JP2994321B2 - 製造工程の生産管理システム - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Control By Computers (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
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- General Factory Administration (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程等において、製造物の特性が最良となるように、各工
程の製造装置の組み合わせを決定する製造工程の生産管
理システムに関する。
程等において、製造物の特性が最良となるように、各工
程の製造装置の組み合わせを決定する製造工程の生産管
理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の生産管理システムが、特
開平７−１７８６５４に開示されている。この従来技術
においては、コンピュータを使用して生産情報を管理す
るという方法が採用されている。図９はこの公知文献に
記載された生産管理システムを示すブロック図である。
この従来技術においては、製造プロセス工程に設けた測
定検査装置２ａ〜２ｎ及び読取判別装置３ａ〜３ｎによ
り、プロセス製造物８の検査が行われ、得られた検査デ
ータがプロセス製造物８の管理番号に対応して検査デー
タ記憶手段に格納され、この記憶手段から検査データ及
び管理番号データが読み出され、測定データとしてホス
トコンピュータ１に伝送されて、外部記憶装置４に格納
され、監視端末装置５の指令により、測定データに基づ
いて、工程での製造の進捗情報及び製品の品質情報を含
む管理情報が作成され、管理情報が監視端末装置５に取
り込まれてモニタ５ａに表示され、製造プロセス工程の
監視と生産管理とが行われるようになっている。
開平７−１７８６５４に開示されている。この従来技術
においては、コンピュータを使用して生産情報を管理す
るという方法が採用されている。図９はこの公知文献に
記載された生産管理システムを示すブロック図である。
この従来技術においては、製造プロセス工程に設けた測
定検査装置２ａ〜２ｎ及び読取判別装置３ａ〜３ｎによ
り、プロセス製造物８の検査が行われ、得られた検査デ
ータがプロセス製造物８の管理番号に対応して検査デー
タ記憶手段に格納され、この記憶手段から検査データ及
び管理番号データが読み出され、測定データとしてホス
トコンピュータ１に伝送されて、外部記憶装置４に格納
され、監視端末装置５の指令により、測定データに基づ
いて、工程での製造の進捗情報及び製品の品質情報を含
む管理情報が作成され、管理情報が監視端末装置５に取
り込まれてモニタ５ａに表示され、製造プロセス工程の
監視と生産管理とが行われるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来方法は、抽出された検査データが生産管理にのみ用い
られているため、製造物の品質向上に関し、十分とはい
えない。例えば、半導体装置の製造工程においては、半
導体ウェハは複数の成膜機のうちの何れかにより成膜さ
れ、その後、複数の研磨機のうちの何れかにより、前の
工程で成膜された層間絶縁膜の表面が研磨される。
来方法は、抽出された検査データが生産管理にのみ用い
られているため、製造物の品質向上に関し、十分とはい
えない。例えば、半導体装置の製造工程においては、半
導体ウェハは複数の成膜機のうちの何れかにより成膜さ
れ、その後、複数の研磨機のうちの何れかにより、前の
工程で成膜された層間絶縁膜の表面が研磨される。
【０００４】このような構成において、成膜工程及び研
磨工程は複数の装置を有しているが、各装置における成
膜又は研磨量は毎回の作業毎にバラツキをもち、かつ、
そのバラツキも装置毎に異なる分布を有している。この
とき、成膜工程と研磨工程の各装置の組み合わせにより
研磨後の膜厚のバラツキは、各装置毎のバラツキ量の総
和となる。
磨工程は複数の装置を有しているが、各装置における成
膜又は研磨量は毎回の作業毎にバラツキをもち、かつ、
そのバラツキも装置毎に異なる分布を有している。この
とき、成膜工程と研磨工程の各装置の組み合わせにより
研磨後の膜厚のバラツキは、各装置毎のバラツキ量の総
和となる。
【０００５】この研磨後の膜厚のバラツキは、半導体製
品の品質及び歩留まりを低下させる要因となり得るた
め、半導体製品の品質向上及び歩留向上のためには、こ
の膜厚のバラツキを低減させることが要望されている。
品の品質及び歩留まりを低下させる要因となり得るた
め、半導体製品の品質向上及び歩留向上のためには、こ
の膜厚のバラツキを低減させることが要望されている。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、各工程において、複数の装置を有する場合
に、得られた製品の膜厚のバラツキを低減し、品質及び
歩留を向上させることができる製造工程の生産管理シス
テムを提供することを目的とする。
のであって、各工程において、複数の装置を有する場合
に、得られた製品の膜厚のバラツキを低減し、品質及び
歩留を向上させることができる製造工程の生産管理シス
テムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る製造工程の
生産管理システムは、製造工程における各加工工程につ
いて複数設けられた加工装置と、前記各加工工程での出
来栄えを検査・測定する検査装置と、各装置間の製品移
動を行う搬送手段と、前記製造工程を管理するホストコ
ンピュータと、前記製造工程からの情報を記憶する外部
記憶装置とを有し、前記外部記憶装置は複数の加工工程
における加工のでき栄えを最適とする組み合わせ情報、
及び生産される製品の各検査工程での検査・測定結果情
報を記憶しており、前記ホストコンピュータは前記外部
記憶装置の情報に基づき前記加工工程における加工装置
と次加工工程における加工装置の組み合わせを決定する
ことを特徴とする。
生産管理システムは、製造工程における各加工工程につ
いて複数設けられた加工装置と、前記各加工工程での出
来栄えを検査・測定する検査装置と、各装置間の製品移
動を行う搬送手段と、前記製造工程を管理するホストコ
ンピュータと、前記製造工程からの情報を記憶する外部
記憶装置とを有し、前記外部記憶装置は複数の加工工程
における加工のでき栄えを最適とする組み合わせ情報、
及び生産される製品の各検査工程での検査・測定結果情
報を記憶しており、前記ホストコンピュータは前記外部
記憶装置の情報に基づき前記加工工程における加工装置
と次加工工程における加工装置の組み合わせを決定する
ことを特徴とする。
【０００８】この製造工程の生産管理システムにおい
て、前記各加工工程は、搬送手段と、複数の加工装置と
を有し、前記各検査工程は、搬送手段と、複数の検査測
定器とを有することができる。なお、本発明は半導体装
置の層間絶縁膜の成膜工程及び研磨工程に適用すること
ができる。
て、前記各加工工程は、搬送手段と、複数の加工装置と
を有し、前記各検査工程は、搬送手段と、複数の検査測
定器とを有することができる。なお、本発明は半導体装
置の層間絶縁膜の成膜工程及び研磨工程に適用すること
ができる。
【０００９】本発明においては、製造工程において、複
数の工程の相互作用が製造物の特性を決定し、かつ、こ
の特性決定工程が複数の製造装置を有する場合、生産管
理システムが各々の製造装置での出来映え情報に基づ
き、製造物の特性が最良となるように、各々の工程の製
造装置の組合せを決定する。これにより、本発明におい
ては、高品質の製品を製造することが可能になる。
数の工程の相互作用が製造物の特性を決定し、かつ、こ
の特性決定工程が複数の製造装置を有する場合、生産管
理システムが各々の製造装置での出来映え情報に基づ
き、製造物の特性が最良となるように、各々の工程の製
造装置の組合せを決定する。これにより、本発明におい
ては、高品質の製品を製造することが可能になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明
の実施例に係る製造工程の生産管理システムを示すブロ
ック図である。本実施例による生産管理システムにおい
ては、半導体ウエハ等の製品に対し、加工工程Ａにて複
数の加工設備Ａ１，Ａ２，Ａ３・・・のいずれかにより
加工を行い、次の検査工程Ｂにて複数の検査機Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３・・・のいずれかの検査機により検査を行い、
更にその次の加工工程Ｃにて、複数の加工設備Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３・・・のいずれかにより加工を行い、更にその
後の検査工程Ｄにて検査機Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３・・・によ
り検査を行うようになっている。例えば、加工工程Ａに
おいては、層間絶縁膜を形成し、加工工程Ｃにおいて
は、その研磨を行う。また、検査工程Ｂ、Ｄにおいて
は、各加工工程でのでき栄えを検査し、測定する。ま
た、各加工工程Ａ、Ｃ及び検査工程Ｂ、Ｄには、加工設
備及び検査機等の複数の装置間の製品の移動を行う搬送
手段Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が設けられている。更に、
生産管理システムにおいては、製造工程を管理するホス
トコンピュータＨＣ及び製造工程からの情報を記憶する
外部記憶装置Ｍが設けられている。
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明
の実施例に係る製造工程の生産管理システムを示すブロ
ック図である。本実施例による生産管理システムにおい
ては、半導体ウエハ等の製品に対し、加工工程Ａにて複
数の加工設備Ａ１，Ａ２，Ａ３・・・のいずれかにより
加工を行い、次の検査工程Ｂにて複数の検査機Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３・・・のいずれかの検査機により検査を行い、
更にその次の加工工程Ｃにて、複数の加工設備Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３・・・のいずれかにより加工を行い、更にその
後の検査工程Ｄにて検査機Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３・・・によ
り検査を行うようになっている。例えば、加工工程Ａに
おいては、層間絶縁膜を形成し、加工工程Ｃにおいて
は、その研磨を行う。また、検査工程Ｂ、Ｄにおいて
は、各加工工程でのでき栄えを検査し、測定する。ま
た、各加工工程Ａ、Ｃ及び検査工程Ｂ、Ｄには、加工設
備及び検査機等の複数の装置間の製品の移動を行う搬送
手段Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が設けられている。更に、
生産管理システムにおいては、製造工程を管理するホス
トコンピュータＨＣ及び製造工程からの情報を記憶する
外部記憶装置Ｍが設けられている。
【００１１】本実施例においては、外部記憶装置Ｍは前
述の複数工程における製品の出来栄えを最適とする組み
合わせ情報、及び生産される製品の各工程での検査・測
定結果情報を記憶している。また、ホストコンピュータ
ＨＣは、外部記憶装置Ｍに記憶された情報を基に、各装
置間の製品の搬送を行う搬送手段Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ
４を制御し、製造物の特性が最良となるように、各工程
の製造装置の組合せを決定する。
述の複数工程における製品の出来栄えを最適とする組み
合わせ情報、及び生産される製品の各工程での検査・測
定結果情報を記憶している。また、ホストコンピュータ
ＨＣは、外部記憶装置Ｍに記憶された情報を基に、各装
置間の製品の搬送を行う搬送手段Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ
４を制御し、製造物の特性が最良となるように、各工程
の製造装置の組合せを決定する。
【００１２】図２（ａ）、（ｂ）は、本発明を半導体装
置の層間絶縁膜の形成工程に適用した実施例を示す断面
図である図２（ａ）に示すように、半導体基板１上に
は、ゲート電極２が形成されており、更にこのゲート電
極２の上に層間絶縁膜３が形成されている。このとき、
層間絶縁膜３上には、ゲート電極の形に沿って段差が生
じており、この段差は、半導体装置の製造過程において
品質を低下させる要因となる。このため、図２（ｂ）に
示す次の工程にて、層間絶縁膜３の表面を研磨し、段差
を低減して表面を平坦にし、平坦な層間絶縁膜４を得
る。従って、図１の加工工程Ａが層間絶縁膜３の形成工
程であり、加工工程Ｃが層間絶縁膜３の研磨工程であ
る。
置の層間絶縁膜の形成工程に適用した実施例を示す断面
図である図２（ａ）に示すように、半導体基板１上に
は、ゲート電極２が形成されており、更にこのゲート電
極２の上に層間絶縁膜３が形成されている。このとき、
層間絶縁膜３上には、ゲート電極の形に沿って段差が生
じており、この段差は、半導体装置の製造過程において
品質を低下させる要因となる。このため、図２（ｂ）に
示す次の工程にて、層間絶縁膜３の表面を研磨し、段差
を低減して表面を平坦にし、平坦な層間絶縁膜４を得
る。従って、図１の加工工程Ａが層間絶縁膜３の形成工
程であり、加工工程Ｃが層間絶縁膜３の研磨工程であ
る。
【００１３】この層間絶縁膜の製造工程において、半導
体ウェハはゲート電極２上に層間絶縁膜３を成膜するた
めに、搬送機（搬送手段Ｃ１）により成膜工程（加工工
程Ａ）に搬送され、成膜機（加工設備Ａ１、Ａ２、Ａ
３，・・・）の何れかの装置により成膜が行われ、その
後、搬送機（搬送手段Ｃ２）により膜厚測定工程（検査
工程Ｂ）に搬送され、成膜工程Ａにより成膜された層間
絶縁膜の膜厚ｄ１（図２（ａ）参照）が測定され、その
後、搬送機（搬送手段Ｃ３）により研磨工程（加工工程
Ｃ）に搬送され、研磨機（加工設備Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、
・・・）の何れかにより、前の工程で成膜された層間絶
縁膜３の表面が研磨され、その後、搬送機（搬送手段Ｃ
４）により膜厚測定工程（検査工程Ｄ）に搬送され、表
面研磨後の層間絶縁膜の膜厚ｄ２が測定される。このと
き、研磨工程Ｃでの研磨量ｄ３は（初期膜厚ｄ１）−
（研磨後膜厚ｄ２）で表される。
体ウェハはゲート電極２上に層間絶縁膜３を成膜するた
めに、搬送機（搬送手段Ｃ１）により成膜工程（加工工
程Ａ）に搬送され、成膜機（加工設備Ａ１、Ａ２、Ａ
３，・・・）の何れかの装置により成膜が行われ、その
後、搬送機（搬送手段Ｃ２）により膜厚測定工程（検査
工程Ｂ）に搬送され、成膜工程Ａにより成膜された層間
絶縁膜の膜厚ｄ１（図２（ａ）参照）が測定され、その
後、搬送機（搬送手段Ｃ３）により研磨工程（加工工程
Ｃ）に搬送され、研磨機（加工設備Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、
・・・）の何れかにより、前の工程で成膜された層間絶
縁膜３の表面が研磨され、その後、搬送機（搬送手段Ｃ
４）により膜厚測定工程（検査工程Ｄ）に搬送され、表
面研磨後の層間絶縁膜の膜厚ｄ２が測定される。このと
き、研磨工程Ｃでの研磨量ｄ３は（初期膜厚ｄ１）−
（研磨後膜厚ｄ２）で表される。
【００１４】次に、図３乃至図６を使用して、この工程
により生じる研磨後の膜厚バラツキについて説明する。
このような構成において、成膜工程Ａ及び研磨工程Ｃは
複数の装置を有しているが、図３及び図４に示すよう
に、各装置における成膜量及び研磨量は毎回の作業毎に
バラツキをもち、かつ、そのバラツキも装置毎に異なる
分布を有している。
により生じる研磨後の膜厚バラツキについて説明する。
このような構成において、成膜工程Ａ及び研磨工程Ｃは
複数の装置を有しているが、図３及び図４に示すよう
に、各装置における成膜量及び研磨量は毎回の作業毎に
バラツキをもち、かつ、そのバラツキも装置毎に異なる
分布を有している。
【００１５】このとき、本実施例による生産管理システ
ムでは、膜厚測定機より製品毎の膜厚測定結果データが
ホストコンピュータＨＣに送られ、ホストコンピュータ
ＨＣは製品毎の測定結果を外部記憶装置Ｍに記憶すると
共に、各研磨装置毎の研磨量の分布データも記憶してお
り、このデータに基づきホストコンピュータＨＣは、成
膜工程での成膜膜厚に応じて、研磨後の膜厚が目標とな
る膜厚に近づくように適切な研磨装置を選択し、製品を
この研磨装置に搬入するように搬送機に指示する。
ムでは、膜厚測定機より製品毎の膜厚測定結果データが
ホストコンピュータＨＣに送られ、ホストコンピュータ
ＨＣは製品毎の測定結果を外部記憶装置Ｍに記憶すると
共に、各研磨装置毎の研磨量の分布データも記憶してお
り、このデータに基づきホストコンピュータＨＣは、成
膜工程での成膜膜厚に応じて、研磨後の膜厚が目標とな
る膜厚に近づくように適切な研磨装置を選択し、製品を
この研磨装置に搬入するように搬送機に指示する。
【００１６】この制御方法を図７及び図８を使用して説
明する。なお、図７に示すように、研磨装置（設備Ｃ
１）の処置毎の研磨量の分布が目標とすべき研磨量より
も少ない量を中心に分布し、研磨装置（設備Ｃ２）の処
置毎の研磨量の分布が目標とすべき研磨量を中心に分布
し、研磨装置（設備Ｃ３）の処置毎の研磨量の分布が目
標とすべき研磨量よりも多い量を中心に分布しているも
のと仮定する。このとき、図８に示すように、ある半導
体ウェハ上に成膜された膜厚が目標とすべき膜厚よりも
厚くなっていた場合、ホストコンピュータは研磨量が多
くなるように研磨装置Ｃ３を選択し、研磨後の膜厚ｄ２
が目標値以上に厚くなり過ぎるのを防ぎ、成膜された膜
厚が薄い場合には研磨量が少なくなるように研磨装置Ｃ
１を選択し、研磨後の膜厚ｄ２が目標値以下に薄くなり
過ぎるのを防ぐ。また、成膜された膜厚が目標膜厚から
大きくずれていなかった場合には、研磨装置Ｃ２を選択
し、成膜された膜厚が研磨装置毎の研磨量差で修復でき
ないほど目標膜厚から大きくずれていた場合には、製品
を異常として警告を発する。
明する。なお、図７に示すように、研磨装置（設備Ｃ
１）の処置毎の研磨量の分布が目標とすべき研磨量より
も少ない量を中心に分布し、研磨装置（設備Ｃ２）の処
置毎の研磨量の分布が目標とすべき研磨量を中心に分布
し、研磨装置（設備Ｃ３）の処置毎の研磨量の分布が目
標とすべき研磨量よりも多い量を中心に分布しているも
のと仮定する。このとき、図８に示すように、ある半導
体ウェハ上に成膜された膜厚が目標とすべき膜厚よりも
厚くなっていた場合、ホストコンピュータは研磨量が多
くなるように研磨装置Ｃ３を選択し、研磨後の膜厚ｄ２
が目標値以上に厚くなり過ぎるのを防ぎ、成膜された膜
厚が薄い場合には研磨量が少なくなるように研磨装置Ｃ
１を選択し、研磨後の膜厚ｄ２が目標値以下に薄くなり
過ぎるのを防ぐ。また、成膜された膜厚が目標膜厚から
大きくずれていなかった場合には、研磨装置Ｃ２を選択
し、成膜された膜厚が研磨装置毎の研磨量差で修復でき
ないほど目標膜厚から大きくずれていた場合には、製品
を異常として警告を発する。
【００１７】以上の動作により、本実施例の生産管理シ
ステムでは、研磨後の膜厚バラツキを小さく抑えること
ができる。
ステムでは、研磨後の膜厚バラツキを小さく抑えること
ができる。
【００１８】図５は従来システムの研磨後の膜厚のバラ
ツキを示し、図６は本発明の研磨後の膜厚のバラツキを
示す。この図５と図６との比較から明らかなように、本
発明の場合に膜厚のバラツキが低減されている。
ツキを示し、図６は本発明の研磨後の膜厚のバラツキを
示す。この図５と図６との比較から明らかなように、本
発明の場合に膜厚のバラツキが低減されている。
【００１９】上記実施例において、検査結果データは製
品毎の検査結果のみではなく、各加工装置の日常管理と
して行われる検査結果データとしてもよい。また、搬送
装置は、人による搬送に対し、コンピュータが指示を与
える形態でも良い。
品毎の検査結果のみではなく、各加工装置の日常管理と
して行われる検査結果データとしてもよい。また、搬送
装置は、人による搬送に対し、コンピュータが指示を与
える形態でも良い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、外部記憶装置が複数の加工工程における加工のでき
栄えを最適とする組み合わせ情報及び生産される製品の
各検査工程での検査・測定結果情報を記憶し、ホストコ
ンピュータは前記搬送手段を制御し、製造物の特性が最
良となるように各工程の加工装置の組み合わせを決定す
るから、高品質の製品を製造することができるという効
果を奏する。
は、外部記憶装置が複数の加工工程における加工のでき
栄えを最適とする組み合わせ情報及び生産される製品の
各検査工程での検査・測定結果情報を記憶し、ホストコ
ンピュータは前記搬送手段を制御し、製造物の特性が最
良となるように各工程の加工装置の組み合わせを決定す
るから、高品質の製品を製造することができるという効
果を奏する。
【図１】本発明の実施例に係る製造工程の生産管理シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図２】層間絶縁膜の形成工程を示す半導体装置の断面
図である。
図である。
【図３】成膜時の装置毎の膜厚バラツキを示すグラフ図
である。
である。
【図４】研磨時の装置毎の研磨量バラツキを示すグラフ
図である。
図である。
【図５】従来の研磨後膜厚バラツキを示すグラフ図であ
る。
る。
【図６】本発明の研磨後膜厚バラツキを示すグラフ図で
ある。
ある。
【図７】研磨機毎の研磨量のバラツキを示す図である。
【図８】研磨機の選択基準を示す図である。
【図９】従来のシステムを示す図である。
【符号の説明】 Ｃ１〜Ｃ４：搬送手段 Ａ１〜Ａ３、Ｃ１〜Ｃ３：加工設備 Ｂ１〜Ｂ３、Ｄ１〜Ｄ３：検査機 ＨＣ：ホストコンピュータ Ｍ：外部記憶装置 １：半導体基板 ２：ゲート電極 ３、４：層間絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項１】 製造工程における各加工工程について複
数設けられた加工装置と、前記各加工工程での出来栄え
を検査・測定する検査装置と、各装置間の製品移動を行
う搬送手段と、前記製造工程を管理するホストコンピュ
ータと、前記製造工程からの情報を記憶する外部記憶装
置とを有し、前記外部記憶装置は複数の加工工程におけ
る加工のでき栄えを最適とする組み合わせ情報、及び生
産される製品の各検査工程での検査・測定結果情報を記
憶しており、前記ホストコンピュータは前記外部記憶装
置の情報に基づき前記加工工程における加工装置と次加
工工程における加工装置の組み合わせを決定することを
特徴とする製造工程の生産管理システム。 - 【請求項２】 前記各加工工程は、搬送手段と、複数の
加工装置とを有することを特徴とする請求項１に記載の
製造工程の生産管理システム。 - 【請求項３】 前記各検査工程は、搬送手段と、複数の
検査測定器とを有することを特徴とする請求項１又は２
に記載の製造工程の生産管理システム。 - 【請求項４】 前記加工工程は半導体装置の層間絶縁膜
の成膜工程及び研磨工程であることを特徴とする請求項
１乃至３のいずれか１項に記載の製造工程の生産管理シ
ステム。
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| JP7277298A JP2994321B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 製造工程の生産管理システム |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP7277298A JP2994321B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 製造工程の生産管理システム |
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ID=13499012
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| JP7277298A Expired - Fee Related JP2994321B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 製造工程の生産管理システム |
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