JP2002050557A - 判別方法及び処理装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの不良の発生を最小限に抑えるため
に，ウェハが熱板上に正確に載置されているか否かをよ
り迅速かつ正確に判断する。 【解決手段】 熱板６３上にウェハＷが載置された際に
熱板温度が低下する現象を利用する。熱板６３にその温
度低下をモニタリングする温度センサ７３を設ける。温
度センサ７３からの測定結果を受信する不良検出部７７
には，熱板温度の時間変化をグラフで現した場合の温度
曲線と設定温度とで囲まれた範囲の面積，すなわち温度
積算面積を算出し，その温度積算面積と予め設定してお
いたしきい値とを比較する機能が備えられる。しきい値
には，ウェハＷが正確に載置された場合の温度積算面積
から求められた標準偏差が使用される。不良検出部７７
は，熱板温度の低下が小さく，温度積算面積がしきい値
を越えた場合にウェハＷが正確に載置されていないと判
断する。
に，ウェハが熱板上に正確に載置されているか否かをよ
り迅速かつ正確に判断する。 【解決手段】 熱板６３上にウェハＷが載置された際に
熱板温度が低下する現象を利用する。熱板６３にその温
度低下をモニタリングする温度センサ７３を設ける。温
度センサ７３からの測定結果を受信する不良検出部７７
には，熱板温度の時間変化をグラフで現した場合の温度
曲線と設定温度とで囲まれた範囲の面積，すなわち温度
積算面積を算出し，その温度積算面積と予め設定してお
いたしきい値とを比較する機能が備えられる。しきい値
には，ウェハＷが正確に載置された場合の温度積算面積
から求められた標準偏差が使用される。不良検出部７７
は，熱板温度の低下が小さく，温度積算面積がしきい値
を越えた場合にウェハＷが正確に載置されていないと判
断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，判別方法及び処理
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトリ
ソグラフィー工程においては，半導体ウエハ（以下，
「ウエハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処
理（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の
加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）等，種
々の加熱処理が行われている。
ソグラフィー工程においては，半導体ウエハ（以下，
「ウエハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処
理（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の
加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）等，種
々の加熱処理が行われている。
【０００３】前記加熱処理は，通常加熱処理装置によっ
て行われる。図１２に示すように，この加熱処理装置１
００には，ウェハＷを所定の位置に載置して加熱するた
めの厚みのある円盤状の熱板１０１が設けられている。
熱板１０１上の前記載置位置には，ウェハＷを支持する
ための支持ピン１０２が設けられており，ウェハＷを載
置した際にウェハＷと熱板１０１とが直接接触すること
を防止している。また，熱板１０１下方には，ウェハＷ
を熱板１０１上に載置する際にウェハＷを昇降させるた
めの昇降ピン１０３が熱板１０１を貫通するようにして
設けられている。
て行われる。図１２に示すように，この加熱処理装置１
００には，ウェハＷを所定の位置に載置して加熱するた
めの厚みのある円盤状の熱板１０１が設けられている。
熱板１０１上の前記載置位置には，ウェハＷを支持する
ための支持ピン１０２が設けられており，ウェハＷを載
置した際にウェハＷと熱板１０１とが直接接触すること
を防止している。また，熱板１０１下方には，ウェハＷ
を熱板１０１上に載置する際にウェハＷを昇降させるた
めの昇降ピン１０３が熱板１０１を貫通するようにして
設けられている。
【０００４】また，ウェハＷは，ウェハＷ面内において
均一に加熱される必要があるので，ウェハＷが熱板１０
１上に載置される際には，ウェハＷは所定位置に水平に
載置されることが重要である。そこで，通常は，ウェハ
Ｗの載置位置に向けて傾斜面１０４を有する複数のガイ
ド部材１０５が，熱板１０１上にウェハＷの前記載置位
置を取り囲むようにして設けられている。かかる構成か
ら，ウェハＷが加熱される際には，他の処理装置から搬
送されたウェハＷが，予め熱板１０１上に突出して待機
していた昇降ピン１０３上に支持され，その昇降ピン１
０３が下降されると共にウェハＷも下降され，熱板１０
１上の支持ピン１０２に載置される。また，ウェハＷが
載置される際に，ウェハＷが多少所定の載置位置からず
れて載置された場合には，図１３に示すように，上述し
たガイド部材１０５の傾斜部１０４によって正確な位置
に導かれるようになっている。
均一に加熱される必要があるので，ウェハＷが熱板１０
１上に載置される際には，ウェハＷは所定位置に水平に
載置されることが重要である。そこで，通常は，ウェハ
Ｗの載置位置に向けて傾斜面１０４を有する複数のガイ
ド部材１０５が，熱板１０１上にウェハＷの前記載置位
置を取り囲むようにして設けられている。かかる構成か
ら，ウェハＷが加熱される際には，他の処理装置から搬
送されたウェハＷが，予め熱板１０１上に突出して待機
していた昇降ピン１０３上に支持され，その昇降ピン１
０３が下降されると共にウェハＷも下降され，熱板１０
１上の支持ピン１０２に載置される。また，ウェハＷが
載置される際に，ウェハＷが多少所定の載置位置からず
れて載置された場合には，図１３に示すように，上述し
たガイド部材１０５の傾斜部１０４によって正確な位置
に導かれるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ウェハ
Ｗの載置位置が大幅にずれて，例えばウェハＷがガイド
部材１０５上に乗り上げて載置された場合には，その状
態でウェハＷの加熱処理が行われてしまい，製品不良が
発生する。そして，このような不良の発生は，通常，後
に行われる検出工程で発見される。しかし，前記不良は
連続的に発生する場合が多いため，前記検出工程で不良
の発生が検出されたときには，既に多量の不良製品が製
造されている場合が多く，被害が大きくなる前のより早
い段階で前記不良の発生を検出することが望まれてい
る。
Ｗの載置位置が大幅にずれて，例えばウェハＷがガイド
部材１０５上に乗り上げて載置された場合には，その状
態でウェハＷの加熱処理が行われてしまい，製品不良が
発生する。そして，このような不良の発生は，通常，後
に行われる検出工程で発見される。しかし，前記不良は
連続的に発生する場合が多いため，前記検出工程で不良
の発生が検出されたときには，既に多量の不良製品が製
造されている場合が多く，被害が大きくなる前のより早
い段階で前記不良の発生を検出することが望まれてい
る。
【０００６】ところで，前記熱板１０１にウェハＷが載
置されると，温度の低いウェハＷによって熱が奪われ，
熱板温度が一旦低下することが確認されている。そし
て，ウェハＷの載置が正確に行われず，例えばウェハＷ
が斜めに載置されたような場合には，熱板１０１とウェ
ハＷとの距離が離れて，熱の伝導が抑えられるため，前
記温度低下が小さくなる。そこで，このような，ウェハ
Ｗが載置された際の熱板の温度低下の変化を利用して，
ウェハＷの載置の適否を検出することが提案される。し
かし，その際に，例えば熱板温度が低下した際の最低温
度を基準にウェハの載置の適否を判断する場合には，そ
の最低温度のばらつきが大きくなってしまう。従って，
その信頼性の向上が望まれるところである。
置されると，温度の低いウェハＷによって熱が奪われ，
熱板温度が一旦低下することが確認されている。そし
て，ウェハＷの載置が正確に行われず，例えばウェハＷ
が斜めに載置されたような場合には，熱板１０１とウェ
ハＷとの距離が離れて，熱の伝導が抑えられるため，前
記温度低下が小さくなる。そこで，このような，ウェハ
Ｗが載置された際の熱板の温度低下の変化を利用して，
ウェハＷの載置の適否を検出することが提案される。し
かし，その際に，例えば熱板温度が低下した際の最低温
度を基準にウェハの載置の適否を判断する場合には，そ
の最低温度のばらつきが大きくなってしまう。従って，
その信頼性の向上が望まれるところである。
【０００７】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，ウェハの不良の発生を最小限に抑えるために，
ウェハ等の基板が熱板上に正確に載置されていないこと
を迅速かつ正確に判断するための判断方法と，その判断
方法の実施可能な処理装置とを提供することをその目的
とする。
であり，ウェハの不良の発生を最小限に抑えるために，
ウェハ等の基板が熱板上に正確に載置されていないこと
を迅速かつ正確に判断するための判断方法と，その判断
方法の実施可能な処理装置とを提供することをその目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，熱板を所定温度に設定し，その熱板上の所定の位置
に基板を載置して加熱処理又は冷却処理するときに，前
記基板が前記所定位置に正確に載置されているかどうか
を判別する方法あって，前記熱板に基板を載置した後
に，少なくとも熱板温度の変化する第１の時間から第２
の時間までの熱板の温度を測定する工程と，その測定さ
れた時系列的に変化する温度曲線と，前記熱板の設定温
度とで囲まれた範囲で定まる温度積算面積Ｉを算出する
工程と，その算出された温度積算面積Ｉと，予め定めて
おいた温度積算面積のしきい値とを比較する工程とを有
することを特徴とする判別方法が提供される。
ば，熱板を所定温度に設定し，その熱板上の所定の位置
に基板を載置して加熱処理又は冷却処理するときに，前
記基板が前記所定位置に正確に載置されているかどうか
を判別する方法あって，前記熱板に基板を載置した後
に，少なくとも熱板温度の変化する第１の時間から第２
の時間までの熱板の温度を測定する工程と，その測定さ
れた時系列的に変化する温度曲線と，前記熱板の設定温
度とで囲まれた範囲で定まる温度積算面積Ｉを算出する
工程と，その算出された温度積算面積Ｉと，予め定めて
おいた温度積算面積のしきい値とを比較する工程とを有
することを特徴とする判別方法が提供される。
【０００９】請求項１によれば，基板が加熱用の加熱熱
板に載置された後で，その加熱熱板の温度が低下する期
間又は基板が冷却用の冷却熱板に載置された後で，その
冷却熱板の温度が上昇する期間の温度を測定し，その測
定された時系列的な温度曲線と熱板の設定温度で囲まれ
る温度積算面積Ｉを算出する。そして，予め基板が正確
に載置された場合の温度積算面積を求めておき，その理
想的な温度積算面積の許容値であるしきい値と，前記温
度積算面積Ｉとを比較する。こうすることによって，測
定され，算出された温度積算面積Ｉが，前記しきい値を
越えた場合には，基板が正確に載置されていないと判断
できる。したがって，基板が熱板上に正確に載置され，
基板が適切に加熱処理されたか否かをより早い段階で判
定することができる。また，その判断基準として，温度
積算面積Ｉを用いることによって，例えば単に熱板温度
の最低温度を基準にするよりも，他の要因による一瞬の
温度変動等に左右されず，より信頼性のある判別を行う
ことができる。
板に載置された後で，その加熱熱板の温度が低下する期
間又は基板が冷却用の冷却熱板に載置された後で，その
冷却熱板の温度が上昇する期間の温度を測定し，その測
定された時系列的な温度曲線と熱板の設定温度で囲まれ
る温度積算面積Ｉを算出する。そして，予め基板が正確
に載置された場合の温度積算面積を求めておき，その理
想的な温度積算面積の許容値であるしきい値と，前記温
度積算面積Ｉとを比較する。こうすることによって，測
定され，算出された温度積算面積Ｉが，前記しきい値を
越えた場合には，基板が正確に載置されていないと判断
できる。したがって，基板が熱板上に正確に載置され，
基板が適切に加熱処理されたか否かをより早い段階で判
定することができる。また，その判断基準として，温度
積算面積Ｉを用いることによって，例えば単に熱板温度
の最低温度を基準にするよりも，他の要因による一瞬の
温度変動等に左右されず，より信頼性のある判別を行う
ことができる。
【００１０】かかる請求項１の発明において，請求項２
のように前記温度積算面積のしきい値が，基板が前記所
定位置に正確に載置された場合の温度積算面積の標準偏
差に関するものであるようにしてもよい。このように，
予め基板が前記所定位置に正確に載置された場合の温度
積算面積のデータを採っておき，そのデータの例えば標
準偏差を前記しきい値とすることにより，予め採って置
かなくてはならない前記データが前記基板が正確に載置
された場合の温度積算面積のみで済む。すなわち，標準
偏差を使用しない場合には，基板が正確に載置された場
合のデータと基板が正確に載置されなかった場合のデー
タを採り，その両方のデータからしきい値を定める必要
があり，そのデータの採取に多くの時間と労力が費やさ
れることになる。したがって，本発明により，一種類の
データを採取するだけで済むため，作業員の作業時間と
労力が軽減できる。なお，標準偏差に関するものとは，
例えばＮσ（Ｎは実数）であり，標準偏差σ，２σ，３
σ等が採用される。
のように前記温度積算面積のしきい値が，基板が前記所
定位置に正確に載置された場合の温度積算面積の標準偏
差に関するものであるようにしてもよい。このように，
予め基板が前記所定位置に正確に載置された場合の温度
積算面積のデータを採っておき，そのデータの例えば標
準偏差を前記しきい値とすることにより，予め採って置
かなくてはならない前記データが前記基板が正確に載置
された場合の温度積算面積のみで済む。すなわち，標準
偏差を使用しない場合には，基板が正確に載置された場
合のデータと基板が正確に載置されなかった場合のデー
タを採り，その両方のデータからしきい値を定める必要
があり，そのデータの採取に多くの時間と労力が費やさ
れることになる。したがって，本発明により，一種類の
データを採取するだけで済むため，作業員の作業時間と
労力が軽減できる。なお，標準偏差に関するものとは，
例えばＮσ（Ｎは実数）であり，標準偏差σ，２σ，３
σ等が採用される。
【００１１】請求項３の発明によれば，熱板上の所定の
位置に基板を載置して加熱処理又は冷却処理するときに
前記基板が前記所定位置に正確に載置されているかどう
かを判別する方法あって，前記熱板に基板を載置した後
に，少なくとも熱板温度の変化する第１の時間から第２
の時間までの熱板の温度を測定する工程と，その測定さ
れた温度と，予め定めておいた，基板が正確に載置され
た場合における熱板温度の標準偏差に関するしきい値と
を比較する工程とを有することを特徴とする判別方法が
提供される。なお，比較対象になる前記測定された温度
として，例えば，加熱処理の場合には，基板の載置によ
り熱板温度が最も低下したときの最低温度が提案され，
冷却処理の場合には，基板の載置により熱板温度が最も
上昇したときの最高温度が提案される。
位置に基板を載置して加熱処理又は冷却処理するときに
前記基板が前記所定位置に正確に載置されているかどう
かを判別する方法あって，前記熱板に基板を載置した後
に，少なくとも熱板温度の変化する第１の時間から第２
の時間までの熱板の温度を測定する工程と，その測定さ
れた温度と，予め定めておいた，基板が正確に載置され
た場合における熱板温度の標準偏差に関するしきい値と
を比較する工程とを有することを特徴とする判別方法が
提供される。なお，比較対象になる前記測定された温度
として，例えば，加熱処理の場合には，基板の載置によ
り熱板温度が最も低下したときの最低温度が提案され，
冷却処理の場合には，基板の載置により熱板温度が最も
上昇したときの最高温度が提案される。
【００１２】このように，前記測定された温度，例えば
基板を加熱するときには，熱板温度の最低温度と前記基
板が正確に載置された場合の標準偏差に関するしきい値
とを比較することによっても，請求項２と同様に，予め
採取されるデータが一種類で済むため，その作業にかか
る時間と労力の削減が図られる。
基板を加熱するときには，熱板温度の最低温度と前記基
板が正確に載置された場合の標準偏差に関するしきい値
とを比較することによっても，請求項２と同様に，予め
採取されるデータが一種類で済むため，その作業にかか
る時間と労力の削減が図られる。
【００１３】また，請求項４の発明によれば，熱板上の
所定の位置に基板を載置して加熱処理又は冷却処理する
ときに前記基板が前記所定位置に正確に載置されている
かどうかを判別する方法あって，前記熱板に基板を載置
した後に，少なくとも熱板温度の変化する第１の時間か
ら第２の時間までの熱板の温度を測定する工程と，その
測定された温度の最大温度差と，予め定めておいた，基
板が正確に載置された場合における熱板温度の最大温度
差の標準偏差に関するしきい値とを比較する工程とを有
することを特徴とする判別方法が提供される。このよう
に，請求項３の前記測定された温度自体の代わりに，最
大温度差を判断基準としてもよい。この場合において
も，請求項３と同様に予め採取されるデータが一種類で
済むため，その作業にかかる時間と労力の削減が図られ
る。
所定の位置に基板を載置して加熱処理又は冷却処理する
ときに前記基板が前記所定位置に正確に載置されている
かどうかを判別する方法あって，前記熱板に基板を載置
した後に，少なくとも熱板温度の変化する第１の時間か
ら第２の時間までの熱板の温度を測定する工程と，その
測定された温度の最大温度差と，予め定めておいた，基
板が正確に載置された場合における熱板温度の最大温度
差の標準偏差に関するしきい値とを比較する工程とを有
することを特徴とする判別方法が提供される。このよう
に，請求項３の前記測定された温度自体の代わりに，最
大温度差を判断基準としてもよい。この場合において
も，請求項３と同様に予め採取されるデータが一種類で
済むため，その作業にかかる時間と労力の削減が図られ
る。
【００１４】以上の請求項１〜４の各判別方法におい
て，請求項５のように前記温度測定は，熱板上の複数の
位置で行われ，前記比較工程は，各測定位置毎に行われ
るようにしてもよい。このように，熱板上の複数の位置
で温度を測定することにより，より信頼性の高い，前記
基板が正確に載置されているか否かの判別を行うことが
できる。
て，請求項５のように前記温度測定は，熱板上の複数の
位置で行われ，前記比較工程は，各測定位置毎に行われ
るようにしてもよい。このように，熱板上の複数の位置
で温度を測定することにより，より信頼性の高い，前記
基板が正確に載置されているか否かの判別を行うことが
できる。
【００１５】また，以上の請求項１〜請求項５の発明に
おいて，請求項６のように前記熱板上には，基板が載置
される際に基板を案内する案内部材が前記所定位置を取
り囲むようにして設けられていてもよい。このように，
基板を前記所定位置に案内するための案内部材がある場
合には，基板が大幅にずれて載置されると，基板の一部
がこの案内部材の上に乗り上げてしまい，基板が斜めに
載置される。このような場合には，基板の載置による熱
板温度の低下又は上昇の異常が顕著に現れるため，上述
した請求項１〜５の発明を用いることの効果が大きい。
おいて，請求項６のように前記熱板上には，基板が載置
される際に基板を案内する案内部材が前記所定位置を取
り囲むようにして設けられていてもよい。このように，
基板を前記所定位置に案内するための案内部材がある場
合には，基板が大幅にずれて載置されると，基板の一部
がこの案内部材の上に乗り上げてしまい，基板が斜めに
載置される。このような場合には，基板の載置による熱
板温度の低下又は上昇の異常が顕著に現れるため，上述
した請求項１〜５の発明を用いることの効果が大きい。
【００１６】請求項７の発明によれば，基板を所定位置
に載置して，所定温度で加熱又は冷却する熱板を有する
処理装置において，前記熱板の温度を測定する温度セン
サと，前記温度センサによって測定された，前記熱板に
基板を載置した後であって熱板温度の変化する第１の時
間から第２の時間までの熱板温度の測定結果に基づい
て，その測定された時系列的に変化する温度曲線と，前
記熱板の設定温度とに囲まれた範囲で定まる温度積算面
積Ｉを算出し，その温度積算面積Ｉと予め定められてい
る温度積算面積のしきい値とを比較する演算処理手段と
を有することを特徴とする処理装置が提供される。
に載置して，所定温度で加熱又は冷却する熱板を有する
処理装置において，前記熱板の温度を測定する温度セン
サと，前記温度センサによって測定された，前記熱板に
基板を載置した後であって熱板温度の変化する第１の時
間から第２の時間までの熱板温度の測定結果に基づい
て，その測定された時系列的に変化する温度曲線と，前
記熱板の設定温度とに囲まれた範囲で定まる温度積算面
積Ｉを算出し，その温度積算面積Ｉと予め定められてい
る温度積算面積のしきい値とを比較する演算処理手段と
を有することを特徴とする処理装置が提供される。
【００１７】このように，熱板温度測定する温度センサ
と，温度積算面積Ｉを算出し，前記しきい値と比較する
演算処理手段とを有することにより，請求項１に記載し
た判別方法が好適に実施できる。したがって，基板が熱
板上に正確に載置され，基板が適切に処理されたか否か
をより早い段階で判定することができる。また，その判
断のデータとして，温度積算面積Ｉを用いることによっ
て，例えば単に熱板温度の最低温度を基準にするより
も，データのばらつきが抑制され，より信頼性のある判
断を行うことができる。
と，温度積算面積Ｉを算出し，前記しきい値と比較する
演算処理手段とを有することにより，請求項１に記載し
た判別方法が好適に実施できる。したがって，基板が熱
板上に正確に載置され，基板が適切に処理されたか否か
をより早い段階で判定することができる。また，その判
断のデータとして，温度積算面積Ｉを用いることによっ
て，例えば単に熱板温度の最低温度を基準にするより
も，データのばらつきが抑制され，より信頼性のある判
断を行うことができる。
【００１８】かかる請求項７の発明において，請求項８
のように前記温度センサが，熱板上に複数設けられてお
り，前記演算処理手段は，前記温度積算面積Ｉの算出
と，温度積算面積Ｉと前記しきい値との比較とを各温度
センサ毎の測定結果に基づいて行うように構成されてい
てもよい。このように，温度センサを複数設け，温度積
算面積Ｉの算出と，前記しきい値との比較とを各温度セ
ンサ毎の測定結果に基づいて行うことにより，請求項５
と同様に，前記基板が正確に載置されているか否かの判
別の信頼性が向上される。
のように前記温度センサが，熱板上に複数設けられてお
り，前記演算処理手段は，前記温度積算面積Ｉの算出
と，温度積算面積Ｉと前記しきい値との比較とを各温度
センサ毎の測定結果に基づいて行うように構成されてい
てもよい。このように，温度センサを複数設け，温度積
算面積Ｉの算出と，前記しきい値との比較とを各温度セ
ンサ毎の測定結果に基づいて行うことにより，請求項５
と同様に，前記基板が正確に載置されているか否かの判
別の信頼性が向上される。
【００１９】請求項９の発明によれば，基板を所定位置
に載置して加熱又は冷却する熱板を有する処理装置にお
いて，前記熱板の温度を測定する温度センサと，前記温
度センサの測定温度と，予め定めておいた，基板が正確
に載置された場合の熱板温度の標準偏差に関するしきい
値とを比較する手段とを有することを特徴とする処理装
置が提供され，また，請求項１０の発明によれば，基板
を所定位置に載置して加熱又は冷却する熱板を有する処
理装置において，前記熱板の温度を測定する温度センサ
と，前記温度センサの測定温度の最大温度差と，予め定
めておいた，基板が正確に載置された場合における熱板
温度の最大温度差の標準偏差に関するしきい値とを比較
する手段とを有することを特徴とする処理装置が提供さ
れる。
に載置して加熱又は冷却する熱板を有する処理装置にお
いて，前記熱板の温度を測定する温度センサと，前記温
度センサの測定温度と，予め定めておいた，基板が正確
に載置された場合の熱板温度の標準偏差に関するしきい
値とを比較する手段とを有することを特徴とする処理装
置が提供され，また，請求項１０の発明によれば，基板
を所定位置に載置して加熱又は冷却する熱板を有する処
理装置において，前記熱板の温度を測定する温度センサ
と，前記温度センサの測定温度の最大温度差と，予め定
めておいた，基板が正確に載置された場合における熱板
温度の最大温度差の標準偏差に関するしきい値とを比較
する手段とを有することを特徴とする処理装置が提供さ
れる。
【００２０】このように，請求項９によれば，処理装置
が熱板温度を測定する温度センサと，その測定温度と前
記しきい値とを比較する手段とを有するため，請求項３
に記載した判別方法を好適に実施することができる。ま
た，請求項１０によれば，処理装置が前記温度センサ
と，その測定温度の最大温度差と予め定めておいた前記
熱板の最大温度差の前記しきい値とを比較する手段を有
するため，請求項４に記載の判別方法を好適に実施する
ことできる。したがって，基板載置の適否を判別するに
あたって予め採取しておくデータが一種類で済むため，
その作業にかかる時間と労力との軽減される。
が熱板温度を測定する温度センサと，その測定温度と前
記しきい値とを比較する手段とを有するため，請求項３
に記載した判別方法を好適に実施することができる。ま
た，請求項１０によれば，処理装置が前記温度センサ
と，その測定温度の最大温度差と予め定めておいた前記
熱板の最大温度差の前記しきい値とを比較する手段を有
するため，請求項４に記載の判別方法を好適に実施する
ことできる。したがって，基板載置の適否を判別するに
あたって予め採取しておくデータが一種類で済むため，
その作業にかかる時間と労力との軽減される。
【００２１】かかる請求項９，１０の発明において，請
求項１１のように前記温度センサが，熱板上に複数設け
られており，前記比較手段は，前記比較を各温度センサ
毎の測定結果に基づいて行うように構成されていてもよ
い。このように，温度センサを複数設け，前記最大温度
差又はある測定温度と，予め定めておいた標準偏差に関
するしきい値との比較を温度センサ毎の測定結果に基づ
いて行うことにより，請求項５と同様に，前記基板が正
確に載置されているか否かの判別の信頼性が向上され
る。
求項１１のように前記温度センサが，熱板上に複数設け
られており，前記比較手段は，前記比較を各温度センサ
毎の測定結果に基づいて行うように構成されていてもよ
い。このように，温度センサを複数設け，前記最大温度
差又はある測定温度と，予め定めておいた標準偏差に関
するしきい値との比較を温度センサ毎の測定結果に基づ
いて行うことにより，請求項５と同様に，前記基板が正
確に載置されているか否かの判別の信頼性が向上され
る。
【００２２】また，かかる請求項７〜１１の各処理装置
において，請求項１２のように前記熱板上には，基板が
載置される際に基板を案内する案内部材が前記所定位置
を取り囲むようにして設けられるようにしてもよい。こ
のように，案内部材を設けることにより，基板が案内部
材上に載置されてしまい，基板が正確に載置されないこ
とが想定されるため，請求項６と同様に請求項１〜５の
判別方法を使用する効果が大きい。
において，請求項１２のように前記熱板上には，基板が
載置される際に基板を案内する案内部材が前記所定位置
を取り囲むようにして設けられるようにしてもよい。こ
のように，案内部材を設けることにより，基板が案内部
材上に載置されてしまい，基板が正確に載置されないこ
とが想定されるため，請求項６と同様に請求項１〜５の
判別方法を使用する効果が大きい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。本実施の形態にかかる処理装置は
加熱処理装置として実施される。図１は，前記加熱処理
装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，
図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３
は，塗布現像処理システム１の背面図である。
態について説明する。本実施の形態にかかる処理装置は
加熱処理装置として実施される。図１は，前記加熱処理
装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，
図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３
は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２４】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
【００２５】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００２６】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。
【００２７】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の
正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットス
テーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4
は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。
さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群
G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装
置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１以上であれば４つで無くてもよい。
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の
正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットス
テーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4
は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。
さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群
G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装
置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１以上であれば４つで無くてもよい。
【００２８】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗
布装置１７と，露光後のウェハＷを現像処理する現像処
理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理
装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現
像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられてい
る。
すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗
布装置１７と，露光後のウェハＷを現像処理する現像処
理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理
装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現
像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられてい
る。
【００２９】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に
例えば７段に重ねられている。
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に
例えば７段に重ねられている。
【００３０】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，本実施の形態にかかる加
熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング
装置（以下「ＰＥＢ装置」とする）４４，４５，ポスト
ベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に
積み重ねられている。
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，本実施の形態にかかる加
熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング
装置（以下「ＰＥＢ装置」とする）４４，４５，ポスト
ベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に
積み重ねられている。
【００３１】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷ
を搬送できるように構成されている。
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷ
を搬送できるように構成されている。
【００３２】次に上述したＰＥＢ装置４４の構成につい
て説明する。図４に示すように，このＰＥＢ装置４４
は，上側に位置して上下動自在な蓋体６０と，下側に位
置して蓋体６０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板
収容部６１とを有している。
て説明する。図４に示すように，このＰＥＢ装置４４
は，上側に位置して上下動自在な蓋体６０と，下側に位
置して蓋体６０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板
収容部６１とを有している。
【００３３】蓋体６０は，中心部に向かって次第に高く
なる略円錐状の形態を有し，頂上部には排気部６０ａが
設けられている。そして，処理室Ｓ内の雰囲気は排気部
６０ａから均一に排気されるようになっている。
なる略円錐状の形態を有し，頂上部には排気部６０ａが
設けられている。そして，処理室Ｓ内の雰囲気は排気部
６０ａから均一に排気されるようになっている。
【００３４】一方，熱板収容部６１には，中央の所定位
置にウェハＷを載置して加熱する厚みのある円盤状の熱
板６３が設けられている。
置にウェハＷを載置して加熱する厚みのある円盤状の熱
板６３が設けられている。
【００３５】この熱板６３上には，図５に示すようにウ
ェハＷを所定位置Ｐに載置するための案内部材としての
ガイド部材６５が設けられている。このガイド部材６５
は，所定位置Ｐを取り囲むようにして複数箇所，例えば
４箇所に設けられている。また，ガイド部材６５は，図
６に示すように，所定位置Ｐ側に傾斜部６５ａを有して
おり，ウェハＷの端部が過ってこの傾斜部６５ａ上に載
置された場合には，ウェハＷがこの傾斜部６５ａを滑り
落ち，所定位置Ｐに載置されるようになっている。
ェハＷを所定位置Ｐに載置するための案内部材としての
ガイド部材６５が設けられている。このガイド部材６５
は，所定位置Ｐを取り囲むようにして複数箇所，例えば
４箇所に設けられている。また，ガイド部材６５は，図
６に示すように，所定位置Ｐ側に傾斜部６５ａを有して
おり，ウェハＷの端部が過ってこの傾斜部６５ａ上に載
置された場合には，ウェハＷがこの傾斜部６５ａを滑り
落ち，所定位置Ｐに載置されるようになっている。
【００３６】また，熱板６３上には，図４，図５に示す
ようにウェハＷが載置された際にウェハＷを支持する支
持ピン６６が複数箇所に設けられており，ウェハＷと熱
板６３とが直接接触しないようになっている。
ようにウェハＷが載置された際にウェハＷを支持する支
持ピン６６が複数箇所に設けられており，ウェハＷと熱
板６３とが直接接触しないようになっている。
【００３７】熱板６３には，図４に示すようにヒータ制
御装置６７によって制御されたヒータ６８が内蔵されて
おり，熱板６３は，このヒータ６８から発熱した熱によ
って設定温度Ｔ０に加熱され，ウェハＷを所定温度Ｔ０
に加熱できるようになっている。
御装置６７によって制御されたヒータ６８が内蔵されて
おり，熱板６３は，このヒータ６８から発熱した熱によ
って設定温度Ｔ０に加熱され，ウェハＷを所定温度Ｔ０
に加熱できるようになっている。
【００３８】また，熱板６３の所定位置Ｐであって，例
えば所定位置Ｐの外周部側の各所定位置には，図４，図
５に示すように熱板６３の裏面から表面に向けて所定深
さの有底の穴７０，７１，７２がそれぞれ等間隔になる
ように３箇所に設けられている。各穴７０，７１，７２
の底部，すなわち熱板６３の上面に最も近い部分には，
例えば熱電対である温度センサ７３，７４，７５がそれ
ぞれ設けられており，熱板６３の各所定位置の温度を随
時測定できるようになっている。これらの温度センサ７
３〜７５による温度測定結果は，上述したヒータ制御装
置６７と，演算処理手段としての不良検出部７７に送ら
れ，ヒータ制御装置６７では，それらの測定結果に基づ
いて熱板温度を所定温度になるようにヒータ６８の調節
が行われ，不良検出部７７では，測定結果に基づいて，
後述するウェハＷが所定位置Ｐに正確に載置されたか否
かの判定，すなわち，ウェハＷを不良製品とするか否か
の判定が行われるようになっている。
えば所定位置Ｐの外周部側の各所定位置には，図４，図
５に示すように熱板６３の裏面から表面に向けて所定深
さの有底の穴７０，７１，７２がそれぞれ等間隔になる
ように３箇所に設けられている。各穴７０，７１，７２
の底部，すなわち熱板６３の上面に最も近い部分には，
例えば熱電対である温度センサ７３，７４，７５がそれ
ぞれ設けられており，熱板６３の各所定位置の温度を随
時測定できるようになっている。これらの温度センサ７
３〜７５による温度測定結果は，上述したヒータ制御装
置６７と，演算処理手段としての不良検出部７７に送ら
れ，ヒータ制御装置６７では，それらの測定結果に基づ
いて熱板温度を所定温度になるようにヒータ６８の調節
が行われ，不良検出部７７では，測定結果に基づいて，
後述するウェハＷが所定位置Ｐに正確に載置されたか否
かの判定，すなわち，ウェハＷを不良製品とするか否か
の判定が行われるようになっている。
【００３９】前記不良検出部７７は，各温度センサ７３
〜７５の測定結果に基づいて，所定期間，例えば第１の
時間としてのウェハＷが熱板６３上に載置された時間Ｓ
１から第２の時間としての熱板温度が設定温度Ｔ０に戻
った時間Ｓ２までの熱板６３の温度曲線Ｔ（ｓ）と熱板
６３の設定温度Ｔ０とで囲まれる面積（図７に示す斜線
部），いわゆる温度積算面積Ｉを算出する機能を有して
いる。なお，温度積算面積Ｉは，次式（１）で定まる値
に相当する。
〜７５の測定結果に基づいて，所定期間，例えば第１の
時間としてのウェハＷが熱板６３上に載置された時間Ｓ
１から第２の時間としての熱板温度が設定温度Ｔ０に戻
った時間Ｓ２までの熱板６３の温度曲線Ｔ（ｓ）と熱板
６３の設定温度Ｔ０とで囲まれる面積（図７に示す斜線
部），いわゆる温度積算面積Ｉを算出する機能を有して
いる。なお，温度積算面積Ｉは，次式（１）で定まる値
に相当する。
【００４０】
【数１】
【００４１】不良検出部７７は，予め各温度センサ７３
〜７５に対して定めておく温度積算面積の許容範囲の上
限値であるしきい値Ｈと下限値であるしきい値Ｌを記憶
する機能と，その記憶されているしきい値Ｈ，Ｌと測定
された温度積算面積Ｉとを比較する機能とを有してい
る。そして，不良検出部７７では，温度積算面積Iがし
きい値Ｈ〜Ｌの間にある場合には，ウェハＷが正確に載
置されていると判定され，温度積算面積Ｉがしきい値Ｈ
〜Ｌ外の値である場合には，ウェハＷが正確に載置され
ていない，すなわちそのウェハＷは不良製品であると判
定されることによって，不良製品の検出が行われるよう
になっている。ここで，前記しきい値は，例えばウェハ
Ｗが正確に載置された場合の多数の温度積算面積のデー
タを予め採取しておき，そのデータから求まる標準偏差
σに相当する温度積算面積をしきい値Ｈとし，−σに相
当する温度積算面積をしきい値Ｌとする。
〜７５に対して定めておく温度積算面積の許容範囲の上
限値であるしきい値Ｈと下限値であるしきい値Ｌを記憶
する機能と，その記憶されているしきい値Ｈ，Ｌと測定
された温度積算面積Ｉとを比較する機能とを有してい
る。そして，不良検出部７７では，温度積算面積Iがし
きい値Ｈ〜Ｌの間にある場合には，ウェハＷが正確に載
置されていると判定され，温度積算面積Ｉがしきい値Ｈ
〜Ｌ外の値である場合には，ウェハＷが正確に載置され
ていない，すなわちそのウェハＷは不良製品であると判
定されることによって，不良製品の検出が行われるよう
になっている。ここで，前記しきい値は，例えばウェハ
Ｗが正確に載置された場合の多数の温度積算面積のデー
タを予め採取しておき，そのデータから求まる標準偏差
σに相当する温度積算面積をしきい値Ｈとし，−σに相
当する温度積算面積をしきい値Ｌとする。
【００４２】さらに，不良検出部７７は，不良製品と判
断したウェハＷと他の良製品のウェハＷとを区別するた
めに，不良製品のウェハＷに対してマーキングを行うこ
とができるようになっている。具体的には，例えば予め
処理されるウェハＷに番号を付しておき，ウェハＷが不
良製品と判断された場合にそのウェハＷの番号を記憶す
るようにする。なお，その他のマーキング方法として
は，実際にウェハＷに対してマーキングを行うほか，ソ
フトウェア上で良品から区別できるように不良ウェハＷ
にマーキングするようにしても構わない。
断したウェハＷと他の良製品のウェハＷとを区別するた
めに，不良製品のウェハＷに対してマーキングを行うこ
とができるようになっている。具体的には，例えば予め
処理されるウェハＷに番号を付しておき，ウェハＷが不
良製品と判断された場合にそのウェハＷの番号を記憶す
るようにする。なお，その他のマーキング方法として
は，実際にウェハＷに対してマーキングを行うほか，ソ
フトウェア上で良品から区別できるように不良ウェハＷ
にマーキングするようにしても構わない。
【００４３】一方，熱板６３の下方には，ウェハＷを搬
入出する際にウェハＷを支持し，昇降させるための昇降
ピン８０が設けられており，この昇降ピン８０は，昇降
駆動機構８１により上下に移動自在に構成されている。
また，熱板６３の中央部付近には，熱板６３を鉛直方向
に貫通する孔８３が設けられており，昇降ピン８０がこ
の孔８３を貫通し，熱板６３上に突出できるように構成
されている。
入出する際にウェハＷを支持し，昇降させるための昇降
ピン８０が設けられており，この昇降ピン８０は，昇降
駆動機構８１により上下に移動自在に構成されている。
また，熱板６３の中央部付近には，熱板６３を鉛直方向
に貫通する孔８３が設けられており，昇降ピン８０がこ
の孔８３を貫通し，熱板６３上に突出できるように構成
されている。
【００４４】また，熱板収容部６１は，図４に示すよう
に熱板６３の外縁部を支持する支持部材８５と，その支
持部材８５を支持する支持台８６を有している。支持部
材８５には，熱板６３の熱を外部に逃がさないように断
熱材が使用されている。また，支持台８６は，上面が開
口した略筒状に形成されており，その上部に支持部材８
５を支持している。
に熱板６３の外縁部を支持する支持部材８５と，その支
持部材８５を支持する支持台８６を有している。支持部
材８５には，熱板６３の熱を外部に逃がさないように断
熱材が使用されている。また，支持台８６は，上面が開
口した略筒状に形成されており，その上部に支持部材８
５を支持している。
【００４５】さらに，熱板収容部６１は，支持部材８５
とその支持台８６とを囲む略筒状のサポートリング８７
を有している。このサポートリング８７には，処理室Ｓ
内に向けて例えば，不活性ガスを噴出する吹き出し口８
７ａが設けられており，処理室Ｓ内をパージすることが
できる。また，サポートリング８７の外方には，熱板収
容部６１の外周となる円筒状のケース８８が設けられて
いる。
とその支持台８６とを囲む略筒状のサポートリング８７
を有している。このサポートリング８７には，処理室Ｓ
内に向けて例えば，不活性ガスを噴出する吹き出し口８
７ａが設けられており，処理室Ｓ内をパージすることが
できる。また，サポートリング８７の外方には，熱板収
容部６１の外周となる円筒状のケース８８が設けられて
いる。
【００４６】次に，以上のように構成されているＰＥＢ
装置４４の作用について，塗布現像処理システム１で行
われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明
する。
装置４４の作用について，塗布現像処理システム１で行
われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明
する。
【００４７】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒ
ージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向
上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送
され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，
レジスト塗布装置１７又１９，プリベーキング装置３４
又は３５に順次搬送され，所定の処理が施される。その
後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４
１に搬送される。
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒ
ージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向
上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送
され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，
レジスト塗布装置１７又１９，プリベーキング装置３４
又は３５に順次搬送され，所定の処理が施される。その
後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４
１に搬送される。
【００４８】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，こ
のウェハＷは，加熱処理が行われるＰＥＢ装置４４又は
４５に搬送される。
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，こ
のウェハＷは，加熱処理が行われるＰＥＢ装置４４又は
４５に搬送される。
【００４９】そして，加熱処理の終了したウェハＷは，
主搬送装置１３によりクーリング装置４３，現像処理装
置１８又は２０，ポストベーキング装置３５，クーリン
グ装置３０と順次搬送され，各装置において所定の処理
が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装
置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに
戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。
主搬送装置１３によりクーリング装置４３，現像処理装
置１８又は２０，ポストベーキング装置３５，クーリン
グ装置３０と順次搬送され，各装置において所定の処理
が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装
置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに
戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【００５０】上述したＰＥＢ装置４４の作用について詳
しく説明する。先ず，ウェハＷの加熱処理を開始する前
に，上述したようにウェハＷが正確に所定位置Ｐに載置
された場合の各温度センサ７３，７４，７５における温
度積算面積のデータを採取しておき，各温度センサ７
３，７４，７５毎に上述した温度積算面積の標準偏差σ
１，σ２，σ３を求める。そして，各温度センサ７３，
７４，７５毎の各標準偏差σ１，σ２，σ３に相当する
温度積算面積の値をしきい値Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３とし，−
σ１，−σ２，−σ３に相当する温度積算面積の値をし
きい値Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３として，不良検出部７７に設定
する。また，熱板６３は，ウェハＷの加熱設定温度Ｔ０
になるように加熱され，各温度センサ７３，７４，７５
とヒータ制御装置６７によってその設定温度Ｔ０が維持
される。
しく説明する。先ず，ウェハＷの加熱処理を開始する前
に，上述したようにウェハＷが正確に所定位置Ｐに載置
された場合の各温度センサ７３，７４，７５における温
度積算面積のデータを採取しておき，各温度センサ７
３，７４，７５毎に上述した温度積算面積の標準偏差σ
１，σ２，σ３を求める。そして，各温度センサ７３，
７４，７５毎の各標準偏差σ１，σ２，σ３に相当する
温度積算面積の値をしきい値Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３とし，−
σ１，−σ２，−σ３に相当する温度積算面積の値をし
きい値Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３として，不良検出部７７に設定
する。また，熱板６３は，ウェハＷの加熱設定温度Ｔ０
になるように加熱され，各温度センサ７３，７４，７５
とヒータ制御装置６７によってその設定温度Ｔ０が維持
される。
【００５１】そして，加熱処理が開始されると，温度セ
ンサ７３，７４，７５による熱板温度のモニタリングが
開始され，その測定結果が随時不良検出部７７に送られ
る。次いで，蓋体６０が図示しない駆動機構により上昇
され，前工程，すなわちパターンの露光処理が終了した
ウェハＷが主搬送装置１３によってＰＥＢ装置４４内に
搬入される。そして，ＰＥＢ装置４４内に搬入されたウ
ェハＷは，図８に示すように予め熱板６３上方の所定の
位置で待機していた昇降ピン８０上に支持される。
ンサ７３，７４，７５による熱板温度のモニタリングが
開始され，その測定結果が随時不良検出部７７に送られ
る。次いで，蓋体６０が図示しない駆動機構により上昇
され，前工程，すなわちパターンの露光処理が終了した
ウェハＷが主搬送装置１３によってＰＥＢ装置４４内に
搬入される。そして，ＰＥＢ装置４４内に搬入されたウ
ェハＷは，図８に示すように予め熱板６３上方の所定の
位置で待機していた昇降ピン８０上に支持される。
【００５２】次いで，蓋体６０が下降され，熱板収容部
６３と一体となって処理室Ｓが形成される。このとき，
サポートリング８７の吹き出し口８７ａから不活性ガス
の供給が開始される。この不活性ガスが処理室Ｓを通っ
て排気部６０ａから排気されることにより気流が発生
し，以後加熱処理が終了するまで，処理室Ｓ内の雰囲気
がパージされる。
６３と一体となって処理室Ｓが形成される。このとき，
サポートリング８７の吹き出し口８７ａから不活性ガス
の供給が開始される。この不活性ガスが処理室Ｓを通っ
て排気部６０ａから排気されることにより気流が発生
し，以後加熱処理が終了するまで，処理室Ｓ内の雰囲気
がパージされる。
【００５３】その後，ウェハＷは，昇降駆動機構８５に
より昇降ピン８４と共に下降され，通常は，図９に示す
ように，支持ピン６６上であって熱板６３の所定位置Ｐ
に載置される。そして，ウェハＷが載置されると同時に
加熱処理が開始される。
より昇降ピン８４と共に下降され，通常は，図９に示す
ように，支持ピン６６上であって熱板６３の所定位置Ｐ
に載置される。そして，ウェハＷが載置されると同時に
加熱処理が開始される。
【００５４】このときの熱板６３の温度曲線Ｔ（ｓ）１
は，図１０に示したように，温度の低いウェハＷによっ
て熱板６３の熱が奪われるため，ウェハＷが載置された
直後に一旦下降し，再びヒータ６８の熱によって設定温
度Ｔ０に戻される。
は，図１０に示したように，温度の低いウェハＷによっ
て熱板６３の熱が奪われるため，ウェハＷが載置された
直後に一旦下降し，再びヒータ６８の熱によって設定温
度Ｔ０に戻される。
【００５５】以下，不良検出部７７における測定データ
の処理について，温度センサ７３から送られた前記測定
データを例にとって説明する。先ず，温度センサ７３か
らの測定データを受信した不良検出部７７では，前記温
度曲線Ｔ（ｓ）１と設定温度Ｔ０とで囲まれた範囲の温
度積算面積Ｉを算出する。
の処理について，温度センサ７３から送られた前記測定
データを例にとって説明する。先ず，温度センサ７３か
らの測定データを受信した不良検出部７７では，前記温
度曲線Ｔ（ｓ）１と設定温度Ｔ０とで囲まれた範囲の温
度積算面積Ｉを算出する。
【００５６】次いで，その温度積算面積Ｉと予め設定さ
れている温度積算面積のしきい値Ｈ １，Ｌ１とを比較す
る。その温度積算面積ＩがＨ１〜Ｌ１の間にある場合に
は，ウェハＷが熱板６３上の所定位置Ｐに正確に載置さ
れたものと判定し，温度積算面積ＩがＨ１〜Ｌ１の間に
無い場合には，ウェハＷが所定位置Ｐに正確に載置され
なかったものとし，当該ウェハＷが不良製品であると判
定する。なお，図９に示したようにウェハＷが所定位置
Ｐに正確に載置された場合は，温度積算面積ＩがＨ１〜
Ｌ１間にあり，ウェハＷは不良製品であるとは判定され
ない。
れている温度積算面積のしきい値Ｈ １，Ｌ１とを比較す
る。その温度積算面積ＩがＨ１〜Ｌ１の間にある場合に
は，ウェハＷが熱板６３上の所定位置Ｐに正確に載置さ
れたものと判定し，温度積算面積ＩがＨ１〜Ｌ１の間に
無い場合には，ウェハＷが所定位置Ｐに正確に載置され
なかったものとし，当該ウェハＷが不良製品であると判
定する。なお，図９に示したようにウェハＷが所定位置
Ｐに正確に載置された場合は，温度積算面積ＩがＨ１〜
Ｌ１間にあり，ウェハＷは不良製品であるとは判定され
ない。
【００５７】一方，例えば，図１１に示すようにウェハ
Ｗがガイド部材６５に乗り上げるようにして載置されて
しまい，熱板６３とウェハＷの距離が通常よりも離れた
場合には，ウェハＷが載置された後の熱板６３の温度曲
線Ｔ（ｓ）２は，図１０に示すようにウェハＷが正確に
載置された場合（温度曲線Ｔ（ｓ）１）に比べて，ウェ
ハＷによる熱板温度の低下が小さくなる。したがって，
このような場合には，温度積算面積Ｉが小さくなり，し
きい値Ｌよりも小さい場合には，そのウェハＷは不良製
品と判定される。
Ｗがガイド部材６５に乗り上げるようにして載置されて
しまい，熱板６３とウェハＷの距離が通常よりも離れた
場合には，ウェハＷが載置された後の熱板６３の温度曲
線Ｔ（ｓ）２は，図１０に示すようにウェハＷが正確に
載置された場合（温度曲線Ｔ（ｓ）１）に比べて，ウェ
ハＷによる熱板温度の低下が小さくなる。したがって，
このような場合には，温度積算面積Ｉが小さくなり，し
きい値Ｌよりも小さい場合には，そのウェハＷは不良製
品と判定される。
【００５８】なお，他の温度センサ７４，７５からの測
定データも同様にして処理され，各温度センサ７４，７
５の各データに基づいて，ウェハＷの不良製品が検出さ
れる。したがって，温度センサ７３，７４，７５の置か
れた全ての所定位置に置いて，ウェハが正確に載置され
ていないと，ウェハＷが不良製品と判断される。
定データも同様にして処理され，各温度センサ７４，７
５の各データに基づいて，ウェハＷの不良製品が検出さ
れる。したがって，温度センサ７３，７４，７５の置か
れた全ての所定位置に置いて，ウェハが正確に載置され
ていないと，ウェハＷが不良製品と判断される。
【００５９】次に，ウェハＷが不良製品と判断された場
合には，そのウェハＷが不良製品であることを示すマー
キングが行われる。そして，不良製品であるか否かに関
わらず，そのまま所定時間の加熱処理が続行される。所
定の加熱時間が経過すると，ウェハＷは，昇降ピン８０
により再び上昇され，熱板６３による加熱が終了する。
次いで，蓋体６０が再び上昇され，処理室Ｓが開放され
る。そして，ウェハＷが昇降ピン８０から主搬送装置１
３に受け渡され，ＰＥＢ装置４４内から搬出されて一連
の加熱処理が終了する。
合には，そのウェハＷが不良製品であることを示すマー
キングが行われる。そして，不良製品であるか否かに関
わらず，そのまま所定時間の加熱処理が続行される。所
定の加熱時間が経過すると，ウェハＷは，昇降ピン８０
により再び上昇され，熱板６３による加熱が終了する。
次いで，蓋体６０が再び上昇され，処理室Ｓが開放され
る。そして，ウェハＷが昇降ピン８０から主搬送装置１
３に受け渡され，ＰＥＢ装置４４内から搬出されて一連
の加熱処理が終了する。
【００６０】そして，上述したように一連の塗布現像処
理が終了した後，マーキングされているウェハＷを他の
ウェハＷと区別し，良製品の中から不良製品を取り除く
ようにする。
理が終了した後，マーキングされているウェハＷを他の
ウェハＷと区別し，良製品の中から不良製品を取り除く
ようにする。
【００６１】以上の実施の形態によれば，ウェハＷが載
置された直後の熱板温度の変化に着目してウェハＷが正
確に載置されたか否かを判断し，ウェハＷの不良製品の
検出を可能にしたため，従来に比べてより迅速に当該検
出を行うことができる。
置された直後の熱板温度の変化に着目してウェハＷが正
確に載置されたか否かを判断し，ウェハＷの不良製品の
検出を可能にしたため，従来に比べてより迅速に当該検
出を行うことができる。
【００６２】また，各温度センサ７３，７４，７５によ
って測定された，ウェハＷが熱板６３上に載置された後
の温度曲線Ｔ（ｓ）と設定温度Ｔ０とで囲まれた範囲で
定まる温度積算面積Ｉを算出し，その温度積算面積Ｉと
予め定めておいたしきい値Ｈ及びＬとを比較するように
したため，例えば熱板温度の最低温度を基準に比較した
ときに比べて，データのばらつきが抑制され，より信頼
性のある判断を行うことができる。
って測定された，ウェハＷが熱板６３上に載置された後
の温度曲線Ｔ（ｓ）と設定温度Ｔ０とで囲まれた範囲で
定まる温度積算面積Ｉを算出し，その温度積算面積Ｉと
予め定めておいたしきい値Ｈ及びＬとを比較するように
したため，例えば熱板温度の最低温度を基準に比較した
ときに比べて，データのばらつきが抑制され，より信頼
性のある判断を行うことができる。
【００６３】さらに，しきい値Ｈ及びＬを標準偏差に関
するものとしたため，しきい値Ｈ及びＬを求める際に必
要となるデータが，一種類，すなわちウェハＷが正確に
所定位置Ｐに載置された場合のみの温度積算面積のデー
タを採取すればよく，ウェハＷが正確に載置された場合
とされない場合の両方のデータを採取する必要がない。
するものとしたため，しきい値Ｈ及びＬを求める際に必
要となるデータが，一種類，すなわちウェハＷが正確に
所定位置Ｐに載置された場合のみの温度積算面積のデー
タを採取すればよく，ウェハＷが正確に載置された場合
とされない場合の両方のデータを採取する必要がない。
【００６４】以上の実施の形態では，ウェハＷが正確に
載置されたか否かを温度積算面積Ｉを基準に判定し，ま
たその時のしきい値は標準偏差に関するものとしたが，
当然に，温度積算面積Ｉを基準に判定し，しきい値に標
準偏差を使用しなくてもよいし，また，温度積算面積Ｉ
を基準とせず，しきい値に標準偏差を使用するようにし
てもよい。
載置されたか否かを温度積算面積Ｉを基準に判定し，ま
たその時のしきい値は標準偏差に関するものとしたが，
当然に，温度積算面積Ｉを基準に判定し，しきい値に標
準偏差を使用しなくてもよいし，また，温度積算面積Ｉ
を基準とせず，しきい値に標準偏差を使用するようにし
てもよい。
【００６５】前者の場合，例えばウェハＷが正確に載置
された場合と，所定位置Ｐからずれて載置された場合と
の両方の温度積算面積のデータを採取し，その境界線を
しきい値として使用することが提案される。この場合に
おいても，温度積算面積を基準にしているため，より信
頼性のある判定を行うことができる。
された場合と，所定位置Ｐからずれて載置された場合と
の両方の温度積算面積のデータを採取し，その境界線を
しきい値として使用することが提案される。この場合に
おいても，温度積算面積を基準にしているため，より信
頼性のある判定を行うことができる。
【００６６】また，後者の場合は，温度積算面積Ｉの代
わりに，測定された熱板温度の値をそのまま基準として
使用することが提案される。このよう場合，例えば熱板
温度が低下する際の最低温度ＴＬ（図７中に示す）と，
予め採取しておいた，ウェハＷが正確に載置された場合
の熱板の最低温度から定められたしきい値としての標準
偏差σＬとを比較し，ＴＬ＜−σＬ，σＬ＜ＴＬの場合
には，ウェハＷが正確に載置されていないと判断し，そ
の時処理されたウェハＷが不良製品であると認定され
る。このような場合においても，しきい値として標準偏
差が使用されているため，しきい値を定める際のデータ
収集が容易になり，その作業時間と作業労力の軽減が図
られる。
わりに，測定された熱板温度の値をそのまま基準として
使用することが提案される。このよう場合，例えば熱板
温度が低下する際の最低温度ＴＬ（図７中に示す）と，
予め採取しておいた，ウェハＷが正確に載置された場合
の熱板の最低温度から定められたしきい値としての標準
偏差σＬとを比較し，ＴＬ＜−σＬ，σＬ＜ＴＬの場合
には，ウェハＷが正確に載置されていないと判断し，そ
の時処理されたウェハＷが不良製品であると認定され
る。このような場合においても，しきい値として標準偏
差が使用されているため，しきい値を定める際のデータ
収集が容易になり，その作業時間と作業労力の軽減が図
られる。
【００６７】また，最低温度ＴＬの代わりに，熱板設定
温度Ｔ０と熱板６３が最も低下したときの最低温度ＴＬ
との差である最大温度差ＴＧ（図７中に示す）を用いて
もよい。この場合においても，最低温度ＴＬを用いたと
きと同様に，予め定めておいたしきい値である標準偏差
と比較することによって，ウェハＷの載置の適否が判断
されるため，しきい値を求める際の時間や労力の軽減が
図られる。
温度Ｔ０と熱板６３が最も低下したときの最低温度ＴＬ
との差である最大温度差ＴＧ（図７中に示す）を用いて
もよい。この場合においても，最低温度ＴＬを用いたと
きと同様に，予め定めておいたしきい値である標準偏差
と比較することによって，ウェハＷの載置の適否が判断
されるため，しきい値を求める際の時間や労力の軽減が
図られる。
【００６８】さらに，上記の実施の形態においては，三
箇所で熱板温度を測定していたが，三箇所に限らず一箇
所でもよく，３箇所以外の複数箇所であってもよい。ま
た，各温度測定位置毎にしきい値を設定したが，全ての
温度測定位置に共通する一のしきい値を設定し，それを
基準にウェハＷの載置の適否を判断するようにしてもよ
い。
箇所で熱板温度を測定していたが，三箇所に限らず一箇
所でもよく，３箇所以外の複数箇所であってもよい。ま
た，各温度測定位置毎にしきい値を設定したが，全ての
温度測定位置に共通する一のしきい値を設定し，それを
基準にウェハＷの載置の適否を判断するようにしてもよ
い。
【００６９】上述した実施の形態では，ウェハＷが不良
と判定された後の処置として，加熱処理を続行し，ウェ
ハＷにマーキングするようにしたが，例えば不良検出部
７７と警告を発するためのスピーカや作業員の指示を入
力するための入力部とを接続しておき，ウェハＷが不良
製品と判定された場合には，警報を鳴らし，そして，作
業員は，その警告に対する処置を入力部を通じてＰＥＢ
装置４４に指示するようにしてもよい。その作業員の指
示は，加熱処理を中断させてもよいし，続行させてもよ
い。また，ウェハＷが不良製品と判断された時点で，即
座に加熱処理を中断するようにしてもよい。
と判定された後の処置として，加熱処理を続行し，ウェ
ハＷにマーキングするようにしたが，例えば不良検出部
７７と警告を発するためのスピーカや作業員の指示を入
力するための入力部とを接続しておき，ウェハＷが不良
製品と判定された場合には，警報を鳴らし，そして，作
業員は，その警告に対する処置を入力部を通じてＰＥＢ
装置４４に指示するようにしてもよい。その作業員の指
示は，加熱処理を中断させてもよいし，続行させてもよ
い。また，ウェハＷが不良製品と判断された時点で，即
座に加熱処理を中断するようにしてもよい。
【００７０】また，ウェハＷが正確に載置されない場合
の多くは，主搬送装置１３と昇降ピン８０との位置ずれ
によるものであるため，ウェハＷが不良製品であると判
定された場合には，主搬送装置１３の位置を修正するよ
うにしてもよい。
の多くは，主搬送装置１３と昇降ピン８０との位置ずれ
によるものであるため，ウェハＷが不良製品であると判
定された場合には，主搬送装置１３の位置を修正するよ
うにしてもよい。
【００７１】以上の実施の形態にかかる処理装置は，Ｐ
ＥＢ装置４４又は４５についてであったが，他の加熱処
理装置，例えばプリベーク装置３３又は３４，ポストベ
ーク装置４６又は４７においても応用できる。
ＥＢ装置４４又は４５についてであったが，他の加熱処
理装置，例えばプリベーク装置３３又は３４，ポストベ
ーク装置４６又は４７においても応用できる。
【００７２】また，ウェハＷを載置して冷却する熱板を
有する冷却処理装置においても応用できる。冷却処理装
置の場合には，載置されるウェハＷが熱板温度よりも高
温であるため，ウェハＷが熱板上に載置された際には，
熱板温度が一旦上昇し，その後，熱板の設定温度に戻さ
れる。そして，ウェハＷが所定位置に正確に載置されな
い場合には，その上昇温度が小さくなる。したがって，
その上昇温度の相異を利用して，上述した加熱処理装置
の場合と同様に，温度積算面積Ｉ等を用いてウェハＷが
熱板上に正確に載置されたか否かを判定することができ
る。
有する冷却処理装置においても応用できる。冷却処理装
置の場合には，載置されるウェハＷが熱板温度よりも高
温であるため，ウェハＷが熱板上に載置された際には，
熱板温度が一旦上昇し，その後，熱板の設定温度に戻さ
れる。そして，ウェハＷが所定位置に正確に載置されな
い場合には，その上昇温度が小さくなる。したがって，
その上昇温度の相異を利用して，上述した加熱処理装置
の場合と同様に，温度積算面積Ｉ等を用いてウェハＷが
熱板上に正確に載置されたか否かを判定することができ
る。
【００７３】また，以上で説明した実施の形態は，半導
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハＷの処理装置についてであったが，
本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の処
理装置においても応用できる。
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハＷの処理装置についてであったが，
本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の処
理装置においても応用できる。
【００７４】
【発明の効果】請求項１〜１２の発明によれば，基板が
熱板上に載置された際の熱板の温度変化に基づいて，基
板が熱板上に正確に載置され，基板が適切に加熱処理さ
れたか否かを判断するため，より早い段階で基板の不良
を検出することができる。したがって，検出されるまで
の間に多量の不良基板が製造されることを防止し，歩留
まりの向上が図られる。
熱板上に載置された際の熱板の温度変化に基づいて，基
板が熱板上に正確に載置され，基板が適切に加熱処理さ
れたか否かを判断するため，より早い段階で基板の不良
を検出することができる。したがって，検出されるまで
の間に多量の不良基板が製造されることを防止し，歩留
まりの向上が図られる。
【００７５】特に，請求項１，２，７，８によれば，温
度積算面積Ｉを基準に基板が所定位置に載置されたか否
かを判別するため，熱板温度をそのまま基準にするより
も，ばらつきが少なく，より信頼性のある判別を行うこ
とができる。
度積算面積Ｉを基準に基板が所定位置に載置されたか否
かを判別するため，熱板温度をそのまま基準にするより
も，ばらつきが少なく，より信頼性のある判別を行うこ
とができる。
【００７６】さらに，請求項２，３，４，８，９，１０
によれば，しきい値として標準偏差に関するものを使用
するため，予め採取すべきデータが一種類，すなわち基
板が正確に載置された場合のデータのみで済み，その作
業時間や労力の軽減が図られる。
によれば，しきい値として標準偏差に関するものを使用
するため，予め採取すべきデータが一種類，すなわち基
板が正確に載置された場合のデータのみで済み，その作
業時間や労力の軽減が図られる。
【図１】本発明の実施の形態にかかるＰＥＢ装置を有す
る塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図であ
る。
る塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図であ
る。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかるＰＥＢ装置の縦断面の説
明図である。
明図である。
【図５】図４のＰＥＢ装置の熱板の平面図である。
【図６】図５の熱板上のガイド部材を示す縦断面の説明
図である。
図である。
【図７】ウェハが熱板上に載置された際の熱板温度の温
度曲線と設定温度とで定まる温度積算面積を示す説明図
である。
度曲線と設定温度とで定まる温度積算面積を示す説明図
である。
【図８】ウェハが昇降ピン上に支持された状態を示す説
明図である。
明図である。
【図９】ウェハが所定位置に載置された状態を示す説明
図である。
図である。
【図１０】ウェハが所定位置に載置された場合とされな
かった場合の熱板温度の温度曲線を現すグラフである。
かった場合の熱板温度の温度曲線を現すグラフである。
【図１１】ウェハがガイド部材に乗り上げて載置された
場合の状態を示す説明図である。
場合の状態を示す説明図である。
【図１２】一般的な熱板の構成を模式的に示した縦断面
の説明図である。
の説明図である。
【図１３】ウェハがガイド部材の傾斜面に載置された場
合の状態を示す説明図である。
合の状態を示す説明図である。
１ 塗布現像処理システム ４４ ＰＥＢ装置 ６３ 熱板 ６５ ガイド部材 ６８ ヒータ ７３，７４，７５ 温度センサ ７７ 不良検出部 Ｓ 処理室 Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F069 AA03 BB15 CC07 DD08 DD25 GG01 GG16 GG31 GG52 GG56 GG74 HH30 JJ02 JJ19 KK08 MM04 MM17 NN13 NN25 QQ05 5F046 KA04
Claims (12)
- 【請求項１】 熱板を所定温度に設定し，その熱板上の
所定の位置に基板を載置して加熱処理又は冷却処理する
ときに，前記基板が前記所定位置に正確に載置されてい
るかどうかを判別する方法あって，前記熱板に基板を載
置した後に，少なくとも熱板温度の変化する第１の時間
から第２の時間までの熱板の温度を測定する工程と，そ
の測定された時系列的に変化する温度曲線と，前記熱板
の設定温度とで囲まれた範囲で定まる温度積算面積Ｉを
算出する工程と，その算出された温度積算面積Ｉと，予
め定めておいた温度積算面積のしきい値とを比較する工
程とを有することを特徴とする，判別方法。 - 【請求項２】 前記温度積算面積のしきい値は，基板が
前記所定位置に正確に載置された場合の温度積算面積の
標準偏差に関するものであることを特徴とする，請求項
１に記載の判別方法。 - 【請求項３】 熱板上の所定の位置に基板を載置して加
熱処理又は冷却処理するときに前記基板が前記所定位置
に正確に載置されているかどうかを判別する方法あっ
て，前記熱板に基板を載置した後に，少なくとも熱板温
度の変化する第１の時間から第２の時間までの熱板の温
度を測定する工程と，その測定された温度と，予め定め
ておいた，基板が正確に載置された場合における熱板温
度の標準偏差に関するしきい値とを比較する工程とを有
することを特徴とする，判別方法。 - 【請求項４】 熱板上の所定の位置に基板を載置して加
熱処理又は冷却処理するときに前記基板が前記所定位置
に正確に載置されているかどうかを判別する方法あっ
て，前記熱板に基板を載置した後に，少なくとも熱板温
度の変化する第１の時間から第２の時間までの熱板の温
度を測定する工程と，その測定された温度の最大温度差
と，予め定めておいた，基板が正確に載置された場合に
おける熱板温度の最大温度差の標準偏差に関するしきい
値とを比較する工程とを有することを特徴とする，判別
方法。 - 【請求項５】 前記温度測定は熱板上の複数の位置で行
われ，前記比較工程は各測定位置毎に行われることを特
徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の
判別方法。 - 【請求項６】 前記熱板上には，基板が載置される際に
基板を案内する案内部材が前記所定位置を取り囲むよう
にして設けられていることを特徴とする，請求項１，
２，３，４又は５のいずれかに記載の判別方法。 - 【請求項７】 基板を所定位置に載置して，所定温度で
加熱又は冷却する熱板を有する処理装置において，前記
熱板の温度を測定する温度センサと，前記温度センサに
よって測定された，前記熱板に基板を載置した後であっ
て熱板温度の変化する第１の時間から第２の時間までの
熱板温度の測定結果に基づいて，その測定された時系列
的に変化する温度曲線と，前記熱板の設定温度とで囲ま
れた範囲で定まる温度積算面積Ｉを算出し，その温度積
算面積Ｉと予め定められている温度積算面積のしきい値
とを比較する演算処理手段とを有することを特徴とす
る，処理装置。 - 【請求項８】 前記温度センサは，熱板上に複数設けら
れており，前記演算処理手段は，前記温度積算面積Ｉの
算出と，温度積算面積Ｉと前記しきい値との前記比較と
を，各温度センサ毎の測定結果に基づいて行うように構
成されていることを特徴とする，請求項７に記載の処理
装置。 - 【請求項９】 基板を所定位置に載置して加熱又は冷却
する熱板を有する処理装置において，前記熱板の温度を
測定する温度センサと，前記温度センサの測定温度と，
予め定めておいた，基板が正確に載置された場合の熱板
温度の標準偏差に関するしきい値とを比較する手段とを
有することを特徴とする，処理装置。 - 【請求項１０】 基板を所定位置に載置して加熱又は冷
却する熱板を有する処理装置において，前記熱板の温度
を測定する温度センサと，前記温度センサの測定温度の
最大温度差と，予め定めておいた，基板が正確に載置さ
れた場合における熱板温度の最大温度差の標準偏差に関
するしきい値とを比較する手段とを有することを特徴と
する，処理装置。 - 【請求項１１】 前記温度センサは，熱板上に複数設け
られており，前記比較手段は，前記比較を各温度センサ
毎の測定結果に基づいて行うように構成されていること
を特徴とする，請求項９又は１０のいずれかに記載の処
理装置。 - 【請求項１２】 前記熱板上には，基板が載置される際
に基板を案内する案内部材が前記所定位置を取り囲むよ
うにして設けられていることを特徴とする，請求項７，
８，９，１０又は１１のいずれかに記載の処理装置。
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