JPH09143722A - 半導体素子の薄膜形成プログラムの補正方法及び薄膜厚測定装置 - Google Patents
半導体素子の薄膜形成プログラムの補正方法及び薄膜厚測定装置Info
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- JPH09143722A JPH09143722A JP8264407A JP26440796A JPH09143722A JP H09143722 A JPH09143722 A JP H09143722A JP 8264407 A JP8264407 A JP 8264407A JP 26440796 A JP26440796 A JP 26440796A JP H09143722 A JPH09143722 A JP H09143722A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子の薄膜形成プログラムの補正方法を
提供する。 【解決手段】プロセスパラメータの入力された半導体素
子の薄膜形成プログラムによりプロセスが行われる薄膜
形成装置において薄膜が形成されたウェ−ハの冷却中に
薄膜の膜厚を測定するステップと、測定された膜厚情報
を電気的な信号に変換して出力する電気信号変換ステッ
プと、変換された電気信号と規格膜厚を電気信号に変換
させた基準信号とを比較して薄膜形成プログラムのプロ
セスパラメータの値を増加させる第１信号またはプロセ
スパラメータを減少させる第２信号を選択的に前記薄膜
形成装置に出力して前記薄膜形成プログラムのプロセス
パラメータの値を変更するステップとにより、半導体素
子の薄膜形成プログラムを自動的に補正することによ
り、薄膜の膜厚の誤りや処理の遅延をなくし、膜厚を均
一に保つことができる。
提供する。 【解決手段】プロセスパラメータの入力された半導体素
子の薄膜形成プログラムによりプロセスが行われる薄膜
形成装置において薄膜が形成されたウェ−ハの冷却中に
薄膜の膜厚を測定するステップと、測定された膜厚情報
を電気的な信号に変換して出力する電気信号変換ステッ
プと、変換された電気信号と規格膜厚を電気信号に変換
させた基準信号とを比較して薄膜形成プログラムのプロ
セスパラメータの値を増加させる第１信号またはプロセ
スパラメータを減少させる第２信号を選択的に前記薄膜
形成装置に出力して前記薄膜形成プログラムのプロセス
パラメータの値を変更するステップとにより、半導体素
子の薄膜形成プログラムを自動的に補正することによ
り、薄膜の膜厚の誤りや処理の遅延をなくし、膜厚を均
一に保つことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の薄膜
形成プログラムの補正方法及びこの方法を適用するため
の薄膜厚測定装置に係り、特に、所望の薄膜の厚さを保
証するために処理誤りや処理遅延を防止する半導体素子
の薄膜形成プログラムの補正方法及びこの方法を適用す
るための薄膜厚測定装置に関する。
形成プログラムの補正方法及びこの方法を適用するため
の薄膜厚測定装置に係り、特に、所望の薄膜の厚さを保
証するために処理誤りや処理遅延を防止する半導体素子
の薄膜形成プログラムの補正方法及びこの方法を適用す
るための薄膜厚測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子特性の信頼性を保つために
は、ウェ−ハ上に形成される薄膜の膜厚均一性が求めら
れる。
は、ウェ−ハ上に形成される薄膜の膜厚均一性が求めら
れる。
【０００３】一般に、薄膜の形成プロセスにおいては、
多様なプロセスパラメータ、例えば、温度、時間、圧
力、ガス供給率などが存在するが、プロセスパラメータ
が実際のプロセスにおいて薄膜形成プログラムの設定値
と異なる値として提供される場合には、形成される薄膜
の膜厚が規格からずれる問題が生ずる。したがって、薄
膜の膜厚均一性を保つためには、プロセスパラメータの
変化による薄膜の膜厚情報を取得し、薄膜の膜厚が規格
からずれている場合には、膜厚情報に基づき直ちに膜形
成プログラムのパラメータを変更して、その規格ずれを
防止する必要がある。
多様なプロセスパラメータ、例えば、温度、時間、圧
力、ガス供給率などが存在するが、プロセスパラメータ
が実際のプロセスにおいて薄膜形成プログラムの設定値
と異なる値として提供される場合には、形成される薄膜
の膜厚が規格からずれる問題が生ずる。したがって、薄
膜の膜厚均一性を保つためには、プロセスパラメータの
変化による薄膜の膜厚情報を取得し、薄膜の膜厚が規格
からずれている場合には、膜厚情報に基づき直ちに膜形
成プログラムのパラメータを変更して、その規格ずれを
防止する必要がある。
【０００４】図１は、従来技術に係る半導体素子の薄膜
形成プログラムの補正手順（手動）を示すフロ−チャ−
トである。
形成プログラムの補正手順（手動）を示すフロ−チャ−
トである。
【０００５】先ず、半導体素子の薄膜を薄膜形成装置、
例えば、スパッタリング装置または化学気相蒸着（ＣＶ
Ｄ）装置、酸化・拡散炉などを用いて形成する（ステッ
プ１）。次いで、ステップ１で形成された薄膜の膜厚を
膜厚測定装置、例えば、機械的触針を用いた膜厚測定装
置や、Ｍゲ−ジ、エリプソメ−タなどにより測定する
（ステップ２）。そして、膜厚の測定結果と規格厚さと
の差が許容偏差より大きいか否かを比較する（ステップ
３）。その後、膜厚の差が許容偏差より大きい場合（規
格超過）には、薄膜形成プログラムのパラメータを計算
して、これに基づいて薄膜蒸着装置のプログラムを変更
し（ステップ４）、膜厚の差が許容偏差より小さい場合
（規格以内）には、半導体素子の特性の信頼度を保つこ
とができるため、薄膜形成プログラムのパラメータを変
更せず、次の薄膜形成工程に進む（ステップ５）。
例えば、スパッタリング装置または化学気相蒸着（ＣＶ
Ｄ）装置、酸化・拡散炉などを用いて形成する（ステッ
プ１）。次いで、ステップ１で形成された薄膜の膜厚を
膜厚測定装置、例えば、機械的触針を用いた膜厚測定装
置や、Ｍゲ−ジ、エリプソメ−タなどにより測定する
（ステップ２）。そして、膜厚の測定結果と規格厚さと
の差が許容偏差より大きいか否かを比較する（ステップ
３）。その後、膜厚の差が許容偏差より大きい場合（規
格超過）には、薄膜形成プログラムのパラメータを計算
して、これに基づいて薄膜蒸着装置のプログラムを変更
し（ステップ４）、膜厚の差が許容偏差より小さい場合
（規格以内）には、半導体素子の特性の信頼度を保つこ
とができるため、薄膜形成プログラムのパラメータを変
更せず、次の薄膜形成工程に進む（ステップ５）。
【０００６】しかしながら、このフロ−チャ−トに従っ
て膜厚の測定結果の判断及び薄膜形成プログラムの補正
を手動で行う場合には、第一に作業者が薄膜形成プログ
ラムのパラメータを手動で変更する過程で混入し得る誤
りによる規格ずれの発生、第二に薄膜の膜厚均一性の定
期的な点検のための設備の待機時間の発生、第三に規格
ずれの発生時、直ちに補正できないことによる被害規模
の拡大という問題が発生する。
て膜厚の測定結果の判断及び薄膜形成プログラムの補正
を手動で行う場合には、第一に作業者が薄膜形成プログ
ラムのパラメータを手動で変更する過程で混入し得る誤
りによる規格ずれの発生、第二に薄膜の膜厚均一性の定
期的な点検のための設備の待機時間の発生、第三に規格
ずれの発生時、直ちに補正できないことによる被害規模
の拡大という問題が発生する。
【０００７】図２は、一般の金属蒸着装置の冷却室、す
なわち、金属蒸着プロセスの後のウェ−ハ１０を冷却す
る冷却室を示す断面図である。
なわち、金属蒸着プロセスの後のウェ−ハ１０を冷却す
る冷却室を示す断面図である。
【０００８】一般に、金属蒸着プロセスにおいては、ウ
ェ−ハが高温加熱されるため、金属を蒸着した後のウェ
−ハ１０は、アンロ−ディングする前に冷却のために一
時的に待機させる必要がある。したがって、殆どの金属
蒸着装置には、ウェ−ハ１０の冷却中にこれを積載する
台２０とウェ−ハ１０を持ち上げるウェ−ハリフタ３０
とを有する冷却室が具備されている。この冷却室は、冷
却室壁５０と冷却室壁５０の上部に位置する冷却室蓋６
０とにより外部と隔離されている。
ェ−ハが高温加熱されるため、金属を蒸着した後のウェ
−ハ１０は、アンロ−ディングする前に冷却のために一
時的に待機させる必要がある。したがって、殆どの金属
蒸着装置には、ウェ−ハ１０の冷却中にこれを積載する
台２０とウェ−ハ１０を持ち上げるウェ−ハリフタ３０
とを有する冷却室が具備されている。この冷却室は、冷
却室壁５０と冷却室壁５０の上部に位置する冷却室蓋６
０とにより外部と隔離されている。
【０００９】冷却室壁５０には、ロボットア−ム（不図
示）が通過するための開口部を開閉するための隔離弁４
０が設けられている。冷却済みのウェ−ハ１０が移送時
にウェ−ハリフタ３０により持ち上げられると、ロボッ
トア−ム（不図示）が通過できるように隔離弁４０が開
き、ウェ−ハの移送が終ると、隔離弁４０は再び閉じ
る。以上のような構造を有する従来の冷却室は、処理が
施された高温のウェ−ハを冷却させる役割だけを行うも
のであった。
示）が通過するための開口部を開閉するための隔離弁４
０が設けられている。冷却済みのウェ−ハ１０が移送時
にウェ−ハリフタ３０により持ち上げられると、ロボッ
トア−ム（不図示）が通過できるように隔離弁４０が開
き、ウェ−ハの移送が終ると、隔離弁４０は再び閉じ
る。以上のような構造を有する従来の冷却室は、処理が
施された高温のウェ−ハを冷却させる役割だけを行うも
のであった。
【００１０】一方、外部に移送されたウェ−ハは、種々
の金属膜厚測定装置によりその膜厚が測定される。膜厚
の測定は、一般に作業者により手動で行われ、測定され
た膜厚と規格の膜厚との差が許容偏差より大きい場合に
は、薄膜蒸着装置の薄膜形成プログラムのパラメータを
手動で計算してその膜形成プログラムを変更する。この
際、上記のように、作業者がプログラムのパラメータを
手動で変更する過程で混入し得る誤りによる規格ずれの
発生、薄膜の膜厚均一性を定期的に点検するための設備
の待機時間の発生、規格ずれの発生時に直ちに補正でき
ないことによる製品被害規模の拡大などの問題が発生す
る。
の金属膜厚測定装置によりその膜厚が測定される。膜厚
の測定は、一般に作業者により手動で行われ、測定され
た膜厚と規格の膜厚との差が許容偏差より大きい場合に
は、薄膜蒸着装置の薄膜形成プログラムのパラメータを
手動で計算してその膜形成プログラムを変更する。この
際、上記のように、作業者がプログラムのパラメータを
手動で変更する過程で混入し得る誤りによる規格ずれの
発生、薄膜の膜厚均一性を定期的に点検するための設備
の待機時間の発生、規格ずれの発生時に直ちに補正でき
ないことによる製品被害規模の拡大などの問題が発生す
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであり、その目的は、膜厚の変動
及び製造の遅延を防止し得る半導体素子の薄膜形成プロ
グラムの補正方法を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、膜厚の変動
及び製造の遅延を防止し得る半導体素子の薄膜形成プロ
グラムの補正方法を提供することにある。
【００１２】また、本発明の他の目的は、上記補正方法
の実施に用いる薄膜厚測定装置を提供することにある。
の実施に用いる薄膜厚測定装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る薄膜形成プログラムの補正方法は、相
当のパラメータを有する薄膜形成プログラムによりプロ
セスが実行される薄膜形成装置において薄膜が形成され
たウェ−ハの冷却中に該薄膜の膜厚を測定するステップ
と、測定された膜厚情報を電気的な信号に変換して出力
する電気信号変換ステップと、変換された電気信号と規
格膜厚を電気信号に変換した基準信号とを比較して、そ
の比較結果に基づいて前記薄膜形成プログラムの前記パ
ラメータの値を増加させる第１信号または前記パラメー
タの値を減少させる第２信号を選択的に前記薄膜形成装
置に出力して前記薄膜形成プログラムの前記パラメータ
の値を変更せしめるステップとを含むことを特徴とす
る。
に、本発明に係る薄膜形成プログラムの補正方法は、相
当のパラメータを有する薄膜形成プログラムによりプロ
セスが実行される薄膜形成装置において薄膜が形成され
たウェ−ハの冷却中に該薄膜の膜厚を測定するステップ
と、測定された膜厚情報を電気的な信号に変換して出力
する電気信号変換ステップと、変換された電気信号と規
格膜厚を電気信号に変換した基準信号とを比較して、そ
の比較結果に基づいて前記薄膜形成プログラムの前記パ
ラメータの値を増加させる第１信号または前記パラメー
タの値を減少させる第２信号を選択的に前記薄膜形成装
置に出力して前記薄膜形成プログラムの前記パラメータ
の値を変更せしめるステップとを含むことを特徴とす
る。
【００１４】前記他の目的を達成するために、本発明に
係る薄膜厚測定装置は、半導体素子の薄膜を形成するた
めのプログラムを補正するための薄膜厚測定装置におい
て、薄膜形成装置における処理の終了後に、冷却のため
に待機させるウェ−ハを一時的に積載するための支持部
材と、前記支持部材から冷却済みのウェ−ハを移送する
際に該ウェ−ハを持ち上げるウェ−ハリフタと、前記支
持部材及びウェ−ハリフタを外部と隔離するためにその
側面を取り囲む冷却室壁と、前記冷却室壁の上部に位置
する冷却室蓋と、前記冷却室蓋の所定の位置に搭載され
た薄膜厚測定センサとを備えることを特徴とする。
係る薄膜厚測定装置は、半導体素子の薄膜を形成するた
めのプログラムを補正するための薄膜厚測定装置におい
て、薄膜形成装置における処理の終了後に、冷却のため
に待機させるウェ−ハを一時的に積載するための支持部
材と、前記支持部材から冷却済みのウェ−ハを移送する
際に該ウェ−ハを持ち上げるウェ−ハリフタと、前記支
持部材及びウェ−ハリフタを外部と隔離するためにその
側面を取り囲む冷却室壁と、前記冷却室壁の上部に位置
する冷却室蓋と、前記冷却室蓋の所定の位置に搭載され
た薄膜厚測定センサとを備えることを特徴とする。
【００１５】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
薄膜厚測定センサは、前記ウェ−ハと非接触型として、
微粒子の発生を防止することが望ましい。
薄膜厚測定センサは、前記ウェ−ハと非接触型として、
微粒子の発生を防止することが望ましい。
【００１６】また、前記薄膜形成装置は、例えば、一括
処理金属蒸着装置であっても良いが、プロセス条件の変
化に敏感な単一型金属蒸着装置であることが特に望まし
い。
処理金属蒸着装置であっても良いが、プロセス条件の変
化に敏感な単一型金属蒸着装置であることが特に望まし
い。
【００１７】また、前記薄膜形成装置は、前記薄膜厚測
定センサにより測定した膜厚に基づいて前記薄膜形成装
置における前記薄膜形成プログラムのパラメータを調整
する調整手段をさらに備えることが望ましい。
定センサにより測定した膜厚に基づいて前記薄膜形成装
置における前記薄膜形成プログラムのパラメータを調整
する調整手段をさらに備えることが望ましい。
【００１８】また、本発明に係る他の薄膜厚測定装置
は、ウェーハ上に形成された薄膜の膜厚を計測して薄膜
形成装置において形成される薄膜の膜厚を適正化するた
めの薄膜厚測定装置であって、前記薄膜形成装置におい
て形成された薄膜の膜厚を計測する膜厚計測手段と、計
測した膜厚に基づいて前記薄膜形成装置における薄膜形
成プロセスのパラメータを調整する調整手段とを備える
ことを特徴とする。
は、ウェーハ上に形成された薄膜の膜厚を計測して薄膜
形成装置において形成される薄膜の膜厚を適正化するた
めの薄膜厚測定装置であって、前記薄膜形成装置におい
て形成された薄膜の膜厚を計測する膜厚計測手段と、計
測した膜厚に基づいて前記薄膜形成装置における薄膜形
成プロセスのパラメータを調整する調整手段とを備える
ことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の実施の形態を詳細に説明する。
の実施の形態を詳細に説明する。
【００２０】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体
素子の薄膜形成プログラムの補正方法を示すフロ−チャ
−トである。以下、このフローチャートに従って、薄膜
形成プログラムの補正方法を説明する。
素子の薄膜形成プログラムの補正方法を示すフロ−チャ
−トである。以下、このフローチャートに従って、薄膜
形成プログラムの補正方法を説明する。
【００２１】先ず、半導体素子の薄膜を薄膜形成装置、
例えば、スパッタリング装置または化学気相蒸着（ＣＶ
Ｄ）装置、酸化・拡散炉などを用いて形成する（ステッ
プ１１）。次いで、半導体素子の薄膜形成プログラムに
より薄膜形成装置で形成されたウェ−ハの冷却中に薄膜
の膜厚を測定する（ステップ１２）。そして、測定した
薄膜の膜厚を電気信号変換部において電気的な信号（ｄ
m ）に変換する（ステップ１３）。その後、前記電気信
号変換部で変換された信号（ｄm ）を所定の基準値（ｄ
0 ）と比較し（ステップ１４）、その比較結果に基づい
て、前記薄膜形成プログラムのパラメータの値を増加さ
せる第１信号（ステップ１５ａ）または該パラメータの
値を減少させる第２信号（ステップ１５ｂ）を選択的に
出力する。
例えば、スパッタリング装置または化学気相蒸着（ＣＶ
Ｄ）装置、酸化・拡散炉などを用いて形成する（ステッ
プ１１）。次いで、半導体素子の薄膜形成プログラムに
より薄膜形成装置で形成されたウェ−ハの冷却中に薄膜
の膜厚を測定する（ステップ１２）。そして、測定した
薄膜の膜厚を電気信号変換部において電気的な信号（ｄ
m ）に変換する（ステップ１３）。その後、前記電気信
号変換部で変換された信号（ｄm ）を所定の基準値（ｄ
0 ）と比較し（ステップ１４）、その比較結果に基づい
て、前記薄膜形成プログラムのパラメータの値を増加さ
せる第１信号（ステップ１５ａ）または該パラメータの
値を減少させる第２信号（ステップ１５ｂ）を選択的に
出力する。
【００２２】そして、ステップ１５ａまたは１５ｂにお
いて出力された信号により、薄膜形成プログラムのパラ
メータの値を自動的に変更する（ステップ１６ａまたは
１６ｂ）。
いて出力された信号により、薄膜形成プログラムのパラ
メータの値を自動的に変更する（ステップ１６ａまたは
１６ｂ）。
【００２３】パラメータの値を自動的に変更した後は、
次の薄膜の形成を行うステップ（ステップ１７）に進
む。
次の薄膜の形成を行うステップ（ステップ１７）に進
む。
【００２４】図４及び図５は、本発明を金属薄膜膜厚測
定装置に適用した場合の１つの実施の形態及びその動作
を示す断面図である。なお、図３のフローチャートに示
す処理の制御は、マイコン４００によりなされる。
定装置に適用した場合の１つの実施の形態及びその動作
を示す断面図である。なお、図３のフローチャートに示
す処理の制御は、マイコン４００によりなされる。
【００２５】図４は、ウェ−ハの冷却室に設けられた金
属薄膜測定装置を示す断面図である。薄膜厚測定センサ
１８０は、金属蒸着装置の冷却室蓋１６０に搭載されて
いる。ここで、金属薄膜測定装置内で接触方式による膜
厚測定が行われると、微粒子が発生する恐れがある。し
たがって、微粒子の発生を防止するため、薄膜厚測定セ
ンサ１８０は、形成された薄膜と接触しない非接触型測
定装置、例えば、Ｍゲ−ジで構成することが望ましい。
属薄膜測定装置を示す断面図である。薄膜厚測定センサ
１８０は、金属蒸着装置の冷却室蓋１６０に搭載されて
いる。ここで、金属薄膜測定装置内で接触方式による膜
厚測定が行われると、微粒子が発生する恐れがある。し
たがって、微粒子の発生を防止するため、薄膜厚測定セ
ンサ１８０は、形成された薄膜と接触しない非接触型測
定装置、例えば、Ｍゲ−ジで構成することが望ましい。
【００２６】本発明を適用可能な金属薄膜形成装置とし
て、バッチ型、すなわち、複数のウェーハを一括処理す
る一括処理金属蒸着装置、単一のウェーハを処理する枚
葉式（single wafer type）、すなわち、単一型金属蒸
着装置、その他種々の形態が考えられる。これらの中
で、プロセス条件の変化に敏感な単一型蒸着装置が特に
好ましい。
て、バッチ型、すなわち、複数のウェーハを一括処理す
る一括処理金属蒸着装置、単一のウェーハを処理する枚
葉式（single wafer type）、すなわち、単一型金属蒸
着装置、その他種々の形態が考えられる。これらの中
で、プロセス条件の変化に敏感な単一型蒸着装置が特に
好ましい。
【００２７】図５は、冷却済みのウェ−ハの薄膜の膜厚
測定及び移送過程を示す図面である。
測定及び移送過程を示す図面である。
【００２８】具体的には、冷却済みのウェ−ハ１１０の
移送時において、ウェーハ１１０がウェ−ハリフタ１３
０により持ち上げられると、薄膜厚測定センサ１８０に
よりウェーハ１１０上の薄膜の膜厚が計測される。膜厚
の測定を終えると、ウェ−ハ移送用のロボットア−ム１
７０を移動させるために隔離弁１４０が開き、ウェ−ハ
１１０の移送が済むと、隔離弁１４０は再び閉じる。
移送時において、ウェーハ１１０がウェ−ハリフタ１３
０により持ち上げられると、薄膜厚測定センサ１８０に
よりウェーハ１１０上の薄膜の膜厚が計測される。膜厚
の測定を終えると、ウェ−ハ移送用のロボットア−ム１
７０を移動させるために隔離弁１４０が開き、ウェ−ハ
１１０の移送が済むと、隔離弁１４０は再び閉じる。
【００２９】一方、薄膜厚測定センサ１８０により測定
された膜厚情報は、マイコン４００に伝送されて電気信
号（ｄm ）に変換された後に、所定の基準値（ｄ0 ）と
比較され、薄膜状着設備５００における金属薄膜蒸着プ
ロセスを制御する薄膜形成プログラムのパラメータの値
を増加させる第１信号または該パラメータの値を減少さ
せる第２信号を選択的に金属蒸着装備５００に出力し
て、薄膜形成プログラムを自動変更する。以上の手順
で、金属薄膜蒸着工程を制御する薄膜形成プログラムの
自動補正が行われる。
された膜厚情報は、マイコン４００に伝送されて電気信
号（ｄm ）に変換された後に、所定の基準値（ｄ0 ）と
比較され、薄膜状着設備５００における金属薄膜蒸着プ
ロセスを制御する薄膜形成プログラムのパラメータの値
を増加させる第１信号または該パラメータの値を減少さ
せる第２信号を選択的に金属蒸着装備５００に出力し
て、薄膜形成プログラムを自動変更する。以上の手順
で、金属薄膜蒸着工程を制御する薄膜形成プログラムの
自動補正が行われる。
【００３０】図６は、本発明の実施の形態における膜厚
測定部位の一例を示す概略平面図であって、冷却室蓋を
取り除いた状態を示している。同図において、ウェ−ハ
１１０の上の５点は、薄膜厚測定センサ１８０により測
定される部位の一例を示している。
測定部位の一例を示す概略平面図であって、冷却室蓋を
取り除いた状態を示している。同図において、ウェ−ハ
１１０の上の５点は、薄膜厚測定センサ１８０により測
定される部位の一例を示している。
【００３１】以上、本発明を具体的な実施の形態を例示
して説明したが、本発明は、上記実施の形態に限らず、
本発明の技術的思想の範囲内において、様々な変更や改
良が可能である。
して説明したが、本発明は、上記実施の形態に限らず、
本発明の技術的思想の範囲内において、様々な変更や改
良が可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明に拠れば、半導体素子の薄膜形成
プログラムを自動的に補正することにより、薄膜の膜厚
の誤りや処理の遅延なくし、膜厚を均一に保つことがで
きる。
プログラムを自動的に補正することにより、薄膜の膜厚
の誤りや処理の遅延なくし、膜厚を均一に保つことがで
きる。
【００３３】
【図１】従来技術に係る半導体素子の薄膜形成プログラ
ムの補正方法を示すフロ−チャ−トである。
ムの補正方法を示すフロ−チャ−トである。
【図２】一般の金属蒸着装置の冷却室を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る半導体素子の薄膜形成プログラム
の補正方法を示すフロ−チャ−トである（マイコンによ
り制御）。
の補正方法を示すフロ−チャ−トである（マイコンによ
り制御）。
【図４】本発明に係る金属蒸着形成装置の冷却室に設け
られた金属膜厚測定装置の一実施例を示す断面図であ
る。
られた金属膜厚測定装置の一実施例を示す断面図であ
る。
【図５】本発明に係る金属蒸着形成装置の冷却室におけ
る薄膜の膜厚測定及び冷却ウェ−ハの移送動作を示す断
面図である。
る薄膜の膜厚測定及び冷却ウェ−ハの移送動作を示す断
面図である。
【図６】本発明に係る金属薄膜厚測定装置の厚さ測定位
置の一例を示す概略平面図である。
置の一例を示す概略平面図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 相応のパラメータを有する薄膜形成プロ
グラムによりプロセスが実行される薄膜形成装置によっ
て薄膜が形成されたウェ−ハの冷却中に該薄膜の膜厚を
測定するステップと、 測定された膜厚を示す情報を電気的な信号に変換する電
気信号変換ステップと、 変換された電気信号と規格膜厚を示す基準信号とを比較
して、その比較結果に基づいて前記薄膜形成プログラム
の前記パラメータの値を増加させる第１信号または前記
パラメータの値を減少させる第２信号を選択的に前記薄
膜形成装置に出力して前記薄膜形成プログラムの前記パ
ラメータの値を変更せしめるステップと、 を含むことを特徴とする半導体素子の薄膜形成プログラ
ムの補正方法。 - 【請求項２】 半導体素子の薄膜形成プログラムを補正
するための薄膜厚測定装置において、 薄膜形成装置における処理の終了後に、冷却のために待
機させるウェ−ハを一時的に積載する支持部材と、 前記支持部材から冷却済みのウェ−ハを移送する際に該
ウェ−ハを持ち上げるウェ−ハリフタと、 前記支持部材及び前記ウェ−ハリフタを外部と隔離する
ためにその側面を取り囲む冷却室壁と、 前記冷却室壁の上部に位置する冷却室蓋と、 前記冷却室蓋の所定の位置に搭載された薄膜厚測定セン
サと、 を備えることを特徴とする薄膜厚測定装置。 - 【請求項３】 前記薄膜厚測定センサは、前記ウェ−ハ
と非接触に膜厚を測定することを特徴とする請求項２に
記載の薄膜厚測定装置。 - 【請求項４】 前記薄膜形成装備は、単一型金属蒸着装
置であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜厚測定
装置。 - 【請求項５】 前記薄膜厚測定センサにより測定した膜
厚に基づいて前記薄膜形成装置における前記薄膜形成プ
ログラムのパラメータを調整する調整手段をさらに備え
ることを特徴とする請求項２に記載の薄膜厚測定装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950040265A KR0165470B1 (ko) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 반도체 소자의 박막형성 프로그램의 자동보정 시스템 |
| KR95-40265 | 1995-11-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143722A true JPH09143722A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=19433380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8264407A Pending JPH09143722A (ja) | 1995-11-08 | 1996-10-04 | 半導体素子の薄膜形成プログラムの補正方法及び薄膜厚測定装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH09143722A (ja) |
| KR (1) | KR0165470B1 (ja) |
| TW (1) | TW426221U (ja) |
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-
1995
- 1995-11-08 KR KR1019950040265A patent/KR0165470B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-09-20 TW TW089212772U patent/TW426221U/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-10-04 JP JP8264407A patent/JPH09143722A/ja active Pending
- 1996-11-08 US US08/745,360 patent/US5893050A/en not_active Expired - Fee Related
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