JPH11195695A - 電子デバイス製造装置 - Google Patents
電子デバイス製造装置Info
- Publication number
- JPH11195695A JPH11195695A JP9360525A JP36052597A JPH11195695A JP H11195695 A JPH11195695 A JP H11195695A JP 9360525 A JP9360525 A JP 9360525A JP 36052597 A JP36052597 A JP 36052597A JP H11195695 A JPH11195695 A JP H11195695A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing chamber
- chamber
- processed
- manufacturing apparatus
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理室での基板の異常をいち早く認識し、ダ
ウンタイムの縮小および基板破損の早期原因究明をする
ことができる電子デバイス製造装置を提供する。 【解決手段】 被処理基板７に電子デバイスを製造す
る、少なくとも処理室３、ロードロック室および搬送部
を備えてなるマルチチャンバー型の電子デバイス製造装
置であって、前記処理室３に被処理基板７を検知する検
知手段であるセンサ１２が設置されている。
ウンタイムの縮小および基板破損の早期原因究明をする
ことができる電子デバイス製造装置を提供する。 【解決手段】 被処理基板７に電子デバイスを製造す
る、少なくとも処理室３、ロードロック室および搬送部
を備えてなるマルチチャンバー型の電子デバイス製造装
置であって、前記処理室３に被処理基板７を検知する検
知手段であるセンサ１２が設置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子デバイス製造装
置に関する。さらに詳しくは、ガラス基板または半導体
基板などの被処理基板にトランジスタなどの電子デバイ
スを製造するために用いられるマルチチャンバー型の電
子デバイス製造装置に関する。
置に関する。さらに詳しくは、ガラス基板または半導体
基板などの被処理基板にトランジスタなどの電子デバイ
スを製造するために用いられるマルチチャンバー型の電
子デバイス製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、たとえばＬＣＤ用ガラス基板
にアクティブ素子（ＴＦＴ）や半導体ウエハの製造工程
における成膜には、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エッチ
ング装置やイオン注入装置などが用いられている。これ
らの装置としては、処理室、ロードロック室および搬送
部（搬送室）を備えたマルチチャンバー型の装置があ
る。そして、これらの装置においては、光照射機構（セ
ンサ）によって基板表面に光を照射し、反射光を測定し
て基板の有無を検出するようにしている（特開平２−１
１６１２５号公報、特開平５−２９４４０５号公報また
は実開平６−３４２５３号公報参照）。
にアクティブ素子（ＴＦＴ）や半導体ウエハの製造工程
における成膜には、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エッチ
ング装置やイオン注入装置などが用いられている。これ
らの装置としては、処理室、ロードロック室および搬送
部（搬送室）を備えたマルチチャンバー型の装置があ
る。そして、これらの装置においては、光照射機構（セ
ンサ）によって基板表面に光を照射し、反射光を測定し
て基板の有無を検出するようにしている（特開平２−１
１６１２５号公報、特開平５−２９４４０５号公報また
は実開平６−３４２５３号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平２−１１６１２５号公報および特開平５−２９４４
０５号公報記載の装置では、センサがロードロック室に
配置されており、前記実開平６−３４２５３号公報記載
の装置では、センサが搬送室に配置されている。このた
め、基板を処理室に搬送して処理するときに、基板が処
理室に搬送される前に搬送機構の不備などにより、基板
がずれて搬送され、基板が処理室内の基板受け機構でう
まく受け取れず、基板が受け機構から落下し、基板が破
損してしまうばあいがある。このばあい、処理室内で基
板の有無の検知を行なっていないため、処理は一通り行
なわれ、基板を他のチャンバーに搬送すべく搬送室に戻
したとき、またはロードロック室に基板が戻ってきたと
きに、はじめて基板が破損していることがわかる。また
処理室に基板がきちんと搬送され基板の処理も通常通り
行なわれたのち、処理の不備により変形もしくは破損し
た基板を基板搬送機構が搬送する際に、搬送室もしくは
ロードロック室ではじめて基板が破損していることがわ
かる。このようなとき多くのばあい、基板の破損はかな
り大きくなっており、基板の破片が各チャンバーにまた
がっているだけでなく、装置の一部を破損する惧れがあ
る。また真空装置においては、破損した基板の除去、装
置の清掃および復旧に時間を要し、そのダウンタイムが
大きくなり、さらには基板が破損した真の原因を究明す
ることが困難になるという問題がある。
開平２−１１６１２５号公報および特開平５−２９４４
０５号公報記載の装置では、センサがロードロック室に
配置されており、前記実開平６−３４２５３号公報記載
の装置では、センサが搬送室に配置されている。このた
め、基板を処理室に搬送して処理するときに、基板が処
理室に搬送される前に搬送機構の不備などにより、基板
がずれて搬送され、基板が処理室内の基板受け機構でう
まく受け取れず、基板が受け機構から落下し、基板が破
損してしまうばあいがある。このばあい、処理室内で基
板の有無の検知を行なっていないため、処理は一通り行
なわれ、基板を他のチャンバーに搬送すべく搬送室に戻
したとき、またはロードロック室に基板が戻ってきたと
きに、はじめて基板が破損していることがわかる。また
処理室に基板がきちんと搬送され基板の処理も通常通り
行なわれたのち、処理の不備により変形もしくは破損し
た基板を基板搬送機構が搬送する際に、搬送室もしくは
ロードロック室ではじめて基板が破損していることがわ
かる。このようなとき多くのばあい、基板の破損はかな
り大きくなっており、基板の破片が各チャンバーにまた
がっているだけでなく、装置の一部を破損する惧れがあ
る。また真空装置においては、破損した基板の除去、装
置の清掃および復旧に時間を要し、そのダウンタイムが
大きくなり、さらには基板が破損した真の原因を究明す
ることが困難になるという問題がある。
【０００４】本発明は、叙上の事情に鑑み、処理室での
基板の異常をいち早く認識し、ダウンタイムの縮小およ
び基板破損の早期原因究明をすることができる電子デバ
イス製造装置を提供することを目的とする。
基板の異常をいち早く認識し、ダウンタイムの縮小およ
び基板破損の早期原因究明をすることができる電子デバ
イス製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電子デバイス製
造装置は、被処理基板に電子デバイスを製造する、少な
くとも処理室、ロードロック室および搬送部を備えてな
るマルチチャンバー型の電子デバイス製造装置であっ
て、前記処理室に被処理基板を検知する検知手段が設置
されてなることを特徴とする。
造装置は、被処理基板に電子デバイスを製造する、少な
くとも処理室、ロードロック室および搬送部を備えてな
るマルチチャンバー型の電子デバイス製造装置であっ
て、前記処理室に被処理基板を検知する検知手段が設置
されてなることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の電子デバイス製造装置を説明する。
明の電子デバイス製造装置を説明する。
【０００７】図１は本発明の電子デバイス製造装置の一
実施の形態にかかわるマルチチャンバー型のスパッタ装
置の構成図、図２は図１における処理室の部分断面図、
図３は処理室内の基板受け機構における基板の異常を示
す状態図、図４は処理室内の基板受け機構における基板
の異常を示す他の状態図である。
実施の形態にかかわるマルチチャンバー型のスパッタ装
置の構成図、図２は図１における処理室の部分断面図、
図３は処理室内の基板受け機構における基板の異常を示
す状態図、図４は処理室内の基板受け機構における基板
の異常を示す他の状態図である。
【０００８】図１に示すように、本発明の一実施の形態
にかかわる、薄膜トランジスタアレイの製造工程に用い
られるマルチチャンバー型のスパッタ装置１は、搬送室
２の回わりに３室の処理室（スパッタ室）３、２室のロ
ードロック室４および加熱室５から構成されている。通
常、搬送室２、処理室３および加熱室５は高真空に保た
れている。そして前記搬送室２には、各チャンバーに被
処理基板であるガラス基板を移動させるための、たとえ
ば昇降、前後進および旋回自在なロボット６などの搬送
機構が設けられている。また前記処理室３内には、図２
に示すように、ガラス基板７を載置する基板受け機構の
基板受けピン８と、サセフター（下部電極）９と、ター
ゲット１０とが配置されており、また処理室３の対向す
る側板３ａには、一対の透明な窓部１１が設けられると
ともに、非接触型センサ１２の検知手段が設置されてい
る。該検知手段である非接触型センサ１２は、前記基板
受けピン８に載置されるガラス基板７に対して同一平面
上に設置されているため、ガラス基板７が基板受けピン
８に正常に載置されているときは、ガラス基板７を検出
するが、ガラス基板７が基板受けピン８に傾いて載置さ
れているばあいや、基板受けピン８から抜け落ちている
ばあいなどでは、ガラス基板７を検出しない。かかる非
接触型センサ１２としては、発光部１２ａと受光部１２
ｂとからなるレーザー式外形変位センサ、または光ファ
イバーセンサや電磁式変位センサなどを用いることがで
きる。たとえば前記レーザー式外形変位センサでは、発
光部から発せられた帯状のレーザ光がガラス基板により
散乱され、受光部に入射する光量が減少することによ
り、ガラス基板の有無を検出する。前記検知手段である
非接触型センサ１２には、ガラス基板７の有無を検知す
るタイミング回路やガラス基板７を検知しないときにア
ラームを発生させる回路などを有する検知制御部１３を
備えているのが好ましい。前記タイミング回路として
は、たとえばガラス基板７を移動させるロボット６の先
端部であるロボットハンドが処理室３にないことを判断
する検知回路１４、ガラス基板７が処理室３に搬送さ
れ、該処理室３内の基板受けピン８に載置されているこ
とを判断する検知回路１５、または処理が終了したガラ
ス基板７が処理室３内の基板受けピン８機構上に待機し
ていることを判断する検知回路１６をあげることができ
る。
にかかわる、薄膜トランジスタアレイの製造工程に用い
られるマルチチャンバー型のスパッタ装置１は、搬送室
２の回わりに３室の処理室（スパッタ室）３、２室のロ
ードロック室４および加熱室５から構成されている。通
常、搬送室２、処理室３および加熱室５は高真空に保た
れている。そして前記搬送室２には、各チャンバーに被
処理基板であるガラス基板を移動させるための、たとえ
ば昇降、前後進および旋回自在なロボット６などの搬送
機構が設けられている。また前記処理室３内には、図２
に示すように、ガラス基板７を載置する基板受け機構の
基板受けピン８と、サセフター（下部電極）９と、ター
ゲット１０とが配置されており、また処理室３の対向す
る側板３ａには、一対の透明な窓部１１が設けられると
ともに、非接触型センサ１２の検知手段が設置されてい
る。該検知手段である非接触型センサ１２は、前記基板
受けピン８に載置されるガラス基板７に対して同一平面
上に設置されているため、ガラス基板７が基板受けピン
８に正常に載置されているときは、ガラス基板７を検出
するが、ガラス基板７が基板受けピン８に傾いて載置さ
れているばあいや、基板受けピン８から抜け落ちている
ばあいなどでは、ガラス基板７を検出しない。かかる非
接触型センサ１２としては、発光部１２ａと受光部１２
ｂとからなるレーザー式外形変位センサ、または光ファ
イバーセンサや電磁式変位センサなどを用いることがで
きる。たとえば前記レーザー式外形変位センサでは、発
光部から発せられた帯状のレーザ光がガラス基板により
散乱され、受光部に入射する光量が減少することによ
り、ガラス基板の有無を検出する。前記検知手段である
非接触型センサ１２には、ガラス基板７の有無を検知す
るタイミング回路やガラス基板７を検知しないときにア
ラームを発生させる回路などを有する検知制御部１３を
備えているのが好ましい。前記タイミング回路として
は、たとえばガラス基板７を移動させるロボット６の先
端部であるロボットハンドが処理室３にないことを判断
する検知回路１４、ガラス基板７が処理室３に搬送さ
れ、該処理室３内の基板受けピン８に載置されているこ
とを判断する検知回路１５、または処理が終了したガラ
ス基板７が処理室３内の基板受けピン８機構上に待機し
ていることを判断する検知回路１６をあげることができ
る。
【０００９】つぎに本実施の形態におけるスパッタ装置
の動作を処理室でガラス基板に成膜するばあいについて
説明する。まずロードロック室４にガラス基板７を入れ
る。ここで大気から真空にする。所定の真空になった
ら、搬送室２のロボット６によりガラス基板７は、加熱
室５に運ばれ所定の温度まで加熱される。ついで基板７
は搬送室２のロボット６により処理室３に運ばれ、ここ
で所望の薄膜がスパッタリングにより成膜される。必要
に応じて他の室３で成膜を行なうこともある。成膜が終
了したのち、基板７は搬送室２のロボット６によりロー
ドロック室４に戻され、ここで大気に戻され、外に取り
出される。
の動作を処理室でガラス基板に成膜するばあいについて
説明する。まずロードロック室４にガラス基板７を入れ
る。ここで大気から真空にする。所定の真空になった
ら、搬送室２のロボット６によりガラス基板７は、加熱
室５に運ばれ所定の温度まで加熱される。ついで基板７
は搬送室２のロボット６により処理室３に運ばれ、ここ
で所望の薄膜がスパッタリングにより成膜される。必要
に応じて他の室３で成膜を行なうこともある。成膜が終
了したのち、基板７は搬送室２のロボット６によりロー
ドロック室４に戻され、ここで大気に戻され、外に取り
出される。
【００１０】図２は、前記成膜工程の中で基板７が搬送
室２のロボット６により処理室３に運ばれ、基板７が基
板受けピン８の上に載り、ロボットハンドが搬送室に戻
った直後の状態、もしくは成膜が終わり、基板７が基板
受けピン８に載り、搬送室２のロボットハンドが基板７
を取りにくる直前の状態を示している。このときセンサ
１２で基板７の有無を確認し、図２のように正常であれ
ばつぎの動作、つまり成膜、またはロボット６によるロ
ードロック室４への搬送が行なわれる。しかし、図３に
示すように基板７が基板受けピン８から落ちていたり、
図４に示すように基板７が割れているばあいは、センサ
１２は基板７を検知しない。このときはつぎの動作に移
れず、装置はアラームを発生し、停止する。
室２のロボット６により処理室３に運ばれ、基板７が基
板受けピン８の上に載り、ロボットハンドが搬送室に戻
った直後の状態、もしくは成膜が終わり、基板７が基板
受けピン８に載り、搬送室２のロボットハンドが基板７
を取りにくる直前の状態を示している。このときセンサ
１２で基板７の有無を確認し、図２のように正常であれ
ばつぎの動作、つまり成膜、またはロボット６によるロ
ードロック室４への搬送が行なわれる。しかし、図３に
示すように基板７が基板受けピン８から落ちていたり、
図４に示すように基板７が割れているばあいは、センサ
１２は基板７を検知しない。このときはつぎの動作に移
れず、装置はアラームを発生し、停止する。
【００１１】このように、ガラス基板が処理室に入った
直後、または成膜が終わった直後に、ガラス基板が基板
受けピンの所定位置に載っていないことをセンサで検知
し、この信号により装置がつぎの動作に進まないように
しておけば、ガラス基板をそれ以上破損させることがな
いし、破損したガラス基板を他のチャンバーに運び、複
数のチャンバーにガラス基板の破片をばらまくこともな
いので、当該する処理室のみ大気解放し、クリーニング
すれば装置を復帰でき、復帰に要する時間は極端に短縮
される。また基板が基板受けピンの所定位置に載ってい
ない状態が保持されているので、その原因を容易に追求
することができる。
直後、または成膜が終わった直後に、ガラス基板が基板
受けピンの所定位置に載っていないことをセンサで検知
し、この信号により装置がつぎの動作に進まないように
しておけば、ガラス基板をそれ以上破損させることがな
いし、破損したガラス基板を他のチャンバーに運び、複
数のチャンバーにガラス基板の破片をばらまくこともな
いので、当該する処理室のみ大気解放し、クリーニング
すれば装置を復帰でき、復帰に要する時間は極端に短縮
される。また基板が基板受けピンの所定位置に載ってい
ない状態が保持されているので、その原因を容易に追求
することができる。
【００１２】本実施の形態では、スパッタ装置について
適用したばあいについて説明したが、本発明はかかる実
施の形態に限定されるものではなく、エッチング装置、
アッシング装置、ＣＶＤ装置、イオン注入装置、オーブ
ン装置、現像装置、レジストコータ、露光装置または洗
浄装置にも適用することができる。
適用したばあいについて説明したが、本発明はかかる実
施の形態に限定されるものではなく、エッチング装置、
アッシング装置、ＣＶＤ装置、イオン注入装置、オーブ
ン装置、現像装置、レジストコータ、露光装置または洗
浄装置にも適用することができる。
【００１３】さらに、本実施の形態では、処理室にセン
サを設置したばあいについて説明したが、ガラス基板が
待機するためのチャンバーや予備室に設置してもよい。
サを設置したばあいについて説明したが、ガラス基板が
待機するためのチャンバーや予備室に設置してもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
処理室に検知手段が設置されているため、処理室での基
板トラブル時のダウンタイムを短縮できるとともに、基
板トラブルの原因を容易に究明することができる。
処理室に検知手段が設置されているため、処理室での基
板トラブル時のダウンタイムを短縮できるとともに、基
板トラブルの原因を容易に究明することができる。
【図１】本発明の電子デバイス製造装置の一実施の形態
にかかわるマルチチャンバー型のスパッタ装置の構成図
である。
にかかわるマルチチャンバー型のスパッタ装置の構成図
である。
【図２】図１における処理室の部分断面図である。
【図３】処理室内の基板受け機構における基板の異常を
示す状態図である。
示す状態図である。
【図４】処理室内の基板受け機構における基板の異常を
示す他の状態図である。
示す他の状態図である。
１ スパッタ装置 ２ 搬送室 ３ 処理室（スパッタ室） ４ ロードローク室 ５ 加熱室 ６ ロボット ７ ガラス基板 ８ 基板受けピン ９ サセフター １０ ターゲット １１ 窓部 １２ センサ １３ 検知制御部 １４、１５、１６ 検知回路
Claims (8)
- 【請求項１】 被処理基板に電子デバイスを製造する、
少なくとも処理室、ロードロック室および搬送部を備え
てなるマルチチャンバー型の電子デバイス製造装置であ
って、前記処理室に被処理基板を検知する検知手段が設
置されてなる電子デバイス製造装置。 - 【請求項２】 前記検知手段が被処理基板と同一平面上
に設置されてなる請求項１記載の製造装置。 - 【請求項３】 前記検知手段が、処理室の対向する側壁
部に設けられる一対の透明窓部を通して、被処理基板の
有無を検知する非接触型センサである請求項１または２
記載の製造装置。 - 【請求項４】 前記検知手段が、被処理基板の有無を検
知するタイミング回路を有する検知制御部を備えてなる
請求項１、２または３記載の製造装置。 - 【請求項５】 前記タイミング回路が、被処理基板を移
動させる搬送機構の先端部が処理室にないことを判断す
る検知回路を含んでなる請求項４記載の製造装置。 - 【請求項６】 前記タイミング回路が、被処理基板が処
理室に搬送され、該処理室内の基板受け機構に載置され
ていることを判断する検知回路を含んでなる請求項４ま
たは５記載の製造装置。 - 【請求項７】 前記タイミング回路が、処理が終了した
被処理基板が処理室内の基板受け機構上に待機している
ことを判断する検知回路を含んでなる請求項４、５また
は６記載の製造装置。 - 【請求項８】 前記電子デバイス製造装置が、スパッタ
装置、エッチング装置、アッシング装置、ＣＶＤ装置、
イオン注入装置、オーブン装置、現像装置、レジストコ
ータ、露光装置および洗浄装置のいずれかである請求項
１、２、３、４、５、６または７記載の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360525A JPH11195695A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 電子デバイス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360525A JPH11195695A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 電子デバイス製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195695A true JPH11195695A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18469778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360525A Pending JPH11195695A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 電子デバイス製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195695A (ja) |
Cited By (13)
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|---|---|---|---|---|
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