JP2014045105A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板保持具から基板を回収する際に、基板と搬送手段とが接触するのを防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一枚の基板2が収納された基板収納容器3と、基板を保持する基板保持具7と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段17と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整する。
【選択図】図2
【解決手段】少なくとも一枚の基板2が収納された基板収納容器3と、基板を保持する基板保持具7と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段17と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整する。
【選択図】図2
Description
本発明は、ウェーハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
基板を処理する処理装置として、縦型の処理炉と、所定数の被処理基板(以下ウェーハと称す)を水平姿勢で多段に保持する基板保持具であるボートと、該ボートにウェーハを移載する基板移載機とを具備し、前記ボートにウェーハを保持した状態で前記処理炉にてウェーハを処理するバッチ式の基板処理装置がある。
従来では、前記処理炉にてウェーハを処理し、前記処理炉から前記ボートを搬出した後に、該ボートから前記基板移載機が予め設定された移載開始位置よりウェーハを回収する様になっている。
然し乍ら、従来の基板処理装置の場合、前記ボートからウェーハを回収する際に、前記基板移載機の移載開始位置が常に一定であった為、ウェーハが処理炉内での処理により凸形状或は凹形状に変形した場合にウェーハと前記基板移載機とが回収時に接触し、ウェーハを回収することができず、又ウェーハと前記基板移載機とが接触し衝突することで、パーティクルの発生や前記ボートの転倒等の搬送事故を招く虞れがあった。
本発明は斯かる実情に鑑み、基板保持具から基板を回収する際に、基板と搬送手段とが接触するのを防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
本発明は、少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整する基板処理装置に係るものである。
又本発明は、複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板を処理する処理工程と、前記基板保持具を前記処理炉内から取出して基板を回収する回収工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記回収工程では記憶部に予め入力された基板の基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収する半導体装置の製造方法に係るものである。
本発明によれば、少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整するので、基板回収時に基板と前記搬送手段とが接触することがなく、基板を確実に回収できると共に、基板と前記搬送手段との接触に伴う搬送事故を防止することができる。
又本発明によれば、複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板を処理する処理工程と、前記基板保持具を前記処理炉内から取出して基板を回収する回収工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記回収工程では記憶部に予め入力された基板の基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収するので、基板を確実に回収でき、又基板の変形に伴う基板回収時の搬送事故を防止することができるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
先ず、図1、図2に於いて、本発明の実施例に係る基板処理装置1について説明する。
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やCVD処理等を行う縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。
シリコン等からなるウェーハ2等の基板を収納した密閉式の基板収納容器(FOUP)(以下カセット3)を、外部から筐体4内へ搬入する為、及びその逆に該筐体4内から外部へ搬出する為のI/Oステージ(基板収納容器授受部)5が前記筐体4の前面に設けられ、該筐体4内には搬入された前記カセット3を保管する為のカセット棚(保管手段)6が設けられている。
又、前記筐体4の内部には、ウェーハ2の搬送エリアであり、ボート(基板保持具)7のローディング、アンローディング空間となる気密室8が設けられている。前記ボート7には、上下方向に所定のピッチで保持部であるスロット10(図5参照)が設けられ、該スロット10に複数のウェーハ2が水平多段に保持される。
ウェーハ2に処理を行う時の前記気密室8の内部は、ウェーハ2の自然酸化膜を防止する為にN2 ガス等の不活性ガスが充満される様になっている。
前記カセット3としては、現在FOUPというタイプが主流で使用されており、前記カセット3の一側面に設けられた開口部を蓋体(図示せず)で塞ぐことで大気からウェーハ2を隔離して搬送でき、前記蓋体を取外すことで前記カセット3内へウェーハ2を入出させることができる。前記カセット3の蓋体を取外し、該カセット3内と前記気密室8とを連通させる為に、該気密室8の前面側には、カセット載置ステージ(基板収納容器載置手段)9,11が複数組(図示では上下に2組)設けられ、前記気密室8の前記カセット載置ステージ9,11対峙部分にはそれぞれカセットオープナ12,13(開閉手段)が設けられている。該カセットオープナ12,13は独立して駆動可能となっており、前記カセット載置ステージ9,11に載置された前記カセット3を個別に開閉可能となっている。
前記カセット載置ステージ9,11、前記カセット棚6、及び前記I/Oステージ5間の前記カセット3の搬送は、カセット搬送機14によって行われる。該カセット搬送機14による前記カセット3の搬送空間15には、前記筐体4に設けられたクリーンユニット(図示せず)によって清浄化した空気をフローさせる様にしている。
前記気密室8の内部には、前記ボート7と、ウェーハ2のノッチ(又はオリエンテーションフラット)の位置を任意の位置に合せる基板位置合せ装置16が設けられ、又前記カセット載置ステージ9,11上の前記カセット3と前記基板位置合せ装置16と前記ボート7との間で、ツイーザ20によりウェーハ2の搬送を行うウェーハ移載機(搬送手段)17が1組設けられている。又、前記気密室8の上部にはウェーハ2を処理する為の処理炉18が設けられており、該処理炉18の下端開口部である炉口は炉口ゲートバルブ19によって開閉される。該炉口ゲートバルブ19が開状態で、前記ボート7はボートエレベータ(昇降手段)21によって前記処理炉18へローディング、又は該処理炉18からアンローディングされ、前記ボート7へのウェーハ2移載時には前記炉口ゲートバルブ19が閉じられる様になっている。
又、前記基板処理装置1は、前記カセット搬送機14、前記ウェーハ移載機17、ボートエレベータ21等の駆動を制御する制御装置23を有している。以下、図3を参照して該制御装置23について説明する。
該制御装置23は、主にCPU等の演算制御部24と、予測手段としての変形予測部25と、搬送制御手段としての搬送制御部26と、メモリやHDD等からなる記憶部27と、マウスやキーボード等の操作部28及びモニタ等の表示部29とから構成されている。
前記変形予測部25は、後述する各種プログラムの演算結果に基づき、前記処理炉18により所定の処理がなされた後の、ウェーハ2の変形の状態を予測する機能を有している。
前記搬送制御部26は、図示しない駆動モータを介して前記カセット搬送機14、前記ウェーハ移載機17、前記ボートエレベータ21等の搬送機構の駆動を制御する機能を有しており、前記変形予測部25による予測結果に基づき前記ボート7よりウェーハ2を回収する際の前記ツイーザ20の移載開始位置(搬送開始の高さ方向の位置)を調整する様になっている。
前記記憶部27には、各種データ等が格納されるデータ格納領域32と、各種プログラムが格納されるプログラム格納領域33が形成されている。前記データ格納領域32は、基板処理を行う際のウェーハ2の厚みや径、処理温度、ウェーハ2の表面と裏面のどちらの面が処理されるか(以下、処理される面を処理面とする)等の基板情報(キャリア情報)が格納される基板情報格納エリア34と、前記ボート7よりウェーハ2を回収する際の前記ツイーザ20の移載開始位置を制御する為の情報が格納される移載開始位置情報格納エリア35とを有している。該移載開始位置情報格納エリア35には、例えば通常の移載開始位置である基準移載開始位置の情報、該基準移載開始位置から上方向に変位した上移載開始位置と、前記基準移載開始位置から下方向に変位した下移載開始位置の情報が格納されている。
又、前記プログラム格納領域33には、基板処理に必要な各種プログラムが格納されている。例えば基板情報に基づいてウェーハ2の変形の有無を予測する為の変形有無予測プログラム36と、処理内容に対応しウェーハ2が上向きに変形しているか下向きに変形しているかを予測する、即ちウェーハ2が凸形状であるか凹形状であるかを予測する為の変形形状予測プログラム37と、該変形形状予測プログラム37により予測されたウェーハ2の形状に基づき、移載開始位置を基準移載開始位置、上移載開始位置、下移載開始位置の中から選択する為の開始位置選択プログラム38と、ウェーハ2がどの程度変形しているかを予測する為の変形量予測プログラム39と、該変形量予測プログラム39による予測されたウェーハ2の変形量を基に前記開始位置選択プログラム38により選択された移載開始位置を上下方向に調整し、前記ツイーザ20の移載開始位置を決定する為の移載開始位置決定プログラム41とが格納されている。
基板処理は以下の手順で行われる。
基板処理が開始されると、先ずAGV(Automated Guided Vehicle)やOHT(Overhead Hoist Transport)等の外部搬送装置により前記筐体4の外部から搬送された前記カセット3は、前記I/Oステージ5に載置される。該I/Oステージ5に載置された前記カセット3は、前記カセット搬送機14によって直接前記カセット載置ステージ9,11上に搬送されるか、又は一旦前記カセット棚6にストックされた後に前記カセット載置ステージ9,11上に搬送される。
尚、ウェーハ2は基板処理時に厚みや径、処理温度、処理面等の種々の条件により変形することがあり、本実施例では前記カセット3が前記筐体4内に搬入される段階で、前記搬送制御部26が前記変形予測部25に前記基板情報格納エリア34から基板情報を取得させ、該基板情報を基に前記変形予測部25が処理後のウェーハ2の状態を予測する基板変形予測処理を行っている。
以下、図4のフローチャートを参照して、基板変形予測処理について説明する。尚、本実施例に於いては、前記操作部28を介してウェーハ2の厚みや径、処理温度、処理面等の各種情報が、予め基板情報として前記データ格納領域32の前記基板情報格納エリア34に格納されると共に、基準移載開始位置、上移載開始位置、下移載開始位置の情報が予め前記移載開始位置情報格納エリア35に格納されている。
STEP:01 基板変形予測処理が開始されると、先ず前記変形有無予測プログラム36が起動される。該変形有無予測プログラム36が起動されることで、前記基板情報格納エリア34に格納された前記基板情報を基に、前記変形予測部25により前記スロット10に保持されたウェーハ2が変形しているかどうかが予測される。
STEP:02 STEP:01にてウェーハ2が変形していると予測された場合には、次に前記変形形状予測プログラム37が起動され、前記基板情報を基に、前記変形予測部25によりウェーハ2が凸状、即ち上向きに変形しているか、ウェーハ2が凹状、即ち下向きに変形しているかどうかが予測される。
STEP:03 STEP:02にてウェーハ2が上向きに変形していると予測されると、前記開始位置選択プログラム38が起動され、前記変形予測部25により前記ツイーザ20の移載開始位置として、上移載開始位置が選択される。
STEP:04 上移載開始位置が前記ツイーザ20の移載開始位置として選択されると、次に前記変形量予測プログラム39が起動され、前記基板情報を基に、前記変形予測部25によりウェーハ2の変形量、即ち何mm程度凸状に反っているかが予測される。
STEP:05 又、STEP:02にてウェーハ2が下向きに変形していると予測されると、前記開始位置選択プログラム38が起動され、前記変形予測部25により前記ツイーザ20の移載開始位置として、下移載開始位置が選択される。
STEP:06 下移載開始位置が前記ツイーザ20の移載開始位置として選択されると、次に前記変形量予測プログラム39が起動され、前記基板情報を基に、前記変形予測部25によりウェーハ2の変形量、即ち何mm程度凹状に反っているかが予測される。
STEP:07 又、STEP:01にてウェーハ2に変形がないと予測された場合には、前記開始位置選択プログラム38が起動され、前記変形予測部25により前記ツイーザ20の移載開始位置として、基準移載開始位置が選択される。
STEP:08 最後に、前記移載開始位置決定プログラム41が起動され、前記開始位置選択プログラム38により選択された前記ツイーザ20の移載開始位置が、前記変形量予測プログラム39によって予測されたウェーハ2の変形量を基に上下方向に調整される。調整結果を基に前記変形予測部25により前記ツイーザ20の移載開始位置が決定され(図5(B)(C)参照)、ウェーハ2の変形予測処理が終了する。尚、STEP:01にてウェーハ2に変形がないと予測され、STEP:07にて基準移載開始位置が選択された場合には、基準移載開始位置をそのまま前記ツイーザ20の移載開始位置とされ(図5(A)参照)、ウェーハ2の変形予測処理を終了する。
変形予測処理を終了した後、前記カセット載置ステージ9,11上に搬送された前記カセット3が、前記カセットオープナ12,13によって蓋体が取外され、前記カセット3の内部雰囲気が前記気密室8の雰囲気と連通される。
次に、前記ウェーハ移載機17によって、前記気密室8の雰囲気と連通した状態の前記カセット3内からウェーハ2を取出す。取出されたウェーハ2は、前記基板位置合せ装置16によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合せが行われ、位置合せ後に前記ツイーザ20を介して前記ボート7へと移載される。
該ボート7へウェーハ2が移載された後、前記処理炉18の前記炉口ゲートバルブ19を開放し、前記ボートエレベータ21によりウェーハ2を保持した前記ボート7を前記処理炉18内にローディングする。
前記処理炉18によりウェーハ2が所定の処理温度に加熱され、処理ガスが導入されてウェーハ2に所要の処理がなされる。処理後は上述の逆の手順で、前記ボートエレベータ21により前記ボート7を前記処理炉18からアンローディングし、前記ツイーザ20を介して処理済みのウェーハ2を前記ボート7から前記カセット3へと回収する。
この時、前記ウェーハ移載機17は上述した変形予測処理の予測結果に基づいて前記搬送制御部26によって制御され、ウェーハ2を回収する前記ツイーザ20の移載開始位置は上下方向に調整されることで、前記ツイーザ20とウェーハ2とが接触しない様になっている。
尚、前記処理炉18内の上下方向の温度分布により、ウェーハ2に対する処理条件が前記スロット10毎に異なる可能性がある為、変形予測処理は、前記スロット10の数だけ繰返し行われる様になっており、前記搬送制御部26は各スロット10毎の予測結果に応じて前記ウェーハ移載機17を制御し、処理済みウェーハ2を回収する。尚、前記処理炉18内でのウェーハ2に対する処理条件の相違が無視できる場合には、代表的な1枚のウェーハ2に対してのみ変形予測処理を行う様にしてもよい。
前記カセット3にウェーハ2が回収された後は、前記カセット搬送機14により前記カセット載置ステージ9,11から前記I/Oステージ5を介して前記筐体4の外部へと払出され、基板処理が終了する。
上述の様に、本実施例では、前記ボート7から処理済みのウェーハ2を前記カセット3に回収する際に、予め入力されたウェーハ2の厚みや径、処理温度、処理面等の基板情報を基に処理済みウェーハ2の状態を予測し、予測結果に応じて前記ツイーザ20の移載開始位置を自動的に変更する様にしているので、ウェーハ2を確実に回収できると共に、ウェーハ2を回収する際にウェーハ2と前記ツイーザ20との接触及び衝突を防止でき、接触によるパーティクルの発生や衝突による前記ボート7の転倒等の搬送事故を防止することができる。
尚、本実施例では、ウェーハ2に変形がある場合には前記開始位置選択プログラム38の指示により、前記変形予測部25が上移載開始位置と下移載開始位置のいずれか一方を選択する様にしているが、予め上移載開始位置及び下移載開始位置をそれぞれ複数パターン前記移載開始位置情報格納エリア35に格納しておき、ウェーハ2の変形量に応じて前記変形予測部25が複数パターンの上移載開始位置及び下移載開始位置の中から適切な移載開始位置を選択する様にしてもよい。
又、本実施例では、基板情報や移載開始位置情報を前記操作部28を介して前記データ格納領域32に直接入力しているが、基板情報や移載開始位置情報を記憶したPC等の統括制御装置に前記基板処理装置1をLAN等の通信手段を介して接続し、変形予測処理時に前記統括制御装置より基板情報や移載開始位置情報をダウンロードする様にしてもよい。
尚、本実施例の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなくLCD装置の様なガラス基板を処理する装置であっても適用可能である。
又、本実施例に適用される基板処理装置を用いた成膜処理には、例えばCVD、ALD、酸化膜、窒化膜を形成する処理や、金属を含む膜を形成する処理等を含み、更に露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用した処理装置に対しても適用可能であることは言う迄もない。
(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(付記1)少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板処理装置。
(付記2)複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板処理した後、前記基板保持具を前記処理炉内から搬出して基板を回収する基板回収方法であって、基板の基板情報に基づき処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収することを特徴とする基板回収方法。
(付記3)前記搬送制御手段は、前記基板収納容器が前記基板処理装置内に搬入される段階で、前記基板情報を取得する付記1の基板処理装置。
(付記4)前記基板情報は、基板の厚みと、基板の処理温度と、基板の処理面である付記1又は付記3の基板処理装置。
(付記5)前記予測手段は、前記基板情報に基づいて基板の変形の形状及び/又は変形量の内少なくとも一つの状態を予測する付記1又は付記3又は付記4の基板処理装置。
(付記6)前記基板保持具は、基板を保持する保持部が所定数設けられ、前記搬送制御手段は前記予測手段による予測を前記保持部の数だけ繰返して行わせる付記1又は付記3〜付記5の基板処理装置。
(付記7)前記搬送制御手段は、予測結果が変形なしであれば、基準移載開始位置を基板の移載開始位置として設定し、予測結果が変形有りであれば予測結果に基づいて移載開始位置を前記保持部毎に調整しつつ、該保持部毎に基板の搬送を繰返し行う様前記搬送手段を制御する付記6の基板処理装置。
(付記8)前記予測結果が変形有りの場合、前記搬送制御手段は前記予測手段による変形の形状の予測に従い、前記移載開始位置が前記基準移載開始位置よりも上か下かを選択し、前記予測手段による変形量の予測に従い、前記移載開始位置の調整を行う付記7の基板処理装置。
(付記9)前記搬送制御手段は、予測結果が変形なしであれば、基準移載開始位置を基板の移載開始位置として設定し、予測結果が変形有りであれば、予測結果に応じて前記移載開始位置を前記保持部毎に調整し、該保持部の数だけ繰返し前記搬送手段に基板の搬送を行わせる付記6の基板処理装置。
(付記10)予め記憶部に入力された基板情報に基づいて変形予測手段に基板の変形の有無を予測させ、変形のある基板の変形の形状を予測させ、基板の変形量を予測させ、基板の形状及び変形量に基づき基板を回収する際の移載開始位置を決定させることを特徴とする基板変形予測プログラム。
(付記11)搬送手段が少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する搬送工程と、前記搬送手段が処理炉より搬出された前記基板保持具から前記基板収納容器に基板を回収する回収工程と、基板情報に基づき処理後の基板の変形量を予測する予測工程とを有し、前記回収工程では基板の変形量に基づいて搬送制御手段が前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板移載方法。
(付記12)搬送手段が少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する搬送工程と、前記搬送手段が処理炉より搬出された前記基板保持具から前記基板収納容器に基板を回収する回収工程と、基板情報に基づき処理後の基板の変形量を予測する予測工程とを有し、前記回収工程では基板の変形量に基づいて搬送制御手段が前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記13)少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へと搬送する搬送手段と、基板の基板情報を取得し該基板情報に基づいて処理後の変形量を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の変形量に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板処理装置。
1 基板処理装置
2 ウェーハ
3 カセット
7 ボート
17 ウェーハ移載機
18 処理炉
20 ツイーザ
23 制御装置
24 演算制御部
25 変形予測部
26 搬送制御部
27 記憶部
2 ウェーハ
3 カセット
7 ボート
17 ウェーハ移載機
18 処理炉
20 ツイーザ
23 制御装置
24 演算制御部
25 変形予測部
26 搬送制御部
27 記憶部
Claims (2)
- 少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板処理装置。
- 複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板を処理する処理工程と、前記基板保持具を前記処理炉内から取出して基板を回収する回収工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記回収工程では記憶部に予め入力された基板の基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2012187216A Pending JP2014045105A (ja) | 2012-08-28 | 2012-08-28 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2014045105A (ja) |
-
2012
- 2012-08-28 JP JP2012187216A patent/JP2014045105A/ja active Pending
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