TW201703114A - 熱處理裝置、熱處理中之異常檢測方法及可讀取之電腦記憶媒體 - Google Patents

Abstract

精度良好地檢測基板之熱處理中的異常。 對晶圓進行熱處理的熱處理裝置，係具 有：熱板(132)，載置晶圓(W)而進行加熱；複數個晶圓支撐構件(170)，配置為比熱板(132)的載置面(132a)更朝向上方突出；重量感測器(184)，檢測伴隨著被晶圓支撐構件(170)所支撐的晶圓(W)之載置狀態而變化的荷量；及控制部(300)，在由重量感測器(184)所檢測的荷重成為預定閾值以下時，判定為在被晶圓支撐構件(170)所支撐之晶圓的載置狀態有異常。

Description

熱處理裝置、熱處理中之異常檢測方法及可讀取之電腦記憶媒體

本發明，係關於將基板載置於熱板而進行熱處理的熱處理裝置、熱處理中之異常檢測的方法及可讀取之電腦記憶媒體。

在例如半導體元件之製造程序的光微影工程中，係依序進行例如在作為基板的半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」。)上塗佈光阻液，以形成光阻膜的光阻塗佈處理、將光阻膜曝光成預定圖案的曝光處理、在曝光後促進光阻膜內之化學反應的加熱處理(後曝光烘烤(post exposure baking))、對已曝光之光阻膜進行顯像的顯像處理等，從而在晶圓上形成預定的光阻圖案。

藉由上述光微影處理所形成的光阻圖案，係在半導體元件製造之其後的工程中，使用來作為定義加工形狀的遮罩者，且以所期望的線寬來形成是件極重要的事。而且，由於上述之後曝光烘烤中之晶圓的蓄積熱量會對光阻圖案之線寬帶來較大的影響，因此，為了在晶圓面 內將線寬設成為均勻者，在加熱處理中，均勻地加熱晶圓面內是件重要的事。

然而，因加熱處理以前之工程的影響，在晶圓發生翹曲，或異物附著於晶圓的背面、熱板上而晶圓發生滑移時，由於熱板與晶板的距離在晶圓面內會產生偏差，因此，難以均勻地加熱晶圓面內。

在此，作為檢測熱處理時之異常的方法，提出如下述之方法：算出熱板的設定溫度與熱板的表面溫度之差分的積分值，判定其積分值是否已超過預定閾值(專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2009-123816號公報

然而，熱板的表面溫度，係除了與晶圓的接觸狀態以外，受到熱板周圍的氛圍溫度或熱板周圍之氣流的影響而產生變化。因此，在專利文獻1的方法中，以所期望的精度來檢測熱處理的異常是困難的。

本發明，係有鑑於該點而進行研究者，以精度良好地檢測基板之熱處理的異常為目的。

為了達成前述的目的，而本發明，係一種對基板進行熱處理的熱處理裝置，其特徵係，具有：熱板，載置前述基板而進行加熱；複數個基板支撐構件，配置為比前述熱板的載置面更朝向上方突出；狀態量檢測機構，檢測伴隨著被支撐於前述基板支撐構件上的基板之載置狀態而變化的狀態量；及控制部，在由前述狀態量檢測機構所檢測的狀態量成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。

根據本發明，由於是藉由狀態量檢測機構來檢測被支撐於基板支撐構件上之基板的狀態量，在由狀態量檢測機構所檢測的狀態量成為預定閾值以下時，藉由控制部判定為載置狀態有異常，因此，如以往，與根據易受到外在干擾之熱板的表面溫度而進行異常檢測的情形相比，可精度良好地進行異常檢測。

前述狀態量檢測機構，係測定作用於前述基板支撐構件之荷重的重量感測器，前述控制部，係亦可在由前述重量感測器所檢測的荷重成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。

前述基板支撐構件，係亦可經由彈性構件，藉由前述重量感測器予以支撐。

在前述熱板的載置面中，係設置有複數個間隙銷，前述基板支撐構件的前端部，係亦可在未支撐前述 基板的狀態中，比前述間隙銷的上端面更朝向上方突出。

前述熱板，係予以區隔成複數個區域，且可對該毎個區域進行溫度設定，前述重量感測器，係亦可對前述各個區域設置至少1個以上。

前述狀態量檢測機構，係測定前述基板支撐構件之前端之溫度的溫度感測器，前述控制部，係亦可在由前述溫度感測器所測定的溫度成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。

前述基板支撐構件，係亦可經由彈性構件予以支撐。

在前述熱板的載置面中，係設置有複數個間隙銷，前述基板支撐構件的前端部，係亦可在未支撐前述基板的狀態中，比前述間隙銷的上端面更朝向上方突出。

前述熱板，係予以區隔成複數個區域，且可對該每個區域進行溫度設定，前述溫度感測器，係亦可對前述各個區域設置至少1個以上。

另一觀點之本發明，係一種在載置於熱板上之基板的熱處理中檢測異常的方法，其特徵係，藉由配置為比前述熱板之載置面更朝向上方突出的複數個基板支撐構件，支撐前述基板，檢測伴隨著被支撐於前述基板支撐構件的基板之載置狀態而變化的狀態量，在前述檢測到的狀態量成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。

又，根據另一觀點之本發明，提供一種可讀取之電腦記憶媒體，其係儲存有程式，該程式，係以藉由熱處理裝置來執行前述異常檢測方法的方式，在控制該熱處理裝置之控制部的電腦上動作。

根據本發明，可精度良好地檢測基板之熱處理的異常。

1‧‧‧基板處理系統

30‧‧‧顯像處理裝置

31‧‧‧下部反射防止膜形成裝置

32‧‧‧光阻塗佈裝置

33‧‧‧上部反射防止膜形成裝置

40‧‧‧熱處理裝置

41‧‧‧黏著裝置

42‧‧‧周邊曝光裝置

132‧‧‧熱板

140‧‧‧加熱器

170‧‧‧晶圓支撐構件

171‧‧‧間隙銷

181‧‧‧支撐部

182‧‧‧彈性構件

184‧‧‧重量感測器

190‧‧‧溫度感測器

W‧‧‧晶圓

[圖1]表示本實施形態之基板處理系統之構成之概略的平面圖。

[圖2]表示本實施形態之基板處理系統之構成之概略的正視圖。

[圖3]表示本實施形態之基板處理系統之構成之概略的後視圖。

[圖4]表示熱處理裝置之構成之概略之縱剖面的說明圖。

[圖5]表示熱處理裝置之構成之概略之橫剖面的說明圖。

[圖6]表示熱處理裝置之熱板之構成之概略之平面的說明圖。

[圖7]表示熱處理裝置之熱板之構成之概略之平面的 說明圖。

[圖8]表示晶圓支撐構件附近之構成之概略之縱剖面的說明圖。

[圖9]表示晶圓被載置於熱板時之晶圓支撐構件附近之狀態之縱剖面的說明圖。

[圖10]表示晶圓被載置於熱板時之狀態之縱剖面的說明圖。

[圖11]表示其他實施形態之晶圓支撐構件附近之構成之概略之縱剖面的說明圖。

以下，說明本發明之實施形態。圖1，係表示具備有本實施形態之熱處理裝置之基板處理系統1之構成之概略的說明圖。圖2及圖3，係表示基板處理系統1之內部構成之概略的正視圖及後視圖。另外，在本實施形態中，係以基板處理系統1為對晶圓W進行塗佈顯像處理之塗佈顯像處理系統的情形為例，而進行說明。又，在本說明書及圖面中，對於實質具有相同功能構成的要素，係賦予相同符號而省略重複說明。

基板處理系統1，係如圖1所示，具有一體連接的構成，其構成係包含有：匣盒站10，搬入搬出收容有複數片晶圓W的匣盒C；處理站11，具備有對晶圓W施予預定處理的複數個各種處理裝置；及介面站13，在與鄰接於處理站11的曝光裝置12之間，進行晶圓W之 收授。

在匣盒站10中，係設置有匣盒載置台20。在匣盒載置台20中，係設置有在對基板處理系統1之外部搬入搬出匣盒C時載置匣盒C的例如4個匣盒載置板21。

在匣盒站10中，係如圖1所示，設置有在延伸於X方向之搬送路徑22上移動自如的晶圓搬送裝置23。晶圓搬送裝置23，係亦沿上下方向及繞垂直軸(θ方向)移動自如，可在各匣盒載置板21上的匣盒C與後述之處理站11之第3區塊G3的收授裝置之間搬送晶圓W。

在處理站11中，係設置有具備各種裝置的複數個例如4個區塊G1、G2、G3、G4。例如在處理站11的正面側(圖1之X方向負方向側)中，係設置有第1區塊G1，在處理站11的背面側(圖1之X方向正方向側)中，係設置有第2區塊G2。又，在處理站11的匣盒站10側(圖1之Y方向負方向側)中，係設置有第3區塊G3，在處理站11的介面站13側(圖1之Y方向正方向側)中，係設置有第4區塊G4。

例如在第1區塊G1，係如圖2所示，從下方依序配置有複數個液處理裝置，例如：顯像處理裝置30，對晶圓W進行顯像處理；下部反射防止膜形成裝置31，在晶圓W之光阻膜的下層形成反射防止膜(以下稱為「下部反射防止膜」)；光阻塗佈裝置32，將光阻液塗佈於晶圓W，而形成光阻膜；及上部反射防止膜形成裝置 33，在晶圓W之光阻膜的上層形成反射防止膜(以下稱為「上部反射防止膜」)。

例如顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33，係各別並排配置3個於水平方向上。另外，該些顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33的數量或配置，係可任意選擇。

在該些顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33中，係進行例如將預定塗佈液塗佈於晶圓W上的旋轉塗佈。在旋轉塗佈中，係例如從塗佈噴嘴對晶圓W上吐出塗佈液，並且使晶圓W旋轉，從而使塗佈液擴散至晶圓W的表面。

例如在第2區塊G2，係如圖3所示，在上下方向與水平方向並排設置有：進行晶圓W之加熱或冷卻這樣的熱處理之熱處理裝置40或對晶圓W進行疏水化處理之黏著裝置41、對晶圓W之外周部進行曝光之周邊曝光裝置42。熱處理裝置40，係具有載置晶圓W而進行加熱的熱板與載置晶圓W而進行溫度調節的溫度調節板，以進行加熱處理與溫度調節處理兩者，其構成，係如後述。又，熱處理裝置40、黏著裝置41、周邊曝光裝置42的數量或配置，係可任意選擇。

例如在第3區塊G3中，係從下方依序設置有 複數個收授裝置50、51、52、53、54、55、56。又，在第4區塊G4中，係從下方依序設置有複數個收授裝置60、61、62。

如圖1所示，在第1區塊G1~第4區塊G4所包圍的區域中，係形成晶圓搬送區域D。在晶圓搬送區域D中，係例如配置有複數個具有沿Y方向、X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬送臂的晶圓搬送裝置70。晶圓搬送裝置70，係可在晶圓搬送區域D內移動，將晶圓W搬送至周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內的預定裝置。

又，在晶圓搬送區域D中，係設置有在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線地搬送晶圓W的穿梭搬送裝置80。

穿梭搬送裝置80，係例如沿Y方向直線地移動自如。穿梭搬送裝置80，係在支撐有晶圓W的狀態下，往Y方向移動，可在第3區塊G3的收授裝置52與第4區塊G4的收授裝置62之間搬送晶圓W。

如圖1所示，在第3區塊G3的X方向正方向側旁，係設置有晶圓搬送裝置100。晶圓搬送裝置100，係例如具有沿X方向、θ方向及上下方向移動自如的搬送臂。晶圓搬送裝置100，係在支撐有晶圓W的狀態下，上下地移動，可將晶圓W搬送至第3區塊G3內的各收授裝置。

在介面站13中，係設置有晶圓搬送裝置110 與收授裝置111。晶圓搬送裝置110，係例如具有沿Y方向、θ方向及上下方向移動自如的搬送臂。晶圓搬送裝置110，係例如於搬送臂支撐晶圓W，可在第4區塊G4內的各收授裝置、收授裝置111及曝光裝置12之間搬送晶圓W。

在以上的基板處理系統1中，係如圖1所示，設置有控制部300。控制部300，係例如電腦，具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部，係儲存有控制基板處理系統1中之晶圓W之處理的程式。又，在程式儲存部中，係亦儲存有用以控制上述各種處理裝置或搬送裝置等之驅動系統的動作，以實現基板處理系統1中之後述基板處理的程式。另外，前述程式，係例如記錄於電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取的記憶媒體H者，亦可為由該記憶媒體H安裝於控制部300者。

其次，說明上述之熱處理裝置40的構成。例如熱處理裝置40，係如圖4及圖5所示，在殼體120內具備有：加熱部121，加熱處理晶圓W；及冷卻部122，冷卻處理晶圓W。如圖5所示，在殼體120之冷卻部122附近的兩側面，係形成有用以搬入搬出晶圓W的搬入搬出口123。

加熱部121，係如圖4所示，具備有：蓋體130，位於上側，且上下運動自如；及熱板收容部131，位於下側，與其蓋體130成為一體而形成處理室S。

蓋體130，係具有下面呈開口的大致筒形狀。在蓋體130的上面中央部，係設置有排氣部130a。處理室S內的氛圍，係從排氣部130a予以排氣。

在熱板收容部131的中央，係設置有載置晶圓W而進行加熱的熱板132。熱板132，係具有某厚度的大致圓盤形狀，在其內部設置有加熱熱板132的加熱器140。作為加熱器140，係使用例如電熱器。關於該熱板132的構成，係如後述。

在熱板收容部131中，係設置有於厚度方向貫通熱板132的升降銷141。升降銷141，係藉由氣缸等的升降驅動部142升降自如，可突出於熱板132之上面而在與後述的冷卻板160之間進行晶圓W的收授。

熱板收容部131，係例如如圖4所示，具有：環狀之保持構件150，收容熱板132，保持熱板132的外周部；及大致筒狀之支撐環151，包圍其保持構件150的外周。

在鄰接於加熱部121的冷卻部122中，係例如設置有載置晶圓W而進行冷卻的冷卻板160。冷卻板160，係例如如圖5所示，具有大致方形的平板形狀，加熱部121側之端面彎曲成圓弧狀。在冷卻板160的內部，係內建有例如泊耳帖元件等之未圖示的冷卻構件，可將冷卻板160調整成預定的設定溫度。

冷卻板160，係例如如圖4所示，予以支撐於支撐臂161，其支撐臂161，係安裝於朝向加熱部121側 之X方向延伸的導軌162。冷卻板160，係可藉由安裝於支撐臂161的驅動機構163，在導軌162上移動。藉此，冷卻板160，係可移動至加熱部121側之熱板132的上方。

在冷卻板160中，係例如如圖5所示，形成有沿著X方向的2條狹縫164。狹縫164，係從冷卻板160之加熱部121側的端面形成直至冷卻板160的中央部附近。藉由該縫隙164，防止移動至加熱部121側之冷卻板160與熱板132上之升降銷141的干涉。如圖5所示，在位於冷卻部122內之冷卻板160的下方，係設置有升降銷165。升降銷165，係可藉由升降驅動部166進行升降。升降銷165，係可從冷卻板160的下方上升而通過縫隙164，並突出於冷卻板160的上方，在例如與從搬入搬出口123進入殼體120之內部的晶圓搬送裝置70之間進行晶圓W的收授。

其次，詳細敍述熱板132的構成。熱板132，係如圖6所示，予以區隔成複數個例如5個熱板區域R₁、R₂、R₃、R₄、R₅。熱板132，係例如予以區隔成：圓形之熱板區域R₁，從平面觀看，位於中心部；及熱板區域R₂~R₅，將其周圍4等分成圓弧狀。

在熱板132的各熱板區域R₁~R₅中，係個別地內建有加熱器140，可對各個熱板區域R₁~R₅各別地進行加熱。各熱板區域R₁~R₅之加熱器140的發熱量，係例如藉由控制部300來予以調整。控制部300，係可調整 各加熱器140的發熱量，從而將各熱板區域R₁~R₅之溫度控制為預定的設定溫度。

又，如圖7所示，在熱板132之上面的載置面132a，係分別設置有複數個作為支撐晶圓W之基板支撐構件的晶圓支撐構件170與間隙銷171。另外，在圖7中，係為了區分晶圓支撐構件170與間隙銷171，而以斜線表示晶圓支撐構件170。晶圓支撐構件170，係如圖7所示，在各熱板區域R₁~R₅分別配置1個。又，間隙銷171，係例如與熱板132以同心圓狀來進行配置。另外，各晶圓支撐構件170或間隙銷171的配置，係並非限定於本實施形態的內容者，只要可均等地支撐晶圓W，則其配置，係可任意地設定。

晶圓支撐構件170，係如圖8所示，具有：殼體180；及支撐部181，設置為在殼體180升降自如。支撐部181，係設置於殼體180的底面，且藉由彈簧等的彈性構件182來予以支撐其下面。又，在支撐部181的下面，係連接有貫通殼體180之底面而延伸的連結棒183。在連結棒183的下端，係連接有作為狀態量檢測機構的重量感測器184。亦即，晶圓支撐構件170的支撐部181，係成為經由彈性構件182而連接於重量感測器184的狀態。重量感測器184中的檢查結果，係被輸入至控制部300。

支撐部181，係用以支撐晶圓W的背面者，如圖8所示，在未支撐晶圓W的狀態中，係成為比載置 面132a及間隙銷171之上端部更朝向上方突出的狀態。又，支撐部181的前端部，係以在與晶圓W接觸時，免傷及晶圓W之背面的方式，形成為與間隙銷171相同的球面形狀。而且，當將晶圓W載置於熱板132上時，彈性構件182會因作用於支撐部181之晶圓W的荷重而向下方收縮。在此，本實施形態中之彈性構件182的彈簧常數，係被設定為例如在晶圓W被載置於熱板132上時，支撐部181因晶圓W的荷重而下壓直至支撐部181之上端部與間隙銷171之上端部的高度為一致的位置。因此，如圖9所示，支撐部181因晶圓W的荷重而下壓，晶圓W成為被晶圓支撐構件170與間隙銷171予以支撐的狀態。此時，作用於晶圓支撐構件170的荷重，係經由連結棒183被傳達至重量感測器184，藉由重量感測器來測定荷重。

本實施形態之基板處理系統1，係如上述般地予以構成。其次，說明使用基板處理系統1而進行的晶圓處理。

首先，收納有複數個晶圓W的匣盒C，係被搬入至基板處理系統1的匣盒站10，藉由晶圓搬送裝置23，匣盒C內的各晶圓W便依序被搬送至處理站11的收授裝置53。

其次，晶圓W，係藉由晶圓搬送裝置70被搬送至第2區塊G2的熱處理裝置40，進行溫度調節處理。其後，晶圓W，係藉由晶圓搬送裝置70被搬送至例如第 1區塊G1的下部反射防止膜形成裝置31，在晶圓W上形成有下部反射防止膜。其後，晶圓W，係被搬送至第2區塊G2的熱處理裝置40，進行加熱處理。

搬送至熱處理裝置40的晶圓W，係首先被載置於冷卻板160上。接著，冷卻板160會被移動至熱板132的上方。其次，升降銷141上升，冷卻板160的晶圓W會被收授至升降銷141。其後，冷卻板160從熱板132上退避，升降銷141下降，晶圓W被收授至熱板132上。

此時，例如如圖10所示，當比間隙銷171大的異物M附著於熱板132的上面或晶圓W的背面時，晶圓W，係成為傾斜地載置於熱板132上的狀態。如此一來，例如在接近異物M的晶圓支撐構件170a與遠離異物M的晶圓支撐構件170b中，係成為晶圓W所致之荷重為不同者。而且，在控制部300中，係在熱處理之際，予以常時監視作用於各重量感測器184的荷重，例如在由重量感測器184所檢測之荷重成為預定閾值以下時，判定為晶圓W的載置狀態有異常。另外，該閾值，係例如在無附著有異物M或晶圓W無翹曲的狀態下，進行將測定用之晶圓W預先載置於熱板132的預備試驗，並根據此時由重量感測器184所獲得的荷重來予以設定。

又，在控制部300中，係根據被判定為載置異常後時之各重量感測器184的荷重，對異常的原因亦進行判定。具體而言，係例如在熱板132之區域R₂之重量 感測器184的荷重為閾值以下時，判定為在熱板132的區域R₂有異物M，且晶圓W發生滑移。在區域R₃~R₅亦相同。又，在對應於中央部之區域R₁之重量感測器184的荷重為閾值以下時，判定為在熱板132的中央部有異物M，晶圓W發生滑移或晶圓W的中央部向上地彎曲成凸狀。相反地，在區域R₂~R₅之重量感測器184的荷重為閾值以下時，判定為具有複數個異物M，或晶圓W的中央部凹陷成凹狀的翹曲形狀。而且，由控制部300判定為在晶圓W的載置狀態有異常後時，中止熱處理，該晶圓，係例如被回收至匣盒C。在無異常時，亦即無異物M或翹曲或較為輕微且各重量感測器184的荷重收斂於閾值以內時，係維持原狀地繼續進行熱處理。

當進行晶圓W的熱處理預定時間時，則升降銷141上升，晶圓W會移動至熱板132的上方，並且冷卻板160移動至熱板132上，晶圓W從升降銷141被收授至冷卻板160。收授至冷卻板160的晶圓W，係例如被冷卻至常溫而從熱處理裝置40搬出。

結束熱處理裝置40中之熱處理後的晶圓W，係被搬送至光阻塗佈裝置32，而在晶圓W上形成光阻膜。其後，晶圓W，係被搬送至熱處理裝置40，進行預烘處理。另外，在隨後的熱處理中，亦與上述的加熱處理相同地判定有無載置異常。

其次，晶圓W，係被搬送至上部反射防止膜形成裝置33，而在晶圓W上形成上部反射防止膜。其 後，晶圓W，係被搬送至熱處理裝置40，進行加熱、溫度調節。其後，晶圓W，係被搬送至周邊曝光裝置42，進行周邊曝光處理。

其後，晶圓W，係被搬送至曝光裝置12，以預定圖案進行曝光處理。

其次，晶圓W，係被搬送至熱處理裝置40，進行曝光後烘烤處理。其後，晶圓W，係例如被搬送至顯像處理裝置30，進行顯像處理。顯像處理結束後，晶圓W，係被搬送至熱處理裝置40，進行後烘烤處理。其後，晶圓W，係被搬送至匣盒載置板21之匣盒C，一連串的光微影工程便完成。

根據以上的實施形態，由於是藉由重量感測器184來檢測被晶圓支撐構件170予以支撐之晶圓W的荷重，在藉由控制部300檢測到的荷重成為預先設定的閾值以下時，判定為晶圓W的載置狀態異常，因此，與以往根據易受到外在干擾之熱板132的表面溫度而進行異常檢測的情形相比，可精度良好地檢測異常。

在以上的實施形態中，雖係以比較由各區域R₁~R₅之重量感測器184檢測到的荷重之絕對值與閾值的方式，判定有無載置異常，但關於載置異常的判定方法或閾值的設定，係不限定於本實施形態的內容者，亦可例如算出各區域R₁~R₅之重量感測器184之荷重的差分，在其差分大於預定閾值時，判定為載置異常。又，亦可算出各重量感測器184之荷重的平均值，並比較該平均值與各 重量感測器184的荷重。

又，在以上的實施形態中，雖係對各個區域R₁~R₅設置有晶圓支撐構件170及重量感測器184，但晶圓支撐構件170及重量感測器184的配置或設置數，係並非限定於本實施形態的內容者，可任意設定。另外，從檢測晶圓W之翹曲或異物M所致之滑移的觀點來看，係至少以三角形狀的配置，在3部位設置有晶圓支撐構件170及重量感測器184為較佳。又，在欲提升異常檢測之精度的情況下，係只要增加晶圓支撐構件170及重量感測器184的數量即可。

另外，在以上的實施形態中，雖係在熱板132的載置面132a上設置有間隙銷171，但配置有複數個晶圓支撐構件170的結果，只要可藉由晶圓支撐構件170適切地支撐晶圓W，則並不一定需要該間隙銷171。在該情況下，晶圓支撐構件170，係只要構成為在彈性構件182因晶圓W的荷重而下壓時，支撐部181之上端比熱板132的載置面132a更朝向上方突出即可。

在以上的實施形態中，雖係經由連結棒183，以重量感測器184檢測到荷重，但重量感測器184的配置並非限定於本實施形態者，例如亦可在殼體180的底面且彈性構件182的正下方配置重量感測器184，直接測定作用於彈性構件182的荷重。

在以上的實施形態中，雖係根據作用於晶圓支撐構件170的荷重來檢測到晶圓W的載置異常，但只 要著眼於藉由晶圓W與熱板132的距離因異物M或晶圓W之翹曲而產生變動的方式，使晶圓W的溫度產生變動這一點，則例如亦可測定晶圓支撐構件170之支撐部181前端的溫度，並根據該測定溫度來檢測晶圓W的載置異常。

具體而言，係如圖11所示，在晶圓支撐構件170的支撐部181前端設置作為測定溫度之狀態量檢測機構的溫度感測器190以代替重量感測器184。另外，在圖11中，雖係描繪在支撐部181內建有溫度感測器190的狀態，但溫度感測器190，係亦可設置為露出於支撐部181的上端。又，作為溫度感測器，係使用例如熱電偶或電阻溫度檢測器。關於其他構成，係與在晶圓支撐構件170設置有重量感測器184的情形相同。

而且，在晶圓W的熱處理之際，例如如圖10所示，當在晶圓W因異物M而傾斜的狀態下被載置於熱板上時，則藉由彈性構件182的伸縮，以使支撐部181之前端接觸於晶圓W之背面的方式，支撐部181之高度方向的位置便產生變動。另外，在將溫度感測器190設置於支撐部181前端時，彈性構件182的彈簧常數或衝程，係設定為可跟隨晶圓W之翹曲或異物所致之傾斜，使支撐部181的上端與晶圓W的背面接觸。

而且，在接近異物M的位置中，係由於晶圓W與熱板132的距離變遠，因此，接近異物M的位置中之晶圓W的溫度，係低於遠離異物M的位置中之晶圓W 的溫度。如此一來，由於例如由接近異物M之晶圓支撐構件170a所測定的溫度，係低於由遠離異物M之晶圓支撐構件170b所測定的溫度，因此，在控制部300中，係在晶圓W的溫度低於預定閾值時，判定為在晶圓W的載置狀態有異常。

另外，在將溫度感測器190設置於支撐部181前端時，係亦可根據溫度感測器190的溫度測定值，個別地控制各區域R₁~R₅之熱板的溫度。亦即，在溫度感測器190中之測定值因異物M或翹曲而比預定溫度更下降時，亦可調整對應於確認到溫度下降後之區域之加熱器140的輸出，並以使溫度感測器190中之測定值成為預定溫度的方式，進行反饋控制。即便為因微小異物或翹曲而使熱處理時的溫度在晶圓W面內產生偏差的情況下，亦以使各區域R₁~R₅中之測定溫度成為均勻的方式，控制各加熱器140的輸出，藉此，能夠以均勻的溫度來對晶圓W面內進行熱處理。

以上，雖參閱附加圖面說明了本發明之適當的實施形態，但本發明並不限定於該例。只要是所屬技術領域中具有通常知識者，可在記載於申請專利範圍的思想範圍內，想到各種變形例或修正例係屬顯見，且了解到關於該等亦當然屬於本發明之技術範圍者。本發明，係不限於該例子，可採用各種態樣者。本發明，係亦可適用於基板為晶圓以外的FPD(平板顯示器)、光罩用之光柵等其他基板的情形。

[產業上之可利用性]

本發明，係於以熱板對基板進行熱處理時有用。

132‧‧‧熱板

132a‧‧‧載置面

170‧‧‧晶圓支撐構件

171‧‧‧間隙銷

180‧‧‧殼體

181‧‧‧支撐部

182‧‧‧彈性構件

183‧‧‧連結棒

184‧‧‧重量感測器

300‧‧‧控制部

W‧‧‧晶圓

Claims (11)

1. 一種熱處理裝置，係對基板進行熱處理，該熱處理裝置，其特徵係，具有：熱板，載置前述基板而進行加熱；複數個基板支撐構件，配置為比前述熱板的載置面更朝向上方突出；狀態量檢測機構，檢測伴隨著被支撐於前述基板支撐構件上的基板之載置狀態而變化的狀態量；及控制部，在由前述狀態量檢測機構所檢測的狀態量成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。
2. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中，前述狀態量檢測機構，係測定作用於前述基板支撐構件之荷重的重量感測器，前述控制部，係在由前述重量感測器所檢測的荷重成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。
3. 如申請專利範圍第2項之熱處理裝置，其中，前述基板支撐構件，係經由彈性構件，藉由前述重量感測器予以支撐。
4. 如申請專利範圍第3項之熱處理裝置，其中，在前述熱板的載置面，係設置有複數個間隙銷，前述基板支撐構件的前端部，係在未支撐前述基板的狀態中，比前述間隙銷的上端面更朝向上方突出。
5. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之熱處理裝置，其中，前述熱板，係予以區隔成複數個區域，且可對該每個區域進行溫度設定，前述重量感測器，係對前述各個區域設置至少1個以上。
6. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中，前述狀態量檢測機構，係測定前述基板支撐構件之前端之溫度的溫度感測器，前述控制部，係在由前述溫度感測器所測定的溫度成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。
7. 如申請專利範圍第6項之熱處理裝置，其中，前述基板支撐構件，係經由彈性構件予以支撐。
8. 如申請專利範圍第7項之熱處理裝置，其中，在前述熱板的載置面，係設置有複數個間隙銷，前述基板支撐構件的前端部，係在未支撐前述基板的狀態中，比前述間隙銷的上端面更朝向上方突出。
9. 如申請專利範圍第6~8項中任一項之熱處理裝置，其中，前述熱板，係予以區隔成複數個區域，且可對該每個區域進行溫度設定，前述溫度感測器，係對前述各個區域設置至少1個以上。
10. 一種異常檢測方法，係在載置於熱板上之基板的熱處理中檢測異常的方法，其特徵係，藉由配置為比前述熱板之載置面更朝向上方突出的複數個基板支撐構件，支撐前述基板，檢測伴隨著被支撐於前述基板支撐構件的基板之載置狀態而變化的狀態量，在前述檢測到的狀態量成為預定閾值以下時，判定為在被支撐於前述基板支撐構件上之基板的載置狀態有異常。
11. 一種可讀取之電腦記憶媒體，係儲存有程式，該程式，係以藉由熱處理裝置來執行如申請專利範圍第10項之異常檢測方法的方式，在控制該熱處理裝置之控制部的電腦上動作。