JPH1041239A - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法Info
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- JPH1041239A JPH1041239A JP21298496A JP21298496A JPH1041239A JP H1041239 A JPH1041239 A JP H1041239A JP 21298496 A JP21298496 A JP 21298496A JP 21298496 A JP21298496 A JP 21298496A JP H1041239 A JPH1041239 A JP H1041239A
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- heat
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱処理チャンバと基板Ｗの搬入部および搬出
部と基板の搬送手段とを集合させて雰囲気的に隔離され
た処理システムを用いた場合において、熱処理チャンバ
により同一のレシピで複数枚の基板を１枚ずつ熱処理す
る際に、各基板の熱処理ごとにチャンバの壁面形成材が
定常的な熱サイクルを再現して基板温度の再現性が精度
良く得られるようにする。 【解決手段】 複数枚の基板の熱処理を開始する前に、
ダミー基板を熱処理チャンバで加熱処理して、チャンバ
の壁面形成材を基板の熱処理時の熱サイクルと同一の熱
サイクル下に置く。
部と基板の搬送手段とを集合させて雰囲気的に隔離され
た処理システムを用いた場合において、熱処理チャンバ
により同一のレシピで複数枚の基板を１枚ずつ熱処理す
る際に、各基板の熱処理ごとにチャンバの壁面形成材が
定常的な熱サイクルを再現して基板温度の再現性が精度
良く得られるようにする。 【解決手段】 複数枚の基板の熱処理を開始する前に、
ダミー基板を熱処理チャンバで加熱処理して、チャンバ
の壁面形成材を基板の熱処理時の熱サイクルと同一の熱
サイクル下に置く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ランプアニール
チャンバや熱ＣＶＤチャンバなどのように半導体ウエハ
などの基板を枚葉式で熱処理する熱処理チャンバを備
え、その熱処理チャンバおよび必要によりＣＶＤチャン
バ、スパッタリングチャンバなどの他の処理チャンバと
基板の搬入部および搬出部と基板の搬送装置とを集合さ
せ、雰囲気的に隔離された処理システム（一般にクラス
タツールと呼ばれている）を用い、複数枚の基板の処理
を行う基板処理方法に関する。
チャンバや熱ＣＶＤチャンバなどのように半導体ウエハ
などの基板を枚葉式で熱処理する熱処理チャンバを備
え、その熱処理チャンバおよび必要によりＣＶＤチャン
バ、スパッタリングチャンバなどの他の処理チャンバと
基板の搬入部および搬出部と基板の搬送装置とを集合さ
せ、雰囲気的に隔離された処理システム（一般にクラス
タツールと呼ばれている）を用い、複数枚の基板の処理
を行う基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、クラスタツールと呼ばれる処理
システムは、１つもしくは複数種類の処理チャンバ、基
板の搬入および搬出が行われる、例えば一対のロードロ
ック室、ならびに、基板の搬送ユニットが設置された搬
送室などを備え、それらを集合させて、例えば搬送室を
中心にしてその周りに処理チャンバやロードロック室を
放射状に配置し、全体を周囲の大気圧雰囲気から隔離す
ることにより構成されている。この処理システムには、
ＣＶＤチャンバやスパッタリングチャンバなど、各種の
処理チャンバが組み合わされるが、最近ではランプアニ
ールチャンバや熱ＣＶＤチャンバなどの熱処理チャンバ
も組み合わされている。
システムは、１つもしくは複数種類の処理チャンバ、基
板の搬入および搬出が行われる、例えば一対のロードロ
ック室、ならびに、基板の搬送ユニットが設置された搬
送室などを備え、それらを集合させて、例えば搬送室を
中心にしてその周りに処理チャンバやロードロック室を
放射状に配置し、全体を周囲の大気圧雰囲気から隔離す
ることにより構成されている。この処理システムには、
ＣＶＤチャンバやスパッタリングチャンバなど、各種の
処理チャンバが組み合わされるが、最近ではランプアニ
ールチャンバや熱ＣＶＤチャンバなどの熱処理チャンバ
も組み合わされている。
【０００３】熱処理チャンバ、例えばランプアニールチ
ャンバは、その壁面が赤外線透過性を有する石英ガラス
などによって形成され、壁面に対向してハロゲンランプ
やキセノンランプなどのランプ群からなる加熱用光源が
配設されて構成されている。このランプアニールチャン
バでは、チャンバ内に半導体ウエハを１枚ずつ収容し、
ウエハ温度検知装置および温度コントローラにより、予
めプログラムされた所望の温度にウエハが光照射加熱さ
れる。そして、ウエハの熱処理が終了すると、加熱用光
源への給電を停止して、熱処理炉内においてウエハを所
望の温度にまで冷却させた後、ウエハの入替えを行っ
て、次のウエハの熱処理が行われる。
ャンバは、その壁面が赤外線透過性を有する石英ガラス
などによって形成され、壁面に対向してハロゲンランプ
やキセノンランプなどのランプ群からなる加熱用光源が
配設されて構成されている。このランプアニールチャン
バでは、チャンバ内に半導体ウエハを１枚ずつ収容し、
ウエハ温度検知装置および温度コントローラにより、予
めプログラムされた所望の温度にウエハが光照射加熱さ
れる。そして、ウエハの熱処理が終了すると、加熱用光
源への給電を停止して、熱処理炉内においてウエハを所
望の温度にまで冷却させた後、ウエハの入替えを行っ
て、次のウエハの熱処理が行われる。
【０００４】このようなランプアニールチャンバでウエ
ハを１枚ずつ連続して順次熱処理する場合、同一のレシ
ピで熱処理が行われる複数枚のウエハ相互間では、ウエ
ハの熱処理温度を正確に均等にする必要がある。ここ
で、ウエハの温度を決める因子としては、加熱用光源か
らの放射熱量、チャンバの壁面形成材からの放射熱量お
よびチャンバ内へのウエハの持込み熱量が挙げられる。
これらの因子のうち、チャンバ内へのウエハの持込み熱
量については、チャンバへのウエハの搬入時の温度を室
温程度にまで予め下げておくことが可能であるので、ウ
エハ温度への影響を無くすことができる。また、加熱用
光源からの放射熱量については、オープンループ制御で
は、それぞれのウエハに対して一定である。したがっ
て、ウエハの温度に対しては、チャンバの壁面形成材か
らの放射熱量が大きく影響を与えることになる。
ハを１枚ずつ連続して順次熱処理する場合、同一のレシ
ピで熱処理が行われる複数枚のウエハ相互間では、ウエ
ハの熱処理温度を正確に均等にする必要がある。ここ
で、ウエハの温度を決める因子としては、加熱用光源か
らの放射熱量、チャンバの壁面形成材からの放射熱量お
よびチャンバ内へのウエハの持込み熱量が挙げられる。
これらの因子のうち、チャンバ内へのウエハの持込み熱
量については、チャンバへのウエハの搬入時の温度を室
温程度にまで予め下げておくことが可能であるので、ウ
エハ温度への影響を無くすことができる。また、加熱用
光源からの放射熱量については、オープンループ制御で
は、それぞれのウエハに対して一定である。したがっ
て、ウエハの温度に対しては、チャンバの壁面形成材か
らの放射熱量が大きく影響を与えることになる。
【０００５】ランプアニールチャンバによりウエハを１
枚ずつ同一レシピで順次熱処理していく場合、チャンバ
の壁面形成材は、ウエハが加熱用光源からの光照射によ
って加熱されている最中は温度が上昇し、加熱が停止し
てウエハの入替えが行われている間に温度が降下して、
図２に示すような熱サイクルをもつことになる。したが
って、チャンバの壁面形成材からの放射熱量によるウエ
ハ温度への影響を無くして、ウエハ温度の再現性を高精
度に得るためには、チャンバの壁面形成材の熱サイクル
を繰返し再現させることが重要である。特にオープンル
ープ制御では、チャンバの壁面形成材の熱サイクルを各
ウエハの熱処理ごとに毎回再現させることがウエハ温度
の再現性の決め手となる。また、フィードバック制御で
も、ウエハの温度分布の再現性を良くするといった点に
おいて、チャンバの壁面形成材の熱サイクルを繰返し再
現させることは意味をもつ。
枚ずつ同一レシピで順次熱処理していく場合、チャンバ
の壁面形成材は、ウエハが加熱用光源からの光照射によ
って加熱されている最中は温度が上昇し、加熱が停止し
てウエハの入替えが行われている間に温度が降下して、
図２に示すような熱サイクルをもつことになる。したが
って、チャンバの壁面形成材からの放射熱量によるウエ
ハ温度への影響を無くして、ウエハ温度の再現性を高精
度に得るためには、チャンバの壁面形成材の熱サイクル
を繰返し再現させることが重要である。特にオープンル
ープ制御では、チャンバの壁面形成材の熱サイクルを各
ウエハの熱処理ごとに毎回再現させることがウエハ温度
の再現性の決め手となる。また、フィードバック制御で
も、ウエハの温度分布の再現性を良くするといった点に
おいて、チャンバの壁面形成材の熱サイクルを繰返し再
現させることは意味をもつ。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のクラ
スタツールに設けられたランプアニールチャンバにより
同一のレシピで複数枚のウエハを連続して順次熱処理す
る場合には、連続処理を開始した直後の１枚もしくは数
枚のウエハを熱処理する時と、それ以降の、定常状態に
なってからウエハを熱処理する時とで、チャンバの壁面
形成材の熱サイクルが相違することになる。また、レシ
ピが変わった直後の１枚もしくは数枚のウエハを熱処理
する時と、それ以降の、定常状態になってからウエハを
熱処理する時とでも、チャンバの壁面形成材の熱サイク
ルが相違することになる。さらに、装置の故障など、何
らかの原因により、同一レシピで複数枚のウエハを連続
処理している途中で熱処理をいったん中断し、その後に
熱処理を再開する場合にも、再開直後の１枚もしくは数
枚のウエハを熱処理する時とそれ以降とでは、チャンバ
の壁面形成材の熱サイクルが相違することになる。チャ
ンバの壁面形成材の熱サイクルが各熱処理間で相違する
と、上記したように、特にオープンループ制御ではウエ
ハ温度の高精度な再現性が得られなくなる。この結果、
ウエハ間での熱処理品質の均一性が得られなくなる、と
いった問題点がある。
スタツールに設けられたランプアニールチャンバにより
同一のレシピで複数枚のウエハを連続して順次熱処理す
る場合には、連続処理を開始した直後の１枚もしくは数
枚のウエハを熱処理する時と、それ以降の、定常状態に
なってからウエハを熱処理する時とで、チャンバの壁面
形成材の熱サイクルが相違することになる。また、レシ
ピが変わった直後の１枚もしくは数枚のウエハを熱処理
する時と、それ以降の、定常状態になってからウエハを
熱処理する時とでも、チャンバの壁面形成材の熱サイク
ルが相違することになる。さらに、装置の故障など、何
らかの原因により、同一レシピで複数枚のウエハを連続
処理している途中で熱処理をいったん中断し、その後に
熱処理を再開する場合にも、再開直後の１枚もしくは数
枚のウエハを熱処理する時とそれ以降とでは、チャンバ
の壁面形成材の熱サイクルが相違することになる。チャ
ンバの壁面形成材の熱サイクルが各熱処理間で相違する
と、上記したように、特にオープンループ制御ではウエ
ハ温度の高精度な再現性が得られなくなる。この結果、
ウエハ間での熱処理品質の均一性が得られなくなる、と
いった問題点がある。
【０００７】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板を１枚ずつ熱処理する熱処理チ
ャンバを備え、その熱処理チャンバと基板の搬入部およ
び搬出部と基板の搬送手段とを集合させて雰囲気的に隔
離された処理システムを用いた場合において、熱処理チ
ャンバにより同一のレシピで複数枚の基板を連続して順
次熱処理する際に、各基板の熱処理ごとにチャンバの壁
面形成材の熱サイクルが繰返し再現されて、基板温度の
再現性が高精度に得られ、もって、基板間での熱処理品
質の均一性が保持されるような基板処理方法を提供する
ことを目的とする。
されたものであり、基板を１枚ずつ熱処理する熱処理チ
ャンバを備え、その熱処理チャンバと基板の搬入部およ
び搬出部と基板の搬送手段とを集合させて雰囲気的に隔
離された処理システムを用いた場合において、熱処理チ
ャンバにより同一のレシピで複数枚の基板を連続して順
次熱処理する際に、各基板の熱処理ごとにチャンバの壁
面形成材の熱サイクルが繰返し再現されて、基板温度の
再現性が高精度に得られ、もって、基板間での熱処理品
質の均一性が保持されるような基板処理方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、請求項１に係る発明の基板処理方法では、基板
を１枚ずつ熱処理する熱処理チャンバを備え該熱処理チ
ャンバと基板の搬入部および搬出部と基板の搬送手段と
を集合させて雰囲気的に隔離された処理システム内に、
１枚もしくは複数枚のダミー基板を配置し、前記熱処理
チャンバで複数枚の基板を熱処理する際において、その
複数枚の基板の熱処理を開始する前に、または、基板の
熱処理をいったん中断した後再開する前に、１枚もしく
は複数枚の前記ダミー基板を前記熱処理チャンバで加熱
処理して、熱処理チャンバの壁面形成材を、複数枚の基
板の熱処理時の熱サイクルと同一の熱サイクル下に置
き、その後に複数枚の基板の熱処理を開始しまたは中断
後の熱処理を再開するようにした。
ために、請求項１に係る発明の基板処理方法では、基板
を１枚ずつ熱処理する熱処理チャンバを備え該熱処理チ
ャンバと基板の搬入部および搬出部と基板の搬送手段と
を集合させて雰囲気的に隔離された処理システム内に、
１枚もしくは複数枚のダミー基板を配置し、前記熱処理
チャンバで複数枚の基板を熱処理する際において、その
複数枚の基板の熱処理を開始する前に、または、基板の
熱処理をいったん中断した後再開する前に、１枚もしく
は複数枚の前記ダミー基板を前記熱処理チャンバで加熱
処理して、熱処理チャンバの壁面形成材を、複数枚の基
板の熱処理時の熱サイクルと同一の熱サイクル下に置
き、その後に複数枚の基板の熱処理を開始しまたは中断
後の熱処理を再開するようにした。
【０００９】上記構成の請求項１に係る発明の基板処理
方法では、処理システム内に配置された１枚もしくは複
数枚のダミー基板を熱処理チャンバで加熱処理すること
により、熱処理チャンバの壁面形成材が、基板の熱処理
時の熱処理サイクルと同一の熱サイクル下に置かれ、そ
の後に、基板の熱処理が開始または再開されるので、開
始または再開直後の１枚目の基板を熱処理する時点で、
熱処理チャンバの壁面形成材は、定常的な熱サイクルが
再現される状態にある。したがって、複数枚の基板の熱
処理を開始した直後においても、それ以降においても、
熱処理チャンバの壁面形成材の熱サイクルが繰返し再現
され、また、複数枚の基板の熱処理を中断した以前と、
基板の熱処理を再開した直後およびそれ以降とにおい
て、熱処理チャンバの壁面形成材の熱サイクルが再現さ
れる。このため、たとえオープンループ制御であって
も、各熱処理時における基板温度の再現性が制度良く得
られることになる。
方法では、処理システム内に配置された１枚もしくは複
数枚のダミー基板を熱処理チャンバで加熱処理すること
により、熱処理チャンバの壁面形成材が、基板の熱処理
時の熱処理サイクルと同一の熱サイクル下に置かれ、そ
の後に、基板の熱処理が開始または再開されるので、開
始または再開直後の１枚目の基板を熱処理する時点で、
熱処理チャンバの壁面形成材は、定常的な熱サイクルが
再現される状態にある。したがって、複数枚の基板の熱
処理を開始した直後においても、それ以降においても、
熱処理チャンバの壁面形成材の熱サイクルが繰返し再現
され、また、複数枚の基板の熱処理を中断した以前と、
基板の熱処理を再開した直後およびそれ以降とにおい
て、熱処理チャンバの壁面形成材の熱サイクルが再現さ
れる。このため、たとえオープンループ制御であって
も、各熱処理時における基板温度の再現性が制度良く得
られることになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の最良の実施形態
について図１を参照しながら説明する。
について図１を参照しながら説明する。
【００１１】図１は、この発明に係る基板処理方法を実
施するのに使用される、クラスタツールと呼ばれる処理
システムの概略構成の１例を示す模式的平面図である。
この処理システムは、システム内において基板、例えば
半導体ウエハの搬送を行う搬送ユニット１０が設置され
たトランスファーチャンバ１２を中心にして、その周り
に一対のロードロック室１４、１６と、３つの処理チャ
ンバ、例えばランプアニールチャンバ１８、ＣＶＤチャ
ンバ２０およびスパッタリングチャンバ２２と、ダミー
ウエハを収容して待機させておくためのシェルフチャン
バ２４とを放射状に配置して構成されている。一対のロ
ードロック室１４、１６のうちの一方には、処理しよう
とするウエハが複数枚収容されたローダ用カセットが配
置され、他方には、処理済みのウエハが収容されるアン
ローダ用カセットが配置される。この処理システム全体
は、周囲の大気圧雰囲気から隔離され、例えば真空状態
に保持される。図中の２６、２８は、それぞれチャンバ
内の雰囲気を隔離する絶縁バルブである。
施するのに使用される、クラスタツールと呼ばれる処理
システムの概略構成の１例を示す模式的平面図である。
この処理システムは、システム内において基板、例えば
半導体ウエハの搬送を行う搬送ユニット１０が設置され
たトランスファーチャンバ１２を中心にして、その周り
に一対のロードロック室１４、１６と、３つの処理チャ
ンバ、例えばランプアニールチャンバ１８、ＣＶＤチャ
ンバ２０およびスパッタリングチャンバ２２と、ダミー
ウエハを収容して待機させておくためのシェルフチャン
バ２４とを放射状に配置して構成されている。一対のロ
ードロック室１４、１６のうちの一方には、処理しよう
とするウエハが複数枚収容されたローダ用カセットが配
置され、他方には、処理済みのウエハが収容されるアン
ローダ用カセットが配置される。この処理システム全体
は、周囲の大気圧雰囲気から隔離され、例えば真空状態
に保持される。図中の２６、２８は、それぞれチャンバ
内の雰囲気を隔離する絶縁バルブである。
【００１２】なお、処理システムの構成は、図１に示し
たものに限らないことはもちろんである。例えば、トラ
ンスファーチャンバ（搬送室）を中央にしてその両側に
処理チャンバなどを配置するようにしてもよく、また、
処理チャンバは、ランプアニールチャンバ１つのみであ
ってもよいし、ランプアニールチャンバに代えて熱ＣＶ
Ｄチャンバなどの熱処理チャンバを設けてもよい。ま
た、シェルフチャンバを設けずに、ロードロック室にダ
ミーウエハを待機させておくようにしてもよいし、ロー
ドロック室を１つだけ設けてそこにローダ用カセットと
アンローダ用カセットを配置するようにしてもよい。さ
らに、各処理チャンバでのウエハの処理時間の違いなど
から、１つの処理チャンバから次の処理チャンバへウエ
ハを順次搬送していくことができないような場合には、
処理システム内にウエハを一時保管するためのバッファ
チャンバを設けるようにしてもよい。
たものに限らないことはもちろんである。例えば、トラ
ンスファーチャンバ（搬送室）を中央にしてその両側に
処理チャンバなどを配置するようにしてもよく、また、
処理チャンバは、ランプアニールチャンバ１つのみであ
ってもよいし、ランプアニールチャンバに代えて熱ＣＶ
Ｄチャンバなどの熱処理チャンバを設けてもよい。ま
た、シェルフチャンバを設けずに、ロードロック室にダ
ミーウエハを待機させておくようにしてもよいし、ロー
ドロック室を１つだけ設けてそこにローダ用カセットと
アンローダ用カセットを配置するようにしてもよい。さ
らに、各処理チャンバでのウエハの処理時間の違いなど
から、１つの処理チャンバから次の処理チャンバへウエ
ハを順次搬送していくことができないような場合には、
処理システム内にウエハを一時保管するためのバッファ
チャンバを設けるようにしてもよい。
【００１３】図１に示した構成の処理システムでは、処
理しようとするウエハは、ローダ用カセットに複数枚収
容されて一方のロードロック室１４内へ搬入される。そ
して、メモリにあらかじめ記憶させておいた処理プログ
ラムに基づき、搬送コントローラによって搬送ユニット
１０が制御されるとともに、各プロセスコントローラに
よって各処理チャンバ１８、２０、２２の処理ユニット
がそれぞれ制御されることにより、ロードロック室１４
に配置されたローダ用カセットからウエハが１枚ずつ順
次抜き出されて各処理チャンバ１８、２０、２２でそれ
ぞれ所要の処理を施され、処理が終了したウエハは、他
方のロードロック室１６に配置されたアンローダ用カセ
ット内へ１枚ずつ順次挿入されていく。そして、処理済
みのウエハが複数枚収容されたアンローダ用カセット
は、ロードロック室１６から搬出される。なお、この発
明は、上記処理システムに設けられた熱処理チャンバ、
図示例ではランプアニールチャンバ１８における処理方
法に特徴を有したものであるので、以下では、ランプア
ニールチャンバ１８でのウエハの処理についてだけ説明
する。
理しようとするウエハは、ローダ用カセットに複数枚収
容されて一方のロードロック室１４内へ搬入される。そ
して、メモリにあらかじめ記憶させておいた処理プログ
ラムに基づき、搬送コントローラによって搬送ユニット
１０が制御されるとともに、各プロセスコントローラに
よって各処理チャンバ１８、２０、２２の処理ユニット
がそれぞれ制御されることにより、ロードロック室１４
に配置されたローダ用カセットからウエハが１枚ずつ順
次抜き出されて各処理チャンバ１８、２０、２２でそれ
ぞれ所要の処理を施され、処理が終了したウエハは、他
方のロードロック室１６に配置されたアンローダ用カセ
ット内へ１枚ずつ順次挿入されていく。そして、処理済
みのウエハが複数枚収容されたアンローダ用カセット
は、ロードロック室１６から搬出される。なお、この発
明は、上記処理システムに設けられた熱処理チャンバ、
図示例ではランプアニールチャンバ１８における処理方
法に特徴を有したものであるので、以下では、ランプア
ニールチャンバ１８でのウエハの処理についてだけ説明
する。
【００１４】この発明に係る処理方法では、ランプアニ
ールチャンバ１８により複数枚のウエハを１枚ずつ同一
のレシピで順次熱処理していく場合に、１枚目のウエハ
を熱処理する前に、搬送ユニット１０によりシェルフチ
ャンバ２４からダミーウエハを取り出し、そのダミーウ
エハをランプアニールチャンバ１８内へ挿入する。そし
て、ランプアニールチャンバ１８内に収容されたダミー
ウエハを加熱用光源からの光照射によって加熱し、加熱
後にダミーウエハを冷却してランプアニールチャンバ１
８内から排出する。この際、ダミーウエハの加熱レシピ
は、製品となるウエハの加熱レシピと同一にしてもよい
し同一でなくてもよい。このダミーウエハの加熱処理
は、ランプアニールチャンバ１８の壁面形成材が、製品
なるウエハの熱処理時の熱サイクル（図２参照）と同一
の熱サイクル下に置かれるまで、１枚或いは複数枚のダ
ミーウエハを使用して行われる。そして、ランプアニー
ルチャンバ１８の壁面形成材が定常的な熱サイクルを再
現することができる状態になると、ランプアニールチャ
ンバ１８からのダミーウエハの排出動作から連続して、
製品となる１枚目のウエハをランプアニールチャンバ１
８内へ挿入し、ウエハを熱処理する。以後、同一のレシ
ピにより複数枚のウエハを１枚ずつ順次熱処理してい
く。
ールチャンバ１８により複数枚のウエハを１枚ずつ同一
のレシピで順次熱処理していく場合に、１枚目のウエハ
を熱処理する前に、搬送ユニット１０によりシェルフチ
ャンバ２４からダミーウエハを取り出し、そのダミーウ
エハをランプアニールチャンバ１８内へ挿入する。そし
て、ランプアニールチャンバ１８内に収容されたダミー
ウエハを加熱用光源からの光照射によって加熱し、加熱
後にダミーウエハを冷却してランプアニールチャンバ１
８内から排出する。この際、ダミーウエハの加熱レシピ
は、製品となるウエハの加熱レシピと同一にしてもよい
し同一でなくてもよい。このダミーウエハの加熱処理
は、ランプアニールチャンバ１８の壁面形成材が、製品
なるウエハの熱処理時の熱サイクル（図２参照）と同一
の熱サイクル下に置かれるまで、１枚或いは複数枚のダ
ミーウエハを使用して行われる。そして、ランプアニー
ルチャンバ１８の壁面形成材が定常的な熱サイクルを再
現することができる状態になると、ランプアニールチャ
ンバ１８からのダミーウエハの排出動作から連続して、
製品となる１枚目のウエハをランプアニールチャンバ１
８内へ挿入し、ウエハを熱処理する。以後、同一のレシ
ピにより複数枚のウエハを１枚ずつ順次熱処理してい
く。
【００１５】また、同一のレシピで複数枚のウエハを熱
処理した後、レシピが変更される場合には、変更前のレ
シピで最後のウエハを熱処理した後、変更後のレシピで
１枚目のウエハを熱処理する前に、上記した場合と同様
にして１枚もしくは複数枚のダミーウエハを加熱処理す
るようにする。そして、ランプアニールチャンバ１８の
壁面形成材が、変更後のレシピによりウエハを熱処理す
る時の熱サイクルが定常的に再現される状態となった後
に、変更後のレシピで複数枚のウエハを熱処理する。
処理した後、レシピが変更される場合には、変更前のレ
シピで最後のウエハを熱処理した後、変更後のレシピで
１枚目のウエハを熱処理する前に、上記した場合と同様
にして１枚もしくは複数枚のダミーウエハを加熱処理す
るようにする。そして、ランプアニールチャンバ１８の
壁面形成材が、変更後のレシピによりウエハを熱処理す
る時の熱サイクルが定常的に再現される状態となった後
に、変更後のレシピで複数枚のウエハを熱処理する。
【００１６】さらに、装置の故障など、何らかの原因に
より、同一のレシピで複数枚のウエハを１枚ずつ連続し
て熱処理している途中で熱処理をいったん中断したよう
な場合には、中断の原因を取り除いた後熱処理を再開す
る前に、上記した場合と同様にして１枚もしくは複数枚
のダミーウエハを加熱処理するようにする。そして、ラ
ンプアニールチャンバ１８の壁面形成材が、中断前にお
けるウエハの熱処理時の定常的な熱サイクルが再現され
る状態となった後に、残りのウエハの熱処理を再開す
る。
より、同一のレシピで複数枚のウエハを１枚ずつ連続し
て熱処理している途中で熱処理をいったん中断したよう
な場合には、中断の原因を取り除いた後熱処理を再開す
る前に、上記した場合と同様にして１枚もしくは複数枚
のダミーウエハを加熱処理するようにする。そして、ラ
ンプアニールチャンバ１８の壁面形成材が、中断前にお
けるウエハの熱処理時の定常的な熱サイクルが再現され
る状態となった後に、残りのウエハの熱処理を再開す
る。
【００１７】
【発明の効果】この発明に係る基板処理方法によれば、
熱処理チャンバと基板の搬入部および搬出部と基板の搬
送手段とを集合させて雰囲気的に隔離された処理システ
ムの内部において熱処理チャンバにより同一のレシピで
複数枚の基板を１枚ずつ熱処理する際に、各基板の熱処
理ごとに熱処理チャンバの壁面形成材に定常的な熱サイ
クルが再現されるので、例えオープンループ制御であっ
ても各基板の熱処理時の基板温度の再現性が精度良く得
られ、このため、同一レシピで熱処理された基板間での
品質の均一性が保持されることになる。
熱処理チャンバと基板の搬入部および搬出部と基板の搬
送手段とを集合させて雰囲気的に隔離された処理システ
ムの内部において熱処理チャンバにより同一のレシピで
複数枚の基板を１枚ずつ熱処理する際に、各基板の熱処
理ごとに熱処理チャンバの壁面形成材に定常的な熱サイ
クルが再現されるので、例えオープンループ制御であっ
ても各基板の熱処理時の基板温度の再現性が精度良く得
られ、このため、同一レシピで熱処理された基板間での
品質の均一性が保持されることになる。
【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使
用される処理システムの概略構成の１例を示す模式的平
面図である。
用される処理システムの概略構成の１例を示す模式的平
面図である。
【図２】熱処理チャンバにより複数枚の基板を１枚ずつ
順次熱処理する場合におけるチャンバの壁面形成材の熱
サイクルを示す図である。
順次熱処理する場合におけるチャンバの壁面形成材の熱
サイクルを示す図である。
１０ 搬送ユニット １２ トランスファーチャンバ １４、１６ ロードロック室 １８ ランプアニールチャンバ ２０、２２ 処理チャンバ ２４ シェルフチャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増田 充弘 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 中島 敏博 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を１枚ずつ熱処理する熱処理チャン
バを備え、少なくとも前記熱処理チャンバと基板の搬入
部および搬出部と基板の搬送手段とを集合させて雰囲気
的に隔離された処理システムを用い、複数枚の基板の処
理を行う基板処理方法において、 前記処理システム内に１枚もしくは複数枚のダミー基板
を配置し、前記熱処理チャンバで複数枚の基板を順次熱
処理する際においてその複数枚の基板の熱処理を開始す
る前にまたは基板の熱処理をいったん中断した後再開す
る前に、１枚もしくは複数枚の前記ダミー基板を前記熱
処理チャンバで加熱処理して、熱処理チャンバの壁面形
成材を、複数枚の基板の熱処理時の熱サイクルと同一の
熱サイクル下に置くことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21298496A JP3869499B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21298496A JP3869499B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041239A true JPH1041239A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3869499B2 JP3869499B2 (ja) | 2007-01-17 |
Family
ID=16631550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21298496A Expired - Fee Related JP3869499B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3869499B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100762241B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 승압 전압 발생 장치 및 그 제어 방법 |
| JP2010065305A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Seiko Epson Corp | スパッタリング装置及び半導体装置の製造方法 |
| US7965927B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| JP2015026754A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及びその制御方法、並びにプログラム |
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| US11024521B2 (en) | 2018-09-20 | 2021-06-01 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method for managing dummy wafer |
| US11289344B2 (en) | 2018-09-13 | 2022-03-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus for managing dummy wafer |
-
1996
- 1996-07-22 JP JP21298496A patent/JP3869499B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11024524B2 (en) | 2018-09-20 | 2021-06-01 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus for managing dummy wafer |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3869499B2 (ja) | 2007-01-17 |
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