KR100881707B1 - 판별방법 및 처리장치 - Google Patents

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KR100881707B1
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니시지마유이치
오카무라코우지
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 판별방법 및 처리장치에 관한 것으로서 플레이트상의 소정의 위치에 기판을 재치하여 가열처리 또는 냉각처리할 때 기판이 소정위치에 정확하게 재치되어 있는가의 여부를 판별하는 방법에 있어서 플렉이트에 기판을 재치한 후에 적어도 플레이트온도가 변화하는 제 1 시간으로부터 제 2시간까지의 플레이트의 온도를 측정하는 공정과 그 측정된 계시열적으로 변화하는 온도곡선과 플레이트의 설정온도로 둘러싸인 범위에서 정해지는 온도적산면적(I)을 산출하는 공정과 상기 산출된 온도적산면적(I)과 미리 정해둔 온도적산면적의 한계치를 비교하는 공정을 제공하는 기술이 제시된다.

Description

판별방법 및 처리장치{JUDGING METHOD AND PROCESSING APPARATUS}
도 1 은 본 발명의 실시형태에 관한 PEB장치를 구비하는 도포현상처리시스템 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2 는 도 1의 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 3 은 도 1의 도포현상처리시스템의 배면도이다.
도 4 는 본 실시형태에 관한 PEB장치의 종형단면의 설명도이다.
도 5 는 도 4의 PEB장치의 열판의 평면도이다.
도 6 은 도 5의 열판상의 가이드부재를 나타내는 종형단면의 설명도이다.
도 7 은 웨이퍼가 열판상에 재치될 때 열판온도의 온도곡선과 설정온도로 정해지는 온도적산면적을 나타내는 설명도이다.
도 8 은 웨이퍼가 승강핀상에 지지된 상태를 나타내는 설명도이다.
도 9 는 웨이퍼가 소정의 위치에 재치된 상태를 나타내는 설명도이다.
도 10 은 웨이퍼가 소정의 위치에 재치된 경우와 재치되지 않는 경우의 열판온도의 온도곡선을 표시하는 그래프이다.
도 11 은 웨이퍼가 가이드부재에 넘어서 재치된 경우의 상태를 나타내는 설명도이다.
도 12 는 열판의 가열영역이 분할되어 있는 경우의 평면도이다.
도 13 는 일반적인 열판의 구성을 모식적으로 나타낸 종형단면의 설명도이다.
도 14 는 웨이퍼가 가이드부재의 경사면에 재치된 경우의 상태를 나타내는 설명도이다.
<주요부분에 대한 도면부호의 설명>
44 : PEB장치 60 : 뚜껑체
60a : 배기부 63 : 열판
65 : 가이드부재 65a : 경사부
66 : 지지핀 67 : 히터제어장치
68 : 히터 73 : 온도센서
77 : 불량검출부 80 : 승강핀
81 : 승강구동기구 85 : 지지부재
86 : 지지대 87 : 서포트링
87a : 분출구 88 : 케이스
S : 처리실 W : 웨이퍼
본 발명은 판별방법 및 처리장치에 관한 것이다.
반도체웨디바이스의 제조에 있어서의 포토리소그래피공정에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하 [웨이퍼])의 표면에 레지스트액을 도포한 후 가열처리(프리베이킹)와 패턴노광을 실행한 후의 가열처리(포스트 익스포져 베이킹)등 각종 가열처리가 실행되고 있다.
상기 가열처리는 통상 가열처리장치에 의해 실행된다. 도 13에 나타나는 바와 같이 상기 가열처리장치(100)에는 웨이퍼(W)를 소정의 위치에 재치하여 가열하기 위한 두께가 있는 원반형의 열판(101)이 설치되어 있다. 열판(101)상의 상기 재치위치로는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 지지판(102)이 설치되어 있고 웨이퍼(W)를 재치할 때 웨이퍼(W)와 열판(101)이 직접접촉하는 것을 방지하고 있다. 또한 열판(101) 아래쪽에는 웨이퍼(W)를 열판(101)상에 재치할 때 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 승강핀(103)이 열판(101)을 관통하도록 하여 설치되어 있다.
또한, 웨이퍼(W)는 웨이퍼(W)면내에 있어서 균일하게 가열될 필요가 있으므로 웨이퍼(W)가 열판(101)상에 재치될 때에는 웨이퍼(W)는 소정위치에 수평으로 재치되는 것이 중요한다. 상기에서 통상은 웨이퍼(W)의 재치위치를 향하여 경사면(104)을 구비하는 복수의 가이드부재(105)가 설치되고 열판(101)상에 웨이퍼(W)의 상기 재치위치를 둘러싸도록 하여 설치되어 있다. 상기의 구성으로부터 웨이퍼(W)가 가열될 때에는 다른 처리장치로부터 반송된 웨이퍼(W)가 미리 열판(101)상에 돌출하여 대기하고 있던 승강핀(103)상에 지지되고 상기 승강핀(103)이 하강되면서 웨이퍼(W)도 하강되어 열판(101)상의 지지핀(102)에 재치된다. 또한 웨이퍼(W)가 재치될 때 웨이퍼(W)가 다소 소정의 재치위치로부터 어긋나게 재치된 경우에는 도 14에 나타나는 바와 같이 상기 기술한 가이드부재(105) 의 경사부(104)에 의해 정확한 위치로 갈 수 있도록 되어 있다.
그런데, 웨이퍼(W)의 재치위치가 대폭으로 어긋나 예를들면 웨이퍼(W)가 가이드부재(105)상을 넘어서 재치된 경우에는 상기 상태로 웨이퍼(W)의 가열처리가 실행되어 버리므로 가열불량에 의거하여 제품불량이 발생한다. 또한 열판(101)상에 지지핀(102)보다도 큰 이물질이 부착하고 있는 경우 웨이퍼가 해당이물질을 넘어서 버리므로 가열불량이 발생한다.
상기와 같은 불량발생은 통상 뒤에 실행되는 검출공정에서 발견된다. 그런데 상기 불량은 연속적으로 발생하는 경우가 많기 때문에 상기 검출공정에서 불량발생이 검출될 때에는 미리 다량의 불량제품이 제조되어 있는 경우가 많고 피해가 커지기 전보다 빠른 단계에서 상기 불량발생을 검출하는 것이 바람직하다.
그런데 상기 열판(101)에 웨이퍼(W)가 재치되면 온도가 낮은 웨이퍼(W)에 의해 열을 뺏기게 되고 열판온도가 일단 저하하는 것이 확인되고 있다. 그리고 웨이퍼(W)의 재치가 정확하게 실행되지 않고 예를들면 웨이퍼(W)가 경사로 재치된 바와 같은 경우에는 열판(101)과 웨이퍼(W)와의 거리가 떨어져 열의 전도가 억제되기 때문에 상기 온도저하가 작아진다. 상기에서 상기와 같은 웨이퍼(W)가 재치될 대 열판의 온도저하의 변화를 이용하여 웨이퍼(W)의 재치의 적합여부를 검출하는 것을 생각할 수 있다.
그러나, 예를들면 열판온도가 저하할 때 최저 온도를 기준으로 웨이퍼의 재치의 적합여부를 판단하는 경우에는 상기 최저온도의 분산이 커져 버린다. 따라서 상기의 신뢰성의 향상을 바라는 시점이다.
본 발명은 상기 관점에서 비추어 이루어진 것이고 웨이퍼의 불량발생을 최소한으로 억제하기 위하여 웨이퍼등의 기판이 열판상에 정확하게 재치되어 있지 않는 경우를 신속 또는 정확하게 판단하기 위한 방법과 그 방법을 실시가능한 처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 플레이트상의 소정의 위치에 기판을 재치하여 가열처리 또는 냉각처리할 때 상기 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치되어 있는가의 여부를 판별하는 방법으로서 상기 플레이트를 소정온도로 설정하는 공정과 상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 적어도 플레이트온도가 변화하는 제 1의 시간으로부터 제 2 시간까지의 플레이트의 온도를 측정하는 공정과 상기 측정된 시계열적으로 변화하는 온도곡선과 상기 플레이트의 설정온도로 둘러싸인 범위로 정해지는 온도적산면적(I)을 산출하는 공정과 상기 산출된 온도적산면적(I)과 미리 정해진 온도적산면적의 한계치를 비교하는 공정을 구비한다.
본 발명의 별도의 관점에 의하면 본 발명은 플레이트상의 소정의 위치에 기판을 재치하여 가열처리 또는 냉각처리할 때 상기 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치되어 있는 가의 여부를 판별하는 방법으로서 상기플레이트를 소정온도로 설정하는 공정과 상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 적어도 플레이트온도가 변화하는 제 1 시간으로부터 제 2 시간까지의 플레이트 온도를 측정하는 공정과 상기 측정된 온도와 미리 정해둔 기판이 정확하게 재치된 경우에 있어서의 플레이트온도의 기준편차에 관한 한계치를 비교하는 공정을 가진다.
본 발명의 또 다른 별도의 관점에 의하면 플레이트상의 소정위치에 기판을 재치하여 가열처리 또는 냉각처리할 때 상기 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치되어 있는가의 여부를 판별하는 방법으로서 상기 플레이트를 소정온도로 설정하는 공정과 상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 적어도 플레이트온도가 변화하는 제 1 시간으로부터 제 2시간까지의 플레이트 온도를 측정하는 공정과 상기 측정된 최대온도차와 미리 정해둔 기판이 정확하게 재치된 경우에 있어서의 플레이트온도의 최대온도차의 기준편차에 관한 한계치를 비교하는 공정을 가진다. 또한 비교대상이 되는 상기 측정된 온도로서 예를들면 가열처리의 경우에는 기판의 재치에 의해 플레이트온도가 가장 저하할 때의 최저온도가 제안되고 냉각처리의 경우에는 기판의 재치에 의해 플레이트온도가 가장 상승할 때의 최고온도가 제안된다.
상기 온도측정은 열판상의 복수의 위치에서 실행되고 상기 비교공정은 각측정위치별로 실행되도록 하여도 용이하다. 이와 같이 열판상의 복수의 위치에서 온도를 측정하는 것에 의해 보다 신뢰성이 높고 상기 기판이 정확하게 재치되어 있는가의 여부판별을 실행하는 것이 가능하다.
본 발명의 처리장치는 기판을 소정위치에 재치하여 소정온도로 가열 또는 냉각하는 플레이트를 구비하는 처리장치에 있어서 상기 플레이트의 온도를 측정하는 온도센서와 상기 온도센서에 의해 측정된 상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 있어서 플레이트온도가 변화하는 제 1 시간으로부터 제 2시간까지의 플레이트온도의 측정결과에 의거하여 상기 측정된 시계열적으로 변화하는 온도곡선과 상기 플레이트의 설정온도로 둘러싸인 범위로 정해지는 온도적산면적(I)을 산출하고 그 온도적 산면적(I)과 미리 정해져 있는 온도적산면적의 한계치를 비교하는 연산처리장치를 구비한다.
또한, 본 발명의 별도 관점에 의하면 본 발명의 처리장치는 기판을 소정위치에 재치하여 소정온도로 가열 또는 냉각하는 플레이트를 구비하는 처리장치에 있어서 상기 플레이트의 온도를 측정하는 온도센서와 상기 온도센서의 측정온도와 미리 정해둔 기판이 정확하게 재치된 경우의 플레이트온도의 기준편차에 관한 한계치를 비교하는 수단을 구비한다.
본 발명에 의하면 기판이 가열용 또는 냉각용의 플레이트에 재치된 후에 그 플레이트의 온도가 저하하거나 상승하거나 하는 기간의 온도를 측정하고 그 측정된 계열적인 온도곡선과 열판의 설정온도로 둘러싸인 온도적산면적(I)을 산출한다. 그리고 미리 기판이 정확하게 재치된 경우의 온도적산면적을 미리 구해두고 그 이상적인 온도적산면적의 허용치인 한계치와 상기 온도적산면적(I)을 비교한다. 그리하는 것에 의해 측정되고 산출된 온도적산면적(I)이 상기 한계치를 넘어선 경우에는 기판이 정확하게 재치되어 있지 않다고 판단할 수 있다. 따라서 기판이 열판상에 정확하게 재치되고 기판이 적절하게 가열처리되는 가의 여부를 보다 빠른 단계에서 판정하는 것이 가능하다. 또한 그 판단기준으로서 온도적산면적(I)을 이용하는 것에 의해 예를들면 단순하게 열판온도의 최저온도를 기준으로 하기 보다도 다른 요인에 의한 순간 온도변동등에 죄우되지 않고 보다 신뢰성있는 판별을 실행하는 것이 가능하다.
상기 온도적산면적의 한계치가 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치된 경 우의 온도적산면적의 표준편차에 관한 것이어도 용이하다. 이와 같이 미리 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치된 경우의 온도적산면적의 데이터를 취해 놓 고 그 데이터의 예를들면 표준편차를 상기 한계치로 하는 것에 의해 미리 취해두지 않으면 안되는 상기 데이터가 상기 기판이 정확하게 재치된 경우의 온도적산면적만으로 완료한다. 즉, 표준편차를 사용하지 않는 경우에는 기판이 정확하게 재치된 경우의 데이터와 기판이 정확하게 재치되지 않는 경우의 데이터를 취하고, 그 쌍방의 데이터로부터 한계치를 정해둘 필요가 있고 그 데이터의 채용에 다수의 시간과 수고가 소비되게 된다. 따라서 본 발명에 의해 한 종류의 데이터를 채용하는 것만으로 완료되기 때문에 작업원의 작업시간과 수고가 경감된다. 또한 표준편차에 관한 것은 예를들면 Nσ(N은 실수)이고, 표준편차 σ, 2σ, 3σ등이 채용된다.
이상 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 관한 처리장치는 가열처리장치로서 실시된다. 도 1은 상기 가열처리장치를 구비하는 도포현상처리시스템(1)의 평면도이고 도 2는 도포현상처리시스템(1)의 정면도이고 도 3은 도포현상처리시스템(1)의 배면도이다.
도포현상처리시스템(1)은 도 1에 나타나는 바와 같이 예를들면 25매의 웨이퍼(W)를 카셋트단위로 외부로부터 도포현상처리시스템(1)에 대해서 반입출하거나 카셋트(C)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출하거나 하는 카셋트 스테이션(2)과 도포현상처리공정중 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 각종 처리장치를 다단배치하여 이루는 처리스테이션(3)과 상기 처리스테이션(3)에 근접하여 설치되어 있는 미도시 의 노광장치와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 실행하는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 구비하고 있다.
카셋트스테이션(2)에서는 재치부가 되는 카셋트재치대(5)상의 소정의 위치에 복수의 카셋트(C)를 X방향(도 1안의 상하방향)에 일렬로 재치가 자유롭게 되어 있다. 그리고 상기 카셋트배열방향(X방향) 카셋트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼배열방향(Z방햐 ; 수직방향)에 대해서 이송이 가능한 웨이퍼반송체(7)가 반송로(8)에 따라서 이동이 자유롭게 설치되어 있고 각 카셋트(C)에 대해서 선택적으로 엑세스할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼반송체(7)는 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 실행하는 정렬기능을 구비하고 있다. 상기 웨이퍼반송체(7)는 후 기술하는 바와 같이 처리스테이션(3)측의 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션장치(32)에 대해서도 엑세스할 수 있도록 구성되어 있다.
처리스테이션(3)에서는 그 중심부에 주반송장치(13)가 설치되어 있고 이 주반송장치(13)의 주변에는 각종 처리장치가 다단으로 배치되어 처리장치군을 구성하고 있다. 상기 도포현상처리시스템(1)에 있어서는 4개의 처리장치군(G1, G2, G3, G4)이 배치되어 있고 제 1 및 제 2 처리장치군(G1, G2)은 현상처리시스템(1)의 정면측에 배치되고 제 3 처리장치군(G3)은 카셋트스테이션(2)에 근접하게 배치되고 제 4 처리장치군(G4)은 인터페이스부(4)에 근접하게 배치되어 있다. 또한 옵션으로서 파선으로 나타낸 제 5 처리장치군(G5)을 배면측에 별도배치가 가능 하게 되어 있다. 상기 주반송장치(13)는 이들 처리장치군(G1, G3, G4, G5)에 ㅂ치되어 있는 후 기술하는 각종 처리장치에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출이 가능하다. 또한, 처리장치군의 수와 배치는 웨이퍼(W)에 실시되는 처리의 종류에 의해 다르고 처리장치군의 수는 1이상이면 4개가 아니라도 용이하다.
제 1 처리장치군(G1)에서는 예를들면 도 2에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트도포장치(17)와 노광 후의 웨이퍼(W)를 현상처리하는 현상처리장치(18)가 아래로부터 순서로 2단으로 배치되어 있다. 처리장치군(G2)의 경우도 동일하게 레지스트도포장치(19)와 현상처리장치(20)가 아래로부터 순서로 2단으로 적층되어 있다.
제 3 처리장치군(G3)에서는 예를들면 도 3에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 쿨링장치(30) 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 애드히젼장치(31) 웨이퍼(W)를 대기시키는 익스텐션장치(32), 레지스트 액안의 용제를 건조시키는 프리베이킹장치(33, 34) 및 현상처리후의 가열처리를 실시하는 포스트베이킹장치(35, 36)등이 아래로부터 순서로 예를들면 7단으로 적층되어 있다.
제 4의 처리장치군(G4)에서는 예를들면 쿨링장치(40) 재치한 웨이퍼(W)를 자연냉각시키는 익스텐션·쿨링장치(41) 익스텐션장치(42) 쿨링장치(43) 본 실시형태에 관한 가열처리장치로서의 포스트익스포져 베이킹장치(이하 [PEB장치]로 명기)(44, 45) 포스트베이킹장치(46, 47)등이 아래로부터 순서로 예를들면 8단으로 적층되어 있다.
인터페이스부(4)의 중앙부에는 웨이퍼반송체(50)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼반송체(50)는 X방향(도 1안의 상하방향), Z방향(수직방향)의 이동과 θ방향(Z축 을 중심으로 하는 회전방향)의 회전이 자유로울 수 있도록 구성되어 있고 제 4 처리장치군(G4)에 속하는 익스텐션·쿨링장치(41) 익스텐션장치(42) 주변노광장치(51) 및 미도시의 노광장치에 대해서 엑세스하여 각각에 대해서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 구성되어 있다.
다음으로 상기 기술한 PEB장치(44)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4에 나타나는 바와 같이 이 PEB장치(44)는 상측에 위치하여 상하 이동이 자유로운 뚜껑체(60)와 하측에 위치하여 뚜껑체(60)와 일체가 되어 처리실(S)을 형성하는 열판수용부(61)를 구비하고 있다.
뚜껑체(60)는 중심부를 향하고 다음으로 높게 이루어지는 대략 원추형의 형태를 구비하고 정상부에는 배기부(60a)를 설치하고 있다. 그리고 처리실(S)내의 환경은 배기부(60a)로부터 균일하게 배기되도록 되어 있다. 열판수용부(61)에는 중앙의 소정위치에 웨이퍼(W)를 재치하여 가열하는 두께가 있는 원반형의 열판(63)이 설치되어 있다.
열판(63)상에는 도 5에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)를 소정위치(P)에 재치하기 위한 안내부재로서의 가이드부재(65)가 설치되어 있다. 본 가이드부재(65)는 소정위치(P)를 둘러싸도록 하여 복수개소 예를들면 4개소에 설치되어 있다. 가이드부재(65)는 도 6에 나타나는 바와 같이 소정위치(P)측에 경사부(65a)를 구비하고 있고 웨이퍼(W)의 단부가 과오로 이 경사부(65a)상에 재치되는 경우에는 웨이퍼(W)가 이 경사부(65a)를 활강하고 소정위치(P)에 재치되도록 되어 있다.
열판(63)상에는 도 4, 도5에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)가 재치될때에 웨 이퍼(W)를 지지하는 지지판(66)이 복수개소에 설치되어 있고 웨이퍼(W)와 열판(63)이 직접접촉하지 않도록 되어 있다.
열판(63)에는 도 4에 나타나는 바와 같이 히터제어장치(67)에 의해 제어된 히터(68)가 내장되어 있고 열판(63)에는 이 히터(68)로부터 발열한 열에 의해 설정온도(T0)로 가열되고 웨이퍼(W)를 소정온도(T0)로 가열할 수 있도록 되어 있다.
열판(63)의 소정위치(P)로서 예를들면 소정위치(P)의 외주변부측의각 소정위치에는 도 4, 도 5에 나타나는 바와 같이 열판(63)의 뒷면에서 표면을 향하여 소정깊이의 낮은구멍(70, 71, 72)가 각각 같은 간격이 되도록 3개소에 설치되어 있다. 각 구멍(70, 71, 72)의 바닥부, 즉 열판(63)의 상면에 가장 가까운 부분에는 예를들면 열전쌍인 온도센서(73, 74, 75)가 각각 설치되어 있고 열판(63)의 각 소정위치의 온도를 수시측정가능하도록 되어 있다. 이들 온도센서(73 ~ 75)에 의한 온도측정결과는 상기 기술한 히터제어장치(67)와 연산처리수단으로서의 불량검출부(77)에 보내지고 히터제어장치(67)에서는 그들의 측정결과에 의거하여 열판온도를 소정온도가 되도록 히터(68)의 조절이 실 행되고 불량검출부(77)에서는 측정결과에 의거하여 후 기술 하는 웨이퍼(W)가 소정위치(P)에 정확하게 재치되었는 가의 여부판정 즉 웨이퍼(W)가 불량제품이 되는가의 여부를 실행하도록 되어 있다.
상기 불량검출부(77)는 각 온도센서(73 ~ 75)의 측정결과에 의거하여 소정기간, 예를들면 제 1 시간으로서 웨이퍼(W)가 열판(63)상에 재치된 시간(S₁)에서 제 2 시간으로서의 열판온도가 설정온도(T0)에 되돌아간 시간(S₂)까지의 열판(63)의 온도곡선(T(s))와 열판(63)의 설정온도(T0)로 둘러싸이는 면적(도 7에 나타나는 사선부) 즉 온도적산면적(I)을 산출하는 기능을 구비하고 있다. 또한 온도적산면적(I)은 다음식(1)에서 정하는 값에 상당한다.
Figure 112001018519212-pat00001
불량검출부(77)는 미리 각 온도센서(73 ~ 75)에 대해서 정해두고 온도적산면적의 허용범위의 상한값인 한계치(H)와 하한치인 한계치(L)을 기억하는 기능과 상기 기억되어 있는 한계치(H, L)와 측정된 온도적산면적(I)를 비교하는 기능을 가지고 있다. 그리고 불량검출부(77)에서는 온도적산면적(I)이 한계치(H ~ L)의 사이에 있는 경우에는 웨이퍼(W)가 정확하게 재치되어 있다고 판정되고 온도적산면적(I)이 한계치(H ~ L) 외의 값의 경우에는 웨이퍼(W)가 정확하게 재치되어 있지 않고 즉 싱기 웨이퍼(W)는 불량제품으로 판정되는 것에 의해 불량제품의 검출이 실행되도록 되어 있다. 여기에서 상기 한계치는 예를들면 웨이퍼(W)가 정확하에 재치된 경우의 다수의 온도적산면적의 데이터를 미리 수용해두고 그 데이터로부터 구하는 표준편차(σ)에 상당하는 온도적산면적을 한계치(H)로서 -σ에 상당하는 온도적산면적을 한계치(L)로 한다.
불량검출부(77)는 불량제품으로 판단한 웨이퍼(W)와 그외의 양의 제품의 웨이퍼(W)를 판별하기 위하여 불량제품의 웨이퍼(W)에 대해서 마킹을 실행하는 것이 가능하도록 되어 있다. 구체적으로는 예를들면 미리 처리되는 웨이퍼(W)에 번호를 부여해두고 웨이퍼(W)가 불량제품으로 판단된 경우에 그 웨이퍼(W)의 번호를 기억하도록 한다. 또한 그외의 마킹방법으로서는 실제로 웨이퍼(W)에 대해서 마킹을 실행하는 쪽이 소프트웨어상에서 양품으로 구별가능하도록 불량웨이퍼(W)로 마킹하도록 하여도 관계없다.
열판(63)의 아래측에는 웨이퍼(W)를 반입출할 때 웨이퍼(W)를 지지하고 승강시키기 위한 승강핀(80)이 설치되어 있고 상기 승강핀(80)은 승강구동기구(81)에 의해 상하로 이동이 자유롭게 구성되어 있다. 또한 열판(63)의 중앙부근에는 열판(63)을 수직방향으로 관통하는 구멍(83)이 설치되어 있고 승강핀(80)이 상기 구멍(83)을 관통하고 열판(63)상에 돌출하도록 구성되어 있다.
또한, 열판수용부(61)는 도 4에 나타나는 바와 같이 열판(63)의 외주연부를 지지하는 지지부재(85)와 상기 지지부재(85)를 지지하는 지지대(86)를 구비하고 있다. 지지부재(85)에는 열판(3)의 열을 외부로 노출되지 않도록 단열재가 사용되고 있다. 또한 지지대(86)는 상면이 개구한 대략 통형상으로 형성되어 있고 상기 상부에 지지부재(85)를 지지하고 있다.
또한, 열판수용부(61)는 지지부재(85)와 상기 지지대(86)를 둘러싸는 대략 통형의 서포트링(87)을 구비하고 있다. 상기 서포트링(87)에는 처리실(S)내를 향하고 예를들면 불활성가스를 분출하는 분출구(87a)가 설치되어 있고 처리실(S)내를 퍼지하는 것이 가능하다. 또한 서포트링(87)의 외측에는 열판수용부(61)의 외주변이 되는 원통형의 케이스(88)가 설치되어 있다.
다음으로 이상과 같이 구성되어 있는 PEB장치(44)의 작용에 대해서 도포현상처리시스템(1)에서 실행되는 포토리소그래피공정의 프로세스와 함께 설명한다.
우선 웨이퍼반송체(7)가 카셋트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 1매 취출하여 제 3의 처리장치군(G3)에 속하는 애드히젼장치(31)에 반입한다. 상기 애드히젼장치(31)에 있어서 레지스트액과의 밀착성을 향상시키는 HMDS등의 밀착강화제가 도포된 웨이퍼(W)는 주반송장치(13)에의해 쿨링장치(30)에 반송되고 소정의 각도로 냉각된다. 상기 후 웨이퍼(W)는 레지스트도포장치(17, 19) 프리베이킹장치(34, 34)의 순서로 반송되고 소정의처리가 실시된다. 상기 후 웨이퍼(W)는 익스텐션·쿨링장치(41)에 반송된다.
다음으로 웨이퍼(W)는 익스텐션·쿨링장치(41)로부터 웨이퍼반송체(50)에 의해 취출되고 상기 후 주변노광장치(51)를 거쳐 노광장치(미도시)에 반송된다. 노광처리가 종료한 웨이퍼(W)는 웨이퍼반송체(50)에 의해 익스텐션장치(42)에 반송된 후 주 반송장치(13)에 보유유지된다. 다음으로 상기 웨이퍼(W)는 가열처리가 실행되는 PEB장치(44, 45)에 반송된다.
그리고 가열처리가 종료한 웨이퍼(W)는 주반송장치(13)에 의해 쿨링장치(43) 현상처리장치(18, 20) 포스트베이킹장치(35) 쿨링장치(30)의 순서로 반송되고 각 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 상기 후 웨이퍼(W)는 익스텐션장치(32)를 매개하여 웨이퍼반송체(7)에 의해 카셋트(C)에 되돌아가고 일련의 소정의 도포현상처리가 수료한다.
상기 기술한 PEB장치(44)의 작용에 대해서 상세하게 설명한다. 우선 웨이퍼(W)의 가열처리를 개시하기 전에 상기 기술한 바와 같이 웨이퍼(W)가 정확하게소정위치(P)에 재치된 경우의 각 온도센서(73, 74, 75)에 있어서의 온도적산면적의 데이터를 채용해 두고 각 온도센서(73, 74, 75)별로 상기 기술한 온도적산면적의 표준편차(σ1, σ2, σ3)을 구한다. 그리고 각 온도센서(73, 74, 75)별의 각 표준편차(σ1, σ2, σ3)에 상당하는 온도적산면적의 값을 한계치(H1 , H2, H3)로 설정하고 -σ1, -σ2, -σ3 에 상당하는 온도적산면적값의 한계치(L1, L2, L3)로 설정하여 불량검출부(77)에 설정한다. 또한 열판(63)은 웨이퍼(W)의 가열설정온도(T0)가 되도록 가열되어 각 온도센서(73, 74, 75)와 히터제어장치(67)에 의해 상기 설정온도(T0)가 유지된다.
그리고 가열처리가 개시되면 온도센서(73, 74, 75)에 의한 열판온도의 모니터링이 개시되고 상기 측정결과가 수시불량검출부(77)에 보내진다. 다음에 뚜껑체(60)가 미도시의 구동기구에 의해 상승되고 전단계의 공정 즉 패턴노광처리가 수료한 웨이퍼(W)가 주반송장치(13)에 의해 PEB장치(44)내에 반입된 웨이퍼(W)는 도 8에 나타나는 바와 같이 미리 열판(63)상측의 소정위치로 대기하고 있던 승강핀(80)상에 지지된다.
다음으로 뚜껑체(60)가 하강되고 열판수용부(63)와 일체가 되어 처리실(S)이 형성된다. 이 때 서포트링(87)의 분출구(87a)로부터 불활성가스의 공급이 개시된다. 상기 불활성가스가 처리실(S)를 통하여 배기부(60a)로부터 배기되는 것에 의 해 기류가 발생하고 이후 가열처리가 종료할 때까지 처리실(S)내의 환경이 퍼지된다.
상기 후, 웨이퍼(W)는 승강구동기구(81)에 의해 승강핀(80)과 함께 하강되어 통상은 도 9에 나타나는 바와 같이 지지핀(66)상에 있어서 열판(63)의 소정위치(P)에 재치된다. 그리고 웨이퍼(W)가 재치되면 동시에 가열처리가 개시된다.
이 때의 열판(63)의 온도곡선(T(s)1)은 도 10에 나타나는 바와 같이 온도가 낮은 웨이퍼(W)에 의해 열판(63)의 열이 노출되기 때문에 웨이퍼(W)가 재치된 직후 일단 하강하고 다시 히터(68)의 열에 의해 설정온도(T0)에 되돌아간다.
이하, 불량검출부(77)에 있어서의 측정데이터의 처리에 대해서 온도센서(73)에서 보내진 상기 측정데이터를 예로하여 설명한다. 우선, 온도센서(73)로부터의 측정데이터를 수신한 불량검출부(77)에서는 상기 온도곡선(T(s)1)와 설정온도(T0)로 둘러싸인 범위의 온도적산면적(I)을 산출한다.
그리고 상기 온도적산면적(I)과 미리 설정되어 있는 온도적산면적의 한계치(H1, L1)를 비교한다. 상기 적산온도면적(I)이 H1 ~ L1 의 사이에 있는 경우에는 웨이퍼(W)가 열판(63)상의 소정위치(P)에 정확하게 재치된 것으로 판정하고 온도적산면적(I)이 H1 ~ L1 의 사이에 없는 경우에는 웨이퍼(W)가 소정위치(P)에 재치되어 있지 않는 것으로 하고 해당하는 웨이퍼(W)가 불량제품으로 판정한다. 또한 도 9에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)가 소정위치(P)에 정확하게 재치된 경우는 온 도적산면적(I)이 H1 ~ L1 의 사이에 있고 웨이퍼(W)는 불량제품으로 판정되지 않는다.
한편, 예를들면 도 11에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)가 가이드부재(65)에 넘어서도록 하여 재치되어 버리고 열판(63)과 웨이퍼(W)의 거리가 통상보다도 떨어진 경우에는 웨이퍼(W)가 재치된 후 열판(63)의 온도곡선(T(s)2)는 도 10에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)가 정확하게 재치된 경우(온도곡선(T(s)1))에 비하여 웨이퍼(W)에 의한 발열온도의 저하가 작아진다. 따라서 상기와 같은 경우에는 온도적산면적(I)이 작아지고 한계치(L)보다도 작은 경우에는 상기 웨이퍼(W)는 불량제품으로 판정된다.
또한, 다른 온도센서(74, 75)로부터의 측정데이터도 동일하게 하여 처리되고 각 온도센서(74, 75)의 각 데이터에 의거하여 웨이퍼(W)의 불량제품이 검출된다. 따라서 온도센서(73, 74, 75)가 재치된 전체의 소정위치에 위치하여 웨이퍼가 정확하게 재치되어 있지 않으면 웨이퍼(W)가 불량제품으로 판단된다.
다음으로 웨이퍼(W)가 불량제품으로 판정된 경우에는 상기 웨이퍼(W)가 불량제품인 것을 나타내는 마킹이 실행된다. 그리고 불량제품인가의 여부에 관계없이 상기 상태로 소정시간의 가열처리가 속행된다. 소정의 가열시간이 경과하면 웨이퍼(W)는 승강핀(80)에 의해 다시 승강되고 열판(63)에 의한 가열이 종료한다. 다음으로 뚜껑체(60)가 다시 상승되고 처리실(S)이 개방된다. 그리고 웨이퍼(W)가 승강핀(80)으로부터 주반송장치(13)에 수수되고 PEB장치(44)내로부터 반출되어 일 련의 가열처리가 종료한다.
그리고 상기 기술한 바와 같이 일련의 도포현상처리가 종료한 후 마킹되어 있는 웨이퍼(W)를 다른 웨이퍼(W)와 구별하여 양의 제품중에서 불량제품을 취하여 제거하도록 한다.
이상의 실시형태에 의하면 웨이퍼(W)가 재치된 직후의 열판온도의 변화에 착목하여 웨이퍼(W)가 정확하게 재치되었는가의 여부를 판단하고 웨이퍼(W)의 불량제품검출을 가능하게 하였기 때문에 종래에 비하여 보다 신속하게 해당검출을 실행하는 것이 가능하다.
또한, 각 온도센서(73, 74, 75)에 의해 측정된 웨이퍼(W)가 열판(63)상에 재치된 후의 온도곡선(T(s))과 설정온도(T0)으로 둘러싸여진 범위에서 정하는 온도적산면적(I)을 산출하고 상기 온도적산면적(I)을 미리 정해둔 한계치(H, L)을 비교하도록 하였기 때문에 예를들면 열판온도의 최저온도를 기준으로 비교할 경우에 비하여 데이터의 분산이 억제되고 보다 신뢰성 있는 판단을 실행하는 것이 가능 하다.
또한, 한계치(H. L)를 표준편차에 관한 것으로 하였기 때문에 한계치(H, L)를 구할 때 필요해지는 데이터가 한종류, 즉 웨이퍼(W)가 정확하게 소정위치(P)에 재치된 경우만의 온도적산면적의 데이터를 채용하면 용이하고 웨이퍼(W)가 정확하게 재치된 경우가 되어 있지 않는 경우의 쌍방의 데이터를 채용할 필요가 없다.
이상의 실시형태에서는 웨이퍼(W)가 정확하게 재치되었는가의 여부를 온도적산면적(I)을 기준으로 하여 판정하고 또한 상기 경우의 한계치는 표준편차에 관한 것으로 하였지만 당연히 온도적산면적(I)을 기준으로 하여 판정하고 한계치에 표준편차를 사용하지 않아도 용이하고 또한 온도적산면적(I)을 기준으로 하지 않고 한계치에 표준편차를 사용하도록 하여도 용이하다.
전자의 경우 예를들면 웨이퍼(W)가 정확하게 재치된 경우와 소정위치(P)로부터 어긋나게 재치된 경우와의 쌍방의 온도적산면적의 데이터를 채용하고 상기 경계선을 한계치로 하여 사용하는 것이 제안된다. 상기 경우에 있어서도 온도적산면적을 기준으로 하고 있기 때문에 보다 신뢰성 있는 판정을 실행하는 것이 가능하다.
또한, 후자의 경우는 온도적산면적(I)을 대신하여 측정된 열판온도의 값을 상기 상태를 기준으로 하여 사용하는 것이 제안된다. 이와 같은 경우 예를들면 열판온도가 저하할 때의 최저온도(TL)(도 7안에 도시) 와 미리 채용해 둔 웨이퍼(W)가 정확하게 재치된 경우의 열판의 최저온도로부터 정해진 한계치로서의표준편차(σL)를 비교하고 TL<-σL, σL<TL의 경우에는 웨이퍼(W)가 정확하게 재치되어 있지 않다고 판단하고 상기 경우 처리된 웨이퍼(W)가 불량제품으로 인정된다. 상기와 같은 경우에 있어서도 한계치로서 표준편차가 사용되고 있기 때문에 한계치를 정할 때 데이터수집이 용이해지고 상기 작업시간과 작업수고가 경감되는 것이 도모된다.
또한, 최저온도(TL)를 대신하여 열판설정온도(T0)와 열판(63)이 크게 저하할 때 최저온도(TL)와 차이가 있는 최대온도차(TG)(도 7안에 도시)를 이용하여도 용이하다. 상기 경우에 있어서도 최저온도(TL)를 이용할 때와 동일하게 미리 정해둔 한 계치인 표준편차와 비교하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 재치적부가 판단되기 때문에 한계치를 구할 때 시간과 수고가 경감되는 것이 도모된다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는 3개소에서 열판온도를 측정하였지만 3개소에 한정되지 않고 1개소도 용이하고 3개소 이외의 복수개소도 용이하다. 또한 각 온도측정위치별로 한계치를 설정하였지만 전체의 온도측정위치에 공통하는 하나의 한계치를 설정하고 상기를 기준으로 웨이퍼(W)의 재치의 적부를 판단하도록 하여도 용이하다.
예를들면 도 12에 나타나는 바와 같이 단일의 열판(63)의 가열을 복수의 구획 예를들면 영역(E1 ~ E7) 7개로 분할하고 각 영역(E1 ~ E7)별로 열판의 온도제어를 가능하게 열판(63)을 구성한다.
상기의 경우 각 영역(E1 ~ E7)별로 단수 또는 복수의 온도센서(73)를 설치한다. 그리고 각 영역(E1 ~ E7)별로 상기한 바와 같은 온도적산면적을 구하고 다른 영역(E1 ~ E7)의 온도적산면적과 비교하여 웨이퍼(W)의 재치적부를 판단하도록 하여도 용이하다.
예를들면, 웨이퍼(W)가 열판(63)상만을 넘어선 경우 상기 이물질이 예를들면 영역(E3)에 있는 경우 해당영역(E3)의 온도적산면적은 명확하게 다른 영역의 면적과 다른 값을 나타낼 뿐이다.
따라서 상기와 같은 경우에는 웨이퍼(W)가 열판(63)의 소정의 위치에 바르게 재치되어 있지 않는 것이 판명된다.
상기 기술한 실시형태에서는 웨이퍼(W)가 불량으로 판정된 후의 처리로서 가 열처리를 속행하고 웨이퍼(W)에 마킹하도록 하였지만 예를들면 불량검출부(77)와 경고를 알리기 위한 스피커와 작업원의 지시를 입력하기 위한 입력부를 접속하여 두고 웨이퍼(W)가 불량제품으로 판정된 경우에는 경보를 울리고 그리고 작업원은 상기 경고에 대한 처치를 입력부를 통하여 PEB장치(44)에 지시하도록 하여도 용이하다. 상기 작업원의 지시는 가열처리를 중단시켜도 용이하고, 속행시켜도 용이하다. 또한, 웨이퍼(W)가 불량제품으로 판단된 시점에서 각 위치에 가열처리를 중단하도록 하여도 용이하다.
또한, 웨이퍼(W)가 정확하게 재치되어 있지 않는 경우의 다수는 주반송장치(13)와 승강핀(80)의 위치어긋남에 의한 것이기 때문에 웨이퍼(W)가 불량제품으로 판정된 경우에는 주반송장치(13)의 위치를 수정하도록 하여도 용이하다.
이상의 실시형태에 관한 처리장치는 PEB장치(44, 45)에 관한 것이지만 다른 가열처리장치 예를들면 프리베이크장치(33, 34) 포스트베이크장치(46, 47)에 있어서도 응용가능하다.
또한, 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하는 열판을 구비하는 냉각처리장치에 있어서도 응용가능하다. 냉각처리장치의 경우에는 재치되는 웨이퍼(W)가 열판온도도보다 고온이기 때문에 웨이퍼(W)가 열판상에 재치될 때에는 열판온도가 일단상승하고 상기 후 열판의 설정온도에 되돌아간다. 그리고 웨이퍼(W)가 소정위치에 정확하게 재치되어 있지 않는 경우에는 상기 상승온도가 작아진다. 따라서 상기 상승온도의 상이를 이용하여 상기 기술한 가열처리장치의 경우와 동일하게 온도적산면적(I)등 을 이용하여 웨이퍼(W)가 열판상에 정확하게 재치되었는가를 판정하는 것이 가능하다.
또한, 이상에서 설명한 실시형태는 반도체디바이스제조 프로세스의 포토리소그래피공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리장치에 관한 것이지만 본 발명은 반도체웨이퍼이외의 기판 예를들면 LCD기판의 처리장치에 있어서도 응용이 가능하다.
본 발명에 의하면 기판이 플레이트상에 재치될 때 플레이트의 온도변화에의거하여 기판이 플레이트상에 정확하게 재치되고 기판이 적절하게 가열처리되었는가의 여부를 판단하기 위하여 보다 빠른 단계에서 기판의 불량을 검출하는 것이 가능하다. 따라서 검출되기까지의 다량의 불량기판이 제조되는 것을 방지하고 수율의 향상이 도모된다.
본 발명에 의하면 온도적산면적(I)을 기준으로 기판이 소정위치에 재치되었는가의 여부를 판별하기 위하여 열판온도를 자체상태를 기준으로 하기보다도 분산이 작고 한층 더 신뢰성이 있는 판별을 실행하는 것이 가능하다.
또한 본 발명에 의하면 한계치로서 표준편차에 관한 것을 사용하기 위하여 미리 채용해야할 데이터가 한종류, 즉 기판이 정확하게 재치된 경우의 데이터만으로 수료되고 상기 작업시간과 수고의 경감이 도모된다.

Claims (13)

  1. 플레이트상에 소정의 위치로 기판을 재치하여 가열처리 또는 냉각처리할 때,
    상기 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치되어 있는가를 판별하는 방법에있어서,
    상기 플레이트를 소정온도로 설정하는 공정과,
    상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 플레이트 온도가 변화하는 기간 중 적어도 제 1의 시간에서 제 2의 시간까지의 플레이트의 온도를 측정하는 공정과,
    상기 측정된 시계열적으로 변화하는 온도곡선과 상기 플레이트의 설정온도로 둘러싸인 범위로 정해지는 온도적산면적(I)을 산출하는 공정과,
    상기 산출된 온도적산면적(I)과 미리 정해져 있던 온도적산면적의 한계치를 비교하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 판별방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도적산면적의 한계치는 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치된 경우의 온도적산면적의 표준편차인 것을 특징으로 하는 판별방법.
  3. 플레이트상에 소정의 위치에 기판을 재치하여 가열처리 또는 냉각처리할 때,
    상기 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치되어 있는가를 판별하는 방법에 있어서,
    상기 플레이트를 소정온도로 설정하는 공정과,
    상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 플레이트 온도가 변화하는 기간 중 적어도 제 1의 시간에서 제 2의 시간까지의 플레이트의 온도를 측정하는 공정과,
    상기 측정된 온도와 미리 정해져 있던 기판이 정확하게 재치된 경우에 있어서의 플레이트온도의 표준편차와 비교하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 판별방법.
  4. 플레이트상에 소정의 위치에 기판을 재치하여 가열처리 또는 냉각처리할 때,
    상기 기판이 상기 소정위치에 정확하게 재치되어 있는가를 판별하는 방법에 있어서,
    상기 플레이트를 소정온도로 설정하는 공정과,
    상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 플레이트 온도가 변화하는 기간 중 적어도 제 1의 시간에서 제 2의 시간까지의 플레이트의 온도를 측정하는 공정과,
    상기 측정 된 최대온도차와 미리 정해져 있던 기판이 정확하게 재치된 경우에 있어서의 플레이트온도의 최대온도차의 표준편차와 비교하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 판별방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도측정은 플레이트상의 복수의 위치에서 실행되고 상기 비교공정은 각 측정위치별로 실행되는 것을 특징으로 하는 판별방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 플레이트상에는 기판이 재치될 때 기판을 안내하는 안내부재가 상기 소정위치를 둘러싸도록 하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 판별방법.
  7. 기판을 소정위치에 재치하여 소정온도로 가열 또는 냉각하는 플레이트를 구비하는 처리장치에 있어서,
    상기 플레이트온도를 측정하는 온도센서와,
    상기 온도센서에 의해 측정된 상기 플레이트에 기판을 재치한 후에 있어서 플레이트온도가 변화하는 제 1 시간에서 제 2 시간까지의 플레이트온도의 측정결과에 의거하여 상기 측정된 시계열적으로 변화하는 온도곡선과 상기 플레이트의 설정온도로 포위된 범위로 정해지는 온도적산면적(I)을 산출하고,
    상기 온도적산면적(I)과 미리 정해져 있는 온도적산면적의 한계치를 비교하는 연산처리장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 온도센서는 플레이트상에 복수개 설치되어 있고,
    상기 연산처리수단은 상기 온도적산면적(I)의 산출과, 온도적산면적(I)과 상기 한계치와의 상기 비교를 각 온도센서별로 측정결과에 의거하여 실행하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 기판을 소정위치에 재치하여 소정온도로 가열 또는 냉각하는 플레이트를 구비하는 처리장치에 있어서,
    상기 플레이트온도를 측정하는 온도센서와,
    상기 온도센서의 측정온도와 미리 정해져 있던 기판이 정확하게 재치된 경우의 플레이트온도의 표준편차와 비교하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 기판을 소정위치에 재치하여 소정온도로 가열 또는 냉각하는 플레이트를 구비하는 처리장치에 있어서,
    상기 플레이트온도를 측정하는 온도센서와,
    상기 온도센서의 측정온도의 최대온도차와 미리 정해져 있던 기판이 정확하게 재치된 경우에 있어서의 플레이트온도의 최대온도차의 표준편차와 비교하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 온도센서는 플레이트상에 복수개 설치되어 있고,
    상기 비교수단은 상기 비교를 각 온도센서별 측정결과에 의거하여 실행하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 온도센서는 플레이트상에 복수개 설치되어 있고,
    상기 비교수단은 상기 비교를 각 온도센서별 측정결과에 의거하여 실행하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  13. 청구항 7에 있어서,
    상기 플레이트상에는 기판이 재치될 때 기판을 안내하는 안내부재가 상기 소정위치를 포위하도록 하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
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