JP2020035834A

JP2020035834A - 加熱処理装置および加熱処理方法

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Publication number: JP2020035834A
Application number: JP2018159671A
Authority: JP
Inventors: 真会田; Makoto Aida
Original assignee: Kioxia Corp
Current assignee: Kioxia Corp
Priority date: 2018-08-28
Filing date: 2018-08-28
Publication date: 2020-03-05
Also published as: US20200075365A1; US11127611B2

Abstract

【課題】反りを有する基板についても載置状態の異常を検出することができる加熱処理装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、加熱処理装置は、内部にヒータを有する基板ステージと、温度センサと、予測温度プロファイル算出部と、載置状態検出部と、を備える。前記温度センサは、前記基板ステージの基板載置面の温度を計測する。前記予測温度プロファイル算出部は、基板の反りを示す反り量情報から前記基板を前記基板ステージに載置したときの前記基板載置面の温度の時間変化である予測温度プロファイルを算出する。前記載置状態検出部は、前記基板ステージに前記基板を載置した時の実際の前記温度センサで計測される温度の時間変化である実測温度プロファイルと、前記予測温度プロファイルと、の差に基づいて、前記基板の載置状態の異常を検出する。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、加熱処理装置および加熱処理方法に関する。

従来、基板をヒータが内蔵された基板ステージで加熱する加熱処理装置において、基板が基板ステージ上にずれて配置されているかを検出する技術が知られている。

しかしながら、従来技術では、基板の反りについては考慮されていない。そのため、反りを有する基板を加熱する場合には、基板が正しい位置に配置されていたとしても、正しい位置に配置されていないと判定されてしまう場合がある。

特許第３５８１３０３号公報

本発明の一つの実施形態は、反りを有する基板についても載置状態の異常を検出することができる加熱処理装置および加熱処理方法を提供することを目的とする。

本発明の一つの実施形態によれば、加熱処理装置は、内部にヒータを有する基板ステージと、温度センサと、予測温度プロファイル算出部と、載置状態検出部と、を備える。前記温度センサは、前記基板ステージの基板載置面の温度を計測する。前記予測温度プロファイル算出部は、基板の反りを示す反り量情報から前記基板を前記基板ステージに載置したときの前記基板載置面の温度の時間変化である予測温度プロファイルを算出する。前記載置状態検出部は、前記基板ステージに前記基板を載置した時の実際の前記温度センサで計測される温度の時間変化である実測温度プロファイルと、前記予測温度プロファイルと、の差に基づいて、前記基板の載置状態の異常を検出する。

図１は、第１の実施形態による加熱処理装置の構成の一例を模式的に示す図である。図２は、基準温度プロファイルの一例を示す図である。図３は、積分値算出情報の一例を示す図である。図４は、基板の反り量を説明するための図である。図５は、予測温度プロファイルの算出の一例を示す図である。図６は、予測温度プロファイルと実測温度プロファイルとを用いて基板の載置状態の検出の一例を示す図である。図７は、第１の実施形態による加熱処理方法の手順の一例を示すフローチャートである。図８は、第２の実施形態による加熱処理装置の構成の一例を模式的に示す図である。図９は、第３の実施形態による加熱処理装置での温度センサの配置位置の一例を示す図である。図１０は、制御部のハードウェア構成の一例を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる加熱処理装置および加熱処理方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態による加熱処理装置の構成の一例を模式的に示す図である。加熱処理装置１０は、基板ステージ１１と、ヒータ１２と、温度センサ１４と、制御部２０と、を備える。ここでは、加熱処理装置１０は半導体製造装置である。

基板ステージ１１は、加熱対象の基板１００を支持する板状部材である。ここでは、基板１００は半導体基板である。半導体基板には三次元積層型半導体記憶装置が形成されている。大容量半導体記憶装置では、積層数が多いため半導体基板に反りが生じている場合がある。基板ステージ１１の基板載置面である上面には、基板１００を支持する支持部１１１が設けられる。支持部１１１は、例えば基板ステージ１１上面に３点以上設けられる。

基板ステージ１１の内部には、ヒータ１２が設けられる。ヒータ１２は、後述する加熱制御部１３に接続され、加熱制御部１３による制御によって加熱される。

温度センサ１４は、基板ステージ１１の上面付近に設けられる。温度センサ１４は、基板ステージ１１の上面の温度を測定し、後述する載置状態検出部に出力する。第１の実施形態では、温度センサ１４は、基板ステージ１１の上面の中心付近に設けられることが望ましい。

制御部２０は、加熱制御部１３と、記憶部１５と、予測温度プロファイル算出部１６と、載置状態検出部１７と、を備える。加熱制御部１３は、ヒータ１２のオン／オフを切り替え、基板ステージ１１が所定の温度となるように加熱を制御する。

記憶部１５は、予測温度プロファイルの算出で使用される基準温度プロファイルおよび積分値算出情報を記憶する。基準温度プロファイルは、所定の温度にある基板ステージ１１上に、反りのない基板１００が正しい位置に正常な状態で載置された時の基板ステージ１１上面の温度の時間変化を示すプロファイルである。正しい位置とは、本来の配置位置から許容限度内に基板１００が配置されることをいう。例えば、基板ステージ１１上のすべての支持部１１１上に基板１００が載置されていなければならないのに、一部の支持部１１１上に基板１００が載置されない場合には、正しい位置に配置されているとはいえない。また、正常な状態とは、基板ステージ１１と基板１００との間に異物が存在しない状態をいう。

図２は、基準温度プロファイルの一例を示す図である。この図で、横軸は基板１００を基板ステージ１１上に載置してからの経過時間を示し、縦軸は、基板ステージ１１上面の温度を示している。この図に示されるように、基板ステージ１１上に反りのない基板１００を正しい位置に正常な状態で載置された場合には、基板ステージ１１よりも低い温度の基板１００の影響によって、温度が一時的に例えばΔＴだけ低下する。その後、基板１００が徐々に加熱されていき、基板１００と基板ステージ１１とが略同じ温度になる。この時の基板ステージ１１の上面の温度の温度変化の積分値をＳ０とする。ΔＴは、基準温度プロファイルの温度変化の最大値であり、加熱処理中に維持される基板ステージ１１の所定の温度と、加熱処理中の基板ステージ１１の最低温度値と、の差である。

積分値算出情報は、基板反り量と、基板ステージ１１の上面の温度の温度変化の積分値と、の関係を示す情報である。一般的に、反り量の異なる基板１００を、正しい位置に正常な状態で基板ステージ１１上に載置して加熱した場合には、反り量と、基板ステージ１１の上面の温度の温度変化の積分値と、の間には負の相関関係がある。すなわち、基板１００の反り量が大きくなればなるほど、積分値は小さくなる傾向がある。これによって、基板１００の反り量から正しい位置に正常な状態で基板ステージ１１上に載置された基板１００の積分値を見積もることができる。

図３は、積分値算出情報の一例を示す図である。この図で横軸は基板反り量であり、縦軸は積分値である。この軸に示されるように、基板反り量と積分値との間には、負の相関関係がある。

予測温度プロファイル算出部１６は、加熱対象の基板の反り量情報と、記憶部１５中の基準温度プロファイルおよび積分値算出情報と、を用いて、予測温度プロファイルを算出し、載置状態検出部１７に出力する。なお、第１の実施形態では、予測温度プロファイル算出部１６は、予測温度プロファイルから得られる温度変化に関する変化量を算出し、この変化量を載置状態検出部１７に出力する場合を例に挙げる。変化量として、予測温度プロファイルの温度変化の予測積分値を例示することができる。

基板１００の反り量情報は、反り量情報測定装置３０によって測定される。反り量情報測定装置３０は、例えばレーザ変位センサを用いて、基板１００の各位置の高さを測定する装置であってもよいし、基板１００の側面から光を照射し、透過してくる光の暗くなる位置を取得して、基板１００の反り量を測定する装置であってもよい。

図４は、基板の反り量を説明するための図である。図４は、お椀型に基板１００が反った場合を例示しており、（ａ）は基板１００が下に凸のお椀型の形状を有する場合を示し、（ｂ）は基板１００が上に凸のお椀型の形状を有する場合を示している。例えば反り量情報測定装置３０の基板１００を載置するステージの上面を基準とした時に、基板１００の各位置でのステージ上面からの距離を反り量とする。このうち最大のものを最大反り量という。反り量情報は、例えば、基板１００の面内の各位置における反り量を表した情報であってもよいし、基板１００の側面方向における各位置の位置における反り量を表した情報であってもよいし、基板１００における最大反り量を表した情報であってもよい。また、図４に示されるように、お椀型の形状の場合、最大反り量の位置から離れるにしたがって、反り量は減少していく。

予測温度プロファイル算出部１６は、反り量情報から最大反り量を取得し、積分値算出情報を参照して最大反り量に対応する積分値Ｓａを取得する。ついで、予測温度プロファイル算出部１６は、基準温度プロファイルの温度変化の積分値Ｓ０に対する積分値Ｓａの比率Ｓａ／Ｓ０を係数値Ｋとして算出する。さらに、予測温度プロファイル算出部１６は、係数値Ｋを用いた所定のアルゴリズム（関数）にしたがって、基準温度プロファイルから予測温度プロファイルを生成する。そして、予測温度プロファイル算出部１６は、予測温度プロファイルから温度変化の予測積分値を算出し、算出した予測積分値を載置状態検出部１７に出力する。

図５は、予測温度プロファイルの算出の一例を示す図である。この図で、横軸は基板１００を所定の温度の基板ステージ１１上に載置してからの経過時間を示し、縦軸は、基板ステージ１１上面の温度を示している。ここでは、一例として、予測温度プロファイルＰ１は、基準温度プロファイルＰ０に対して係数値Ｋを乗算したものである。このようにして、予測温度プロファイルＰ１を求めることができる。なお、予測温度プロファイルＰ１の算出方法は、任意であり、他の方法で算出することも可能である。

載置状態検出部１７は、基板ステージ１１の上面に設けられた温度センサ１４からの温度を取得し、時間に対して温度をプロットした実測の温度プロファイル（以下、実測温度プロファイルという）を生成し、予測温度プロファイル算出部１６から取得した予測温度プロファイルと比較し、基板１００の載置状態の異常を検出する。

なお、第１の実施形態では、載置状態検出部１７は、実測温度プロファイルから得られる温度変化に関する変化量を算出する。変化量として、実測温度プロファイルの温度変化の実測積分値を例示することができる。また、載置状態検出部１７は、実測積分値と、予測温度プロファイル算出部１６から取得した予測積分値と、の差分が判定閾値以上あるかを判定する。判定閾値は、実測積分値と予測積分値とが統計上同じであるとされる値である。差分が判定閾値未満である場合には、載置状態検出部１７は、基板ステージ１１上に正しい位置に正常な状態で基板１００が載置されていると判定する。差分が判定閾値以上である場合には、載置状態検出部１７は、基板ステージ１１上に正しい位置に基板１００が載置されていないか、正常な状態で基板１００が載置されていないと判定する。正常な状態で載置されていない場合は、基板ステージ１１と基板１００との間に異物が存在する場合である。載置状態検出部１７は、正常な状態で載置されていないと判定した場合には、エラー情報を出力する。エラー情報が出力された場合には、加熱処理装置１０を止めてもよいし、エラー情報が出力された基板１００を記憶しておき、例えばロット単位の処理が終了した後、エラー情報が出力された基板１００を取り出して、もう一度加熱処理装置１０で処理するようにしてもよい。

図６は、予測温度プロファイルと実測温度プロファイルとを用いて基板の載置状態の検出の一例を示す図である。ここでは、まず、予測温度プロファイル算出部１６によって、基板１００の反り量情報と積分値算出情報とから、積分値が取得され、基準温度プロファイルの積分値に対する取得した積分値の比である係数値Ｋが算出される。そして、予測温度プロファイル算出部１６によって、係数値Ｋを用いた所定のアルゴリズムによって基準温度プロファイルから算出した予測温度プロファイルＰ１１が取得される。予測温度プロファイルＰ１１は、図６では、実線で示されている。

加熱処理装置１０の基板ステージ１１が所定の温度に加熱された状態で、この基板１００が基板ステージ１１上に載置された後の基板ステージ１１の上面の温度が温度センサ１４によって測定される。そして、載置状態検出部１７は、温度センサ１４によって測定された温度の時間変化を示す実測温度プロファイルＰ１２，Ｐ１３を生成する。

例えば、図６のように、実測温度プロファイルＰ１２が破線で示される場合には、実測温度プロファイルＰ１２の実測積分値と、予測温度プロファイルＰ１１の予測積分値と、は、略同じ大きさであるので、これらの差は判定閾値未満となる。その結果、載置状態検出部１７は、反りを有する基板１００は、基板ステージ１１上に正しい位置に、正常な状態で載置されていると判定することになる。

一方、実測温度プロファイルＰ１３が一点鎖線で示される場合には、実測温度プロファイルＰ１３の実測積分値は、予測温度プロファイルＰ１１の予測積分値に比して、小さくなる。そのため、実測温度プロファイルＰ１３の実測積分値と、予測温度プロファイルＰ１１の予測積分値と、の差は、判定閾値以上となる。その結果、載置状態検出部１７は、反りを有する基板１００は、基板ステージ１１上に正しい位置に載置されていないか、あるいは基板ステージ１１と基板１００との間に異物が存在するなど異常な状態で載置されていると、判定することになる。

つぎに、加熱処理方法について説明する。ここでは、半導体製造方法としての加熱処理方法を説明する。図７は、第１の実施形態による加熱処理方法の手順の一例を示すフローチャートである。まず、反り量情報測定装置３０によって、加熱対象の基板１００についての反り量情報が測定され、加熱処理装置１０の予測温度プロファイル算出部１６は、反り量情報を取得する（ステップＳ１１）。

ついで、予測温度プロファイル算出部１６は、反り量情報に応じた基板ステージ１１上面の予測温度プロファイルを生成する（ステップＳ１２）。具体的には、予測温度プロファイル算出部１６は、記憶部１５中の積分値算出情報を用いて取得した反り量情報に対応する積分値を取得する。ついで、予測温度プロファイル算出部１６は、基準温度プロファイルの積分値に対する取得した積分値の比率である係数値を算出し、この係数値を用いて基準温度プロファイルを変更して予測温度プロファイルを生成する。

その後、予測温度プロファイル算出部１６は、生成した予測温度プロファイルから温度変化の予測積分値を算出する（ステップＳ１３）。そして、予測温度プロファイル算出部１６は、予測積分値を載置状態検出部１７に出力する。

ついで、加熱対象の基板１００が所定の温度に加熱された基板ステージ１１上に載置されると、載置状態検出部１７は、温度センサ１４によって測定されたその後の基板ステージ１１上面の温度を用いて、実測温度プロファイルを生成する（ステップＳ１４）。さらに、載置状態検出部１７は、実測温度プロファイルから実測積分値を算出し（ステップＳ１５）、予測積分値と実測積分値との差を算出する（ステップＳ１６）。

その後、載置状態検出部１７は、予測積分値と実測積分値との差が判定閾値以上であるかを判定する（ステップＳ１７）。予測積分値と実測積分値との差が判定閾値未満である場合（ステップＳ１７でＮｏの場合）には、載置状態検出部１７は、基板１００は基板ステージ１１上に正しい位置で正常な状態で載置されていると判定する（ステップＳ１８）。そして、所定の加熱処理時間が経過した後、基板１００が加熱処理装置１０から搬出され、処理が終了する。

また、予測積分値と実測積分値との差異が判定閾値以上である場合（ステップＳ１７でＹｅｓの場合）には、載置状態検出部１７は、基板１００は基板ステージ１１上に正しい位置に載置されていない、あるいは正常な状態で載置されていないと判定し（ステップＳ１９）、エラー情報を出力する（ステップＳ２０）。そして、所定の加熱処理時間が経過した後、基板１００が加熱処理装置１０から搬出され、処理が終了する。

このような加熱処理装置１０は、例えばレジストが塗布され、露光処理が行われた半導体基板に対して、現像処理前の加熱などに使用される。

第１の実施形態では、加熱対象の基板１００の反りを示す反り量情報から、基板１００が正しい位置に正常な状態で載置された場合の予測温度プロファイルを生成する。基板１００を基板ステージ１１上に載置した時の基板ステージ１１上面の実測温度プロファイルと、予測温度プロファイルと、の差に基づいて、基板１００の載置状態の異常、すなわち、基板１００が基板ステージ１１上に正しい位置に載置されていない、あるいは基板１００が基板ステージ１１上に正常な状態で載置されていない、ことの検出を行う。これによって、基板１００が反りを有する場合に、基板１００の反りによる温度変化を考慮して、基板ステージ１１上への正しい位置への載置、および基板ステージ１１上への正常な状態での載置を判定することができる。

（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態による加熱処理装置の構成の一例を模式的に示す図である。図８に示されるように、第２の実施形態の加熱処理装置１０では、加熱処理装置１０内に反り量情報測定部１８が設けられる。反り量情報測定部１８は、加熱対象の基板１００の反り量を測定するものであり、第１の実施形態の反り量情報測定装置３０に対応する。ここでは、加熱処理装置１０は半導体製造装置である。なお、その他の構成については、第１の実施形態と同一であるので、その説明を省略する。また、第２の実施形態による半導体製造方法としての加熱処理方法は、第１の実施形態の加熱処理方法と同一であるので、その説明も省略する。

第２の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第３の実施形態）
第１の実施形態では、基板ステージの上面の１か所で測定した温度を用いて、反りを有する基板が正しい位置に正常な状態で基板ステージ上に載置されているかの判定を行っていた。第３の実施形態では、基板ステージ上の上面の複数箇所で測定した温度を用いて、反りを有する基板が正しい位置に正常な状態で基板ステージ上に載置されているかの判定を行う場合を説明する。

第３の実施形態による加熱処理装置１０の構成は、第１の実施形態の図１で示したものと同様である。ただし、温度センサ１４の配置される位置が第１の実施形態とは異なる。図９は、第３の実施形態による加熱処理装置での温度センサの配置位置の一例を示す図である。この図に示されるように、基板ステージ１１上の複数の位置に、温度センサ１４−１〜１４−７が設けられる。例えば、この例では、基板ステージ１１の中心付近に配置される温度センサ１４−１と、周縁部に配置される４つの温度センサ１４−２〜１４−５と、温度センサ１４−１と温度センサ１４−２との間および温度センサ１４−１と温度センサ１４−４との間に配置される温度センサ１４−６，１４−７と、設けられる。

第３の実施形態では、反り量情報は、少なくとも基板ステージ１１上の温度センサ１４が配置される位置に対応する基板１００の位置での反り量が含まれる。

予測温度プロファイル算出部１６は、反り量情報中の最大反り量に基づいて予測温度プロファイルを生成し、温度変化の予測積分値を算出する。そして、予測温度プロファイル算出部１６は、算出した予測積分値を載置状態検出部１７に出力する。

載置状態検出部１７は、温度センサ１４のそれぞれの位置で、実測温度プロファイルを生成し、温度変化の実測積分値を算出する。また、載置状態検出部１７は、温度センサ１４のそれぞれの位置で、予測温度プロファイル算出部１６から取得した予測積分値と実測積分値との差分が判定閾値以上であるかを判定する。

例えば、図４（ａ）のように、基板１００の周縁部が反り上がっている場合（基板１００が下に凸の形状を有する場合）には、基板１００の中央部での反り量が小さく、基板１００の周縁部での反り量は大きくなる。したがって、基板ステージ１１の中央部付近に配置される温度センサ１４−１，１４−６，１４−７の予測される基板ステージ１１上面の加熱処理時間に対する温度変化は大きくなり、その予測積分値は、反りのない基板１００を加熱する場合と同様の値となる。一方、基板ステージ１１の周縁部に配置される温度センサ１４−２〜１４−５の予測される基板ステージ１１上面の加熱処理時間に対する温度変化は小さくなり、その予測積分値は、反りのない基板１００を加熱する場合に比して、小さくなる。

また、図４（ｂ）のように、基板１００の中央部が反り上がっている場合（基板１００が上に凸の形状を有する場合）には、基板１００の中央部での反り量が大きく、基板１００の周縁部での反り量は小さくなる。したがって、基板ステージ１１の周縁部に配置される温度センサ１４−２〜１４−５の予測される基板ステージ１１上面の加熱処理時間に対する温度変化は大きくなり、その予測積分値は、反りのない基板１００を加熱する場合と同様の値となる。一方、基板ステージ１１の中央部付近に配置される温度センサ１４−１，１４−６，１４−７の予測される基板ステージ１１上面の加熱処理時間に対する温度変化は小さくなり、その予測積分値は、反りのない基板１００を加熱する場合に比して、小さくなる。

このように、基板１００の反り量が大きい位置と小さい位置とでは、予測積分値の大きさは異なる。そこで、載置状態検出部１７は、反り量に応じて判定閾値を変化させて、判定を行う。具体的には、反り量が大きい位置では、判定閾値を下げる。例えば反り量と判定閾値とを予め対応付けておき、温度センサ１４が配置される位置での反り量に応じた判定閾値を取得することで、判定閾値を変化させることができる。

これによって、最大反り量が同じで形状が違う基板１００でも、精度よく基板１００の載置状態を判定することができる。また、基板ステージ１１に配置された温度センサ１４−１〜１４−７のすべての位置での判定結果から、正しい位置に配置されていない大まかな位置、あるいは正常な状態にない大まかな位置を特定することが可能になる。

なお、その他の構成要素については、第１の実施形態で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。また、半導体製造方法としての加熱処理方法についても、第１の実施形態で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。

なお、上記した説明では、１つの基板１００で１つの予測温度プロファイルを使用する場合を説明したが、実施形態がこれに限定されるわけではない。例えば、温度センサ１４が設けられる基板ステージ１１上の各位置での反り量に応じた予測プロファイルを生成し、予測プロファイルから温度変化の予測積分値を算出してもよい。この場合には、判定閾値を温度センサ１４の位置によって変化させなくてもよい。また、第３の実施の形態の内容を第２の実施の形態に適用してもよい。さらに、図９に示した温度センサ１４−１〜１４−７の配置位置および個数は一例であり、基板ステージ１１上の任意の位置に任意の数で温度センサ１４を配置することができる。

第３の実施形態では、基板ステージ１１上の複数の位置に温度センサ１４を配置し、各温度センサ１４の位置での温度変化の予測積分値と、実測温度プロファイルの温度変化の実測積分値と、の差が、判定閾値以上であるかを判定した。これによって、最大反り量が同じで形状が違う基板１００でも、精度よく基板１００の載置状態を判定することができる。また、基板ステージ１１に配置された温度センサ１４のすべての位置での判定結果から、正しい位置に配置されていない大まかな位置、あるいは正常な状態にない大まかな位置を特定することが可能になる。

また、例えば反り量の大きい、基板ステージ１１上の温度変化が小さい所に異物が存在するような場合でも、異物の存在を精度よく判定することができる。

なお、上記した説明では、実測温度プロファイルの実測積分値および予測温度プロファイルの予測積分値を用いて判定を行っていたが、温度プロファイルから得られる温度変化に関する変化量として、温度プロファイルの温度変化の最大値を用いてもよい。

また、基板の反り形状によって、温度プロファイルが異なる場合には、反りの形状ごとに基準温度プロファイルを用意しておくことも可能である。

図１０は、制御部のハードウェア構成の一例を示す図である。制御部２０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）５１１と、ＲＯＭ（Read Only Memory）５１２と、主記憶装置であるＲＡＭ（Random Access Memory）５１３と、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）またはＣＤ（Compact Disc）ドライブ装置などの外部記憶装置５１４と、ディスプレイ装置などの表示部５１５と、キーボードまたはマウスなどの入力部５１６と、を備えており、これらがバスライン５１７を介して接続された、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。

本実施形態の制御部２０で実行されるプログラムは、図７に示される加熱処理方法を実行するものであり、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。

また、本実施形態の制御部２０で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、本実施形態の制御部２０で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。

また、本実施形態のプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０加熱処理装置、１１基板ステージ、１２ヒータ、１３加熱制御部、１４温度センサ、１５記憶部、１６予測温度プロファイル算出部、１７載置状態検出部、１８反り量情報測定部、２０制御部、３０反り量情報測定装置、１００基板、１１１支持部。

Claims

内部にヒータを有する基板ステージと、
前記基板ステージの基板載置面の温度を計測する温度センサと、
基板の反りを示す反り量情報から前記基板を前記基板ステージに載置したときの前記基板載置面の温度の時間変化である予測温度プロファイルを算出する予測温度プロファイル算出部と、
前記基板ステージに前記基板を載置した時の実際の前記温度センサで計測される温度の時間変化である実測温度プロファイルと、前記予測温度プロファイルと、の差に基づいて、前記基板の載置状態の異常を検出する載置状態検出部と、
を備える加熱処理装置。
前記予測温度プロファイル算出部は、前記予測温度プロファイルの温度変化に関する第１変化量を算出し、
前記載置状態検出部は、前記実測温度プロファイルの温度変化に関する第２変化量を算出し、前記第１変化量と前記第２変化量との差を用いて前記基板の載置状態の異常を検出する請求項１に記載の加熱処理装置。
前記第１変化量は、前記予測温度プロファイルの温度変化の積分値であり、
前記第２変化量は、前記実測温度プロファイルの温度変化の積分値である請求項２に記載の加熱処理装置。
前記第１変化量は、前記予測温度プロファイルの温度変化の最大値であり、
前記第２変化量は、前記実測温度プロファイルの温度変化の最大値である請求項２に記載の加熱処理装置。
前記温度センサは、前記基板ステージの中央付近に設けられる請求項１から４のいずれか１つに記載の加熱処理装置。
前記温度センサは、前記基板ステージ内に複数設けられ、
前記載置状態検出部は、前記温度センサが設けられた前記基板ステージの位置毎に、前記基板の載置状態の異常の検出を行う請求項１から４のいずれか１つに記載の加熱処理装置。
基板を内部にヒータを有する基板ステージに載置したときの前記基板ステージの基板載置面の温度の時間変化である予測温度プロファイルを、前記基板の反りを示す反り量情報から算出し、
前記基板ステージに前記基板を載置した時の温度センサで計測される実際の前記基板載置面の温度の時間変化である実測温度プロファイルを生成し、
前記実測温度プロファイルと、前記予測温度プロファイルと、の差に基づいて、前記基板の載置状態の異常を検出する加熱処理方法。