JP2020068256A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ダミーウェハーに対する熱処理を適切に管理することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】ダミーウェハーに対してハロゲンランプ等による加熱処理を行ってサセプタ等のチャンバー内構造物を温調するダミー処理を行う。予めダミー処理のためのダミーレシピを作成するとともに、ダミー処理の回数の閾値である上限値および下限値を設定しておく。ダミー処理を開始した後、ダミー処理の回数を計数する。製品となる半導体ウェハーを収容したキャリアが熱処理装置に搬入された時点でのダミー処理回数と設定された上限値および下限値との比較判定を行うことによって、ダミー処理の終了および製品ウェハーの処理開始のタイミングを調整する。【選択図】図１１

Description

本発明は、ダミーウェハーの熱処理を管理する熱処理方法および熱処理装置に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。
このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
典型的には、熱処理に限らず半導体ウェハーの処理はロット（同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる１組の半導体ウェハー）単位で行われる。枚葉式の基板処理装置では、ロットを構成する複数枚の半導体ウェハーに対して連続して順次に処理が行われる。フラッシュランプアニール装置においても、ロットを構成する複数の半導体ウェハーが１枚ずつチャンバーに搬入されて順次に熱処理が行われる。
ところが、ロットを構成する複数の半導体ウェハーを順次に処理する過程で半導体ウェハーを保持するサセプタ等のチャンバー内構造物の温度が変化することがある。このような現象は、暫く稼働停止状態にあったフラッシュランプアニール装置にて新たに処理を開始する場合や半導体ウェハーの処理温度等の処理条件を変化させた場合に生じる。ロットの複数の半導体ウェハーを処理する過程でサセプタ等のチャンバー内構造物の温度が変化すると、ロットの初期の半導体ウェハーと後半の半導体ウェハーとで処理時の温度履歴が異なるという問題が生じる。
このような問題を解決するために、製品ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーをチャンバー内に搬入してサセプタに支持し、処理対象のロットと同一条件にて加熱処理を行うことにより、事前にサセプタ等のチャンバー内構造物を昇温しておくことが行われていた（ダミーランニング）。特許文献１には、１０枚程度のダミーウェハーにダミーランニングを行ってサセプタ等のチャンバー内構造物の温度を処理時の安定温度に到達させることが開示されている。
特開２０１７−０９２１０２号公報
製品ロットを構成する半導体ウェハーもダミーウェハーもＦＯＵＰ等のキャリアに収容された状態でフラッシュランプアニール装置に搬入される。ダミーウェハーは専用のダミーキャリアに収容されて搬入され、製品ロットは通常のキャリアに収容されて搬入される。典型的には、フラッシュランプアニール装置にダミーキャリアが搬入されてダミーランニングが開始された暫く後に、製品ロットを収容するキャリアが搬入されて製品ウェハーの処理が開始される。
しかしながら、所定枚数のダミーウェハーに対するダミーランニングが完了した後ある程度時間が経過してから製品ロットを収容するキャリアがフラッシュランプアニール装置に搬入されると、サセプタ等のチャンバー内構造物の温度がダミーランニングによって調整された安定温度から低下していることがある。この場合、製品ロットの処理を開始する前に、再度ダミーランニングを行ってチャンバー内構造物を安定温度に調整しなければならず、余計なダミーランニングを行う必要が生じるだけでなく製品ロットの処理開始が遅れるという問題が生じる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ダミーウェハーに対する熱処理を適切に管理することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、ダミーウェハーの熱処理を管理する熱処理方法において、ダミーウェハーに対する熱処理の回数の閾値である上限値および下限値を設定する設定工程と、製品ウェハーの処理を行う前にダミーウェハーの熱処理を行うダミー処理工程と、を備え、製品ウェハーの処理開始準備が完了した時点でのダミーウェハーの熱処理回数が前記下限値未満であるときには前記熱処理回数が前記下限値に到達するまでダミーウェハーの熱処理を継続し、前記熱処理回数が前記下限値以上かつ前記上限値以下であるときにはダミーウェハーの熱処理を停止して製品ウェハーの処理を開始し、前記熱処理回数が前記上限値を超えているときには製品ウェハーの処理を中止することを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記ダミー処理工程では、処理対象となる製品ウェハーの処理レシピに関連付けられたダミーレシピに従ってダミーウェハーの熱処理を実行することを特徴とする。
また、請求項３の発明は、ダミーウェハーの熱処理を管理する熱処理装置において、ダミーウェハーに熱処理を行う熱処理部と、ダミーウェハーに対する熱処理の回数の閾値である上限値および下限値を設定する設定部と、製品ウェハーの処理を行う前にダミーウェハーの熱処理を実行するとともに、製品ウェハーの処理開始準備が完了した時点での前記熱処理部におけるダミーウェハーの熱処理回数が前記下限値未満であるときには前記熱処理回数が前記下限値に到達するまでダミーウェハーの熱処理を継続し、前記熱処理回数が前記下限値以上かつ前記上限値以下であるときにはダミーウェハーの熱処理を停止して製品ウェハーの処理を開始し、前記熱処理回数が前記上限値を超えているときには製品ウェハーの処理を中止する制御部と、を備えることを特徴とする。
また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る熱処理装置において、処理対象となる製品ウェハーの処理レシピと、当該製品ウェハーの処理を行う前に熱処理を実行するダミーウェハーのダミーレシピとを関連付けて記憶する記憶部をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項３または請求項４の発明に係る熱処理装置において、ダミーウェハーを収容したダミーキャリア専用のロードポートをさらに備えることを特徴とする。
請求項１および請求項２の発明によれば、製品ウェハーの処理開始準備が完了した時点でのダミーウェハーの熱処理回数と設定された上限値および下限値との比較判定を行ってダミーウェハーの熱処理および製品ウェハーの処理を調整するため、ダミーウェハーに対する熱処理を適切に管理することができる。
特に、請求項２の発明によれば、処理対象となる製品ウェハーの処理レシピに関連付けられたダミーレシピに従ってダミーウェハーの熱処理を実行するため、製品ウェハーに最適なダミーレシピに従ってダミーウェハーの熱処理を行うことができる。
請求項３から請求項５の発明によれば、製品ウェハーの処理開始準備が完了した時点でのダミーウェハーの熱処理回数と設定された上限値および下限値との比較判定を行ってダミーウェハーの熱処理および製品ウェハーの処理を調整するため、ダミーウェハーに対する熱処理を適切に管理することができる。
特に、請求項４の発明によれば、処理対象となる製品ウェハーの処理レシピと、当該製品ウェハーの処理を行う前に熱処理を実行するダミーウェハーのダミーレシピとを関連付けて記憶するため、製品ウェハーに最適なダミーレシピに従ってダミーウェハーの熱処理を行うことができる。
本発明に係る熱処理装置を示す平面図である。 図１の熱処理装置の正面図である。 熱処理部の構成を示す縦断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタの断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 制御部の構成を示すブロック図である。 ダミー処理の管理手順を示すフローチャートである。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
まず、本発明に係る熱処理装置について説明する。図１は、本発明に係る熱処理装置１００を示す平面図であり、図２はその正面図である。熱処理装置１００は基板として円板形状の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである。熱処理装置１００に搬入される前の半導体ウェハーＷには不純物が注入されており、熱処理装置１００による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図１〜図３の各図においては、それらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
図１および図２に示すように、熱処理装置１００は、未処理の半導体ウェハーＷを外部から装置内に搬入するとともに処理済みの半導体ウェハーＷを装置外に搬出するためのインデクサ部１０１、未処理の半導体ウェハーＷの位置決めを行うアライメント部２３０、加熱処理後の半導体ウェハーＷの冷却を行う２つの冷却部１３０，１４０、半導体ウェハーＷにフラッシュ加熱処理を施す熱処理部１６０並びに冷却部１３０，１４０および熱処理部１６０に対して半導体ウェハーＷの受け渡しを行う搬送ロボット１５０を備える。また、熱処理装置１００は、上記の各処理部に設けられた動作機構および搬送ロボット１５０を制御して半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理を進行させる制御部３を備える。
インデクサ部１０１は、複数のキャリアＣを並べて載置するロードポート１１０と、各キャリアＣから未処理の半導体ウェハーＷを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの半導体ウェハーＷを収納する受渡ロボット１２０とを備えている。正確にはインデクサ部１０１には３つのロードポートが設けられており、ロードポート１１０は、第１ロードポート１１０ａ、第２ロードポート１１０ｂおよび第３ロードポート１１０ｃを含む総称である（３つのロードポートを特に区別しない場合には単にロードポート１１０とする）。３つのロードポートのうち第１ロードポート１１０ａおよび第２ロードポート１１０ｂには製品となる半導体ウェハーＷを収容したキャリアＣが載置される。一方、第３ロードポート１１０ｃは、ダミーウェハーＤＷを収容したダミーキャリアＤＣ専用のロードポートである。すなわち、第３ロードポート１１０ｃにはダミーキャリアＤＣのみが載置される。
未処理の半導体ウェハーＷを収容したキャリアＣおよびダミーキャリアＤＣは無人搬送車（ＡＧＶ、ＯＨＴ）等によって搬送されてロードポート１１０に載置される。また、処理済みの半導体ウェハーＷを収容したキャリアＣおよびダミーキャリアＤＣも無人搬送車によってロードポート１１０から持ち去られる。
また、ロードポート１１０においては、受渡ロボット１２０がキャリアＣおよびダミーキャリアＤＣに対して任意の半導体ウェハーＷ（またはダミーウェハーＤＷ）の出し入れを行うことができるように、キャリアＣおよびダミーキャリアＤＣが図２の矢印ＣＵにて示す如く昇降移動可能に構成されている。なお、キャリアＣおよびダミーキャリアＤＣの形態としては、半導体ウェハーＷを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納した半導体ウェハーＷを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
また、受渡ロボット１２０は、図１の矢印１２０Ｓにて示すようなスライド移動、矢印１２０Ｒにて示すような旋回動作および昇降動作が可能とされている。これにより、受渡ロボット１２０は、キャリアＣおよびダミーキャリアＤＣに対して半導体ウェハーＷの出し入れを行うとともに、アライメント部２３０および２つの冷却部１３０，１４０に対して半導体ウェハーＷの受け渡しを行う。受渡ロボット１２０によるキャリアＣ（またはダミーキャリアＤＣ）に対する半導体ウェハーＷの出し入れは、ハンド１２１のスライド移動、および、キャリアＣの昇降移動により行われる。また、受渡ロボット１２０とアライメント部２３０または冷却部１３０，１４０との半導体ウェハーＷの受け渡しは、ハンド１２１のスライド移動、および、受渡ロボット１２０の昇降動作によって行われる。
アライメント部２３０は、Ｙ軸方向に沿ったインデクサ部１０１の側方に接続されて設けられている。アライメント部２３０は、半導体ウェハーＷを水平面内で回転させてフラッシュ加熱に適切な向きに向ける処理部である。アライメント部２３０は、アルミニウム合金製の筐体であるアライメントチャンバー２３１の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持して回転させる機構、および、半導体ウェハーＷの周縁部に形成されたノッチやオリフラ等を光学的に検出する機構などを設けて構成される。
アライメント部２３０への半導体ウェハーＷの受け渡しは受渡ロボット１２０によって行われる。受渡ロボット１２０からアライメントチャンバー２３１へはウェハー中心が所定の位置に位置するように半導体ウェハーＷが渡される。アライメント部２３０では、インデクサ部１０１から受け取った半導体ウェハーＷの中心部を回転中心として鉛直方向軸まわりで半導体ウェハーＷを回転させ、ノッチ等を光学的に検出することによって半導体ウェハーＷの向きを調整する。向き調整の終了した半導体ウェハーＷは受渡ロボット１２０によってアライメントチャンバー２３１から取り出される。
搬送ロボット１５０による半導体ウェハーＷの搬送空間として搬送ロボット１５０を収容する搬送チャンバー１７０が設けられている。その搬送チャンバー１７０の三方に熱処理部１６０の処理チャンバー６、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１および冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１が連通接続されている。
熱処理装置１００の主要部である熱処理部１６０は、予備加熱を行った半導体ウェハーＷにキセノンフラッシュランプＦＬからの閃光（フラッシュ光）を照射してフラッシュ加熱処理を行う基板処理部である。この熱処理部１６０の構成についてはさらに後述する。
２つの冷却部１３０，１４０は、概ね同様の構成を備える。冷却部１３０，１４０はそれぞれ、アルミニウム合金製の筐体である第１クールチャンバー１３１，第２クールチャンバー１４１の内部に、金属製の冷却プレートと、その上面に載置された石英板とを備える（いずれも図示省略）。当該冷却プレートは、ペルチェ素子または恒温水循環によって常温（約２３℃）に温調されている。熱処理部１６０にてフラッシュ加熱処理が施された半導体ウェハーＷは、第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に搬入されて当該石英板に載置されて冷却される。
第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１はともに、インデクサ部１０１と搬送チャンバー１７０との間にて、それらの双方に接続されている。第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１には、半導体ウェハーＷを搬入出するための２つの開口が形設されている。第１クールチャンバー１３１の２つの開口のうちインデクサ部１０１に接続される開口はゲートバルブ１８１によって開閉可能とされている。一方、第１クールチャンバー１３１の搬送チャンバー１７０に接続される開口はゲートバルブ１８３によって開閉可能とされている。すなわち、第１クールチャンバー１３１とインデクサ部１０１とはゲートバルブ１８１を介して接続され、第１クールチャンバー１３１と搬送チャンバー１７０とはゲートバルブ１８３を介して接続されている。
インデクサ部１０１と第１クールチャンバー１３１との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８１が開放される。また、第１クールチャンバー１３１と搬送チャンバー１７０との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８３が開放される。ゲートバルブ１８１およびゲートバルブ１８３が閉鎖されているときには、第１クールチャンバー１３１の内部が密閉空間となる。
また、第２クールチャンバー１４１の２つの開口のうちインデクサ部１０１に接続される開口はゲートバルブ１８２によって開閉可能とされている。一方、第２クールチャンバー１４１の搬送チャンバー１７０に接続される開口はゲートバルブ１８４によって開閉可能とされている。すなわち、第２クールチャンバー１４１とインデクサ部１０１とはゲートバルブ１８２を介して接続され、第２クールチャンバー１４１と搬送チャンバー１７０とはゲートバルブ１８４を介して接続されている。
インデクサ部１０１と第２クールチャンバー１４１との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８２が開放される。また、第２クールチャンバー１４１と搬送チャンバー１７０との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８４が開放される。ゲートバルブ１８２およびゲートバルブ１８４が閉鎖されているときには、第２クールチャンバー１４１の内部が密閉空間となる。
さらに、冷却部１３０，１４０はそれぞれ、第１クールチャンバー１３１，第２クールチャンバー１４１に清浄な窒素ガスを供給するガス供給機構とチャンバー内の雰囲気を排気する排気機構とを備える。これらのガス供給機構および排気機構は、流量を２段階に切り換え可能とされていても良い。
搬送チャンバー１７０に設けられた搬送ロボット１５０は、鉛直方向に沿った軸を中心に矢印１５０Ｒにて示すように旋回可能とされる。搬送ロボット１５０は、複数のアームセグメントからなる２つのリンク機構を有し、それら２つのリンク機構の先端にはそれぞれ半導体ウェハーＷを保持する搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂが設けられている。これらの搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂは上下に所定のピッチだけ隔てて配置され、リンク機構によりそれぞれ独立して同一水平方向に直線的にスライド移動可能とされている。また、搬送ロボット１５０は、２つのリンク機構が設けられるベースを昇降移動することにより、所定のピッチだけ離れた状態のまま２つの搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂを昇降移動させる。
搬送ロボット１５０が第１クールチャンバー１３１、第２クールチャンバー１４１または熱処理部１６０の処理チャンバー６を受け渡し相手として半導体ウェハーＷの受け渡し（出し入れ）を行う際には、まず、両搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂが受け渡し相手と対向するように旋回し、その後（または旋回している間に）昇降移動していずれかの搬送ハンドが受け渡し相手と半導体ウェハーＷを受け渡しする高さに位置する。そして、搬送ハンド１５１ａ（１５１ｂ）を水平方向に直線的にスライド移動させて受け渡し相手と半導体ウェハーＷの受け渡しを行う。
搬送ロボット１５０と受渡ロボット１２０との半導体ウェハーＷの受け渡しは冷却部１３０，１４０を介して行うことができる。すなわち、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１および冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１は、搬送ロボット１５０と受渡ロボット１２０との間で半導体ウェハーＷを受け渡すためのパスとしても機能するものである。具体的には、搬送ロボット１５０または受渡ロボット１２０のうちの一方が第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に渡した半導体ウェハーＷを他方が受け取ることによって半導体ウェハーＷの受け渡しが行われる。搬送ロボット１５０および受渡ロボット１２０によって半導体ウェハーＷをキャリアＣから熱処理部１６０にまで搬送する搬送機構が構成される。
上述したように、第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１とインデクサ部１０１との間にはそれぞれゲートバルブ１８１，１８２が設けられている。また、搬送チャンバー１７０と第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１との間にはそれぞれゲートバルブ１８３，１８４が設けられている。さらに、搬送チャンバー１７０と熱処理部１６０の処理チャンバー６との間にはゲートバルブ１８５が設けられている。熱処理装置１００内にて半導体ウェハーＷが搬送される際には、適宜これらのゲートバルブが開閉される。また、搬送チャンバー１７０およびアライメントチャンバー２３１にもガス供給部から窒素ガスが供給されるとともに、それらの内部の雰囲気が排気部によって排気される（いずれも図示省略）。
次に、熱処理部１６０の構成について説明する。図３は、熱処理部１６０の構成を示す縦断面図である。熱処理部１６０は、半導体ウェハーＷを収容して加熱処理を行う処理チャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュランプハウス５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲンランプハウス４と、を備える。処理チャンバー６の上側にフラッシュランプハウス５が設けられるとともに、下側にハロゲンランプハウス４が設けられている。また、熱処理部１６０は、処理チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と搬送ロボット１５０との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。
処理チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。処理チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を処理チャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、処理チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲンランプＨＬからの光を処理チャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。処理チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、処理チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、処理チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
また、チャンバー側部６１には、処理チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖すると処理チャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
また、処理チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１は処理チャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガスを用いることができる（本実施形態では窒素）。
一方、処理チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６は処理チャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気機構１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、処理チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気機構１９０は、熱処理装置１００に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１００が設置される工場のユーティリティであっても良い。
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気機構１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介して処理チャンバー６内の気体が排気される。
図４は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、処理チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図３参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図５は、サセプタ７４の平面図である。また、図６は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
図４に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１が処理チャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７が処理チャンバー６に装着される。保持部７が処理チャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
処理チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、処理チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
また、図４および図５に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０（図３参照）がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８を介してサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光してその半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
図７は、移載機構１０の平面図である。また、図８は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図７の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図７の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。移載動作位置はサセプタ７４の下方であり、退避位置はサセプタ７４よりも外方である。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図４，５参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気が処理チャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
図３に戻り、処理チャンバー６の上方に設けられたフラッシュランプハウス５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュランプハウス５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュランプハウス５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュランプハウス５が処理チャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬは処理チャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
処理チャンバー６の下方に設けられたハロゲンランプハウス４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。複数のハロゲンランプＨＬは処理チャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行う。
図９は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。本実施形態では、上下２段に各２０本ずつのハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
また、図９に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲンランプＨＬからの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段の各ハロゲンランプＨＬの長手方向と下段の各ハロゲンランプＨＬの長手方向とが直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
また、ハロゲンランプハウス４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図３）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
制御部３は、熱処理装置１００に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。図１０は、制御部３の構成を示すブロック図である。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク３５を備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１００における処理が進行する。なお、図１においては、インデクサ部１０１内に制御部３を示しているが、これに限定されるものではなく、制御部３は熱処理装置１００内の任意の位置に配置することができる。
図１０に示すように、制御部３は計数部３１および判定部３２を備える。計数部３１および判定部３２は、制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部である。計数部３１および判定部３２の処理内容についてはさらに後述する。
また、制御部３には表示部３４および入力部３３が接続されている。制御部３は、表示部３４に種々の情報を表示する。熱処理装置１００のオペレータは、表示部３４に表示された情報を確認しつつ、入力部３３から種々のコマンドやパラメータを入力することができる。入力部３３としては、例えばキーボードやマウスを用いることができる。表示部３４としては、例えば液晶ディスプレイを用いることができる。本実施形態においては、表示部３４および入力部３３として、熱処理装置１００の外壁に設けられた液晶のタッチパネルを採用して双方の機能を併せ持たせるようにしている。
上記の構成以外にも熱処理部１６０は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲンランプハウス４、フラッシュランプハウス５および処理チャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、処理チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲンランプハウス４およびフラッシュランプハウス５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュランプハウス５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
次に、本発明に係る熱処理装置１００の処理動作について説明する。ここでは、製品となる半導体ウェハー（製品ウェハー）Ｗに対する処理動作について説明した後、ダミーウェハーＤＷの熱処理の管理について説明する。処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１００によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。
まず、不純物が注入された未処理の半導体ウェハーＷがキャリアＣに複数枚収容された状態でインデクサ部１０１の第１ロードポート１１０ａまたは第２ロードポート１１０ｂに載置される。そして、受渡ロボット１２０がキャリアＣから未処理の半導体ウェハーＷを１枚ずつ取り出し、アライメント部２３０のアライメントチャンバー２３１に搬入する。アライメントチャンバー２３１では、半導体ウェハーＷをその中心部を回転中心として水平面内にて鉛直方向軸まわりで回転させ、ノッチ等を光学的に検出することによって半導体ウェハーＷの向きを調整する。
次に、インデクサ部１０１の受渡ロボット１２０がアライメントチャンバー２３１から向きの調整された半導体ウェハーＷを取り出し、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１または冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１に搬入する。第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に搬入された未処理の半導体ウェハーＷは搬送ロボット１５０によって搬送チャンバー１７０に搬出される。未処理の半導体ウェハーＷがインデクサ部１０１から第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１を経て搬送チャンバー１７０に移送される際には、第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１は半導体ウェハーＷの受け渡しのためのパスとして機能するのである。
半導体ウェハーＷを取り出した搬送ロボット１５０は熱処理部１６０を向くように旋回する。続いて、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を開放し、搬送ロボット１５０が未処理の半導体ウェハーＷを処理チャンバー６に搬入する。このときに、先行する加熱処理済みの半導体ウェハーＷが処理チャンバー６に存在している場合には、搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂの一方によって加熱処理後の半導体ウェハーＷを取り出してから未処理の半導体ウェハーＷを処理チャンバー６に搬入してウェハー入れ替えを行う。その後、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を閉鎖する。
処理チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷには、ハロゲンランプＨＬによって予備加熱が行われた後、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によってフラッシュ加熱処理が行われる。このフラッシュ加熱処理により半導体ウェハーＷに注入された不純物の活性化が行われる。
フラッシュ加熱処理が終了した後、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を再び開放し、搬送ロボット１５０が処理チャンバー６からフラッシュ加熱処理後の半導体ウェハーＷを搬送チャンバー１７０に搬出する。半導体ウェハーＷを取り出した搬送ロボット１５０は、処理チャンバー６から第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に向くように旋回する。また、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を閉鎖する。
その後、搬送ロボット１５０が加熱処理後の半導体ウェハーＷを冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１または冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１に搬入する。このとき、当該半導体ウェハーＷが加熱処理前に第１クールチャンバー１３１を通ってきている場合には加熱処理後にも第１クールチャンバー１３１に搬入され、加熱処理前に第２クールチャンバー１４１を通ってきている場合には加熱処理後にも第２クールチャンバー１４１に搬入される。第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１では、フラッシュ加熱処理後の半導体ウェハーＷの冷却処理が行われる。熱処理部１６０の処理チャンバー６から搬出された時点での半導体ウェハーＷ全体の温度は比較的高温であるため、これを第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１にて常温近傍にまで冷却するのである。
所定の冷却処理時間が経過した後、受渡ロボット１２０が冷却後の半導体ウェハーＷを第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１から搬出し、キャリアＣへと返却する。キャリアＣに所定枚数の処理済み半導体ウェハーＷが収容されると、そのキャリアＣはインデクサ部１０１のロードポート１１０から搬出される。
熱処理部１６０における加熱処理について説明を続ける。処理チャンバー６への半導体ウェハーＷの搬入に先立って、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９，１９２が開放されて処理チャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６から処理チャンバー６内の気体が排気される。これにより、処理チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からも処理チャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理部１６０における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。
続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、搬送ロボット１５０により搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷが処理チャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。搬送ロボット１５０は、未処理の半導体ウェハーＷを保持する搬送ハンド１５１ａ（または搬送ハンド１５１ｂ）を保持部７の直上位置まで進出させて停止させる。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
未処理の半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボット１５０が搬送ハンド１５１ａを熱処理空間６５から退出させ、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
半導体ウェハーＷが保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面から照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、６００℃ないし８００℃程度とされる（本実施の形態では７００℃）。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲンランプハウス４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュランプＦＬが半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接に処理チャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてから処理チャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、フラッシュ加熱では半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された処理後の半導体ウェハーＷが搬送ロボット１５０の搬送ハンド１５１ｂ（または搬送ハンド１５１ａ）により搬出される。搬送ロボット１５０は、搬送ハンド１５１ｂをリフトピン１２によって突き上げられた半導体ウェハーＷの直下位置にまで進出させて停止させる。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーＷが搬送ハンド１５１ｂに渡されて載置される。その後、搬送ロボット１５０が搬送ハンド１５１ｂを処理チャンバー６から退出させて処理後の半導体ウェハーＷを搬出する。
ところで、典型的には、半導体ウェハーＷの処理はロット単位で行われる。ロットとは、同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる１組の半導体ウェハーＷである。本実施形態の熱処理装置１００においても、ロットを構成する複数枚（例えば、２５枚）の半導体ウェハーＷが１つのキャリアＣに収容されてインデクサ部１０１の第１ロードポート１１０ａまたは第２ロードポート１１０ｂに載置され、そのキャリアＣから半導体ウェハーＷが１枚ずつ順次に処理チャンバー６に搬入されて加熱処理が行われる。
ここで、しばらく処理を行っていなかった熱処理装置１００にてロットの処理を開始する場合、概ね室温の処理チャンバー６にロットの最初の半導体ウェハーＷが搬入されて予備加熱およびフラッシュ加熱処理が行われることとなる。このような場合は、例えばメンテナンス後に熱処理装置１００が起動されてから最初のロットを処理する場合や先のロットを処理した後に長時間が経過した場合などである。加熱処理時には、昇温した半導体ウェハーＷからサセプタ７４等のチャンバー内構造物に熱伝導が生じるため、初期には室温であったサセプタ７４が半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれて徐々に蓄熱により昇温することとなる。また、ハロゲンランプＨＬから出射された赤外光の一部は下側チャンバー窓６４に吸収されるため、半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれて下側チャンバー窓６４の温度も徐々に昇温することとなる。
そして、約１０枚の半導体ウェハーＷの加熱処理が行われたときにサセプタ７４および下側チャンバー窓６４の温度が一定の安定温度に到達する。安定温度に到達したサセプタ７４では、半導体ウェハーＷからサセプタ７４への伝熱量とサセプタ７４からの放熱量とが均衡する。サセプタ７４の温度が安定温度に到達するまでは、半導体ウェハーＷからの伝熱量がサセプタ７４からの放熱量よりも多いため、半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれてサセプタ７４の温度が徐々に蓄熱により上昇する。これに対して、サセプタ７４の温度が安定温度に到達した後は、半導体ウェハーＷからの伝熱量とサセプタ７４からの放熱量とが均衡するため、サセプタ７４の温度は一定の安定温度に維持されることとなる。また、下側チャンバー窓６４の温度が安定温度に到達した後は、下側チャンバー窓６４がハロゲンランプＨＬの照射光から吸収する熱量と下側チャンバー窓６４から放出される熱量とが均衡するため、下側チャンバー窓６４の温度も一定の安定温度に維持されることとなる。
このように室温の処理チャンバー６にて処理を開始すると、ロットの初期の半導体ウェハーＷと途中からの半導体ウェハーＷとで処理チャンバー６の構造物の温度が異なることに起因して温度履歴が不均一になるという問題があった。また、初期の半導体ウェハーＷについては低温のサセプタ７４に支持されてフラッシュ加熱処理が行われるためにウェハー反りが生じることもあった。このため、製品ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーＤＷを処理チャンバー６内に搬入して加熱処理を行ってサセプタ７４等のチャンバー内構造物を安定温度に昇温するダミーランニング（ダミー処理）が実施されている。１０枚程度のダミーウェハーＤＷに加熱処理を行うことにより、サセプタ７４等のチャンバー内構造物を安定温度に昇温することができる。このようなダミー処理は、室温の処理チャンバー６にて処理を開始する場合のみならず、予備加熱温度Ｔ１や処理温度Ｔ２を変更する場合にも実行される。以下、本実施形態におけるダミー処理の管理について説明する。
図１１は、ダミー処理の管理手順を示すフローチャートである。まず、ダミー処理に先立ってダミーレシピが作成される（ステップＳ１）。製品となる半導体ウェハーＷに対する処理は、処理レシピに従って制御部３が熱処理装置１００の各機構を制御することにより実行される。処理レシピとは、製品となる半導体ウェハーＷの処理手順および処理条件を定義したものである。処理レシピは、半導体ウェハーＷの処理目的や処理内容に応じて個別に作成される。制御部３の記憶部である磁気ディスク３５には、予め作成された複数の処理レシピが格納されている。製品となる半導体ウェハーＷの処理時には、その処理内容に応じた処理レシピが選択され、制御部３が選択された処理レシピに従って熱処理装置１００の各機構を制御する。
このような処理レシピとは別にダミーレシピが作成される。ダミーレシピとは、ダミーウェハーＤＷの処理手順および処理条件を定義したものである。製品となる半導体ウェハーＷに対する処理を開始する前にダミー処理を行うのであるが、その半導体ウェハーＷに対する処理とダミー処理とは異なることも多い。例えば、製品となる半導体ウェハーＷに対してはハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行ってからフラッシュランプＦＬによるフラッシュ加熱を行うのに対して、ダミー処理ではフラッシュ加熱は行わないこともある。また、製品となる半導体ウェハーＷの処理はアンモニア雰囲気中で行うのに対して、ダミー処理は窒素雰囲気中で行うこともある。このため、処理レシピとは別にダミー処理専用のダミーレシピを作成するのである。半導体ウェハーＷの処理内容に応じて複数の処理レシピが作成されているため、複数の処理レシピのそれぞれに最適な処理手順および処理条件を定義したダミーレシピが作成される。
ダミーレシピの作成は、例えば熱処理装置１００のオペレータが表示部３４および入力部３３を用いて行う。ダミーレシピの作成に際しては、ダミーウェハーＤＷに対する熱処理の回数の閾値である上限値および下限値も併せて設定される（ステップＳ２）。この設定作業も、熱処理装置１００のオペレータが表示部３４および入力部３３を用いて行う。すなわち、表示部３４および入力部３３が上限値および下限値を設定するための設定部として機能する。
作成されたダミーレシピは制御部３の磁気ディスク３５に格納される（ステップＳ３）。このとき、ダミーレシピは対応する処理レシピと関連付けられて磁気ディスク３５に格納される（図１０）。ダミーレシピに対応する処理レシピとは、当該ダミーレシピに従って実行されるダミー処理の完了後に行う半導体ウェハーＷの処理のための処理レシピである。半導体ウェハーＷの処理内容に応じて複数の処理レシピが作成されているため、それら複数の処理レシピに１対１で最適なダミーレシピが関連付けられて磁気ディスク３５に格納される。
次に、所定のタイミングでダミー処理が開始される（ステップＳ４）。例えば、製品となる半導体ウェハーＷの処理を開始する一定時間前にダミー処理を開始する。ダミー処理は、第３ロードポート１１０ｃに載置されたダミーキャリアＤＣからダミーウェハーＤＷを取り出して熱処理部１６０の処理チャンバー６に搬入し、そのダミーウェハーＤＷをハロゲンランプＨＬからの光照射で加熱することによって実行される。ダミーウェハーＤＷは、製品となる半導体ウェハーＷと同様の円板形状のシリコンウェハーであり、半導体ウェハーＷと同様のサイズおよび形状を有する。但し、ダミーウェハーＤＷには、パターン形成やイオン注入はなされていない。すなわち、ダミーウェハーＤＷはいわゆるベアウェハーである。また、ダミーキャリアＤＣの形態自体は製品となる半導体ウェハーＷを収容するキャリアＣと同じであり、本実施形態ではＦＯＵＰである。但し、ダミーキャリアＤＣは、ダミーウェハーＤＷのみが収容されるダミーウェハーＤＷ専用のキャリアである。
加熱されて昇温したダミーウェハーＤＷによってサセプタ７４等のチャンバー内構造物が温調される。ダミー処理の完了したダミーウェハーＤＷは再び第３ロードポート１１０ｃに載置されたダミーキャリアＤＣに戻される。その後、新たなダミーウェハーＤＷがダミーキャリアＤＣから取り出されてダミー処理に供される。複数枚のダミーウェハーＤＷにダミー処理を実行することによって、サセプタ７４等のチャンバー内構造物が安定温度に温調される。なお、安定温度とは、サセプタ７４を予熱することなく、処理チャンバー６内にてロットの複数の半導体ウェハーＷに連続して加熱処理を行うことにより、サセプタ７４の温度が上昇して一定となったときの当該サセプタ７４の温度である。
本実施形態においては、ダミーキャリアＤＣ専用の第３ロードポート１１０ｃを設け、その第３ロードポート１１０ｃにほぼ常時ダミーキャリアＤＣが載置されている。このため、ダミー処理を行う毎にダミーキャリアＤＣをＯＨＴ等によって逐一ロードポート１１０に搬入する必要はなく、所望のタイミングで随時ダミー処理を開始することができる。その結果、ダミー処理の遅れに起因した製品ロットの待機時間を低減することができる。
また、本実施形態においては、処理レシピとダミーレシピとが関連付けられて磁気ディスク３５に格納されている。ダミー処理に際しては、続いて実行される製品となる半導体ウェハーＷの処理のための処理レシピに関連付けられたダミーレシピが制御部３によって選択され、その選択されたダミーレシピに従ってダミー処理が実行される。従って、製品となる半導体ウェハーＷの処理に最適なダミー処理を行うことが可能となる。
また、制御部３の計数部３１は、ダミー処理が開始されてからのダミー処理の回数を示すダミー処理カウンターを保持しており、１枚のダミーウェハーＤＷに対するダミー処理が終了する毎にダミー処理カウンターに１を加算してインクリメントする。すなわち、計数部３１は、ダミー処理が開始されてからの熱処理部１６０におけるダミーウェハーＤＷの熱処理回数を計数する。
次に、いずれかの時点で複数枚の製品となる半導体ウェハーＷ（製品ロット）を収容したキャリアＣがＯＨＴ等によって第１ロードポート１１０ａまたは第２ロードポート１１０ｂに載置される。製品ロットを収容したキャリアＣが熱処理装置１００に搬入されるまで、ダミー処理は繰り返されており、その回数は計数部３１によって計数されている。
製品ロットを収容したキャリアＣの第１ロードポート１１０ａまたは第２ロードポート１１０ｂへの載置が検知された時点で製品となる半導体ウェハーＷの処理開始準備が完了したとみなされ、ステップＳ５からステップＳ６へと進む。そして、制御部３の判定部３２が計数部３１によって計数されているダミー処理カウンターとステップＳ２で設定された上限値および下限値との比較判定を行う。
まず、ダミー処理回数が設定された上限値を超えていた場合には、ステップＳ６からステップＳ７に進み、新たな製品となる半導体ウェハーＷの処理を中止する。この場合は、熱処理部１６０におけるダミーウェハーＤＷの熱処理がサセプタ７４等のチャンバー内構造物が安定温度に到達した後も相当数行われていた場合であり、何らかの異常が発生している可能性が高いため、処理を中止するのである。その後、異常の有無の点検作業が行われる。なお、上限値としては例えば２０回が設定される。
続いて、ダミー処理回数が設定された下限値よりも少なかった場合には、ステップＳ８からステップＳ９に進み、ダミー処理回数が下限値に到達するまでダミー処理を継続する。そして、ダミー処理回数が下限値に到達した後に製品となる半導体ウェハーＷの処理を開始する。この場合は、製品ロットを収容したキャリアＣが搬入された時点での熱処理部１６０におけるダミーウェハーＤＷの熱処理回数が必要最低回数未満であり、サセプタ７４等のチャンバー内構造物が安定温度に到達していない場合である。よって、サセプタ７４等のチャンバー内構造物が安定温度に到達するまでダミー処理を継続して行い、当該チャンバー内構造物が安定温度に到達してから製品となる半導体ウェハーＷの処理を開始するのである。なお、下限値としては例えば１０回が設定される。
一方、それらのいずれにも該当しない場合、すなわちダミー処理回数が下限値以上かつ上限値以下である場合には、ステップＳ１０に進み、ダミー処理を停止して製品となる半導体ウェハーＷの処理を開始する。この場合は、製品ロットを収容したキャリアＣが搬入された時点でサセプタ７４等のチャンバー内構造物が安定温度に到達している場合であり、ダミー処理を直ちに停止して製品となる半導体ウェハーＷの処理を開始するのである。
本実施形態においては、ダミー処理が開始されてからのダミー処理の回数を計数し、製品ロットを収容したキャリアＣが第１ロードポート１１０ａまたは第２ロードポート１１０ｂに載置された時点でのダミー処理回数と上限値および下限値との比較判定を行ってダミー処理の終了および製品ウェハーの処理開始のタイミングを調整している。
理想的には、熱処理部１６０におけるダミーウェハーＤＷの熱処理が必要最低回数実行され、サセプタ７４等のチャンバー内構造物が安定温度に到達するのと同時に製品ロットを収容したキャリアＣが第１ロードポート１１０ａまたは第２ロードポート１１０ｂに載置されて製品となる半導体ウェハーＷの処理が開始されるのが好ましい。しかしながら、半導体製造工場内には多数の熱処理装置１００が配置され、それら複数の熱処理装置１００に対してＯＨＴ等が順次にキャリアＣの搬入および搬出を行っている。このため、実際には、チャンバー内構造物が安定温度に到達するのと同時のタイミングで製品ロットを収容したキャリアＣを熱処理装置１００に搬入することは非常に困難である。ダミー処理が完了するタイミングと製品ロットを収容したキャリアＣが搬入されるタイミングとがずれると種々の不具合が生じる。特に、ダミー処理が完了してからある程度時間が経過してから製品ロットを収容したキャリアＣが搬入されると、サセプタ７４等のチャンバー内構造物が安定温度から降温しており、再び追加でダミー処理を行う必要が生じる。このため、本実施形態では、製品ロットを収容したキャリアＣが搬入された時点でのダミー処理回数と上限値および下限値との比較判定を行ってダミー処理の終了および製品ウェハーの処理開始のタイミングを調整しているのである。
上記の下限値としては、熱処理部１６０にてダミーウェハーＤＷに順次にダミー処理を行ってサセプタ７４等のチャンバー内構造物の温度が安定温度に到達するのに必要なダミー処理の最低回数を設定するのが好ましい。製品ロットを収容したキャリアＣが搬入された時点でダミー処理回数が下限値未満である場合には、未だにチャンバー内構造物の温度が安定温度に到達していない。このため、ダミー処理回数が下限値に到達するまでダミー処理を継続して行い、チャンバー内構造物の温度が安定温度に到達したら直ちに製品となる半導体ウェハーＷの処理を開始する。これにより、無駄なダミー処理を行うこと無く円滑にダミー処理から製品となる半導体ウェハーＷの処理に移行することができる。
一方、上限値としては、上記の下限値にマージンとして上乗せするダミー処理の回数を加算した値を設定するのが好ましい。製品ロットを収容したキャリアＣが搬入された時点でダミー処理回数が下限値以上かつ上限値以下である場合には、必要最低回数のダミー処理が実行されてサセプタ７４等のチャンバー内構造物の温度が安定温度に到達しているため、ダミー処理を直ちに停止して製品となる半導体ウェハーＷの処理を開始する。これにより、無駄なダミー処理を最小限に抑制して円滑にダミー処理から製品となる半導体ウェハーＷの処理に移行することができる。また、チャンバー内構造物の温度が安定温度に到達した後も、製品ロットを収容したキャリアＣが搬入されるまで途切れること無くダミー処理が継続して行われているため、チャンバー内構造物は安定温度に維持されており、再度追加でダミー処理を行う必要性は生じない。
製品ロットを収容したキャリアＣが搬入された時点でダミー処理回数が上限値を超えている場合には、マージンとして設定された許容限度を超えてダミー処理が行われているため、新たな製品となる半導体ウェハーＷの処理を中止する。これにより、異常な状態で製品となる半導体ウェハーＷの処理が実行されるのを未然に防止することができる。
上限値として、下限値に十分に余裕のあるマージンを加算した値を設定すれば、製品ロットを収容したキャリアＣの搬入が多少遅れた場合であっても、チャンバー内構造物の温度を安定温度に維持することができ、搬入遅れに起因した不具合を防止することができる。もっとも、上限値を過度に大きく設定すると、異常が発生しているにもかかわらず製品となる半導体ウェハーＷの処理が行われることもあるため、バランスを考慮しつつ上限値を設定するのが好ましい。
このように、製品ロットを収容したキャリアＣが搬入された時点でのダミー処理回数と上限値および下限値との比較判定を行ってダミー処理の終了および製品ウェハーの処理開始のタイミングを調整することにより、ダミーウェハーＤＷに対する熱処理を適切に管理することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、熱処理装置１００のオペレータが表示部３４および入力部３３を用いて上限値および下限値の設定を行っていたが、複数の熱処理装置１００が配置された工場のホストコンピュータからダミーレシピとともに上限値および下限値を各熱処理装置１００に引き渡すようにしても良い。
また、上記実施形態においては、フラッシュランプハウス５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲンランプハウス４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。この場合、ダミーウェハーの加熱もアークランプからの光照射によって行われることとなる。
また、熱処理装置１００によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。
３ 制御部
４ ハロゲンランプハウス
５ フラッシュランプハウス
６ 処理チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
３１ 計数部
３２ 判定部
３３ 入力部
３４ 表示部
３５ 磁気ディスク
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
１００ 熱処理装置
１０１ インデクサ部
１１０ ロードポート
１１０ａ 第１ロードポート
１１０ｂ 第２ロードポート
１１０ｃ 第３ロードポート
１２０ 受渡ロボット
１３０，１４０ 冷却部
１５０ 搬送ロボット
１５１ａ，１５１ｂ 搬送ハンド
１６０ 熱処理部
Ｃ キャリア
ＤＣ ダミーキャリア
ＤＷ ダミーウェハー
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (5)

  1. ダミーウェハーの熱処理を管理する熱処理方法であって、
    ダミーウェハーに対する熱処理の回数の閾値である上限値および下限値を設定する設定工程と、
    製品ウェハーの処理を行う前にダミーウェハーの熱処理を行うダミー処理工程と、
    を備え、
    製品ウェハーの処理開始準備が完了した時点でのダミーウェハーの熱処理回数が前記下限値未満であるときには前記熱処理回数が前記下限値に到達するまでダミーウェハーの熱処理を継続し、前記熱処理回数が前記下限値以上かつ前記上限値以下であるときにはダミーウェハーの熱処理を停止して製品ウェハーの処理を開始し、前記熱処理回数が前記上限値を超えているときには製品ウェハーの処理を中止することを特徴とする熱処理方法。
  2. 請求項１記載の熱処理方法において、
    前記ダミー処理工程では、処理対象となる製品ウェハーの処理レシピに関連付けられたダミーレシピに従ってダミーウェハーの熱処理を実行することを特徴とする熱処理方法。
  3. ダミーウェハーの熱処理を管理する熱処理装置であって、
    ダミーウェハーに熱処理を行う熱処理部と、
    ダミーウェハーに対する熱処理の回数の閾値である上限値および下限値を設定する設定部と、
    製品ウェハーの処理を行う前にダミーウェハーの熱処理を実行するとともに、製品ウェハーの処理開始準備が完了した時点での前記熱処理部におけるダミーウェハーの熱処理回数が前記下限値未満であるときには前記熱処理回数が前記下限値に到達するまでダミーウェハーの熱処理を継続し、前記熱処理回数が前記下限値以上かつ前記上限値以下であるときにはダミーウェハーの熱処理を停止して製品ウェハーの処理を開始し、前記熱処理回数が前記上限値を超えているときには製品ウェハーの処理を中止する制御部と、
    を備えることを特徴とする熱処理装置。
  4. 請求項３記載の熱処理装置において、
    処理対象となる製品ウェハーの処理レシピと、当該製品ウェハーの処理を行う前に熱処理を実行するダミーウェハーのダミーレシピとを関連付けて記憶する記憶部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
  5. 請求項３または請求項４記載の熱処理装置において、
    ダミーウェハーを収容したダミーキャリア専用のロードポートをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
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