請求項５から７のいずれ
かに係る基板処理装置において、基板処理装置のリセッ
ト時に、搬送手段を第１位置に移動させて、第１及び第
２比較手段の検出結果を評価する。これにより、評価結
果が「載置台に基板が存在しない状態」であることを確
認する。

【００１６】請求項９に係る基板検出方法は、載置台に
載置される基板に所定の処理を施す基板処理装置におい
て基板の状態を検出する基板検出方法であって、第１〜
第３段階を含んでいる。第１段階では、載置台から第１
距離内に基板が存在するか否かを検出する。第２段階で
は、載置台から第１距離より短い第２距離内に基板が存
在するか否かを判検出する。第３段階では、第１及び第
２段階での検出結果を評価し、基板の状態を判断する。
請求項９に係る基板検出方法では、請求項１に係る基板
検出装置の場合と同様の作用効果を奏する。

【００１７】請求項１０に係る基板検出方法は、請求項
９に係る基板検出方法において、第１及び第２段階の検
出結果を評価し、基板の反りを評価する第４段階をさら
に含む。請求項１０に係る基板検出方法では、請求項２
に係る基板検出装置の場合と同様の作用効果を奏する。

【００１８】請求項１１に係る基板検出方法は、請求項
９又は１０に係る基板検出方法において、基板処理装置
は、基板を載置台に載置する第１位置及び載置台から持
ち上げる第２位置とに移動可能な搬送手段と、搬送手段
を制御する制御手段とをさらに備えている。そして第３
段階は、制御手段による搬送手段の制御状態を参照して
載置台における基板の状態を判断する。請求項１１に係
る基板検出方法では、請求項５に係る基板処理装置の場
合と同様の作用効果を奏する。

【００１９】請求項１２に係る基板検出方法は、請求項
１１に係る基板処理装置において、第１の距離が、載置
台に載置されている基板に生じる反りが起こり得る最大
量となったときの特定位置における基板と載置台の距離
であり、第２の距離が、搬送手段が第２位置に移動する
ことによって持ち上げられたときの特定位置における基
板の最低高さと載置台の距離である。請求項１２に係る
基板検出方法では、請求項６に係る基板処理装置の場合
と同様の作用効果を奏する。

【００２０】請求項１３に係る基板検出方法は、第１の
距離を、第２の距離よりも長く設定した。請求項１３に
係る基板検出方法では、請求項７に係る基板処理装置の
場合と同様の作用効果を奏する。

【００２１】請求項１４に係る基板検出方法は、請求項
１１から１３のいずれかに係る基板検出方法において、
基板処理装置のリセット時に、搬送手段を第１位置に移
動させ、第１及び第２比較手段の検出結果を評価する第
５段階をさらに含む。請求項１４に係る基板検出方法で
は、請求項８に係る基板処理装置の場合と同様の作用効
果を奏する。

【００２２】

【発明の実施の形態】〔基板処理装置〕本発明の基板処
理システムの一実施形態（第１実施形態）を図１及び図
２に示す。図１は基板処理装置１の平面図であり、図２
は基板処理装置１に接続される制御装置２を含む基板処
理システムのブロック図である。

【００２３】基板処理装置１は、図１に示すように、複
数の処理ユニットを接続して一貫した処理を可能にした
コータ／デベロッパ装置であって、露光機２と接続さ
れ、フォトリソグラフィ工程においてレジスト塗布前洗
浄から塗布・露光・現像までを連続して行えるようにす
るものである。

【００２４】基板処理装置１は、洗浄ユニット１０、脱
水ベークユニット２０、塗布ユニット３０、プリベーク
ユニット４０、Ｉ／Ｆ部５０、現像ユニット６０、ポス
トベークユニット７０、コンベアユニット８０及びイン
デクサー部９０の各処理ユニットを備えている。基板処
理装置１は、インデクサー部９０に載置されたカセット
３から被処理ガラス基板（以下、基板という）を取り出
して各処理部へ送り出し、各処理工程を終えた基板を同
じカセット３に収納するユニカセット方式を採用可能で
ある。カセット３からの取り出し及びカセット３への収
納は、基板を保持して旋回可能なアームを備えカセット
３の列に沿って移動可能なインデクサーロボット９０Ｒ
によって行う。

【００２５】洗浄ユニット１０は、枚葉式の処理部の集
合であって、搬入部、水洗部、乾燥部、及び搬出部から
なる。搬入部から搬出部までは、コンベアによって基板
を搬送しつつ洗浄処理する。なお、コンベアはクリーン
ルーム内に対応した発塵性の少ないローラコンベアを採
用する。脱水ベークユニット２０は、枚葉式の処理部の
集合であって、搬入部と加熱部と冷却部と搬出部とから
なる。加熱部は、複数のホットプレートから構成され、
各プレートで段階的に基板を加熱処理する。冷却部は、
複数のクーリングプレートからなり、各プレートで段階
的に基板を冷却処理する。搬入部から搬出部までは、複
数のハンドを持ち基板を隣接する処理部へ順送りしてゆ
くいわゆる間歇移送装置によって基板を搬送しつつ、加
熱及び冷却処理を施す。塗布ユニット３０は、枚葉式の
処理部の集合であって、搬入部と塗布部と乾燥部とエッ
ジリンス部と搬出部とからなる。塗布部は、基板にレジ
ストを塗布する装置であり、乾燥部は、基板上のレジス
トを乾燥させる装置であり、エッジリンス部は、基板端
部のレジストを除去する装置である。搬入部から搬出部
までは、間歇移送装置によって基板を搬送しつつ、レジ
スト塗布、レジスト乾燥、エッジ部のレジスト除去を順
に行う。プリベークユニット４０は、枚葉式の処理部の
集合であって、搬入部と加熱部と冷却部と搬出部とから
なる。加熱部は、複数のホットプレートから構成されて
おり、各プレートで段階的に基板を加熱処理する。冷却
部は、複数のクーリングプレートから構成されており、
各プレートで段階的に基板を冷却処理する。搬入部から
搬出部までは、間歇移送装置によって基板を搬送しつ
つ、加熱及び冷却処理を施す。現像ユニット６０は、枚
葉式の処理部の集合であって、搬入部と現像部と水洗部
と乾燥部と搬出部とからなる。搬入部から搬出部まで
は、コンベアによって基板を搬送しつつ現像処理、洗浄
処理、乾燥処理を順に行う。ポストベークユニット７０
は、枚葉式の処理部であり、搬入部と加熱部と冷却部と
搬出部とからなる。加熱部は、複数のホットプレートか
ら構成され、各プレートで段階的に基板を加熱処理す
る。冷却部は、複数のクーリングプレートから構成さ
れ、各プレートで段階的に基板を冷却処理する。搬入部
から搬出部までは、間歇移送装置によって基板を搬送し
つつ、加熱及び冷却処理を施す。コンベアユニット８０
は基板を搬送するためのコンベアを備えており、当該コ
ンベアは、ポストベークユニット７０の搬出部のコンベ
アに連なり、インデクサー部９０にまで至っているもの
である。ポストベークユニット７０の搬出部からコンベ
アユニット８０に送り出された基板はコンベアユニット
８０のコンベアによって搬送され、インデクサー部９０
にまで運ばれ、インデクサーロボット９０Ｒによって受
け取られてインデクサー部９０のカセット３に収納され
る。Ｉ／Ｆ部５０は、基板処理装置１と露光機２との間
で基板の受け渡しを順序良く行うための機構であり、一
般に、基板を搬送する搬送ロボットやタクトタイムを調
節するバッファ（カセット等）からなる。

【００２６】〔加熱部及び冷却部〕脱水ベークユニット
２０、プリベークユニット４０及びポストベークユニッ
ト７０に設けられる加熱部の一例を示す。図２は平面図
であり、図３は構成ブロック図である。冷却部の構成
も、加熱部と同様であるので、以下の説明は冷却部のに
も当てはまる。

【００２７】加熱部は、図２に示すように、ホットプレ
ート１０１ａ〜ｃとコンベア１０２・１０３と可動枠１
０４と搬送爪１０５とプッシャー１２７・１０９ａ〜ｃ
・１２８を主に備えている。ホットプレート１０１ａ〜
ｃは、プレート上に載置された基板を加熱する装置であ
る。ホットプレート１０１ａ〜ｃの四隅には、ホットプ
レート１０１ａ〜ｃの表面に形成した小孔から出退自在
にプッシャー１０９ａ〜ｃが設けられている。このプッ
シャー１０９ａ〜ｃは、ホットプレート１０１ａ〜ｃの
表面か突出して載置された基板を上方に持ち上げ、下降
して保持した基板をホットプレート１０１ａ〜ｃに載置
する構成である。コンベア１０２は、上流側の処理部か
ら最前のホットプレート１０１ａに基板を受け渡すため
の機構であり、コンベア１０３は、最後のホットプレー
ト１０１ｃから下流側の処理部に基板を受け渡すための
機構である。コンベア１０２・１０３のそれぞれには、
プッシャー１２７・１２８が設けられており、上述した
プッシャー１０９ａ〜ｃと同様に動作する。搬送爪１０
５は、プッシャー１２７・１０９ａ〜ｃ・１２８の上昇
によって持ち上げられている基板に対して回動してその
下側へ入り、ホットプレート１０１ａ〜ｃの面上に沿っ
て図２の矢印で示すように回動可能となっている。また
搬送爪１０５は、その先端部は凹部１０６を有し、この
凹部１０６に基板の角部が合致するようになっている。
可動枠１０４は、ホットプレート１０１ａ〜ｃ・コンベ
ア１０２・１０３の両側に一対設けられ、これらに対し
て基板の搬送方向に沿って移動可能である。一対の可動
枠１０４の上面には、複数の搬送爪１０５が設けられて
いる。搬送爪１０５は、基板の搬送方向に沿う２つと、
ホットプレート１０１ａ〜ｃ及びコンベア１０２・１０
３を挟んで対向する２つとが１組となって搬送爪群１０
５ａ〜ｄを構成している。この搬送爪群１０５ａ〜ｄそ
れぞれの搬送爪１０５が基板の四隅を支持して基板を搬
送する。

【００２８】これらのホットプレート１０１ａ〜ｃ、コ
ンベア１０２・１０３、可動枠１０４、搬送爪１０５及
びプッシャー１２７・１０９ａ〜ｃ・１２８には、図３
に示すように制御手段１２０が接続されている。制御手
段１２０は、これらの動作を制御するためのマイクロコ
ンピュータや制御の条件を格納するメモリ等で構成され
ている。制御手段１２０には、ホットプレート１０１ａ
〜ｃ上の基板との距離を検知するための基板検出装置１
５０が接続されている。

【００２９】〔基板検出装置〕基板検出装置１５０は、
基板とホットプレート１０１ａ〜ｃ表面との距離を検出
するセンサ１５１と、センサ１５１の出力に基づいてホ
ットプレート１０１ａ〜ｃ上の基板の有無や状態及び基
板搬送の良否等、該当するホットプレートの状況を評価
する評価手段とを備えている。センサ１５１は、ホット
プレート１０１ａ〜ｃのそれぞれに１個づつ埋め込んで
配置されている。評価手段１５２は、図４に示すよう
に、比較手段１５３と演算手段１５４とから構成されて
いる。比較手段１５３は、第１比較手段１５３ａと第２
比較手段１５３ｂとを有し、それぞれに閾値ｘ１・ｘ２
が設定される。第１比較手段１５３ａは、センサ１５１
の出力を閾値ｘ１と比較し、ＯＮ又はＯＦＦ信号を出力
する。第２比較手段１５３ｂは、センサ１５１の出力を
閾値ｘ２と比較し、ＯＮ又はＯＦＦ信号を出力する。演
算手段１５４は、第１比較手段１５３ａ及び第２比較手
段１５３ｂからのＯＮ又はＯＦＦ信号を用いて基板の有
無等の状況を評価する。

【００３０】図５〜図７を参照し、基板検出装置１５０
における基板検出のアルゴリズムを説明する。まず、基
板の反りが大きい場合の基板検出のアルゴリズムを説明
し、次に、基板の反りがない場合も、本実施形態の基板
検出装置１５０を用いて基板の検出ができることを示
す。

【００３１】図５は、反りの大きい基板とホットプレー
ト１０１との断面模式図である。ここでは、反りによる
影響を説明するために、基板の反りを極端に強調して示
している。図５（ａ）は、基板がホットプレート１０１
に載置された状態を示し、図５（ｂ）は、基板をプッシ
ャー１０９により持ち上げた状態を示す。ここで、ｘ
１、ｘ２を以下のように定義する。ｘ１は基板がホット
プレート１０１に載置されているときの基板が熱処理に
よって反っている状態であって、その反りが処理しよう
としているプロセス条件によって起こり得る最大量とな
ったときのその基板とセンサ１５１との距離の最大値で
ある。ｘ２は基板がプッシャー１０９により持ち上げら
れているときの基板とセンサ１５１との距離の最小値で
あって、これは、持ち上げられた基板の自重による撓み
や熱処理によって生じて持ち上げ時まで残留している反
りなどの影響を含んだ値である。これらｘ１、ｘ２は処
理しようとするプロセス条件等に応じて実験的に定めら
れる。

【００３２】まず、熱処理による基板の反りが大きいプ
ロセス条件で処理する場合の、基板の有無等のホットプ
レートの状況の評価のための構成と動作について説明す
る。ここでは、ｘ１、ｘ２について実験的に定められる
数値がｘ２＜ｘ１となる場合について説明する。この場
合、ｘ１を第１比較手段１５３ａの閾値として用い、ｘ
２を第２比較手段１５３ｂの閾値として用いて、第１比
較手段１５３ａ、第２比較手段１５３ｂを次のように構
成する。

【００３３】即ち、第１比較手段１５３ａは、基板とセ
ンサ１５１の距離ｘがｘ１以下のときＯＮ信号を、距離
ｘがｘ１より大きいときＯＦＦ信号を出力するように調
整する。また第２比較手段１５３ｂは、基板とセンサ１
５１の距離ｘがｘ２以上のときＯＦＦ信号を、距離ｘが
ｘ２未満のときＯＮ信号を出力するように調整する。こ
れらの設定関係を図６に示し、ここでは、基板をホット
プレート１０１に載置したとき（ａ）と、基板をプッシ
ャー１０９により持ち上げたとき（ｂ）の比較手段１５
３での出力を示している。但し、第１比較手段１５３ａ
では、距離ｘがｘ１よりも大きいときにＯＦＦ信号を出
力するので、ホットプレート１０１ａ〜ｃに装着される
カバーを検知しないようにセンサの感度を調整する必要
がある。

【００３４】基板をホットプレート１０１に載置したと
きに「基板が正しく置かれている」と判断するには、距
離ｘはｘ１以下でなければならない。基板の反りが比較
的大きい場合は、距離ｘがｘ１以下かつｘ２以となり、
第１比較手段１５３ａの出力はＯＮ・第２比較手段１５
３ｂの出力はＯＦＦとなる（）。基板の反りが比較的
小さい場合は、距離ｘがｘ１より小さくかつｘ２よりも
小さくなり、第１比較手段１５３ａの出力はＯＮ・第２
出力手段１５３ｂの出力はＯＮとなる（）。従って、
基板をホットプレート１０１に載置したとき、の場
合に「基板が正しく置かれている」と判断すればよい。

【００３５】一方、基板をプッシャー１０９により持ち
上げたとき、「基板が正しく持ち上げられた」と判断す
るには距離ｘがｘ２以上でなければならない。また基板
をプッシャー１０９により持ち上げたときには、熱によ
る反りが小さくなるので、距離ｘがｘ１を越えることは
ない。従ってこの場合は、距離ｘがｘ１以下かつｘ２以
上となり、第１比較手段１５３ａはＯＮ・第２比較手段
１５３ｂはＯＦＦを出力すればよい（）。

【００３６】上記のととでは、第１比較手段１５３
ａ及び第２比較手段１５３ｂの出力が同じになるが、プ
ッシャー１０９の昇降の制御状態を制御手段１２０から
得ることにより、の場合との場合とを区別すること
ができる。基板をホットプレート１０１に載置したこと
を制御手段１２０から受信した場合（即ち、プッシャー
１０９が下がった状態）に、第１比較手段１５３ａがＯ
Ｎ・第２比較手段１５３ｂがＯＦＦである場合には、
「基板が正しく置かれている」と判断する。一方、基板
をプッシャー１０９により持ち上げたことを制御手段１
２０から受信した場合に、第１比較手段１５３ａがＯＮ
・第２比較手段１５３ｂがＯＦＦである場合には、「基
板が正しく持ち上げられた」と判断する。

【００３７】以上のように設定した第１比較手段１５３
ａ及び第２比較手段１５３ｂの出力を用い、かつ制御手
段１２０からプッシャー１０９の制御状態の情報を得て
参照することで、制御演算手段１５４において該当のホ
ットプレートの状況を評価することができる。演算手段
１５４による状況評価の内容と、それに応じた装置の制
御動作は、次のようになる。 （ａ）基板をホットプレート上に置くべくプッシャー１
０９を下げるように制御した場合 （ａ−１）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＮのとき この出力は、基板とセンサ１５１との距離がｘ２未満で
あることを矛盾無く示しているので、「基板は正常にホ
ットプレート上に置かれ」かつ「基板の熱反りは無いか
または小さい」という状態である。この場合、制御手段
１２０はそのままホットプレートでの処理を継続する。 （ａ−２）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＦＦのとき この出力は、基板とセンサ１５１との距離がｘ２以上で
ありかつｘ１以下であることを矛盾無く示しているの
で、「基板は正常にホットプレート上に置かれ」かつ
「基板の熱反りが大きい」という状態である。この場合
も、基板破損や搬送失敗ではないので、制御手段１２０
はそのままホットプレートでの処理を継続する。 （ａ−３）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＮのとき この場合は、第１比較手段１５３ａの出力と第２比較手
段１５３ｂの出力とが矛盾しており、第１比較手段１５
３ａ、第２比較手段１５３ｂの閾値調整ミスが考えられ
る。この場合には、制御手段１２０はかかる評価結果を
受けて、装置を停止し、オペレータに警報を出力する。 （ａ−４）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＦＦのとき この出力は、ホットプレート上に基板が置かれていない
ことを示しているので、基板の破損や搬送失敗が発生し
ていることが考えられ、また一方では第１比較手段１５
３ａ、第２比較手段１５３ｂの閾値調整ミスが考えられ
る。いずれにしてもこの場合には、制御手段１２０はか
かる評価結果を受けて、装置を停止し、オペレータに警
報を出力する。 （ｂ）基板をホットプレートから持ち上げるべくプッシ
ャー１０９を上げるように制御したとき （ｂ−１）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＦＦのときこの出力は、基板とセンサ１５
１との距離がｘ２以上でありかつｘ１以下であることを
矛盾無く示している。距離ｘ２の定義から、第２比較手
段１５３ｂのＯＦＦは基板が距離ｘ２以上の距離まで正
常に持ち上げられた状態であることを示す。この場合
は、制御手段１２０はそのまま搬送動作を継続する。 （ｂ−２）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＮのとき この出力は、基板とセンサ１５１との距離がｘ２未満で
あることを示している。これは、基板とホットプレート
の距離が近い状態であり、例えばプッシャー１０９が上
昇時に基板を突き破るなどして基板が破損するなどした
搬送の失敗か、あるいは第１比較手段１５３ａ、第２比
較手段１５３ｂの閾値調整ミスが考えられる。この場合
には、制御手段１２０はかかる評価結果を受けて、装置
を停止し、オペレータに警報を出力する。 （ｂ−３）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＮのとき この場合は、第１比較手段１５３ａの出力と第２比較手
段１５３ｂの出力とが矛盾しており、第１比較手段１５
３ａ、第２比較手段１５３ｂの閾値調整ミスが考えられ
る。この場合には、制御手段１２０はかかる評価結果を
受けて、装置を停止し、オペレータに警報を出力する。 （ｂ−４）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＦＦのとき この出力は、ホットプレート上に基板がないことを示し
ているが、第１比較手段１５３ａの閾値調整ミスが考え
られる。この場合には、制御手段１２０はかかる評価結
果を受けて、装置を停止し、オペレータに警報を出力す
る。

【００３８】これら第１比較手段１５３ａ及び第２比較
手段１５３ｂの出力と状況評価、装置動作のアルゴリズ
ムを図示すると図７のようになる。なお、図７の（ａ−
２）（ａ−３）の場合はともに「基板が正常に載置され
ている」と判断するが、第２比較手段１５３ｂの出力に
よって基板の反りの程度を判断することができる。即
ち、（ａ−２）のように第２比較手段１５３ｂの出力が
ＯＮであれば、基板と載置台との距離ｘはｘ２より小さ
く、基板の反りも小さいと判断できる。逆に、（ａ−
３）のように第２比較手段１５３ｂの出力がＯＦＦであ
れば、基板と載置台との距離ｘはｘ２より大きく、基板
の反りも大きいと判断できる。

【００３９】この結果を用いて以下のような制御を行う
ことが可能である。即ち、加熱部において、基板の反り
を少なくするようにホットプレート１０１の温度を制御
することができる。また、基板の反りの程度を外部のホ
ストコンピュータに報告し、ホストコンピュータでのレ
シピ作成に役立てることもできる。また、基板の反りを
評価することにより、基板に生じる熱歪みによる不具合
との関係や、基板材質による反り量の把握することがで
きる。また、基板の反りを下流側装置に報告し、薬液の
選択や液温調整に利用することができる。

【００４０】また本装置では、装置をリセットして原点
復帰させる時や、停止していたライン全体を起動する時
などに、前回の処理で使われた基板がホットプレート１
０１に残ったまま放置されていないかを確認するため、
基板の存在の有無を確認する工程を備えることが望まし
い。本実施形態では具体的には、このような時に、いっ
たんプッシャー１０９ａ〜ｃを全て下げた状態とする。
そして、すべてのホットプレート１０１について第１比
較手段１５３ａと第２比較手段１５３ｂの出力が両方と
もＯＦＦであれば、評価手段１５２および制御手段１２
０は残留基板なしの正常状態と判断して、装置の運転を
継続する。第１比較手段１５３ａと第２比較手段１５３
ｂのいずれかの出力がＯＮであるホットプレート１０１
があれば、評価手段１５２および制御手段１２０は残留
基板ありと判断して装置を停止し、オペレータに残留基
板の確認を促す警報を出す。

【００４１】残留基板を発見して除去したときには、オ
ペレータは再度同じ確認の工程を行うことで、装置の運
転を継続できる。確認してもし残留基板がない場合は、
第１比較手段１５３ａや第２比較手段１５３ｂの閾値の
調整ミスなどの異常設定が考えられるので、それを最適
に調整するなどの解決策がとられ、再度同じ確認の工程
が実行されるまで、制御手段１２０は装置の運転を再開
しない。なお、このような残留基板の確認工程は、上記
のような装置の原点復帰時や起動時に限らず、装置動作
中において上流側の装置から基板を受け取る直前に行な
うよう構成することもできる。

【００４２】また、上述のような基板有無の確認工程を
備えれば、次のような点で好ましい。即ち、この種の装
置において、警報の発生が頻発すると装置のオペレータ
にとってはわずらわしいので、警報が発生しないよう
に、例えば第１比較手段１５３ａの出力が常時ＯＮ信号
となり、第２比較手段１５３ｂの出力が常時ＯＦＦ信号
となるようにそれぞれの閾値を設定したり、あるいはそ
れら比較手段への信号線を短絡あるいは開放するなどし
て運転するような、誤った運転動作が行われることが考
えられる。このような状態で装置を運転すると、本来警
報を発する必要があるような状態になっても警報が発せ
られないので、正常に基板処理を行うことができないお
それがある。しかし、上述の基板有無の確認工程を実行
すれば、このような閾値の誤った設定や誤った信号線の
配線をおこなって運転しようとした場合には、装置の運
転開始前に警報を発することができ、オペレータの誤っ
た運転動作を未然に防止できる。

【００４３】なお、センサ１５１の感度調整作業、すな
わち第１比較手段１５３ａおよび第２比較手段１５３ｂ
への閾値設定の作業を簡易化するために、第１比較手段
１５３ａと第２比較手段１５３ｂに対するｘ１、ｘ２の
関係を固定せず、第１比較手段１５３ａと第２比較手段
１５３ｂのどちらかが閾値としてｘ１採用、他方が閾値
としてｘ２採用となるように調整することもできる。こ
の場合、上記の（ａ−３）と（ｂ−３）を正常動作と判
断して処理動作を継続するようにアルゴリズムを変更す
ればよい。なお、このようにすると（ａ−１）（ａ−
２）（ａ−３）（ｂ−１）（ｂ−３）のすべての場合を
正常動作であると判断することになるが、これにより、
後述するようなｘ１とｘ２との大小関係に配慮する必要
がなくなり、基板の反り量が大きい場合も小さい場合も
同じ検知と判断のアルゴリズムが適用でき、アルゴリズ
ムの切替が不要になる。

【００４４】また、上記実施形態の変形例として、図７
のアルゴリズムを簡略化して用いることもできる。即
ち、この変形例では、図７において、基板がホットプレ
ート１０１に載置されているとの信号を受信した場合、
第１比較手段１５３ａ又は第２比較手段１５３ｂのいず
れかの出力がＯＮであれば「基板が正しく置かれてい
る」と判断し、基板がプッシャー１０９により持ち上げ
られているとの信号を受信した場合には、第１比較手段
１５３ａ又は第２比較手段１５３ｂのいずれかがＯＦＦ
であれば「基板が正しく持ち上げられている」と判断す
るようにする。このようにすると、（ａ−３）、（ｂ−
３）、（ｂ−４）の場合に警報がされなくなるが、これ
らの場合はいずれも閾値ｘ１・ｘ２の調整ミスであるの
で、このような調整ミスがないとした場合には簡略化さ
れたアルゴリズムで十分である。

【００４５】なお、基板の反りの量は、処理するプロセ
ス条件、例えば基板材質や加熱部の温度設定、冷却部の
温度設定などにより変化する。処理しようとするプロセ
ス条件が、基板の反りが小さいものであって、ｘ１＜ｘ
２という関係になる場合もあり得る。実験的に定められ
るｘ１、ｘ２の数値がｘ１＜ｘ２となる場合には、その
それぞれの値を閾値として設定するとともに、図8に示
す次のようなアルゴリズムを用いれば、上記した基板の
反りが大きい場合と同様の装置のハードウエア構成でそ
のまま使用できる。即ち、基板をホットプレート１０１
上に置いたことを制御手段１２０から受信したときは、
第１比較手段１５３ａの出力及び第２比較手段１５３ｂ
の出力が共にＯＮの場合のみ「基板が正常に置かれてい
る」と判断し、それ以外の場合は、異常と判断してアラ
ームを出力する。一方、基板をプッシャー１０９により
持ち上げていることを制御手段１２０から受信したとき
は、第１比較手段１５３ａの出力が共にＯＦＦの場合の
み「基板が正常に持ち上げられている」と判断し、それ
以外は、異常と判断してアラームを出力する。このよう
にアルゴリズムを変更すると、ｘ１＜ｘ２の場合にも同
じハードウェアを用いることができる。

【００４６】なお、ｘ１＝ｘ２となることも考えられる
が、その場合には、該当のホットプレートの状況を次の
ように評価することができる。 （ｅ）基板をホットプレート上に置くべくプッシャー１
０９を下げるように制御したとき （ｅ−１）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＮのとき 基板が正常にホットプレート上に置かれたと判断する。 （ｅ−２）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＦＦのとき この場合は、閾値の微妙な調整差のために起こり得るの
で、正常に置かれたと判断する。 （ｅ−３）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＮのとき この場合も、（ｅ−３）と同じく、閾値の微妙な調整差
のために起こり得るので、正常に置かれたと判断する。 （ｅ−４）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＦＦのとき この場合は、異常と判断し、装置を停止し、オペレータ
に警報を発生する。 （ｆ）基板をホットプレートから持ち上げるべくプッシ
ャー１０９を上げるように制御したとき （ｆ−１）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＦＦのとき この場合は、基板が正常に持ち上げられたと判断する。 （ｆ−２）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＮのとき この場合は、異常と判断し、装置を停止し、オペレータ
に警報を発生する。 （ｆ−３）第１比較手段１５３ａがＯＮ、第２比較手段
１５３ｂがＯＦＦのとき この場合は、閾値の微妙な調整差のために起こり得るの
で、正常に持ち上げられたと判断する。 （ｆ−４）第１比較手段１５３ａがＯＦＦ、第２比較手
段１５３ｂがＯＮのとき この場合も、（ｆ−３）と同じく、閾値の微妙な調整差
のために起こり得るので、正常に持ち上げられたと判断
する。

【００４７】また、上記実施形態において、センサ１５
１はホットプレート１０１ａ〜ｃ上に配置してもよい。
また、センサ１５１は、光学的手段によるものでもよい
し、超音波や磁気や静電容量等を用いる手段によっても
よい。また、本実施形態では、ホットプレート１０１ａ
〜ｃのそれぞれにつきセンサを１個設けてそこから２系
統の出力を出しているが、複数のセンサを用いて比較手
段ごとに別個のセンサを設けてもよい。また、この実施
形態では、センサ１５１はホットプレート１０１ａ〜ｃ
の表面に埋め込んで設置されているが、これに限らず、
例えばホットプレート１０１ａ〜ｃの上方からホットプ
レート１０１ａ〜ｃの表面を見込むようにして設けられ
て、基板の高さを測定することによって、ホットプレー
ト１０１ａ〜ｃの表面と基板との距離を間接的に測定す
るものであってもよい。

【００４８】〔動作〕上述したような基板検出装置１５
０を備える加熱部における基板の処理について、図２及
び図３を参照しつつ説明する。上流側の処理部からコン
ベア１０２へと基板Ｗ１が搬送されると、プッシャー１
２７・１０９ａ〜ｃ・１２８が同時に上昇し、プッシャ
ー１２７が基板Ｗ１を持ち上げる。そして、搬送爪１０
５のそれぞれが同時に図２の矢印方向に回動し、搬送爪
１０５の先端の凹部１０６が基板Ｗ１の四隅に合致して
基板Ｗ１を保持する。搬送爪群１０５ａにより基板Ｗ１
が保持された後、各プッシャー１２７・１０９ａ〜ｃ・
１２８は下降し、可動枠１０４が搬送方向に移動し、搬
送爪群１０５ａがホットプレート１０１ａの両端に位置
するまで移動し、基板Ｗ１がホットプレート１０１ａの
上方まで搬送される。ここで、再び、プッシャー１２７
・１０９ａ〜ｃ・１２８が上昇し、プッシャー１０９ａ
が基板Ｗ１の四隅を支持する。次に、搬送爪１０５のそ
れぞれが、回動して元の位置に戻り、基板Ｗ１から離れ
る。その後、プッシャー１２７・１０９ａ〜ｃ・１２８
が同時に下降し、基板Ｗ１がホットプレート１０１ａ上
に載置される。そして、可動枠１０４も搬送方向と反対
側に移動し、元の位置に戻る。基板検出装置１５０によ
りホットプレート１０１ａで「基板正常載置」と判断さ
れると、ホットプレート１０１ａにおいて基板Ｗ１の加
熱処理を開始する。この間に、コンベア１０２に次の基
板Ｗ２が搬入されてくる。

【００４９】ホットプレート１０１ａにおける加熱処理
が終了すると、プッシャー１２７・１０９ａ〜ｃ・１２
８が同時に上昇し基板Ｗ１及びＷ２を持ち上げる。ここ
で、基板検出装置１５０によりホットプレート１０１ａ
で「基板正常持上」と判断されると、搬送爪１０５が同
時に回動して基板Ｗ１・Ｗ２を保持し、その後プッシャ
ー１２７・１０９ａ〜ｃ・１２８が同時に下降する。基
板Ｗ１・Ｗ２が搬送爪１０５に保持された状態で可動枠
１０４が搬送方向に移動し、基板Ｗ１がホットプレート
１０１ｂの上方に、基板Ｗ２がホットプレート１０１ａ
の上方に移動する。次に、プッシャー１２７・１０９ａ
〜ｃ・１２８が同時に上昇して基板Ｗ１・Ｗ２を保持
し、その後搬送爪１０５が同時に回動して元の位置に戻
る。次に、プッシャー１２７・１０９ａ〜ｃ・１２８が
同時に下降し、基板Ｗ１がホットプレート１０１ｂに、
基板Ｗ２がホットプレート１０１ａに載置される。ホッ
トプレート１０１ａ・ｂにおいて「基板正常載置」と判
断されると、加熱処理が施される。この間に次の基板Ｗ
３がコンベア１０３に搬送されてくる。

【００５０】上記のような手順を繰り返し、基板がホッ
トプレート１０１ａ〜ｃにおいて順次加熱処理される。
本実施形態の基板検出装置１５０によれば、基板の反り
が大きい場合にも、２つの閾値ｘ１・ｘ２を用いて基板
の状態を確実に検知することができる。これにより、基
板がプレートに確実に載置された状態で加熱又は冷却処
理を施すことができる。また、基板がプッシャー１０９
で持ち上げられたことを確認し、搬送爪１０５により基
板を搬送するので、基板の搬送を確実に行うことができ
る。さらに、比較手段の閾値が誤設定された場合などに
も警報を発することができる。また、本実施形態の運転
方法によれば、オペレータが誤った運転動作をしても装
置の運転開始前に警報を発することができ、誤った運転
動作を未然に防止できる。

【００５１】なお、上記実施形態では、基板を複数のホ
ットプレートの間を順々に送り、その複数のホットプレ
ート全体で所定の加熱時間の加熱を行う構成の加熱部に
ついて説明したが、これに限らず、例えば複数のホット
プレートを上下多段に設けて、それぞれのホットプレー
トで所定の加熱時間の加熱を行い、各ホットプレートを
並列的に動作させる構成の加熱部について本発明を適用
することもできる。また上記実施形態では、基板を加熱
処理するホットプレートを例にとって説明したが、例え
ば基板を冷却処理するクーリングプレートに本発明を適
用することができる。さらに他の用途において、載置台
で基板の有無やその状態を検出する用途に本発明は適用
できる。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、基板の反りが大きい場
合にも、２つの閾値を用いて基板の載置や持ち上げの状
況を確実に検知することができる。これにより、基板が
プレートに確実に載置された状態で加熱又は冷却処理を
施すことができる。また、基板が搬送手段により持ち上
げられていることを確認して、次のプレートへの搬送を
開始するので、基板の搬送を確実に行うことができる。

【００５３】また別の本発明によれば、基板の反りの程
度を把握することができるので、基板の反りに基づい
て、加熱部及び冷却部において基板の反りを少なくする
ように温度を制御することができる。また、基板の反り
の程度を外部のホストコンピュータに報告し、ホストコ
ンピュータでのレシピ作成に役立てることもできる。ま
た、基板の反りを評価することにより、基板に生じる熱
歪みによる不具合や、基板材質による反り量の把握する
ことができる。また、基板の反りを下流側装置に報告
し、薬液の選択や液温調整に利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置の平面図。

【図２】その加熱部の平面図。

【図３】加熱部の構成ブロック図。

【図４】基板検出装置のブロック図。

【図５】基板と載置台との距離を説明する図。

【図６】比較手段での出力。

【図７】基板検知のアルゴリズム。

【図８】基板検知のアルゴリズム（反りが少ない場
合）。

【図９】基板検知のアルゴリズム（２つの閾値が等しい
とき）。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ２ 露光機 ３ カセット １０ 洗浄ユニット ２０ 脱水ベークユニット ３０ 塗布ユニット ４０ プリベークユニット ５０ Ｉ／Ｆ部 ６０ 現像ユニット ７０ ポストベークユニット ８０ コンベアユニット ９０ インデクサー部 ９０Ｒ インデクサーロボット １０１ａ〜ｃ ホットプレート １０２、１０３ コンベア １０４ 可動枠 １０５ 搬送爪 １０５ａ〜ｄ 搬送爪群 １０６ 凹部 １０９ａ〜ｃ、１２７、１２８ プッシャー １２０ 制御手段 １５１ センサ １５２ 評価手段 １５３ 比較手段 １５３ａ・ｂ 第１・２比較手段 １５４ 演算手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 FA02 FA09 FA12 FA14 GA05 GA10 GA15 GA53 GA60 HA33 HA37 HA38 JA01 JA02 JA06 JA09 JA14 JA17 JA21 JA22 JA32 JA51 MA02 MA03 MA24 MA26 PA02 PA13 5F046 CD01 CD05 JA22 KA04 KA07 LA18

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】載置台に載置される基板の状態を検出する
   基板検出装置であって、 前記載置台の特定位置において基板の存在高さを検出す
   るセンサと、 前記センサの検出結果を第１の閾値と比較する第１比較
   手段と、 前記センサの検出結果を前記第１の閾値とは異なる第２
   の閾値と比較する第２比較手段と、 前記第１及び第２比較手段の検出結果を評価し、前記載
   置台における前記基板の状態を判断する評価手段と、を
   備える基板検出装置。
2. 【請求項２】前記評価手段は、前記第１及び第２検出手
   段の検出結果を評価し、基板の反りの状態を判断する、
   請求項１記載の基板検出装置。
3. 【請求項３】基板に所定の処理を施す基板処理装置であ
   って、 前記基板を載置可能な載置台と、 前記載置台に載置される基板の状態を検出する基板検出
   装置とを備え、 前記基板検出装置は、 前記載置台の特定位置において基板の存在高さを検出す
   るセンサと、 前記センサの検出結果を第１の閾値と比較する第１比較
   手段と、 前記センサの検出結果を前記第１の閾値とは異なる第２
   の閾値と比較する第２比較手段と、 前記第１及び第２比較手段の検出結果を評価し、前記載
   置台における前記基板の状態を判断する評価手段と、を
   有する基板処理装置。
4. 【請求項４】前記評価手段は、前記第１及び第２検出手
   段の検出結果を評価し、基板の反りの状態を判断する、
   請求項３記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】前記基板を前記載置台に載置する第１位置
   と及び前記載置台から持ち上げる第２位置とに移動可能
   な搬送手段と、 前記搬送手段を制御する制御手段とをさらに備え、 前記評価手段は、前記制御手段による前記搬送手段の制
   御状態を参照して前記載置台における基板の状態を判断
   する、請求項３又は４に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】前記第１の閾値は、 載置台に載置されている基板に生じる反りが起こり得る
   最大量となったときの前記特定位置における基板の存在
   高さであり、 前記第２の閾値は、 前記搬送手段が前記第２位置に移動することによって持
   ち上げられたときの前記特定位置における基板の存在高
   さの最小値である請求項５に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】前記第１の閾値は、前記第２の閾値よりも
   高く設定可能である、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】基板処理装置のリセット時に、前記搬送手
   段を第１位置に移動させ、前記第１及び第２比較手段の
   検出結果を評価する、請求項５から７のいずれかに記載
   の基板処理装置。
9. 【請求項９】載置台に載置される基板に所定の処理を施
   す基板処理装置において基板の状態を検出する基板検出
   方法であって、 前記載置台から第１距離内に基板が存在するか否かを検
   出する第１段階と、 前記載置台から前記第１距離より短い第２距離内に基板
   が存在するか否かを判検出する第２段階と、 前記第１及び第２段階での検出結果を評価し、基板の状
   態を判断する第３段階と、を含む基板処理装置の基板検
   出方法。
10. 【請求項１０】前記第１及び第２段階の検出結果を評価
    し、基板の反りを評価する第４段階をさらに含む、請求
    項９に記載の基板処理装置の基板検出方法。
11. 【請求項１１】前記基板処理装置は、前記基板を前記載
    置台に載置する第１位置及び前記載置台から持ち上げる
    第２位置とに移動可能な搬送手段と、前記搬送手段を制
    御する制御手段とをさらに備え、 前記第３段階は、前記制御手段による前記搬送手段の制
    御状態を参照して前記載置台における基板の状態を判断
    する、請求項９又は１０に記載の基板処理装置の基板検
    出方法。
12. 【請求項１２】前記第１の距離は、 載置台に載置されている基板に生じる反りが起こり得る
    最大量となったときの前記特定位置における基板と載置
    台の距離であり、 前記第２の距離は、 前記搬送手段が前記第２位置に移動することによって持
    ち上げられたときの前記特定位置における基板の最低高
    さと載置台の距離である請求項９から１１のいずれかに
    記載の基板処理装置の基板検出方法。
13. 【請求項１３】前記第１の距離を、前記第２の距離より
    も長く設定した、請求項１２に記載の基板処理装置の基
    板検出方法。
14. 【請求項１４】基板処理装置のリセット時に、前記搬送
    手段を第１位置に移動させ、前記第１及び第２比較手段
    の検出結果を評価する第５段階をさらに含む、請求項１
    １から１３のいずれかに記載の基板処理装置の基板検出
    方法。