JPH10144581A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH10144581A JPH10144581A JP30285796A JP30285796A JPH10144581A JP H10144581 A JPH10144581 A JP H10144581A JP 30285796 A JP30285796 A JP 30285796A JP 30285796 A JP30285796 A JP 30285796A JP H10144581 A JPH10144581 A JP H10144581A
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- JP
- Japan
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- moisture
- reactor
- reaction gas
- wafer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反応炉内の水分量を測定し、製造プロセスにお
ける反応ガス中の水分に起因する薄膜の膜質や、結晶性
の変化を製造行程中に検知し、不良製品の発生を極力抑
え、素子製造における品質ならびに歩留まりの向上がは
かられる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】半導体製造過程の各プロセスを実施する反
応炉と、反応炉に反応ガスを導入する手段と、反応炉を
所定の圧力にするためのガス排気手段とを少なくとも備
えた半導体製造装置において、反応炉もしくは反応炉に
連通して接続されている部分に、反応ガス中の水分量を
測定する水分計を設けた半導体製造装置とする。
ける反応ガス中の水分に起因する薄膜の膜質や、結晶性
の変化を製造行程中に検知し、不良製品の発生を極力抑
え、素子製造における品質ならびに歩留まりの向上がは
かられる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】半導体製造過程の各プロセスを実施する反
応炉と、反応炉に反応ガスを導入する手段と、反応炉を
所定の圧力にするためのガス排気手段とを少なくとも備
えた半導体製造装置において、反応炉もしくは反応炉に
連通して接続されている部分に、反応ガス中の水分量を
測定する水分計を設けた半導体製造装置とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造プ
ロセスにおいて、形成する各種薄膜の膜質ならびに結晶
性の均一性を保ち、不良製品の発生を極力抑え、素子製
造における品質ならびに歩留まりの向上をはかることが
できる半導体製造装置に関する。
ロセスにおいて、形成する各種薄膜の膜質ならびに結晶
性の均一性を保ち、不良製品の発生を極力抑え、素子製
造における品質ならびに歩留まりの向上をはかることが
できる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置において、反応炉
および反応炉に連結する部分に、反応ガスの圧力、温度
などのプロセス中に測定可能な計測器が取り付けられて
いる。しかし、上記の計測器中には反応ガス中の水分を
測定する水分計は取り付けられておらず、製造プロセス
によっては反応炉内の雰囲気中の水分が、形成される薄
膜の膜質や結晶性の良否に大きな影響を及ぼす場合があ
る。
および反応炉に連結する部分に、反応ガスの圧力、温度
などのプロセス中に測定可能な計測器が取り付けられて
いる。しかし、上記の計測器中には反応ガス中の水分を
測定する水分計は取り付けられておらず、製造プロセス
によっては反応炉内の雰囲気中の水分が、形成される薄
膜の膜質や結晶性の良否に大きな影響を及ぼす場合があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
行われていなかった半導体製造装置の反応炉内の水分量
を測定し、製造プロセスにおける反応ガス中の水分に起
因する薄膜の膜質や、結晶性の変化を製造行程中に検知
し、不良製品の発生を極力抑え、素子製造における品質
ならびに歩留まりの向上をはかることができる半導体製
造装置を提供することにある。
行われていなかった半導体製造装置の反応炉内の水分量
を測定し、製造プロセスにおける反応ガス中の水分に起
因する薄膜の膜質や、結晶性の変化を製造行程中に検知
し、不良製品の発生を極力抑え、素子製造における品質
ならびに歩留まりの向上をはかることができる半導体製
造装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構
成とするものである。すなわち、本発明は請求項１に記
載のように、半導体製造過程の各プロセスを実施する反
応炉と、該反応炉に反応ガスを導入する手段と、上記反
応炉を所定の圧力にするためのガス排気手段とを少なく
とも備えた半導体製造装置において、上記反応炉もしく
は反応炉に接続されている部分に、反応ガス中の水分量
を測定する水分計を備えた半導体製造装置とするもので
ある。本発明の半導体製造装置に設ける水分計は、反応
炉の内部、反応ガスの導入部、反応ガスの排気部のうち
の少なくとも１箇所に接続して配設るものである。本発
明の半導体製造装置は、請求項１に記載のように、反応
炉と、ガス導入手段と、ガス排気手段、および上記反応
炉に接続されている部分の雰囲気中の水分量を測定する
ことができる水分計を設けるものであって、このような
構造とすることにより、例えば、ウエハを処理する反応
炉内の水分量を、ウエハの処理前、またはウエハの処理
中に測定することにより、水分に起因する膜質、結晶性
の劣化による不良ウエハの発生を抑制し、半導体素子製
造における品質、歩留まりを向上できる効果がある。
するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構
成とするものである。すなわち、本発明は請求項１に記
載のように、半導体製造過程の各プロセスを実施する反
応炉と、該反応炉に反応ガスを導入する手段と、上記反
応炉を所定の圧力にするためのガス排気手段とを少なく
とも備えた半導体製造装置において、上記反応炉もしく
は反応炉に接続されている部分に、反応ガス中の水分量
を測定する水分計を備えた半導体製造装置とするもので
ある。本発明の半導体製造装置に設ける水分計は、反応
炉の内部、反応ガスの導入部、反応ガスの排気部のうち
の少なくとも１箇所に接続して配設るものである。本発
明の半導体製造装置は、請求項１に記載のように、反応
炉と、ガス導入手段と、ガス排気手段、および上記反応
炉に接続されている部分の雰囲気中の水分量を測定する
ことができる水分計を設けるものであって、このような
構造とすることにより、例えば、ウエハを処理する反応
炉内の水分量を、ウエハの処理前、またはウエハの処理
中に測定することにより、水分に起因する膜質、結晶性
の劣化による不良ウエハの発生を抑制し、半導体素子製
造における品質、歩留まりを向上できる効果がある。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、図１は本発明の実施の形態
の一例を示す模式図である。図に示すように、反応ガス
は、ガス導入部２から薄膜などを形成する被処理基板で
あるウエハ６等が配置されている反応炉１に導入され
る。そして、上記ウエハ１上に所定の薄膜を形成する
か、あるいは熱酸化して所定の酸化膜を形成した後、反
応ガスはガス排気手段３により排気される。この際、反
応炉１に連通して接続されている部分、例えばガス排気
手段３の入口部に、水分計４を取り付け、ウエハ処理時
の反応ガス中の水分量を測定する。なお、水分計４の取
付け位置は、反応炉１に連通して接続されているガス導
入部２の接続部、または反応炉１に直接的に連通して接
続されている部分に水分計４を設けても良い。そして、
水分計４による反応ガス中の水分量の測定は、ウエハの
処理前あるいは処理中に測定することにより、反応ガス
中の水分に起因する膜質、結晶性の変化をプロセス中に
検知することで、不良ウエハ等が発生するのを未然に防
止することが可能となり、品質、歩留まりの向上をはか
ることができる。
の一例を示す模式図である。図に示すように、反応ガス
は、ガス導入部２から薄膜などを形成する被処理基板で
あるウエハ６等が配置されている反応炉１に導入され
る。そして、上記ウエハ１上に所定の薄膜を形成する
か、あるいは熱酸化して所定の酸化膜を形成した後、反
応ガスはガス排気手段３により排気される。この際、反
応炉１に連通して接続されている部分、例えばガス排気
手段３の入口部に、水分計４を取り付け、ウエハ処理時
の反応ガス中の水分量を測定する。なお、水分計４の取
付け位置は、反応炉１に連通して接続されているガス導
入部２の接続部、または反応炉１に直接的に連通して接
続されている部分に水分計４を設けても良い。そして、
水分計４による反応ガス中の水分量の測定は、ウエハの
処理前あるいは処理中に測定することにより、反応ガス
中の水分に起因する膜質、結晶性の変化をプロセス中に
検知することで、不良ウエハ等が発生するのを未然に防
止することが可能となり、品質、歩留まりの向上をはか
ることができる。
【０００６】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置によれば、プロ
セス中に反応ガスの水分を測定することで、薄膜の結晶
性、膜質の均一性を保ち、また不適当な水分量を検知し
た場合は、製造プロセスを中止して不良ウエハの発生を
防ぐことができ、これにより半導体素子製造プロセスに
おける品質、歩留まりの向上をはかれる効果がある。
セス中に反応ガスの水分を測定することで、薄膜の結晶
性、膜質の均一性を保ち、また不適当な水分量を検知し
た場合は、製造プロセスを中止して不良ウエハの発生を
防ぐことができ、これにより半導体素子製造プロセスに
おける品質、歩留まりの向上をはかれる効果がある。
【図１】本発明の実施の形態で例示した水分計をガス排
気系に設けた半導体製造装置の構成を示す模式図。
気系に設けた半導体製造装置の構成を示す模式図。
１…反応炉 ２…ガス導入部 ３…ガス排気手段 ４…水分計 ５…反応ガスの流れ ６…ウエハ（被処理基板）
Claims (1)
- 【請求項１】半導体製造過程の各プロセスを実施する反
応炉と、該反応炉に反応ガスを導入する手段と、上記反
応炉を所定の圧力にするためのガス排気手段とを少なく
とも備えた半導体製造装置において、上記反応炉もしく
は反応炉に接続されている部分に、反応ガス中の水分量
を測定する水分計を備えたことを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30285796A JPH10144581A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30285796A JPH10144581A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144581A true JPH10144581A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17913937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30285796A Pending JPH10144581A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144581A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144020A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Nippon Sanso Corp | Ｃｖｄ装置及びそのパージ方法 |
| JP2001244201A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 水分モニタリング装置およびこれを備えた半導体製造装置 |
| US6776805B2 (en) | 2000-02-28 | 2004-08-17 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus having a moisture measuring device |
| KR100447686B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2004-09-08 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | Ⅲ족 질화물막의 제조 방법 |
| US6887721B2 (en) | 1999-08-31 | 2005-05-03 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method of purging CVD apparatus and method for judging maintenance of times of semiconductor production apparatuses |
| JP2008041719A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 |
-
1996
- 1996-11-14 JP JP30285796A patent/JPH10144581A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144020A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Nippon Sanso Corp | Ｃｖｄ装置及びそのパージ方法 |
| US6887721B2 (en) | 1999-08-31 | 2005-05-03 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method of purging CVD apparatus and method for judging maintenance of times of semiconductor production apparatuses |
| JP2001244201A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 水分モニタリング装置およびこれを備えた半導体製造装置 |
| US6776805B2 (en) | 2000-02-28 | 2004-08-17 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus having a moisture measuring device |
| US6794204B2 (en) | 2000-02-28 | 2004-09-21 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| US7033843B2 (en) | 2000-02-28 | 2006-04-25 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| KR100773636B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2007-11-05 | 미쯔비시 마테리알 실리콘 가부시끼가이샤 | 반도체 제조 방법 및 반도체 제조 장치 |
| KR100447686B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2004-09-08 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | Ⅲ족 질화물막의 제조 방법 |
| JP2008041719A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 |
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