JPH0521365A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0521365A JPH0521365A JP17633891A JP17633891A JPH0521365A JP H0521365 A JPH0521365 A JP H0521365A JP 17633891 A JP17633891 A JP 17633891A JP 17633891 A JP17633891 A JP 17633891A JP H0521365 A JPH0521365 A JP H0521365A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、従来のように製造工程を中断す
ることなく、複数種類の品質評価項目を連続してモニタ
できるようにすること目的とする。 【構成】 ストッカー１に第１，第２のモニタウェハ用
キャリアカセット４，５を設け、モニタする品質評価項
目に応じて第１，第２のモニタウェハを取り出して処理
するものである。 【効果】 従って、膜厚以外にウェハ上の異物の量や種
類をモニタし、或いはＴＥＧ用の処理などを行う場合
に、従来のように製造工程を中断してそのモニタ用モニ
タウェハを設置する必要がなく、複数種類の品質評価項
目を連続してモニタすることができ、歩留りの向上及び
作業効率の向上を図ることができ、製品の品質管理が極
めて容易になる。
ることなく、複数種類の品質評価項目を連続してモニタ
できるようにすること目的とする。 【構成】 ストッカー１に第１，第２のモニタウェハ用
キャリアカセット４，５を設け、モニタする品質評価項
目に応じて第１，第２のモニタウェハを取り出して処理
するものである。 【効果】 従って、膜厚以外にウェハ上の異物の量や種
類をモニタし、或いはＴＥＧ用の処理などを行う場合
に、従来のように製造工程を中断してそのモニタ用モニ
タウェハを設置する必要がなく、複数種類の品質評価項
目を連続してモニタすることができ、歩留りの向上及び
作業効率の向上を図ることができ、製品の品質管理が極
めて容易になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置製造する
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３はヒータ等の熱源に囲まれたプロセ
スチューブからなる例えば拡散炉や減圧ＣＶＤ炉を備え
た一般の半導体製造装置に設けられるストッカーの概略
図である。
スチューブからなる例えば拡散炉や減圧ＣＶＤ炉を備え
た一般の半導体製造装置に設けられるストッカーの概略
図である。
【０００３】図３に示すように、通常ストッカー１に
は、製品である製品ウェハを収納した製品ウェハ用キャ
リアカセット２と、製品ウェハ用キャリアカセット２に
おける製品ウェハの枚数が規定枚数に足りないときに補
充するためのダミーウェハ用キャリアカセット３と、製
品ウェハに形成されるＣＶＤ膜等の膜厚をモニタするた
めに製品ウェハと同時に処理されるモニタウェハを収納
したモニタウェハ用キャリアカセット４とが設けられて
いる。
は、製品である製品ウェハを収納した製品ウェハ用キャ
リアカセット２と、製品ウェハ用キャリアカセット２に
おける製品ウェハの枚数が規定枚数に足りないときに補
充するためのダミーウェハ用キャリアカセット３と、製
品ウェハに形成されるＣＶＤ膜等の膜厚をモニタするた
めに製品ウェハと同時に処理されるモニタウェハを収納
したモニタウェハ用キャリアカセット４とが設けられて
いる。
【０００４】つぎに、従来の半導体装置の製造方法につ
いて図４に示すフローチャートを参照して説明する。
いて図４に示すフローチャートを参照して説明する。
【０００５】図４に示すように、装置のコントローラに
より、ストッカー１の製品ウェハ用キャリアカセット２
から製品ウェハが取り出されて、製品ウェハを処理する
ための支持ボートにチャージされ（ステップＳ１）、同
様にストッカー１のモニタウェハ用キャリアカセット４
からモニタウェハが取り出されて支持ボートにチャージ
され（ステップＳ２）、所定の処理によって製品ウェハ
及びモニタウェハに熱酸化膜或いはＣＶＤ膜が同時に形
成される（ステップＳ３）。
より、ストッカー１の製品ウェハ用キャリアカセット２
から製品ウェハが取り出されて、製品ウェハを処理する
ための支持ボートにチャージされ（ステップＳ１）、同
様にストッカー１のモニタウェハ用キャリアカセット４
からモニタウェハが取り出されて支持ボートにチャージ
され（ステップＳ２）、所定の処理によって製品ウェハ
及びモニタウェハに熱酸化膜或いはＣＶＤ膜が同時に形
成される（ステップＳ３）。
【０００６】そして、所定の処理の終了後、モニタウェ
ハが支持ボートからディスチャージされてモニタウェハ
用キャリアカセット４に収納されたのち（ステップＳ
４）、同様に製品ウェハが支持ボートからディスチャー
ジされてモニタウェハ用キャリアカセット２に収納され
（ステップＳ５）、ストッカー１からモニタウェハが取
り出されて膜厚測定器によりモニタウェハに形成された
膜の膜厚が測定され、測定された膜厚が規格内であるか
否か判定され、規格内であれば、ステップＳ３において
同時に処理された製品ウェハにも規定内の膜厚の膜が形
成されていると評価でき、製品ウェハがストッカー１か
ら取り出されて次の工程に移される。
ハが支持ボートからディスチャージされてモニタウェハ
用キャリアカセット４に収納されたのち（ステップＳ
４）、同様に製品ウェハが支持ボートからディスチャー
ジされてモニタウェハ用キャリアカセット２に収納され
（ステップＳ５）、ストッカー１からモニタウェハが取
り出されて膜厚測定器によりモニタウェハに形成された
膜の膜厚が測定され、測定された膜厚が規格内であるか
否か判定され、規格内であれば、ステップＳ３において
同時に処理された製品ウェハにも規定内の膜厚の膜が形
成されていると評価でき、製品ウェハがストッカー１か
ら取り出されて次の工程に移される。
【０００７】一方、モニタウェハの膜厚測定の結果が規
格外であれば、異常と判断され、所定の異常処理が行わ
れる。
格外であれば、異常と判断され、所定の異常処理が行わ
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の場合、モニタウ
ェハに形成された熱酸化膜等の膜厚を測定することによ
って製品ウェハに形成される膜の膜厚をモニタすること
はできるが、モニタウェハ用キャリアカセットが一種類
しかないため、膜厚以外に異物測定などの他の品質評価
項目をモニタするには、コントローラを一旦停止して製
造工程を中断し、人為的に別のモニタウェハを拡散炉等
に投入，設置しており、製品ウェハへの異物が付着し、
歩留まりの低下や作業の効率の低下を招くという問題点
があった。
ェハに形成された熱酸化膜等の膜厚を測定することによ
って製品ウェハに形成される膜の膜厚をモニタすること
はできるが、モニタウェハ用キャリアカセットが一種類
しかないため、膜厚以外に異物測定などの他の品質評価
項目をモニタするには、コントローラを一旦停止して製
造工程を中断し、人為的に別のモニタウェハを拡散炉等
に投入，設置しており、製品ウェハへの異物が付着し、
歩留まりの低下や作業の効率の低下を招くという問題点
があった。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、従来のように製造工程を中断
することなく、複数種類の品質評価項目を連続してモニ
タできるようにすることを目的とする。
るためになされたもので、従来のように製造工程を中断
することなく、複数種類の品質評価項目を連続してモニ
タできるようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、半導体製品が形成されるべき製品ウェ
ハを収納した製品ウェハ用キャリアカセットと、膜圧測
定，異物測定など複数種類の品質評価項目のモニタ用モ
ニタウェハを収納した複数のモニタウェハ用キャリアカ
セットとを備えたストッカーを準備し、前記製品ウェハ
用キャリアカセットから前記製品ウェハを取り出して処
理する際に、モニタすべき前記品質評価項目に対応した
前記モニタウェハ用キャリアカセットから前記モニタウ
ェハを取り出して処理することを特徴としている。
置の製造方法は、半導体製品が形成されるべき製品ウェ
ハを収納した製品ウェハ用キャリアカセットと、膜圧測
定，異物測定など複数種類の品質評価項目のモニタ用モ
ニタウェハを収納した複数のモニタウェハ用キャリアカ
セットとを備えたストッカーを準備し、前記製品ウェハ
用キャリアカセットから前記製品ウェハを取り出して処
理する際に、モニタすべき前記品質評価項目に対応した
前記モニタウェハ用キャリアカセットから前記モニタウ
ェハを取り出して処理することを特徴としている。
【００１１】
【作用】この発明においては、ストッカーに複数種類の
品質評価項目のモニタ用モニタウェハを収納した複数の
モニタウェハ用キャリアカセットを備え、モニタすべき
品質評価項目に対応したモニタウェハ用キャリアカセッ
トからモニタウェハを取り出して処理するようにしたた
め、膜厚以外の他の品質評価項目をモニタする場合に従
来のように製造工程を中断してそのモニタ用のモニタウ
ェハを設置する必要がなく、複数種類の品質評価項目を
連続してモニタすることが可能になる。
品質評価項目のモニタ用モニタウェハを収納した複数の
モニタウェハ用キャリアカセットを備え、モニタすべき
品質評価項目に対応したモニタウェハ用キャリアカセッ
トからモニタウェハを取り出して処理するようにしたた
め、膜厚以外の他の品質評価項目をモニタする場合に従
来のように製造工程を中断してそのモニタ用のモニタウ
ェハを設置する必要がなく、複数種類の品質評価項目を
連続してモニタすることが可能になる。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明の半導体装置の製造方法の動
作説明用フローチャートであり、図２はその製造装置に
おけるストッカーの概略図である。
作説明用フローチャートであり、図２はその製造装置に
おけるストッカーの概略図である。
【００１３】図２において、図３と同一符号は同一のも
のもしくは相当するものを示しており、図３と相違する
のは、図３における膜厚モニタ用のモニタウェハを第１
のモニタウェハと称し、この第１のモニタウェハを収納
したモニタウェハ用キャリアカセット４を第１のモニタ
ウェハ用キャリアカセット４と称し、膜厚以外のウェハ
上の異物の量や種類のモニタ用，ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅ
ｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）用の第２のモニタウェハを
収納した第２のモニタウェハ用キャリアカセット５を設
けたことである。
のもしくは相当するものを示しており、図３と相違する
のは、図３における膜厚モニタ用のモニタウェハを第１
のモニタウェハと称し、この第１のモニタウェハを収納
したモニタウェハ用キャリアカセット４を第１のモニタ
ウェハ用キャリアカセット４と称し、膜厚以外のウェハ
上の異物の量や種類のモニタ用，ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅ
ｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）用の第２のモニタウェハを
収納した第２のモニタウェハ用キャリアカセット５を設
けたことである。
【００１４】そして、図１に示すように、装置のコント
ローラにより、ストッカー１の製品ウェハ用キャリアカ
セット２から製品ウェハが取り出されて製品ウェハを処
理するための支持ボートにチャージされ（ステップＴ
１）、同様にストッカー１の第１のモニタウェハ用キャ
リアカセット４から第１のモニタウェハが取り出されて
支持ボートにチャージされる（ステップＴ２）。
ローラにより、ストッカー１の製品ウェハ用キャリアカ
セット２から製品ウェハが取り出されて製品ウェハを処
理するための支持ボートにチャージされ（ステップＴ
１）、同様にストッカー１の第１のモニタウェハ用キャ
リアカセット４から第１のモニタウェハが取り出されて
支持ボートにチャージされる（ステップＴ２）。
【００１５】さらに、膜厚以外に、ウェハ上の異物のモ
ニタやＴＥＧの形成等の他の品質評価項目をモニタする
必要があるかどうかの判定がなされ（ステップＴ３）、
必要があればストッカー１の第２のモニタウェハ用キャ
リアカセット５から第２のモニタウェハが取り出されて
支持ボートにチャージされ（ステップＴ４）、必要がな
ければ所定の処理によって製品ウェハ及び第１のモニタ
ウェハに熱酸化膜或いはＣＶＤ膜が同時に形成される
（ステップＴ５）。
ニタやＴＥＧの形成等の他の品質評価項目をモニタする
必要があるかどうかの判定がなされ（ステップＴ３）、
必要があればストッカー１の第２のモニタウェハ用キャ
リアカセット５から第２のモニタウェハが取り出されて
支持ボートにチャージされ（ステップＴ４）、必要がな
ければ所定の処理によって製品ウェハ及び第１のモニタ
ウェハに熱酸化膜或いはＣＶＤ膜が同時に形成される
（ステップＴ５）。
【００１６】ここで、ステップＴ４を経た後もステップ
Ｔ５に移行する。
Ｔ５に移行する。
【００１７】つぎに、所定の処理の終了後、第１のモニ
タウェハが支持ボートからディスチャージされてストッ
カー１の第１のモニタウェハ用キャリアカセット４に収
納されたのち（ステップＴ６）、第２のモニタウェハが
チャージされているかどうかの判定がなされ（ステップ
Ｔ７）、チャージされていれば第２のモニタウェハが支
持ボートからディスチャージされてストッカー１の第２
のモニタウェハ用キャリアカセット５に収納され（ステ
ップＴ８）、チャージされていなければステップＴ８の
処理後と同様、製品ウェハが支持ボートからディスチャ
ージされてストッカー１の製品ウェハ用キャリアカセッ
ト２に収納される。
タウェハが支持ボートからディスチャージされてストッ
カー１の第１のモニタウェハ用キャリアカセット４に収
納されたのち（ステップＴ６）、第２のモニタウェハが
チャージされているかどうかの判定がなされ（ステップ
Ｔ７）、チャージされていれば第２のモニタウェハが支
持ボートからディスチャージされてストッカー１の第２
のモニタウェハ用キャリアカセット５に収納され（ステ
ップＴ８）、チャージされていなければステップＴ８の
処理後と同様、製品ウェハが支持ボートからディスチャ
ージされてストッカー１の製品ウェハ用キャリアカセッ
ト２に収納される。
【００１８】その後、ストッカー１から第１のモニタウ
ェハが取り出されて膜厚測定器により第１のモニタウェ
ハに形成された膜の膜厚が測定され、測定された膜厚が
規格内であるか否か判定され、規格内であれば、ステッ
プＴ５において同時に処理された製品ウェハにも規格内
の膜厚の膜が形成されていると評価でき、製品ウェハが
ストッカー１から取り出されて次の工程に移され、規格
外であれば異常と判断され、所定の異常処置が行われ
る。
ェハが取り出されて膜厚測定器により第１のモニタウェ
ハに形成された膜の膜厚が測定され、測定された膜厚が
規格内であるか否か判定され、規格内であれば、ステッ
プＴ５において同時に処理された製品ウェハにも規格内
の膜厚の膜が形成されていると評価でき、製品ウェハが
ストッカー１から取り出されて次の工程に移され、規格
外であれば異常と判断され、所定の異常処置が行われ
る。
【００１９】また、膜厚以外のモニタを行った場合、第
２のモニタウェハがストッカー１から取り出され、ウェ
ハ上の異物の量や種類の測定が行われ、ＴＥＧの形成の
場合には、ＴＥＧの特性テストなどの処理が行われ、必
要があればＴＥＧのパターン形成のための次の工程に移
される。
２のモニタウェハがストッカー１から取り出され、ウェ
ハ上の異物の量や種類の測定が行われ、ＴＥＧの形成の
場合には、ＴＥＧの特性テストなどの処理が行われ、必
要があればＴＥＧのパターン形成のための次の工程に移
される。
【００２０】ここで、第２のモニタウェハの処理は、必
ずしも製品ウェハを処理する度に行わなければならない
ものではなく、製品ウェハの処理が例えば１０分ごとに
行われるとした場合に、第２のモニタウェハの処理は製
品ウェハの処理の２回に１回の割合で、即ち２０分毎な
ど、一定間隔毎に行えばよい。
ずしも製品ウェハを処理する度に行わなければならない
ものではなく、製品ウェハの処理が例えば１０分ごとに
行われるとした場合に、第２のモニタウェハの処理は製
品ウェハの処理の２回に１回の割合で、即ち２０分毎な
ど、一定間隔毎に行えばよい。
【００２１】従って、ストッカー１に第１，第２のモニ
タウェハ用キャリアカセット４，５を設け、モニタする
品質評価項目に応じて第１，第２のモニタウェハを取り
出して処理することにより、膜厚以外にウェハ上の異物
の量や種類をモニタし、或いはＴＥＧ用の処理などを行
う場合に、従来のように製造工程を中断してそのモニタ
用モニタウェハを設置する必要がなく、複数種類の品質
評価項目を連続してモニタすることができ、歩留りの向
上及び作業効率の向上を図ることができ、製品の品質管
理が極めて容易になる。
タウェハ用キャリアカセット４，５を設け、モニタする
品質評価項目に応じて第１，第２のモニタウェハを取り
出して処理することにより、膜厚以外にウェハ上の異物
の量や種類をモニタし、或いはＴＥＧ用の処理などを行
う場合に、従来のように製造工程を中断してそのモニタ
用モニタウェハを設置する必要がなく、複数種類の品質
評価項目を連続してモニタすることができ、歩留りの向
上及び作業効率の向上を図ることができ、製品の品質管
理が極めて容易になる。
【００２２】なお、上記実施例では、モニタウェハ用キ
ャリアカセットを２種類設けた場合について説明した
が、３種類以上であってもよいのは勿論である。
ャリアカセットを２種類設けた場合について説明した
が、３種類以上であってもよいのは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、スト
ッカーに複数種類の品質評価項目のモニタ用モニタウェ
ハを収納した複数のモニタウェハ用キャリアカセットを
備え、モニタすべき品質評価項目に対応したモニタウェ
ハ用キャリアカセットからモニタウェハを取り出して処
理するようにしたため、膜厚以外の他の品質評価項目を
モニタする場合に従来のように製造工程を中断してその
モニタ用のモニタウェハを設置する必要がなく、複数種
類の品質評価項目を連続してモニタすることができ、歩
留り及び作業効率の向上を図ることができ、しかも製品
の品質管理を極めて容易に行うことが可能になる。
ッカーに複数種類の品質評価項目のモニタ用モニタウェ
ハを収納した複数のモニタウェハ用キャリアカセットを
備え、モニタすべき品質評価項目に対応したモニタウェ
ハ用キャリアカセットからモニタウェハを取り出して処
理するようにしたため、膜厚以外の他の品質評価項目を
モニタする場合に従来のように製造工程を中断してその
モニタ用のモニタウェハを設置する必要がなく、複数種
類の品質評価項目を連続してモニタすることができ、歩
留り及び作業効率の向上を図ることができ、しかも製品
の品質管理を極めて容易に行うことが可能になる。
【図１】この発明の半導体装置の製造方法の一実施例の
動作説明用フローチャートである。
動作説明用フローチャートである。
【図２】図１に用いる装置の一部の概略図である。
【図３】従来の半導体製造装置の一部の概略図である。
【図４】図３の動作説明用フローチャートである。
１ ストッカー ２ 製品ウェハ用キャリアカセット ４ 第１のモニタウェハ用キャリアカセット ５ 第２のモニタウェハ用キャリアカセット
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１１月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置を製造す
る半導体装置の製造方法に関する。
る半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、半導体製品が形成されるべき製品ウェ
ハを収納した製品ウェハ用キャリアカセットと、膜厚測
定，異物測定など複数種類の品質評価項目のモニタ用モ
ニタウェハを収納した複数のモニタウェハ用キャリアカ
セットとを備えたストッカーを準備し、前記製品ウェハ
用キャリアカセットから前記製品ウェハを取り出して処
理する際に、モニタすべき前記品質評価項目に対応した
前記モニタウェハ用キャリアカセットから前記モニタウ
ェハを取り出して処理することを特徴としている。
置の製造方法は、半導体製品が形成されるべき製品ウェ
ハを収納した製品ウェハ用キャリアカセットと、膜厚測
定，異物測定など複数種類の品質評価項目のモニタ用モ
ニタウェハを収納した複数のモニタウェハ用キャリアカ
セットとを備えたストッカーを準備し、前記製品ウェハ
用キャリアカセットから前記製品ウェハを取り出して処
理する際に、モニタすべき前記品質評価項目に対応した
前記モニタウェハ用キャリアカセットから前記モニタウ
ェハを取り出して処理することを特徴としている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体製品が形成されるべき製品ウェハ
を収納した製品ウェハ用キャリアカセットと、膜圧測
定，異物測定など複数種類の品質評価項目のモニタ用モ
ニタウェハを収納した複数のモニタウェハ用キャリアカ
セットとを備えたストッカーを準備し、前記製品ウェハ
用キャリアカセットから前記製品ウェハを取り出して処
理する際に、モニタすべき前記品質評価項目に対応した
前記モニタウェハ用キャリアカセットから前記モニタウ
ェハを取り出して処理することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17633891A JPH0521365A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17633891A JPH0521365A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521365A true JPH0521365A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16011841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17633891A Pending JPH0521365A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521365A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115980A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-05-02 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
| US5665609A (en) * | 1995-04-21 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Prioritizing efforts to improve semiconductor production yield |
| US5971586A (en) * | 1995-04-21 | 1999-10-26 | Sony Corporation | Identifying causes of semiconductor production yield loss |
| KR100492267B1 (ko) * | 1996-09-11 | 2005-05-27 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 진공 처리장치 및 진공처리방법 |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP17633891A patent/JPH0521365A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665609A (en) * | 1995-04-21 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Prioritizing efforts to improve semiconductor production yield |
| US5971586A (en) * | 1995-04-21 | 1999-10-26 | Sony Corporation | Identifying causes of semiconductor production yield loss |
| JPH09115980A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-05-02 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
| KR100492267B1 (ko) * | 1996-09-11 | 2005-05-27 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 진공 처리장치 및 진공처리방법 |
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