JP2008277698A - 基板搬送機構及びそれを備えた基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】大幅なコスト増大を招来することなく、各処理工程毎に基板の欠損の有無の検査及び/又は基板の受け渡し完了の確認を行うことのできる機構及びそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】前段の工程から基板を受け取って搬送し、後段の工程へと引き渡す基板搬送機構において、矩形基板80の対向する2辺を保持する一対の支持アーム61,62を備えた基板支持手段と、前記基板支持手段を移動させる移動手段65〜68と、前記支持アーム61,62の先端に設けられ、基板80を検出して信号を発生するセンサ70a,bと、前記基板80の受け取り又は引き渡しの際にセンサ70a,bの前を通過する基板80の辺縁部分について前記センサ70a,bから出力される信号に基づいて基板の欠損の有無及び/又は基板の受け渡しの完了を判定する判定手段とを設ける。
【選択図】図3
【解決手段】前段の工程から基板を受け取って搬送し、後段の工程へと引き渡す基板搬送機構において、矩形基板80の対向する2辺を保持する一対の支持アーム61,62を備えた基板支持手段と、前記基板支持手段を移動させる移動手段65〜68と、前記支持アーム61,62の先端に設けられ、基板80を検出して信号を発生するセンサ70a,bと、前記基板80の受け取り又は引き渡しの際にセンサ70a,bの前を通過する基板80の辺縁部分について前記センサ70a,bから出力される信号に基づいて基板の欠損の有無及び/又は基板の受け渡しの完了を判定する判定手段とを設ける。
【選択図】図3
Description
本発明は、ガラス基板等の脆性基板を搬送する基板搬送機構及び該基板搬送機構を備えた基板処理装置に関する。
半導体や液晶、薄膜太陽電池等の製造工程において用いられるCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)装置は、一般に、基板上に所定の薄膜を形成するための複数の処理室と該複数の処理室に連通した共通搬送室を備えており、該共通搬送室には各処理室へ基板を搬送するための基板搬送機構が設けられている。CVD装置内に搬入された基板は、該基板搬送機構によって所定の処理室へ搬入されて所定の薄膜形成処理を施された後、前記搬送機構によって再び共通搬送室に取り出され、更に別の処理室へ搬入される。このようにして基板を各処理室へ順番に搬送しながら薄膜形成処理を行うことにより、基板上に複数種類の薄膜が順次形成される。
上記CVD装置のような基板処理装置においては、従来より、トレイ状のキャリアの上に基板を載置して該キャリアごと基板を搬送する方式の基板搬送機構が広く用いられてきた。しかし近年では、搬送機構に設けられたアームによって基板の端縁部を直接保持し、該基板のみを処理室に搬入するキャリアレス方式の基板搬送機構が主流になりつつある。しかし、このようなキャリアレス方式の基板搬送機構では、前記アームによって保持される基板の端縁部分に割れや欠けなどの欠損が生じた場合に基板の落下などの搬送トラブルが発生するおそれがあり、場合によっては、システムの誤作動や故障を引き起こす可能性もある。
そこで、このような基板の欠損の有無を検査するための機構を備えた基板搬送機構が提案されている。例えば、特許文献1には、トランスポートチャンバ(上記共通搬送室に相当)と複数の工程モジュール(上記処理室に相当)を備えた基板処理装置において、ガラス基板を認識して信号を発するセンサを前記トランスポートチャンバ又は工程モジュールの入口付近の該ガラス基板のエッジ部分が通過すべき位置の下部に配置し、該基板のエッジ部分が該センサ上を通過する間に基板の検査を行う機能を備えたものが記載されている。
上記のような、基板に対して複数の処理工程を実施する基板処理装置において、基板の欠損による影響を最小限とするには、各処理工程を行う度に基板を検査して欠損の有無を確認することが望ましい。しかし、特許文献1に記載のように各処理室の入口付近にセンサを設ける構成とした場合、処理室の数に応じて必要なセンサの数が増加するため、製造コストが大幅に増大するという問題がある。
また、搬送機構によって搬送された基板は処理室内の所定の処理位置に引き渡され、該引き渡しが正しく完了したことを確認した上で所定の処理動作が開始される。そのため、前記処理位置への基板の受け渡しが正常に完了したことを確認するための手段が必要となるが、各処理室内にそのための検知機構を設けた場合、やはり処理室の数に応じて検知機構の数が必要になるため製造コストの増大が問題となる。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、大幅なコスト増大を招来することなく、ガラス基板等の脆性基板の欠損の有無の検査及び/又は基板の受け渡し完了の確認を各処理工程毎に行うことのできる機構及びそれを備えた基板処理装置を提供することである。
上記課題を解決するために成された本発明の第1の態様に係る基板搬送機構は、前段の工程から基板を受け取って搬送し、後段の工程へと引き渡す基板搬送機構において、a) 矩形基板の対向する2辺を保持する一対の支持アームを備えた基板支持手段と、b) 前記基板支持手段を移動させる移動手段と、c) 前記支持アームの先端に設けられ、基板を検出して信号を発生する検出手段と、d) 前記基板の受け取り又は引き渡しの間に前記検出手段の前を通過する基板の端縁部分について該検出手段から出力される信号に基づき、該基板の上記2辺における欠損の有無及び/又は基板の受け渡しの完了を判定する判定手段とを有することを特徴としている。
このような構成によれば、基板の受け渡し(受け取り又は引き渡し)の際に、前記基板と支持アームの相対位置が該アームの延伸方向に沿って変化するのに伴って、該基板の支持アームによって保持される2辺の辺縁部分を、前記検出手段によりその全長に亘って走査することができる。従って、該受け渡しの間に検出手段から送出される出力信号に基づいて基板の欠損の有無を検査することが可能であると共に、該検出手段の前を基板が通過し終わった時点で基板の受け渡しが完了したと判定することができる。
上記課題を解決するために成された本発明の第2の態様に係る基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記基板搬送機構を備えたことを特徴としている。
ここで、前記基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室に連通する共通搬送室と、各処理室と共通搬送室の間に設けられたゲートバルブとを有し、上記各処理室及び共通搬送室を真空状態として基板の搬送及び処理を行う基板処理装置において、前記共通搬送室内に上記の基板搬送機構を有し、前記判定手段により欠損が有ると判定された基板を処理室から共通搬送室を介さずに外部に取り出すための欠損基板取り出し手段を有するものとすることが望ましい。
上記構成を有する本発明に係る基板搬送機構及びそれを備えた基板処理装置によれば、前段の工程又は後段の工程との間で基板の受け渡しを行う際に、前記基板支持アームに設けられた検知手段によって該基板の端縁部分の欠損の有無を検査することができる。このため、各処理工程毎に検査を行う場合でも、工程数に応じて検出手段の数を増やす必要がなく、製造コストの増大を抑えることができる。また、上記検出手段により、基板の受け渡しの完了を確認することも可能であるため、別途、各処理室内に受け渡し確認のための検知手段を設ける必要がなく、製造コストを一層抑えることができる。
[実施例1]
以下、本発明に係る基板処理装置の一実施例について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施例に係る基板処理装置の概略構成図であり、図2は、該基板処理装置における処理室、共通搬送室、及び基板搬送機構を示す上面断面図である。また、図3及び図6,7は図2のa−a矢視断面図であり、図4は図2のb−b矢視断面図である。
以下、本発明に係る基板処理装置の一実施例について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施例に係る基板処理装置の概略構成図であり、図2は、該基板処理装置における処理室、共通搬送室、及び基板搬送機構を示す上面断面図である。また、図3及び図6,7は図2のa−a矢視断面図であり、図4は図2のb−b矢視断面図である。
本実施例に係る基板処理装置は、プラズマ気相成長(PE−CVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)によって基板上に薄膜を形成するPE−CVD装置であり、それぞれ異なる薄膜の形成を行うための複数の処理室10と、各処理室10へガラス基板80を搬送するための基板搬送機構60を備えた共通搬送室20、及び基板80を基板処理装置内へ出し入れするためのロードロック室30から構成されている。共通搬送室20と各処理室10の境界部、共通搬送室20とロードロック室30の境界部、及びロードロック室30と装置外部の境界部には、それぞれゲートバルブ51,52,53が設けられており、各処理室10及び共通搬送室20は図示しない真空ポンプによって真空状態に保たれている。また、本実施例に係る基板処理装置には、更に、上記各部の動作を制御するための制御/処理部40が設けられている。
共通搬送室20に設けられた基板搬送機構60は、2枚のガラス基板80を互いに平行且つ地面に対して垂直に保持した状態で搬送するものであって、大きく分けて、基板80を保持するための基板保持部、該基板保持部を処理室10内に進入又は処理室10から退出させるための摺動台65、並びに該基板保持部を各処理室の前に移動させるためのスライド基台67、レール68、及び旋回軸66によって構成される。
基板保持部は、各基板80の上下2辺を保持するための上側支持アーム61及び下側支持アーム62を2組有し、更に、支持アーム61,62を図中の矢印Aの方向に駆動して上下のアーム61,62の間隔を広げたり狭めたりするためのアーム開閉部63を備えている。各支持アーム61,62には、基板80の上端面又は下端面に当接する基板支持駒69が所定の間隔で設けられており、アーム開閉部63によって上下の支持アーム61,62の間隔を狭めることによって各支持アーム61,62に設けられた基板支持駒69により基板80が挟持される(図4)。また、各支持アーム61,62の先端部には、図8に示すように、基板80に対して光を照射する光源71と該基板80からの反射光を受光して出力信号に変換する受光素子72から成るセンサ70a,70bが設けられており、該センサ70a,70bからの出力信号は、制御/処理部40へ送出される(該センサの役割については後述する)。なお、ガラス基板80は処理室10内で加熱されて高温になるので、該基板80が放射する熱線によってセンサ70a,70bが加熱されるのを防止するために、該センサ70a,70bの前面(基板80との対向する側)には、光源71と同一波長の光を通過させつつ熱線を反射させることのできるITO,SnO2等から成る膜を蒸着したカバーガラス73が配置されている。
上記基板保持部は、支柱64によって摺動台65に固定されており、図示しない駆動手段によって摺動台65を駆動することにより、基板保持部を支持アーム61,62の延伸方向(すなわち図中の矢印Bの方向)に移動させることができる。更に、摺動台65は旋回軸66を介してスライド基台67に回動自在に固定されており、スライド基台67は共通搬送室20に設けられたレール68上に載置されている。これらのスライド基台67及び旋回軸66を図示しない駆動手段によって駆動することにより、基板保持部を前記摺動台65の移動方向と直交する方向(すなわち図中の矢印Cの方向)に移動させることができると共に、旋回軸66を中心として回動させることができる。
共通搬送室20から各処理室10へ基板80を搬入する際には、まず、図3に示すように、基板80を支持アーム61,62で保持した状態で共通搬送室20と搬入先の処理室10の間に設けられたゲートバルブ51を開放し、摺動台65を駆動して基板保持部を処理室10内に進入させる(図6)。処理室10内には、電極板11とその両側に配置されたヒータ板12が設けられており、該電極板11と各ヒータ板12との間の放電空間に各ガラス基板80が搬入される。各ヒータ板12の基板80と対向する面には、基板80の上下2辺に対応する位置に沿って複数の基板支持爪13が設けられており、基板80がヒータ板12の正面に到達すると基板支持爪13によって基板80が把持され、ヒータ板12の表面に固定される。なお、基板支持爪13は、図示しない駆動手段によって回転駆動されるものであり、その回転角度に応じて基板を把持したり(図5(a))解放したり(図5(b))することができる。その後、アーム開閉部63によって上下の支持アーム61,62の間隔が広げられて基板保持部による基板80の保持が解除され、摺動台65の駆動によって基板保持部を処理室10から共通搬送室20へ退出させる(図7)。基板保持部が処理室10から完全に退出するとゲートバルブ51が閉鎖され、処理室10内において各基板80上に所定の薄膜が形成される。
その後、処理室10内での基板80の処理が完了すると、上記搬入時とは逆の手順によってガラス基板80が処理室10から共通搬送室20へ搬出される。すなわち、まずゲートバルブ51が開放され、基板保持部が処理室10内に進入する。各支持アーム61,62がヒータ板12の正面に到達すると、アーム開閉部63によって上下の支持アーム61,62の間隔が狭められ、各基板支持駒69によって基板80が挟持される。続いて、ヒータ板12に設けられた基板支持爪13による基板80の把持が解除され、ガラス基板80を保持した基板保持部が処理室10から退出する。なお、該基板80を、更に他の処理室10で処理する場合には、共通搬送室20に敷設されたレール68に沿ってスライド基台67を移動させて後段の処理室10の前に基板保持部を移動させ、上記と同様にして基板80の搬入出を行う。
上記のような基板搬送機構60とヒータ板12の間での基板80の受け渡しに伴い、各支持アーム61,62の先端に設けられたセンサ70a,70bによって基板80の上下2辺の端縁部が走査される。すなわち、上記基板搬入時において基板80の保持を解除した基板保持部を処理室10から退出させる際や、基板搬出時において基板保持部を処理室10内に進入させる際には、各支持アーム61,62が基板80の前を該基板80の上下2辺に沿って並進する。従って、支持アーム61,62の先端に設けられたセンサ70a,70bにより、基板搬入時には図中の右から左に向かって、基板搬出時には図中の左から右に向かって各基板80の上下の端縁部がその全長に亘って走査される。
このため、例えば、上側の支持アーム61に設けられたセンサ(上側センサ)70a及び下側の支持アーム62に設けられたセンサ(下側センサ)70bの少なくとも一方における出力信号が所定の閾値以上になった時点でセンサ70a,70bが基板80の前を通過し始め、上側センサ70a及び下側センサ70bの両方における出力信号が所定の閾値以下となった時点でセンサ70a,70bが基板80の前を通過し終わったと判定することができ、更に、この間に上記受光素子72で検出された反射光の光量に基づいて基板80の上下の端縁部における欠損の有無を判定することができる。
図9は、基板80の受け渡し時において、上側センサ70aと下側センサ70bによって検出される反射光量の時間変化を示した図である。図9(a)のように、ガラス基板80の端縁部に欠損がない場合は、センサ70a,70bが基板80の前に差し掛かった時点(t=0)から基板80の前を通過し終わる時点(t=1)までの間には、各センサからの出力信号はほぼ一定の大きさとなる。一方、図9(b)のように、ガラス基板80の端縁部に欠損が有る場合には、該欠損箇所において出力信号が他の箇所に比べて著しく低下又は増大する。
従って、制御/処理部40に設けられた差動アンプ(図示せず)によって両センサ70a,70bからの出力信号の差動をとることにより欠損の有無を判定することができる。すなわち、上記t=0からt=1における差動アンプの出力が予め定められた範囲内にある場合は、該基板80の端縁部に欠損がないものと判定し、t=1の時点で基板80の受け渡しが正常に完了したと判定される。一方、t=0からt=1までの間において差動アンプの出力が当該範囲を逸脱した場合は端縁部に欠損が有ると判定される。
ここで、端縁部の欠損が搬送トラブルに繋がるような大きなものであれば、基板処理装置の動作を停止させて該基板を外部に取り出す必要がある。しかしながら、装置を一旦停止させるとその後の復旧に時間を要するため、ごく軽微な欠損であれば、そのまま処理を継続する方が処理効率の点で望ましい。そこで、本実施例の基板処理装置は、差動アンプの信号処理に任意の遅延時間を設定できるものとし、該差動アンプの出力信号が所定の時間以上に亘って上記所定範囲を逸脱した場合にのみ欠損有りと判定されるようにすることが望ましい。このような構成とすれば、軽微な欠損や誤信号によって差動アンプの出力信号がごく短時間だけ上記所定範囲を逸脱したような場合には、これを無視して搬送動作及び処理動作を継続させることができる。
なお、ここでは、各センサから送出される信号の差動をとることにより基板の欠損の有無を判定する例を示したが、この他に、各センサ70a,70bの出力信号をそれぞれ予め定められた基準値と比較することにより欠損の有無を判定する構成としてもよい。
また、本実施例では、センサ70a,70bによって基板の端縁部を走査する際に、基板80に対して支持アーム61,62を移動させる例を示したが、これとは逆に、支持アーム61,62に対して基板80を移動させることによりセンサ70a,70bと基板の相対位置を変化させるものとしてもよい。以下、このような搬送機構を備えた基板処理装置について説明する。
[実施例2]
図10及び図11に、本発明の第2の実施例に係る基板処理装置を示す。図10は、本実施例の基板処理装置における処理室10、共通搬送室20、及び基板搬送機構を示す断面図である。実施例1と同一又は対応する構成には同一符号を付し、適宜説明を省略する。また、図11(a)は、図10のc−c矢視断面図であり、図11(b)は、図11(a)の拡大図である。
図10及び図11に、本発明の第2の実施例に係る基板処理装置を示す。図10は、本実施例の基板処理装置における処理室10、共通搬送室20、及び基板搬送機構を示す断面図である。実施例1と同一又は対応する構成には同一符号を付し、適宜説明を省略する。また、図11(a)は、図10のc−c矢視断面図であり、図11(b)は、図11(a)の拡大図である。
本実施例の基板処理装置は、実施例1の基板処理装置における基板支持爪13及び基板支持駒69の代わりに、基板80の上下2辺を支持する糸巻き状のローラ90を複数設けたものである。ローラ90は、図11(b)に示すように、基板80の端面に当接する円柱形の筒状部91と、筒状部91の両端に設けられ基板の脱落を防止するためのフランジ部92を備えている。各ローラ90の回転軸93は、それぞれ支持アーム61,62に設けられたローラ駆動部(図示略)又はヒータ板12に設けられたローラ駆動部94に接続されており、これらのローラ駆動部94によって各ローラ90を所定の向きに回転させることにより、基板80をローラ90の配列方向に沿って移動させることができる。
本実施例の基板処理装置において共通搬送室20から処理室10へ基板80を搬入する際には、まず、基板80を支持した基板搬送機構60を目的の処理室10の前に移動させ、共通搬送室20と該処理室10の間のゲートバルブ51を開放した上で、各ローラ90を所定の向きに回転させる。これにより支持アーム61,62によって保持された基板80が処理室10の方向(図中の右方向)へと送り出される。処理室10内へ進入した基板80は、その上下の端面がヒータ板12上のローラ90によって保持され、該ローラ90の回転によって更に処理室10の奥へと導かれる。なお、処理室10の奥にはストッパ95が設けられており、基板80の先端がストッパ95と当接することによって基板80の移動が停止する。一方、処理室10から共通搬送室20へ基板80を搬出する際には、ゲートバルブ51を開放した上で、ヒータ板12及び支持アーム61,62に設けられたローラ90を上記搬入時とは逆の向きに回転させることにより、ヒータ板12から支持アーム61、62へ基板80が引き渡される。
このように、本実施例に係る基板搬送機構60は、支持アーム61,62を処理室10へ進入させることなく、基板80のみを共通搬送室20から処理室10、又は処理室10から共通搬送室20へと移動させるものである。このため、基板搬送機構60には、実施例1のような摺動台65及びアーム開閉部63を設ける必要はない。
本実施例においても支持アーム61、62の先端には、実施例1と同様のセンサ70a,70bが設けられており、上記のような基板80の受け渡し時における支持アーム61、62とガラス基板80の相対位置の変化に伴って基板80の上下2辺の端縁部が該センサ70a,70bによって走査される。すなわち、基板搬入時には図中の右から左に向かって、基板搬出時には図中の左から右に向かって各基板80の上下の端縁部がその全長に亘って走査され、その際に該センサ70a,70bから送出される信号に基づいて、上記実施例1と同様に基板80の欠損の有無の検査及び受け渡し完了の判定が行われる。
[実施例3]
図12は、本発明に係る基板処理装置の別の実施例を示す概略構成図であり、図1と同一又は対応する構成については同一符号を付し、適宜説明を省略する。上述の検査によって基板80に欠損が発見された場合、共通搬送室20の真空を破って基板80を取り出そうとすると基板処理装置全体の動作を停止させる必要がある。そこで、本実施例に係る基板搬送装置は、基板80に欠損が発見された場合に、共通搬送室20を介さずに処理室10から直接外部へ欠損基板を取り出せるようにしたものである。
図12は、本発明に係る基板処理装置の別の実施例を示す概略構成図であり、図1と同一又は対応する構成については同一符号を付し、適宜説明を省略する。上述の検査によって基板80に欠損が発見された場合、共通搬送室20の真空を破って基板80を取り出そうとすると基板処理装置全体の動作を停止させる必要がある。そこで、本実施例に係る基板搬送装置は、基板80に欠損が発見された場合に、共通搬送室20を介さずに処理室10から直接外部へ欠損基板を取り出せるようにしたものである。
本実施例の基板処理装置に係る各処理室10には、共通搬送室20と連通する開口とは別に欠損基板取り出し口14が設けられており、該欠損基板取り出し口14には、ゲートバルブ54が設けられている。共通搬送室20から処理室10への基板80の搬入の際、又は処理室10から共通搬送室20への基板80の搬出の際に、上記センサ70a,70bによる検査によって基板80に欠損が見つかった場合には、共通搬送室20と処理室10の間のゲートバルブ51を閉鎖し、欠損基板取り出し口14のゲートバルブ54を開放して基板80を直接外部へ取り出すことができる。なお、基板80の取り出しは作業者が手動で行うようにしてもよく、あるいは、別途設けられた基板取り出し装置によって自動的に行われるようにしてもよい。
このように、本実施例に係る基板処理装置によれば、1つの処理室10のみを大気圧状態として欠損基板を取り出すことができるため、基板に欠損が発見された場合でも他の処理室10の動作を継続させることができる。
以上、実施例を用いて本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で適宜変更が可能である。例えば、本発明に係る基板搬送機構は、半導体、フラットパネルディスプレイ製品、薄膜太陽電池等の脆性基板を使用する製品の製造工程において用いられるいかなる装置に適用してもよく、例えば、上記PE−CVD装置や熱CVD装置等のCVD装置の他、スパッタ装置、真空蒸着装置等のPVD装置等にも適用することができる。また、本発明に係る基板搬送機構は、上記のような脆性基板使用製品の製造ラインにおいて該脆性基板を複数の装置間で移動させる際に用いるものとしてもよい。
10…処理室
11…電極板
12…ヒータ板
13…基板支持爪
14…欠損基板取り出し口
20…共通搬送室
30…ロードロック室
40…制御/処理部
51、52、53、54…ゲートバルブ
60…基板搬送機構
61、62…支持アーム
63…アーム開閉部
65…摺動台
66…旋回軸
67…スライド基台
68…レール
69…基板支持駒
70a…上側センサ
70b…下側センサ
71…光源
72…受光素子
73…カバーガラス
80…ガラス基板
90…ローラ
94…ローラ駆動部
11…電極板
12…ヒータ板
13…基板支持爪
14…欠損基板取り出し口
20…共通搬送室
30…ロードロック室
40…制御/処理部
51、52、53、54…ゲートバルブ
60…基板搬送機構
61、62…支持アーム
63…アーム開閉部
65…摺動台
66…旋回軸
67…スライド基台
68…レール
69…基板支持駒
70a…上側センサ
70b…下側センサ
71…光源
72…受光素子
73…カバーガラス
80…ガラス基板
90…ローラ
94…ローラ駆動部
Claims (5)
- 前段の工程から基板を受け取って搬送し、後段の工程へと引き渡す基板搬送機構において、
a) 矩形基板の対向する2辺を保持する一対の支持アームを備えた基板支持手段と、
b) 前記基板支持手段を移動させる移動手段と、
c) 前記支持アームの先端に設けられ、基板を検出して信号を発生する検出手段と、
d) 前記基板の受け取り又は引き渡しの間に前記検出手段の前を通過する基板の端縁部分について該検出手段から出力される信号に基づき、該基板の前記2辺における欠損の有無及び/又は基板の受け渡しの完了を判定する判定手段と、
を有することを特徴とする基板搬送機構。 - 上記検出手段が、基板に対して光を照射する光源と該基板からの反射光を出力信号に変換する受光素子を有することを特徴とする請求項1に記載の基板搬送機構。
- 上記判定手段が、上記基板の2辺について得られた出力信号の差動をとることにより基板の欠損の有無を判定することを特徴とする請求項1又は2に記載の基板搬送機構。
- 基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、請求項1〜3のいずれかに記載の基板搬送機構を有することを特徴とする基板処理装置。
- 基板に対して所定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室に連通する共通搬送室と、各処理室と共通搬送室の間に設けられたゲートバルブとを有し、上記各処理室及び共通搬送室を真空状態として基板の搬送及び処理を行う基板処理装置において、前記共通搬送室内に請求項1〜3のいずれかに記載の基板搬送機構を有し、前記判定手段により欠損が有ると判定された基板を処理室から共通搬送室を介さずに外部に取り出すための欠損基板取り出し手段を有することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007122484A JP2008277698A (ja) | 2007-05-07 | 2007-05-07 | 基板搬送機構及びそれを備えた基板処理装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007122484A JP2008277698A (ja) | 2007-05-07 | 2007-05-07 | 基板搬送機構及びそれを備えた基板処理装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2008277698A true JP2008277698A (ja) | 2008-11-13 |
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JP (1) | JP2008277698A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015533195A (ja) * | 2012-10-09 | 2015-11-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 割り送り式インライン基板処理ツール |
JP7186225B2 (ja) | 2017-11-30 | 2022-12-08 | チャイナ トライアンフ インターナショナル エンジニアリング カンパニー リミテッド | 密閉チャンバ内での基板位置を判定する方法およびこの方法を実行する装置 |
-
2007
- 2007-05-07 JP JP2007122484A patent/JP2008277698A/ja active Pending
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