KR102386557B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 Download PDF

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KR102386557B1
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도루 니시노
기요히토 이이지마
시게루 이시자와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 종별마다의 기판의 처리 및 반송을 적정화하는 것을 목적으로 한다.
기판을 수납한 기판 수납 용기를 로드 포트에 배치하고, 배치한 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 종별을 자동 판별하며, 종별마다 기판의 반송 조건에 관한 파라미터 데이터를 기억하는 기억부를 참조해서, 자동 판별한 상기 기판의 종별에 대응하는 파라미터 데이터에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 반송을 제어하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법이 제공된다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
제품용 웨이퍼는, SEMI 규격(Semiconductor Equipment and Materials International이 정한 반도체 제조 장치의 가이드 라인)에 의해 정해진 치수, 두께 및 무게를 갖는다. 이에 대해, 온도 측정용 웨이퍼의 두께 및 무게는, 제품용 웨이퍼의 두께 및 무게와 상이하다. 이 차이에 의해, 매핑(Mapping) 시의 이상 검지를 위한 판정값, 반송 속도의 상한값, 프로세스 온도의 상한값, 고주파 전력(RF Power)의 상한값 등이 상이하다.
그래서, 특허문헌 1에서는, 온도 측정용 웨이퍼의 특정한 공정 중에 타겟 환경에 있어서의 조건을 측정하고, 기록하며, 자동적으로 기판 처리 시스템으로 되돌아가는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2011-151399호 공보
그러나, 특허문헌 1에서는, 예컨대 온도 측정용 웨이퍼가 들어간 기판 수납 용기(이하, 「FOUP(Front Opening Unified Pod)」라고 함)를 로드 포트에 배치했을 때에, 온도 측정용 웨이퍼가 수납되어 있는 것을 자동 판별하여, 반송 조건이나 매핑 설정 조건을 변경할 수 없다. 따라서, 특허문헌 1에서는, FOUP에 수납된 웨이퍼의 종별에 따라, 종별마다의 기판의 처리 및 반송을 적정화하는 것은 곤란하다.
상기 과제에 대해, 일 측면에서는, 본 발명은 기판의 종별에 따라, 종별마다의 기판의 처리 및 반송을 적정화하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 하나의 양태에 의하면, 기판을 수납한 기판 수납 용기를 로드 포트에 배치하고, 배치한 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 종별을 자동 판별하며, 종별마다 기판의 반송 조건에 관한 파라미터 데이터를 기억하는 기억부를 참조해서, 자동 판별한 상기 기판의 종별에 대응하는 파라미터 데이터에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 반송을 제어하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법이 제공된다.
하나의 측면에 의하면, 종별마다의 기판의 처리 및 반송을 적정화할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 시스템의 일례를 도시한 도면이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리에 사용하는 레시피의 일례를 도시한 도면이다.
도 3은 일 실시형태에 따른 파라미터 테이블의 일례를 도시한 도면이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 프로세스 모듈(PM)의 일례를 도시한 도면이다.
도 5는 일 실시형태에 따른 웨이퍼 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 6은 일 실시형태에 따른 FOUP의 식별 정보의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 변형예에 따른 웨이퍼 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조해서 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복된 설명을 생략한다.
[플라즈마 처리 시스템의 전체 구성]
먼저, 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 시스템의 전체 구성의 일례에 대해, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 시스템의 전체 구성의 일례를 도시한다. 플라즈마 처리 시스템은, 기판 처리 시스템의 일례이며, 처리 유닛(PU)과, 반송 유닛(TU)을 갖는 클러스터 툴이다.
처리 유닛(PU)은, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼(W)」라고 함) 등의 기판에 대해, 성막(成膜) 처리, 에칭 처리 등의 미리 정해진 처리를 행하는 유닛이다. 처리 유닛(PU)은, 프로세스 모듈(PM1∼PM6)(이하, 총칭하여, 「프로세스 모듈(PM)」이라고도 함)과, 트랜스퍼 모듈(TM)과, 로드록 모듈(LL1, LL2)을 갖는다. 한편, 프로세스 모듈(PM) 및 로드록 모듈(LL)의 수는, 상기에 한정되는 것이 아니다.
프로세스 모듈(PM1∼PM6)은, 트랜스퍼 모듈(TM) 주위에 접속되어 있고, 웨이퍼(W)에 대해, 성막 처리, 에칭 처리 등의 미리 정해진 처리를 행한다. 한편, 프로세스 모듈(PM1∼PM6)은, 동종의 처리를 행하는 것이어도 좋고, 이종의 처리를 행하는 것이어도 좋다.
프로세스 모듈(PM1∼PM6)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 배치대(3)가 각각 설치되어 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM1∼PM6)에는, 예컨대 퍼지 가스를 도입하는 가스 도입계, 처리 가스를 도입하는 가스 도입계 및 진공화 가능한 배기계가 설치되어 있다.
프로세스 모듈(PM1∼PM6)에서는, 미리 제어부(10)의 메모리(12)로 나타나는 기억부에 기억된 처리 및 반송 순서를 나타내는 레시피(15)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 미리 정해진 처리 및 반송이 행해진다.
트랜스퍼 모듈(TM)은, 대향하는 한 쌍의 변이 다른 변보다 긴 육각형 형상으로 형성되어 있다. 트랜스퍼 모듈(TM)의 선단측의 짧은 2변에는, 각각 게이트 밸브(G3, G4)를 통해 프로세스 모듈(PM3, PM4)이 접속되어 있다. 트랜스퍼 모듈(TM)의 기단측의 짧은 2변에는, 각각 게이트 밸브(G7, G8)를 통해 로드록 모듈(LL1, LL2)이 접속되어 있다. 트랜스퍼 모듈(TM)의 한쪽의 긴 변에는, 각각 게이트 밸브(G1, G2)를 통해 프로세스 모듈(PM1, PM2)이 접속되어 있다. 트랜스퍼 모듈(TM)의 다른쪽의 긴 변에는, 각각 게이트 밸브(G5, G6)를 통해 프로세스 모듈(PM5, PM6)이 접속되어 있다.
트랜스퍼 모듈(TM)은, 프로세스 모듈(PM1∼PM6) 사이, 및 프로세스 모듈(PM1∼PM6)과 로드록 모듈(LL1, LL2) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송(반출 및 반입)하는 기능을 갖는다. 트랜스퍼 모듈(TM)에는, 예컨대 퍼지 가스를 도입하는 가스 도입계 및 진공화 가능한 배기계가 설치되어 있다.
트랜스퍼 모듈(TM)의 내부에는, 프로세스 모듈(PM1∼PM6), 로드록 모듈(LL1, LL2)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 처리 유닛측 반송 장치(TR1)가 설치되어 있다. 한편, 처리 유닛측 반송 장치(TR1)의 상세한 것에 대해서는 후술한다.
로드록 모듈(LL1, LL2)은, 각각 게이트 밸브(G9, G10)를 통해 반송 모듈(LM)에 접속되어 있다. 로드록 모듈(LL1, LL2)은, 반송 모듈(LM)로부터 반송되는 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지하여 압력 조정 후에 트랜스퍼 모듈(TM)에 반송하는 기능을 갖고 있다. 또한, 로드록 모듈(LL1, LL2)은, 트랜스퍼 모듈(TM)로부터 반송되는 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지하여 압력 조정 후에 반송 모듈(LM)에 반송하는 기능을 갖고 있다.
로드록 모듈(LL1, LL2)의 내부에는, 각각 웨이퍼(W)를 배치 가능한 전달대가 설치되어 있다. 또한, 로드록 모듈(LL1, LL2)에는, 잔류물 등의 파티클을 퍼지 및 배기 가능한 배기계가 설치되어 있다.
이러한 처리 유닛(PU)에서는, 프로세스 모듈(PM1∼PM6)과 트랜스퍼 모듈(TM) 사이 및 트랜스퍼 모듈(TM)과 로드록 모듈(LL1, LL2) 사이는 각각 기밀하게 개폐 가능하게 되어 있다. 또한, 반송 모듈(LM)과 로드록 모듈(LL1, LL2) 사이도 각각 기밀하게 개폐 가능하게 되어 있다.
반송 유닛(TU)은, FOUP와 처리 유닛(PU) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 유닛이며, 반송 모듈(LM)을 갖고 있다.
반송 모듈(LM)은, 직사각형 형상으로 형성되어 있다. 반송 모듈(LM)의 한쪽의 긴 변에는, 복수의 로드 포트(LP1∼LP3)가 병설되어 있다. 로드 포트(LP1∼LP3)는, 각각 FOUP를 배치하는 것이 가능하다. 한편, 도 1에서는, 로드 포트(LP1∼LP3) 모두에 FOUP가 배치되어 있는 경우를 도시하고 있다. FOUP는, 예컨대 25장의 웨이퍼(W)를 등피치로 형성된 다단의 슬롯에 배치하여 수용 가능한 용기이다. FOUP에 수납되는 웨이퍼(W)의 종별에는, 제품용 웨이퍼 및 온도, 압력 등의 측정용 웨이퍼가 있다.
제품용 웨이퍼의 치수, 두께 및 무게는, SEMI 규격에 의해 정해져 있다. 이에 대해, 측정용 웨이퍼의 두께 및 무게는, SEMI 규격에 의해 정해져 있지 않고, 제품용 웨이퍼보다 두껍거나, 무겁거나 하는 경우가 있다. 측정용 웨이퍼로서는, 예컨대, 온도 센서가 탑재된 온도 측정용 웨이퍼, 압력 센서가 탑재된 압력 측정용 웨이퍼, 이온 밀도 검출 센서가 탑재된 이온 밀도 검출용 웨이퍼 등을 들 수 있다. 한편, 측정용 웨이퍼는, 특수 기판의 일례이다. 또한, 제품용 웨이퍼에는, 클리닝 처리나 시즈닝 처리 등에 사용되는 더미 웨이퍼가 포함된다. 더미 웨이퍼를 포함하는 제품용 웨이퍼는, 제품 기판의 일례이다.
각 로드 포트(LP)에는 FOUP에 설치되어 있는 캐리어 ID를 판독하는 Carrier ID Reader가 설치되어 있는 경우도 있다.
FOUP는, 그 내부에 예컨대 N2 가스가 충전된 밀폐 구조로 되어 있다. FOUP는, 개폐 도어(D1∼D3)를 통해 반송 모듈(LM)과 접속되어 있다. 한편, 로드 포트(LP)의 수는 상기에 한정되는 것이 아니다.
반송 모듈(LM)의 한쪽의 짧은 변에는, 얼라이너(AU)가 설치되어 있다. 얼라이너(AU)는, 그 내부에 웨이퍼(W)를 배치하는 회전 배치대와, 웨이퍼(W)의 주연부를 광학적으로 검출하는 광학 센서를 갖는다. 얼라이너(AU)에서는, 예컨대 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫, 노치 등을 검출하여, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행한다.
반송 모듈(LM)의 내부에는, 로드록 모듈(LL1, LL2), FOUP, 얼라이너(AU)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 유닛측 반송 장치(TR2)가 설치되어 있다. 반송 유닛측 반송 장치(TR2)는, 선회 기구에 의해 선회 가능하게 베이스(231)에 부착된 반송 아암을 구비하고, 슬라이드 기구에 의해 반송 모듈(LM)의 길이 방향을 따라 슬라이드 가능하게 되어 있다. 반송 유닛측 반송 장치(TR2)의 반송 아암은, 예컨대, 한 쌍의 다관절 아암을 갖는 더블 아암 기구이다. 반송 아암은, 상하로 병설된 신축 가능한 다관절 아암인 제1 아암(211)과 제2 아암(221)을 포함한다.
반송 유닛측 반송 장치(TR2)의 슬라이드 기구는, 예컨대 리니어 모터를 갖는다. 구체적으로는, 반송 모듈(LM)의 내부에 길이 방향을 따라 안내 레일(232)이 설치되고, 반송 아암이 부착된 베이스(231)는 안내 레일(232)을 따라 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 베이스(231) 및 안내 레일(232)에는, 각각 리니어 모터의 가동자와 고정자가 설치되어 있고, 안내 레일(232)의 단부에는, 리니어 모터를 구동하기 위한 리니어 모터 구동 기구(233)가 설치되어 있다. 리니어 모터 구동 기구(233)에는, 제어부(10)가 접속되어 있다. 이에 의해, 제어부(10)로부터의 제어 신호에 기초하여 리니어 모터 구동 기구(233)가 구동하여, 반송 유닛측 반송 장치(TR2)가 베이스(231)와 함께 안내 레일(232)을 따라 화살표 방향으로 이동하도록 되어 있다. 한편, 반송 유닛측 반송 장치(TR2)의 슬라이드 기구는, 상기에 한정되는 것은 아니며, 다른 기구를 갖고 있어도 좋다.
반송 유닛측 반송 장치(TR2)의 반송 아암인 제1 아암(211) 및 제2 아암(221)은 각각 선단에 픽(pick; 212, 222)을 갖고 있고, 한번에 2장의 웨이퍼(W) 또는 2개의 포커스 링을 유지할 수 있도록 되어 있다. 이에 의해, 예컨대 로드록 모듈(LL1, LL2), FOUP, 얼라이너(AU)에 대해 웨이퍼(W)를 반송할 때, 웨이퍼(W)를 교환하도록 반송할 수 있다. 한편, 한번에 1장의 웨이퍼(W)와 하나의 포커스 링을 유지하여 반송해도 좋다. 또한, 반송 유닛측 반송 장치(TR2)의 반송 아암의 수는 상기한 것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 하나만의 아암을 갖는 싱글 아암 기구여도 좋다.
또한, 반송 유닛측 반송 장치(TR2)는, 반송 아암을 선회, 신축 및 승강시키기 위한 도시하지 않은 선회용 모터, 신축용 모터 및 승강용 모터를 갖는다. 각 모터는, 제어부(10)에 접속되고, 제어부(10)로부터의 제어 신호에 기초하여 반송 유닛측 반송 장치(TR2)의 반송 아암의 제어를 행할 수 있도록 되어 있다.
또한, 반송 유닛측 반송 장치(TR2)에는, 로드 포트(LP)에 설치된 FOUP 내의 웨이퍼의 유무, 동일 슬롯의 복수 매 웨이퍼의 유무, 슬롯에 비스듬히 배치된 웨이퍼의 유무를 검출하는 매핑 센서를 갖고, 반송 유닛측 반송 장치(TR2)의 승강용 모터에 의해, FOUP 내의 매핑을 행하도록 되어 있다.
플라즈마 처리 시스템은, 제어부(10)에 의해 제어된다. 구체적으로는, 제어부(10)는, 플라즈마 처리 시스템의 각부, 예컨대 처리 유닛측 반송 장치(TR1), 반송 유닛측 반송 장치(TR2), 게이트 밸브(G1∼G10), 개폐 도어(D1∼D3), 얼라이너(AU) 등을 제어한다.
(제어부)
제어부(10)는, CPU(Central Processing Unit)(11), 메모리(12), 통신 I/F(인터페이스)(13) 및 디스플레이(14)를 갖는다. CPU(11)는, 메모리(12)에 기억된 레시피(15) 및 파라미터 테이블(16)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 처리 및 반송을 제어한다. 웨이퍼(W)의 처리에는, 웨이퍼(W)의 종별의 자동 판별 처리 및 웨이퍼(W)의 에칭 처리 또는 성막 처리 등의 플라즈마 처리, 후술하는 이상 검출을 위한 매핑이 포함된다.
도 2는 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리에 사용하는 레시피의 일례를 도시한다. 레시피에는, 단계 1∼단계 n(도 2에서는 단계 1∼단계 5)의 처리 순서에 있어서의 조건(프로세스 조건)이 미리 설정되어 있다. 예컨대, 프로세스 조건으로서는, 프로세스 모듈(PM)에 반송된 웨이퍼의 온도, 내부의 압력, 고주파 전력(RF POWER) 등을 들 수 있다.
도 3은 일 실시형태에 따른 파라미터 테이블(16)의 일례를 도시한다. 도 3에는, 파라미터 테이블(16)의 일례로서, 온도 측정용의 파라미터 데이터가 정해진 파라미터 테이블(16a)과, 더미 웨이퍼용의 파라미터 데이터가 정해진 파라미터 테이블(16b)이 도시되어 있다. 한편, 파라미터 테이블(16a, 16b) 내의 파라미터 데이터는, 오퍼레이터가 미리 설정하거나, 또는 자동으로 설정될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 온도 측정용의 파라미터 테이블(16a) 및 더미 웨이퍼용의 파라미터 테이블(16b)과 마찬가지로, 제품용 웨이퍼를 위한 파라미터 테이블(16)이 메모리(12)에 기억되어 있다. 또한, 온도 측정용의 파라미터 테이블(16a)과 마찬가지로, 압력 측정용의 파라미터 테이블이나 이온 밀도 검출용의 파라미터 테이블이 기억되어도 좋다.
메모리(12)는, ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성될 수 있는 기억부의 일례이다. 한편, 레시피(15) 및 파라미터 테이블(16)은, 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되어도 좋고, CD-ROM, DVD 등의 가반성(可搬性)의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로, 기억 영역의 미리 정해진 위치에 세팅되어도 좋다.
디스플레이(14)는, CPU(11)에 의해 처리된 결과 등을 표시하는 표시부의 일례이다. 한편, 제품용 웨이퍼가 프로세스 모듈(PM1∼PM6) 중 어느 하나에 반송되면, 제품용 웨이퍼에 에칭 등의 플라즈마 처리가 실시된다. 더미 웨이퍼가 프로세스 모듈(PM1∼PM6) 중 어느 하나에 반송되면, 반송된 프로세스 모듈(PM)의 클리닝 처리가 실행된다. 온도 측정용 웨이퍼나 압력 측정용 웨이퍼 등의 측정용 웨이퍼가 프로세스 모듈(PM1∼PM6) 중 어느 하나에 반송되면, 반송된 프로세스 모듈(PM)의 웨이퍼 온도나 압력의 측정이 행해진다.
통신 I/F(13)는, 제조 실행 시스템(MES: Manufacturing Execution System)의 호스트 컴퓨터(20)와의 접속 및 통신을 행하기 위한 인터페이스이다. 통신 I/F(13)는, 호스트 컴퓨터(20)로부터 FOUP의 식별 정보, 또는 FOUP에 수납된 웨이퍼의 종별 정보를 수신해도 좋다.
[프로세스 모듈의 전체 구성]
본 실시형태에 따른 프로세스 모듈(PM)은, 특별히 한정되지 않으나, 웨이퍼(W)에 원자층 에칭(ALE: Atomic Layer Etching) 처리, 반응성 이온 에칭(RIE: Reactive Ion Etching) 처리, 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
프로세스 모듈(PM)은, 예컨대 알루미늄 등의 도전성 재료로 이루어지는 처리 용기(챔버)(17)와, 처리 용기(17) 내에 가스를 공급하는 가스 공급원(18)을 갖는다. 가스 공급원(18)은, 미리 정해진 처리 가스를 공급한다.
처리 용기(17)는 전기적으로 접지되어 있고, 처리 용기(17) 내에는 하부 전극(19)과, 이것에 대향하여 평행하게 배치된 상부 전극(25)이 설치되어 있다. 하부 전극(19)은, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대로서도 기능한다. 하부 전극(19) 및 상부 전극(25) 중 적어도 한쪽, 도 1에서는 하부 전극(19)에는, 전력 공급 장치(30)가 접속되어 있다. 전력 공급 장치(30)는, 제1 주파수의 제1 고주파 전력[플라즈마 생성용의 고주파 전력(HF)]을 공급하는 제1 고주파 전원(32)과, 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수의 제2 고주파 전력[이온 인입용의 고주파 전력(LF)]을 공급하는 제2 고주파 전원(34)을 구비한다. 제1 고주파 전원(32)은, 제1 정합기(33)를 통해 하부 전극(19)에 접속된다. 제2 고주파 전원(34)은, 제2 정합기(35)를 통해 하부 전극(19)에 접속된다. 제1 고주파 전력은, 예컨대 40 ㎒의 주파수여도 좋다. 제2 고주파 전력은, 예컨대 13.56 ㎒의 주파수여도 좋다.
제1 정합기(33) 및 제2 정합기(35)는, 각각, 제1 고주파 전원(32) 및 제2 고주파 전원(34)의 내부(또는 출력) 임피던스에 부하 임피던스를 정합시키기 위한 것이다. 처리 용기(17) 내에 플라즈마가 생성되고 있을 때에는, 제1 고주파 전원(32) 및 제2 고주파 전원(34)의 각각에 대해, 내부 임피던스와 부하 임피던스가 외관상 일치하도록 기능한다.
상부 전극(25)은, 그 주연부를 피복하는 실드 링(40)을 통해 처리 용기(17)의 천장부에 부착되어 있다. 상부 전극(25)에는, 가스 공급원(18)으로부터 도입된 가스를 확산시키는 확산실(50)이 형성되어 있다. 확산실(50)에는, 가스 도입구(45)가 형성되고, 이 가스 도입구(45)를 통해, 가스 공급원(18)으로부터 각종 가스를 확산실(50)로 도입할 수 있다. 상부 전극(25)에는, 확산실(50)로부터의 가스를 처리 용기(17) 내에 공급하기 위한, 다수의 가스 유로(55)가 형성되어 있다.
가스 공급원(18)으로부터의 가스는, 먼저, 도 1에 도시된 가스 도입구(45)를 통해 확산실(50)에 분배 공급된다. 그리고, 확산실(50)에 공급된 가스는, 가스 유로(55)를 거쳐, 가스 구멍(28)으로부터 처리 용기(17) 내에 공급된다. 이상으로부터, 이러한 구성의 상부 전극(25)은, 가스를 공급하는 가스 샤워 헤드로서도 기능한다.
처리 용기(17)의 바닥면에는 배기구(60)가 형성되어 있고, 배기구(60)에 접속된 배기 장치(65)에 의해 처리 용기(17) 내가 배기된다. 이에 의해, 처리 용기(17) 내를 미리 정해진 압력으로 유지할 수 있다. 처리 용기(17)의 측벽에는, 게이트 밸브(G)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(G)는, 처리 용기(17)로부터 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행할 때에 반입 반출구를 개폐한다.
제어부(10)는, 레시피(15)에 따라, 각 단계의 프로세스 시간, 스위칭 시간, 압력(가스의 배기), 고주파 전력이나 전압, 각종 가스 유량, 웨이퍼 온도, 처리 용기(17)의 내부 온도(예컨대, 상부 전극 온도, 처리 용기의 측벽 온도, ESC 온도) 등을 제어한다.
[웨이퍼 처리]
다음으로, 본 실시형태에 따른 웨이퍼 처리의 일례에 대해, 도 5를 참조해서 설명한다. 도 5는 본 실시형태에 따른 웨이퍼 처리의 일례를 도시한 흐름도이다. 본 처리가 개시되면, CPU(11)는, FOUP를 로드 포트(LP)에 배치시킨다(단계 S10). 다음으로, CPU(11)는, FOUP의 식별 정보를 검출하고, 검출 결과에 기초하여 FOUP에 수납된 웨이퍼(W)의 종별을 자동 판별한다(단계 S12).
CPU(11)가 FOUP의 식별 정보를 검출하는 일례에 대해 설명한다. 예컨대, 도 6의 (a)에 도시된 FOUP의 바닥부에서는, 구멍부(B1∼B4)가 관통하고 있다. 로드 포트(LP)에는, FOUP를 배치하는 배치면에 버튼부(A1∼A4)가 설치되어 있다. 이 경우, 도 6의 (a)의 우측에 FOUP의 바닥면[도 6의 (a)의 우측 위] 및 측면(우측 아래)을 도시한 바와 같이, FOUP가 로드 포트(LP)에 배치되면, 버튼부(A1∼A4)의 각각이 구멍부(B1∼B4)의 각각을 관통하여, FOUP의 내부로 돌출된다.
또한, 예컨대, 도 6의 (b)에 도시된 FOUP의 바닥부에서는, 구멍부(B1, B3)가 관통하고 있다. 이 경우, 도 6의 (b)의 우측에 FOUP의 바닥면[도 6의 (b)의 우측 위] 및 측면(우측 아래)을 도시한 바와 같이, FOUP가 로드 포트(LP)에 배치되면, 버튼부(A1, A3)의 각각이 구멍부(B1, B3)의 각각을 관통하여, FOUP의 내부로 돌출된다. 버튼부(A2, A4)의 각각은, FOUP의 바닥부에 의해 눌려진다. 버튼부(A)가 구멍부(B)를 관통하고 있는 상태를 오프(=0), 버튼부(A)가 FOUP의 바닥부에 의해 눌려져 있는 상태를 온(=1)으로 한다.
버튼부(A1∼A4)의 온, 오프의 조합에 대응하는 FOUP의 식별 정보가 미리 메모리(12)에 설정되어 있다. 그래서, CPU(11)는, 메모리(12)를 참조해서, 버튼부(A1∼A4)의 온, 오프의 상태로부터 FOUP의 식별 정보를 특정한다.
예컨대, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 버튼부(A1∼A4) 모두가 오프인 경우인 경우, CPU(11)는, FOUP의 식별 정보 (A1, A2, A3, A4)가 (0, 0, 0, 0)인 것의 검출 결과를 얻는다. 이 결과에 기초하여, CPU(11)는, FOUP에 수납된 웨이퍼(W)의 종별이 예컨대 「제품용 웨이퍼」라고 판정할 수 있다.
또한, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 버튼부(A1, A3)가 오프, 버튼부(A2, A4)가 온인 경우인 경우, CPU(11)는, FOUP의 식별 정보 (A1, A2, A3, A4)가 (0, 1, 0, 1)인 것의 검출 결과를 얻는다. 이 결과에 기초하여, CPU(11)는, FOUP에 수납된 웨이퍼(W)의 종별이 예컨대 「온도 측정용 웨이퍼」라고 판정할 수 있다. 이와 같이 하여, FOUP의 식별 정보 (A1, A2, A3, A4)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 종별을 판별할 수 있다.
한편, CPU(11)가 FOUP의 식별 정보에 기초하여 웨이퍼의 종별을 자동 판별하는 방법은 이것에 한하지 않고, FOUP의 캐리어 ID를 판독하고, 캐리어 ID에 기초하여 웨이퍼의 종별을 자동 판별하는 방법이어도 좋다. 또한, CPU(11)는, 호스트 컴퓨터(20)로부터 수신한 웨이퍼(W)의 종별 정보에 의해 웨이퍼의 종별을 판별해도 좋다. 또한, CPU(11)는, 오퍼레이터가 지정한 웨이퍼(W)의 종별 정보에 의해 웨이퍼의 종별을 판별해도 좋다.
도 5로 되돌아가서, 다음으로, CPU(11)는, 웨이퍼(W)의 종별이 제품용 웨이퍼 또는 측정용 웨이퍼 중 어느 것인지를 판정한다(단계 S14). CPU(11)는, 웨이퍼(W)의 종별이 제품용 웨이퍼라고 판정하면, 웨이퍼(W)의 종별이 더미 웨이퍼인지의 여부를 판정한다(단계 S16).
CPU(11)는, 웨이퍼(W)의 종별이 더미 웨이퍼라고 판정하면, 메모리(12)에 기억된 파라미터 테이블(16)로부터 더미 웨이퍼용의 파라미터 데이터를 취득하고(단계 S18), 단계 S22로 진행한다. 한편, 단계 S16에 있어서, CPU(11)는, 웨이퍼(W)의 종별이 더미 웨이퍼가 아니라고 판정하면, 메모리(12)에 기억된 파라미터 테이블(16)로부터 제품용의 파라미터 데이터를 취득하고(단계 S20), 단계 S22로 진행한다.
단계 S14에 있어서, CPU(11)는, 웨이퍼(W)의 종별이 측정용 웨이퍼라고 판정하면, 메모리(12)에 기억된 파라미터 테이블(16)로부터 측정용의 파라미터 데이터를 취득하고(단계 S24), 단계 S22로 진행한다.
단계 S22에 있어서, CPU(11)는, 웨이퍼의 종별을 자동 판별한 후, 로드 포트(LP)에 배치된 FOUP로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 전에, 취득한 파라미터 데이터에 따라, FOUP의 매핑을 제어한다. 파라미터 테이블(16)에는, 웨이퍼(W)의 반송 조건과 프로세스 조건과 매핑 등의 측정의 조건을 설정할 수 있다. 매핑의 조건으로서는, FOUP의 매핑에 있어서의 이중 슬롯 검지, 경사 슬롯 검지 등의 조건을 설정할 수 있다. 측정용 웨이퍼의 두께 및 무게는, 제품용 웨이퍼보다 두껍고 또한 무겁기 때문에, 매핑의 조건으로서 이중 슬롯 검지의 폭 등의 조건을 제품용 웨이퍼에 대한 이중 슬롯 검지의 폭의 조건과 변경할 필요가 있다.
FOUP의 매핑에서는, 도 1에 도시된 대기측의 제1 아암(211) 또는 제2 아암(221)의 픽 선단에 FOUP 내를 촬영할 수 있는 센서를 부착하고, 센서가 부착된 아암을 FOUP를 향해 FOUP의 높이 방향으로 오르내리게 하여 센서를 스캔시킨다. 이에 의해, FOUP 내의 어느 슬롯 위치에 웨이퍼가 있는지가 검출된다. 이와 같이 하여, FOUP 내의 동일 슬롯에 2장의 웨이퍼가 들어가 있는 것을 검지하거나(이중 슬롯 검지), 슬롯에 비스듬히 웨이퍼가 들어가 있는 것을 검지하거나(경사 슬롯 검지), 그 외의 이상을 검출할 수 있다.
다음으로, CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 있는지의 여부를 판정한다(단계 S26). CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 있다고 판정한 경우, 알람을 출력하고(단계 S28), 본 처리를 종료한다.
한편, CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 없다고 판정한 경우, 웨이퍼를 FOUP로부터 반출하고, 미리 정해진 프로세스 모듈(PM)에서 미리 정해진 처리를 실시한 후, 로드 포트(LP)의 미리 정해진 FOUP에 수납하고(단계 S29), 본 처리를 종료한다.
단계 S29에 있어서, CPU(11)는, 레시피에 따라, 또한, 취득한 파라미터 데이터의 조건을 벗어나지 않도록 웨이퍼(W)의 처리 및 반송의 제어를 행한다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 종별이 더미 웨이퍼의 경우, CPU(11)는, 레시피에 설정된 조건이, 더미 웨이퍼용의 파라미터 데이터에 설정된 조건으로부터 벗어나는 경우, 파라미터 데이터에 설정된 조건을 초과하지 않도록 웨이퍼의 처리 및 반송의 제어를 행한다.
예컨대, 도 2에 도시된 레시피 A의 단계 1의 온도 T1이, 도 3의 더미 웨이퍼용의 파라미터 테이블(16b)에 설정된 온도의 상한값(Max) Tf를 초과하고 있는 경우, CPU(11)는, 웨이퍼 온도가 상한값 Tf를 초과하지 않도록 처리를 제어한다. 또한, CPU(11)는, 더미 웨이퍼의 반송 속도가 상한값 Vf를 초과하지 않도록 제어한다.
또한, 자동 판별한 웨이퍼(W)의 종별이 측정용 웨이퍼의 경우, CPU(11)는, 레시피에 설정된 처리 및 반송 조건이, 측정용의 파라미터 데이터에 설정된 조건으로부터 벗어나지 않도록 처리 및 반송의 제어를 행한다. 예컨대, CPU(11)는, 사용하는 레시피의 온도가, 도 3의 파라미터 테이블(16a)에 설정된 온도의 상한값(Max) Td를 초과하고 있는 경우, CPU(11)는, 웨이퍼 온도가 상한값 Td를 초과하지 않도록 제어한다. 이에 의해, 온도 측정용 웨이퍼에 탑재된 온도 센서의 파손 등을 방지할 수 있다.
또한, CPU(11)는, 온도 측정용 웨이퍼의 반송 속도가 상한값 Vd를 초과하지 않도록 제어한다. 통상, 온도 측정용 웨이퍼는, 제품용 웨이퍼보다 두께가 있어 무겁다. 따라서, 온도 측정용 웨이퍼를 반송할 때에는, 온도 측정용의 파라미터 테이블(16a)에 설정된 반송 속도의 상한값 Vd를 초과하지 않도록 반송 속도를 제어한다. 통상, 온도 측정용의 파라미터 테이블(16a)에 설정된 반송 속도의 상한값 Vd는, 통상의 제품용 웨이퍼를 반송할 때의 반송 속도보다 작은 값으로 설정되어 있다. 이와 같이 하여, 본 실시형태에서는, 측정용 웨이퍼 등의 특수 기판이라고 자동 판정된 경우, 자동적으로 특수 기판을 제품 기판보다 느린 반송 속도로 반송할 수 있고, 이 결과, 반송 시의 특수 기판의 파손 등을 방지할 수 있다.
단, 제품 기판을 반송할 때의 반송 속도가, 특수 기판의 반송 속도의 상한값을 초과하지 않는 경우에는, 통상대로, 제품 기판을 반송하는 반송 속도로 특수 기판이 반송된다. 이에 의해, 웨이퍼의 종별에 상관없이 반송 속도를 일률적으로 느리게 하는 것보다 반송 지연을 억제할 수 있어, 반송 시간의 단축을 도모할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 프로세스 모듈(PM) 내에서 인가하는 고주파 전력(RF)의 상한값이 파라미터 테이블(16)에 설정되어 있고, CPU(11)는, 파라미터 테이블(16)에 설정된 고주파 전력(RF)의 상한값을 초과하지 않도록 고주파 전력(RF)을 제어한다.
파라미터 테이블(16)에 설정되는 웨이퍼(W)의 반송 조건으로서는, 반송 속도 외에, 가속도, 반송 시간, z방향의 웨이퍼의 포지션을 미세 조정하는 조정값을 설정해도 좋다. z방향의 포지션의 미세 조정은, 웨이퍼의 무게에 따른 휘어짐을 고려하여, 반송 방향과 수직인 z방향의 위치를 보정하기 위한 조정값이다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 파라미터 테이블(16)에, 제품용 웨이퍼와 측정용 웨이퍼에서 웨이퍼의 이상 검지나 반송 속도가 상이한 조건이 설정된다. 따라서, 제품용 웨이퍼와 측정용 웨이퍼에서 적정한 처리 조건이나 반송 조건이 상이한 것을 고려하여, 자동 판별한 웨이퍼의 종별에 따른 파라미터 데이터에 기초하여 레시피에 설정되어 있는 처리 조건이나 반송 조건을 변경할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼의 종별마다 웨이퍼의 처리 및 반송 조건을 적정화할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 종별에 따라 수동으로 처리 조건이나 반송 조건을 변경하는 번잡함을 해소할 수 있다.
(변형예)
[웨이퍼 처리]
마지막으로, 변형예에 따른 웨이퍼 처리의 일례에 대해, 도 7을 참조해서 설명한다. 도 7은 변형예에 따른 웨이퍼 처리의 일례를 도시한 흐름도이다. 한편, 도 5에 도시된 흐름도와 동일 처리를 행하는 단계에는 동일 단계 번호를 붙임으로써, 설명을 생략한다.
본 처리가 개시되면, 단계 S10∼단계 S26의 처리가 행해진다. 단계 S26에서, CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 있다고 판정한 경우, 알람을 출력하고(단계 S28), 본 처리를 종료한다.
한편, CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 없다고 판정한 경우, CPU(11)는, 자동 판별한 웨이퍼(W)의 종별이 제품용 웨이퍼 및 측정용 웨이퍼였던 경우에, 제품용 웨이퍼 및 측정용 웨이퍼가 병렬하여 처리되는지의 여부를 판정한다(단계 S30). 이때, 제품용 웨이퍼에는 더미 웨이퍼를 포함시켜 판정이 행해진다.
예컨대, 도 1에 있어서, 로드 포트(LP1)에 배치된 FOUP의 웨이퍼(W)가 프로세스 모듈(PM1)에 반송 및 처리되고, 로드 포트(LP2)에 배치된 FOUP의 웨이퍼(W)가 프로세스 모듈(PM2)에 병렬하여 반송 및 처리될 때이며, 로드 포트(LP1, LP2)에 배치된 FOUP의 웨이퍼(W)의 한쪽이 제품용 웨이퍼이고, 다른쪽이 측정용 웨이퍼인 경우가 해당한다.
CPU(11)는, 제품용 웨이퍼와 측정용 웨이퍼의 병렬 처리는 없다고 판정한 경우, 레시피에 따라, 또한 취득한 파라미터 데이터의 조건을 초과하지 않도록, 웨이퍼를 FOUP로부터 반송하여, 프로세스 모듈(PM)에서 미리 정해진 처리를 행한 후, 로드 포트(LP)의 미리 정해진 FOUP에 수납하고(단계 S29), 본 처리를 종료한다.
한편, 단계 S30에 있어서, CPU(11)는, 제품용 웨이퍼와 측정용 웨이퍼가 병렬하여 처리된다고 판정한 경우, 복수의 FOUP의 각각에 수납된, 각각의 종별의 웨이퍼에 대응하는 파라미터 데이터에 설정된 반송 속도 중 가장 느린 반송 속도로 제품용 및 측정용 웨이퍼를 반송한다(단계 S34). 다음으로, CPU(11)는, 레시피에 따라, 또한, 각각의 종별의 웨이퍼에 대응한 파라미터 데이터의 조건을 초과하지 않도록 제품용 및 측정용 웨이퍼를 병행하여 처리하고(단계 S36), 본 처리를 종료한다.
이상으로 설명한 바와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 두께 및 무게가 상이한 제품용 웨이퍼와 측정용 웨이퍼가 병행하여 반송 및 처리되는 것을 고려하여, 각각의 종별의 웨이퍼에 대응한 파라미터 데이터의 조건을 초과하지 않도록 각 웨이퍼의 반송 및 처리가 제어된다.
예컨대, 제품용 및 측정용 웨이퍼가 병행하여 반송될 때, 각각의 종별의 웨이퍼에 대응하는 파라미터 데이터에 설정된 반송 속도 중 가장 느린 반송 속도로 제어된다. 이에 의해, 웨이퍼의 종별의 자동 판별 결과에 기초하여, 상이한 종별의 웨이퍼가 병행하여 처리되는 경우에 있어서도, 이상 검지나 반송을 적정하게 행할 수 있다.
이상, 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템을 상기 실시형태에 의해 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
예컨대, 상기 실시형태 및 변형예에서는, CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 있다고 판정한 경우, 알람을 출력하였으나(도 5 및 도 7의 단계 S28), 이것에 한하지 않는다. CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 있다고 판정한 경우, 파라미터 테이블(16)에 설정된 상한값 및/또는 하한값의 범위 내에서 웨이퍼를 반송 및 처리해도 좋다. 또한, CPU(11)는, 매핑 결과에 이상이 있다고 판정한 경우, FOUP로부터의 웨이퍼의 반출을 정지하고, FOUP 내의 상태를 오퍼레이터에 의해 확인된 후, 오퍼레이터의 지시에 따라 FOUP 내의 웨이퍼의 반송 및 처리를 재개해도 좋다.
본 발명에 따른 프로세스 모듈(PM)은, 도 4에 도시된 평행 평판형 2주파 인가 장치에 한하지 않고, 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 처리 장치, 레이디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파 여기형의 플라즈마(HWP: Helicon Wave Plasma) 처리 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR: Electron Cyclotron Resonance Plasma) 처리 장치에 적용할 수 있다.
본 명세서에서는, 에칭 대상의 기판으로서 반도체 웨이퍼(W)에 대해 설명하였으나, 이것에 한하지 않고, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display) 등에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.
1: 프로세스 모듈 PM 10: 제어부
11: CPU 12: 메모리
13: 통신 I/F 14: 디스플레이
15: 레시피 16: 파라미터 테이블
17: 처리 용기 20: 호스트 컴퓨터
PM1∼PM6: 프로세스 모듈 TM: 트랜스퍼 모듈
LM: 반송 모듈 LL1, LL2: 로드록 모듈
LP1∼LP3: 로드 포트 PU: 처리 유닛
TU: 반송 유닛 TR1: 처리 유닛측 반송 장치
TR2: 반송 유닛측 반송 장치

Claims (9)

  1. 기판 처리 방법에 있어서,
    기판을 수납한 기판 수납 용기를 로드 포트에 배치하고,
    배치된 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 종별(種別)을 자동 판별하며,
    종별마다 기판의 반송 조건에 관한 파라미터 데이터를 기억하는 기억부를 참조해서, 자동 판별한 상기 기판의 종별에 대응하는 파라미터 데이터에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 반송을 제어하여 기판을 처리하고,
    자동 판별한 상기 기판의 종별에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판이 제품 기판과 상이한 특수 기판이라고 판정된 경우, 상기 파라미터 데이터에 설정된 반송 조건에 기초하여, 특수 기판의 반송 속도를 제품 기판의 반송 속도보다 느리게 제어하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기억부는 또한, 처리 조건에 관한 파라미터 데이터를 기억하고, 상기 기억부를 참조해서 자동 판별한 상기 기판의 종별에 대응하는 파라미터 데이터와 미리 정해진 레시피에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 처리를 제어하는 것인 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    미리 정해진 레시피에 설정된 기판의 처리 조건 중 상기 파라미터 데이터에 설정된 조건으로부터 벗어난 값이 있는 경우, 상기 파라미터 데이터에 설정된 조건 내에서 상기 기판의 처리를 제어하는 기판 처리 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 종별을 자동 판별한 후, 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판을 반송하기 전에, 상기 파라미터 데이터에 설정된 조건에 기초하여 매핑을 행하여, 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 이상을 검출하는 기판 처리 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 수납 용기를 상기 로드 포트에 배치할 때, 상기 기판 수납 용기의 식별 정보를 취득하고, 상기 식별 정보에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 종별을 자동 판별하는 기판 처리 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 상기 기판 수납 용기를 상기 로드 포트에 배치하고,
    배치된 복수의 상기 기판 수납 용기의 각각의 종별을 자동 판별하며,
    복수의 상기 기판 수납 용기의 각각에 수납된 복수의 기판을 병행하여 처리 및 반송하는 경우, 자동 판별한 상기 복수의 기판의 각각의 종별에 대응하는 파라미터 데이터에 설정된 반송 속도 중 가장 느린 반송 속도 이하의 속도로 복수의 상기 기판 수납 용기의 각각에 수납된 복수의 기판을 병행하여 반송하는 기판 처리 방법.
  7. 기판 처리 시스템에 있어서,
    기판을 수납한 기판 수납 용기가 배치되는 로드 포트와,
    상기 로드 포트에 배치된 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 종별을 자동 판별하고, 종별마다 기판의 반송 조건에 관한 파라미터 데이터를 기억하는 기억부를 참조해서, 자동 판별한 상기 기판의 종별에 대응하는 파라미터 데이터에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 반송을 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는 자동 판별한 상기 기판의 종별에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판이 제품 기판과 상이한 특수 기판이라고 판정된 경우, 상기 파라미터 데이터에 설정된 반송 조건에 기초하여, 특수 기판의 반송 속도를 제품 기판의 반송 속도보다 느리게 제어하는 기판 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기억부는, 또한 처리 조건에 관한 파라미터 데이터를 기억하고,
    상기 제어부는, 상기 기억부를 참조해서 자동 판별한 상기 기판의 종별에 대응하는 파라미터 데이터와 미리 정해진 레시피에 기초하여 상기 기판 수납 용기에 수납된 기판의 처리를 제어하는 것인 기판 처리 시스템.
  9. 삭제
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
JP7149748B2 (ja) * 2018-07-04 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板搬送方法、および制御プログラム
JP2020017645A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置
DE102018118814B4 (de) * 2018-08-02 2024-07-18 Beckhoff Automation Gmbh Verfahren zum Identifizieren eines Schlittens eines linearen Transportsystems
JP7175151B2 (ja) * 2018-09-28 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 搬送方法
JP7357453B2 (ja) * 2019-03-07 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板の搬送方法
JP7462383B2 (ja) * 2019-04-15 2024-04-05 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプラズマ処理装置
CN111430263B (zh) * 2019-07-02 2023-04-07 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体加工设备及其装载晶圆盒的控制方法
CN112582319A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 台湾积体电路制造股份有限公司 支撑构件系统
US11735451B2 (en) * 2019-09-27 2023-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Stocker system for wafer cassette
CN110911315A (zh) * 2019-12-03 2020-03-24 芜湖益盈鼎裕自动化设备有限公司 一种物料自动筛拣进出站装置
US11688616B2 (en) * 2020-07-22 2023-06-27 Applied Materials, Inc. Integrated substrate measurement system to improve manufacturing process performance
USD977504S1 (en) 2020-07-22 2023-02-07 Applied Materials, Inc. Portion of a display panel with a graphical user interface
JP7157786B2 (ja) * 2020-09-23 2022-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN112410765A (zh) * 2020-11-05 2021-02-26 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 一种团簇式设备控制方法及装置及存储介质
TWI773187B (zh) * 2021-03-12 2022-08-01 旭東機械工業股份有限公司 用於檢測一晶圓盒的方法及系統
US11728194B2 (en) * 2021-12-07 2023-08-15 Nanya Technology Corporation Wafer handling apparatus and method of operating the same
CN115332128A (zh) * 2022-10-14 2022-11-11 西安奕斯伟材料科技有限公司 晶圆载具管理系统及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108966A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 検出装置及び検出方法
JP2010056367A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Panasonic Corp 半導体製造装置
JP2014138121A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5177514A (en) * 1988-02-12 1993-01-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating a photo-resist film and/or developing it after being exposed
ATE275759T1 (de) * 1995-03-28 2004-09-15 Brooks Automation Gmbh Be- und entladestation für halbleiterbearbeitungsanlagen
TW309503B (ko) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
US6259960B1 (en) * 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
US5883374A (en) * 1997-03-27 1999-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Scanning system for identifying wafers in semiconductor process tool chambers
US6188323B1 (en) * 1998-10-15 2001-02-13 Asyst Technologies, Inc. Wafer mapping system
JP3556519B2 (ja) * 1999-04-30 2004-08-18 信越ポリマー株式会社 基板収納容器の識別構造及び基板収納容器の識別方法
US6612797B1 (en) * 1999-05-18 2003-09-02 Asyst Technologies, Inc. Cassette buffering within a minienvironment
DE10024734A1 (de) * 1999-05-20 2001-01-18 Hyundai Electronics Ind Halbleiterfabrikautomatisierungssystem und Verfahren zum Transportieren von Halbleiterwafern
JP3907889B2 (ja) * 1999-11-01 2007-04-18 康人 唐澤 基板搬送装置
US6629053B1 (en) * 1999-11-22 2003-09-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for determining substrate offset using optimization techniques
US20030234208A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.. Ltd. Container with magnifying identification lens
JP4091380B2 (ja) * 2002-08-29 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 被処理体基板を収容した複数種類のカセットに対応可能なロードポート
US7151366B2 (en) 2002-12-03 2006-12-19 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
JP4449319B2 (ja) * 2003-03-25 2010-04-14 株式会社デンソー 製造管理方法
JP4648190B2 (ja) * 2003-03-28 2011-03-09 平田機工株式会社 基板搬送システム
JP2005322854A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Olympus Corp 基板処理装置及び基板処理システム
WO2006009723A2 (en) * 2004-06-15 2006-01-26 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with removable component module
US8078311B2 (en) * 2004-12-06 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
JP4353903B2 (ja) * 2005-01-07 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 クラスタツールの処理システム
US7364922B2 (en) * 2005-01-24 2008-04-29 Tokyo Electron Limited Automated semiconductor wafer salvage during processing
US8821099B2 (en) * 2005-07-11 2014-09-02 Brooks Automation, Inc. Load port module
JP4839101B2 (ja) * 2006-03-08 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体
JP4849969B2 (ja) * 2006-06-15 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板搬送方法
JP4893425B2 (ja) * 2007-03-30 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の基板処理装置、枚葉式の基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
US8655472B2 (en) * 2010-01-12 2014-02-18 Ebara Corporation Scheduler, substrate processing apparatus, and method of transferring substrates in substrate processing apparatus
KR20130022025A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 삼성전자주식회사 기판수납용기 로더
JP6403431B2 (ja) * 2013-06-28 2018-10-10 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
US9341580B2 (en) * 2014-06-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Linear inspection system
WO2017090186A1 (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108966A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 検出装置及び検出方法
JP2010056367A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Panasonic Corp 半導体製造装置
JP2014138121A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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