JPH06302557A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH06302557A JPH06302557A JP8825493A JP8825493A JPH06302557A JP H06302557 A JPH06302557 A JP H06302557A JP 8825493 A JP8825493 A JP 8825493A JP 8825493 A JP8825493 A JP 8825493A JP H06302557 A JPH06302557 A JP H06302557A
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- Japan
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- etching
- chamber
- wafer
- film
- film thickness
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング装置において、条件設定、膜厚測定
およびウェーハの取付け取出しに人が介在すること無く
エッチングでき、ばらつきの少ないより短時間でエッチ
ングできるように図る。 【構成】大気に解放すること無くエッチング室１にウェ
ーハ７を出入できるロードロック室２ａ，２ｂと、エッ
チング室１に隣接して配置されるとともにエッチング深
さを測定できる膜厚測定器３と、この膜厚測定器３とロ
ードロック室２ａ，２ｂとにウェーハ７の移載および取
出しを行なうローダ４ａおよびアンローダ４ｂとを設
け、必要に応じて膜厚測定器でエッチング量を測定し基
準エッチング量と比較して自動的にエッチング時間を補
正する。また、搬送部６ａおよび６ｂとローダ４ａおよ
びアンローダ４ｂとを連係させる。
およびウェーハの取付け取出しに人が介在すること無く
エッチングでき、ばらつきの少ないより短時間でエッチ
ングできるように図る。 【構成】大気に解放すること無くエッチング室１にウェ
ーハ７を出入できるロードロック室２ａ，２ｂと、エッ
チング室１に隣接して配置されるとともにエッチング深
さを測定できる膜厚測定器３と、この膜厚測定器３とロ
ードロック室２ａ，２ｂとにウェーハ７の移載および取
出しを行なうローダ４ａおよびアンローダ４ｂとを設
け、必要に応じて膜厚測定器でエッチング量を測定し基
準エッチング量と比較して自動的にエッチング時間を補
正する。また、搬送部６ａおよび６ｂとローダ４ａおよ
びアンローダ４ｂとを連係させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング装置
に関し特に膜厚測定機能をもつドライエッチング装置に
関する。
に関し特に膜厚測定機能をもつドライエッチング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のドライエッチング装置
は、被エッチング膜が施されたウェーハを載置する試料
台と、この試料台に対向して設けられた上部電極と、こ
れらウェーハ、上部電極および試料台とがなす空間部を
形成するとともに導入口と排気口をもつエッチング室
と、上部電極と試料台とに高周波電力を引火する高周波
電源と、導入口よりエッチング室に導入された反応ガス
の圧力を一定に維持する減圧ポンプとを備えている。
は、被エッチング膜が施されたウェーハを載置する試料
台と、この試料台に対向して設けられた上部電極と、こ
れらウェーハ、上部電極および試料台とがなす空間部を
形成するとともに導入口と排気口をもつエッチング室
と、上部電極と試料台とに高周波電力を引火する高周波
電源と、導入口よりエッチング室に導入された反応ガス
の圧力を一定に維持する減圧ポンプとを備えている。
【０００３】このドライエッチング装置を使用してウェ
ーハの絶縁膜をエッチングする場合は、パイロットと称
する一枚のウェーハを試みにエッチングしてみて、所定
の時間経過後、このウェーハをエッチング装置より取り
出し、非接触式の膜厚測定器でエッチング残りの膜厚を
測定し、残膜が規定値内であるか否か判定する。もし、
規定値以内であれば、引続き他のウェーハのエッチング
を行なう。また、規格外であれば、パイロットのウェー
ハをさらにエッチング時間を伸ばしてエッチングし、膜
厚を測定し判定し、本番のウェーハのエッチングを行っ
ていた。
ーハの絶縁膜をエッチングする場合は、パイロットと称
する一枚のウェーハを試みにエッチングしてみて、所定
の時間経過後、このウェーハをエッチング装置より取り
出し、非接触式の膜厚測定器でエッチング残りの膜厚を
測定し、残膜が規定値内であるか否か判定する。もし、
規定値以内であれば、引続き他のウェーハのエッチング
を行なう。また、規格外であれば、パイロットのウェー
ハをさらにエッチング時間を伸ばしてエッチングし、膜
厚を測定し判定し、本番のウェーハのエッチングを行っ
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ドライエッチング装置では、非接触式の膜厚測定器とは
同系のシステムでなく互いに独立しているため、エッチ
ング条件の設定と膜厚測定には独立して人間が行ってい
る。このため、この条件設定および膜厚測定との関に人
為的なミスが介在する。その結果、本番のウェーハにエ
ッチングにばらつきが生じ歩留りを低下させる。また、
エッチング装置から非接触膜厚測定器までの半導体基板
の運搬および取付け等による作業時間を浪費するばかり
か、汚れ、破損等が起したりする問題がある。
ドライエッチング装置では、非接触式の膜厚測定器とは
同系のシステムでなく互いに独立しているため、エッチ
ング条件の設定と膜厚測定には独立して人間が行ってい
る。このため、この条件設定および膜厚測定との関に人
為的なミスが介在する。その結果、本番のウェーハにエ
ッチングにばらつきが生じ歩留りを低下させる。また、
エッチング装置から非接触膜厚測定器までの半導体基板
の運搬および取付け等による作業時間を浪費するばかり
か、汚れ、破損等が起したりする問題がある。
【０００５】従って、本発明の目的は、条件設定、膜厚
測定およびウェーハの取付け取出しに人が介在すること
無くエッチングでき、ばらつきの少ないより短時間でエ
ッチングできるドライエッチング装置を提供することに
ある。
測定およびウェーハの取付け取出しに人が介在すること
無くエッチングでき、ばらつきの少ないより短時間でエ
ッチングできるドライエッチング装置を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、表面に
被エッチング膜が形成された半導体基板を収納するエッ
チング室と、このエッチング室の両側に付設され前記エ
ッチング室を大気に解放することなく前記半導体基板の
出し入れを行なうロードロック室と、前記エッチング室
に隣接して配置される非接触式膜厚測定器と、前記ロー
ドロック室の前記半導体基板の出入口に面して配置され
るとともに前記ロードロック室と前記非接触式膜厚測定
器との間を往復し前記半導体基板を移載するローダおよ
びアンローダとを備え、前記エッチング室にパイロット
の半導体基板を所定時間だけエッチングして前記被エッ
チング膜の膜厚を測定し、エッチングされていない残り
の膜厚と基準の膜厚と比較し、エッチングする前記所定
時間を補正して前記半導体基板の被エッチング膜をエッ
チングするドライエッチング装置である。
被エッチング膜が形成された半導体基板を収納するエッ
チング室と、このエッチング室の両側に付設され前記エ
ッチング室を大気に解放することなく前記半導体基板の
出し入れを行なうロードロック室と、前記エッチング室
に隣接して配置される非接触式膜厚測定器と、前記ロー
ドロック室の前記半導体基板の出入口に面して配置され
るとともに前記ロードロック室と前記非接触式膜厚測定
器との間を往復し前記半導体基板を移載するローダおよ
びアンローダとを備え、前記エッチング室にパイロット
の半導体基板を所定時間だけエッチングして前記被エッ
チング膜の膜厚を測定し、エッチングされていない残り
の膜厚と基準の膜厚と比較し、エッチングする前記所定
時間を補正して前記半導体基板の被エッチング膜をエッ
チングするドライエッチング装置である。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示すドライエッ
チング装置の上面図である。このドライエッチング装置
は、図１に示すように、ドライエッチング装置の本体で
あるエッチング室１の両側に付設されエッチング室の圧
力を大気にすることなくウェーハ７の出し入れを行なう
ロードロック室２ａ，２ｂと、エッチング室１に隣接し
て配置さっる非接触式の膜厚測定器３と、ロードロック
室２ａ，２ｂのウェーハの出入口に面して配置されると
ともにロードロック室２ａ，２ｂと膜厚測定器３との間
を往復しウェーハ７を移載するローダ４ａおよびアンロ
ーダ４ｂとを備えている。また、膜厚の測定信号を入力
して基準の膜厚と比較してエッチング時間を設定するコ
ントローラ５が設けられている。さらに、ウェーハ７の
搬送は、未処理のウェーハ７を搬送する搬送部６ａと処
理済みのウェーハ７を搬送する搬送部６ｂとで行われ
る。
チング装置の上面図である。このドライエッチング装置
は、図１に示すように、ドライエッチング装置の本体で
あるエッチング室１の両側に付設されエッチング室の圧
力を大気にすることなくウェーハ７の出し入れを行なう
ロードロック室２ａ，２ｂと、エッチング室１に隣接し
て配置さっる非接触式の膜厚測定器３と、ロードロック
室２ａ，２ｂのウェーハの出入口に面して配置されると
ともにロードロック室２ａ，２ｂと膜厚測定器３との間
を往復しウェーハ７を移載するローダ４ａおよびアンロ
ーダ４ｂとを備えている。また、膜厚の測定信号を入力
して基準の膜厚と比較してエッチング時間を設定するコ
ントローラ５が設けられている。さらに、ウェーハ７の
搬送は、未処理のウェーハ７を搬送する搬送部６ａと処
理済みのウェーハ７を搬送する搬送部６ｂとで行われ
る。
【０００９】次に、このドライエッチング装置の動作を
説明する。まず、搬送部６ａよりパイロット用のウェー
ハをカセットよりベルトで引き出し、ベルトの移動によ
りウェーハ７を定位置に位置決めする。このことにより
４ａのアームが施回しアームの先端部のチャックをウェ
ーハ７を保持する。そしてアームが施行し、伸縮自在の
チャックが伸びロードロック室２ａのステージにウェー
ハ７を移載する。
説明する。まず、搬送部６ａよりパイロット用のウェー
ハをカセットよりベルトで引き出し、ベルトの移動によ
りウェーハ７を定位置に位置決めする。このことにより
４ａのアームが施回しアームの先端部のチャックをウェ
ーハ７を保持する。そしてアームが施行し、伸縮自在の
チャックが伸びロードロック室２ａのステージにウェー
ハ７を移載する。
【００１０】次に、ロードロック室２ａ，２ｂおよびエ
ッチング室を真空排気し所定の真空度にする。次に、図
示していない移載機構でウェーハ７をロードロック室２
ａからエッチング室１に移し、ロードロック室２ａ，２
ｂとエッチング室１の間を閉じ、反応ガスを導入してエ
ッチングを行なう。そして、コントローラ５はエッチン
グ時間を計測し始め、所定時間経過後、エッチングを終
了させる。
ッチング室を真空排気し所定の真空度にする。次に、図
示していない移載機構でウェーハ７をロードロック室２
ａからエッチング室１に移し、ロードロック室２ａ，２
ｂとエッチング室１の間を閉じ、反応ガスを導入してエ
ッチングを行なう。そして、コントローラ５はエッチン
グ時間を計測し始め、所定時間経過後、エッチングを終
了させる。
【００１１】次に、ロードロック室２ｂとエッチング室
１の間の仕切りが開き、移載機構によりウェーハ７はエ
ッチング室１よりロードロック室２ｂに移載される。次
に、ロードロック室２ｂとエッチング室１との仕切りが
閉じ、ロードロック室２ｂは大気に開放される。そし
て、アンローダ４ｂのアームが施回し、チャックが伸び
ロードロック室２ｂのウェーハ７を取出し、アームが施
回して膜厚測定器３にウェーハ７を移載する。
１の間の仕切りが開き、移載機構によりウェーハ７はエ
ッチング室１よりロードロック室２ｂに移載される。次
に、ロードロック室２ｂとエッチング室１との仕切りが
閉じ、ロードロック室２ｂは大気に開放される。そし
て、アンローダ４ｂのアームが施回し、チャックが伸び
ロードロック室２ｂのウェーハ７を取出し、アームが施
回して膜厚測定器３にウェーハ７を移載する。
【００１２】次に、膜厚測定器３はウェーハ７の残膜を
測定し、コントローラ５に登録した残膜の規定値と比較
する。比較の結果、規定値以内であれば、ローダ４ａが
搬送部６ａより次々にウェーハ７を掴み、前述した同様
に行ない、エッチングを行なう。そして、ロードロック
室２ｂからアンローダ４ｂにより搬送部６ｂのベルトに
移載され、ベルトの移動によりウェーハ７は順次カセッ
トに収納される。
測定し、コントローラ５に登録した残膜の規定値と比較
する。比較の結果、規定値以内であれば、ローダ４ａが
搬送部６ａより次々にウェーハ７を掴み、前述した同様
に行ない、エッチングを行なう。そして、ロードロック
室２ｂからアンローダ４ｂにより搬送部６ｂのベルトに
移載され、ベルトの移動によりウェーハ７は順次カセッ
トに収納される。
【００１３】もし、残膜の厚みが規格外であれば、コン
トローラ５に登録してあるエッチング設定時間に対して
補正を行なう。これには、コントローラ５に記憶してあ
るエッチングレートとエッチング不足深さから時間を算
出し、この時間をエッチング設定時間に加え補正する。
そして補正されたエッチング設定時間で次からのウェー
ハをエッチングする。
トローラ５に登録してあるエッチング設定時間に対して
補正を行なう。これには、コントローラ５に記憶してあ
るエッチングレートとエッチング不足深さから時間を算
出し、この時間をエッチング設定時間に加え補正する。
そして補正されたエッチング設定時間で次からのウェー
ハをエッチングする。
【００１４】このように、エッチング装置と膜厚測定器
とを連係して動作させるようにし、さらに、ウェーハの
運搬および取扱いに人手を介さずに自動で行なうことに
より、従来、人為的にエッチング時間の設定および測定
による誤差が無くなり、従来のエッチングにおける残膜
の厚さのばらつきが１１３．９オングストロームであっ
たのに対し、４５．７オングストロームと飛躍的に改善
された。
とを連係して動作させるようにし、さらに、ウェーハの
運搬および取扱いに人手を介さずに自動で行なうことに
より、従来、人為的にエッチング時間の設定および測定
による誤差が無くなり、従来のエッチングにおける残膜
の厚さのばらつきが１１３．９オングストロームであっ
たのに対し、４５．７オングストロームと飛躍的に改善
された。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、大気に解
放すること無くエッチング室にウェーハを出入できるロ
ードロック室と、エッチング室に隣接して配置されると
ともにエッチング深さを測定できる膜厚測定器と、この
膜厚測定器とロードロック室とにウェーハの移載および
取出しを行なうローダおよびアンローダとを設け、必要
に応じて膜厚測定器でエッチング量を測定し基準エッチ
ング量と比較して自動的にエッチング時間を補正するこ
とによって、ばらつきの少ないエッチングが出来るとい
う効果がある。また、自動搬送機構とローダおよびアン
ノーダとを連係させることによって、ウェーハの出し入
れも人為的な作業が介在しないのでウェーハの汚染や破
損による損失が皆無となった。
放すること無くエッチング室にウェーハを出入できるロ
ードロック室と、エッチング室に隣接して配置されると
ともにエッチング深さを測定できる膜厚測定器と、この
膜厚測定器とロードロック室とにウェーハの移載および
取出しを行なうローダおよびアンローダとを設け、必要
に応じて膜厚測定器でエッチング量を測定し基準エッチ
ング量と比較して自動的にエッチング時間を補正するこ
とによって、ばらつきの少ないエッチングが出来るとい
う効果がある。また、自動搬送機構とローダおよびアン
ノーダとを連係させることによって、ウェーハの出し入
れも人為的な作業が介在しないのでウェーハの汚染や破
損による損失が皆無となった。
【図１】本発明の一実施例を示すドライエッチング装置
の上面図である。
の上面図である。
１ エッチング室 ２ａ，２ｂ ロードロック室 ３ 膜厚測定器 ４ａ ローダ ４ｂ アンローダ ５ コントローラ ６ａ，６ｂ 搬送部 ７ ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に被エッチング膜が形成された半導
体基板を収納するエッチング室と、このエッチング室の
両側に付設され前記エッチング室を大気に解放すること
なく前記半導体基板の出し入れを行なうロードロック室
と、前記エッチング室に隣接して配置される非接触式膜
厚測定器と、前記ロードロック室の前記半導体基板の出
入口に面して配置されるとともに前記ロードロック室と
前記被接触式膜厚測定器との間を往復し前記半導体基板
を移載するローダおよびアンローダとを備え、前記エッ
チング室にパイロットの半導体基板を所定時間だけエッ
チングして前記被エッチング膜の膜厚を測定し、エッチ
ングされていない残りの膜厚と基準の膜厚と比較し、エ
ッチングする前記所定時間を補正して前記半導体基板の
被エッチング膜をエッチングすることを特徴とするドラ
イエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8825493A JPH06302557A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8825493A JPH06302557A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302557A true JPH06302557A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13937739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8825493A Withdrawn JPH06302557A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302557A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638777B2 (en) | 2001-10-30 | 2003-10-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for and method of etching |
| US6830649B2 (en) * | 2001-12-18 | 2004-12-14 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductors |
| KR100508749B1 (ko) * | 1998-06-01 | 2005-11-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 식각설비 및 이를 이용한 식각방법 |
| JP2006261633A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、固体撮像素子の製造方法、薄膜デバイスの製造方法及びプログラム |
| CN109698147A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-30 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法 |
| CN113496951A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体制造方法以及制造系统 |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP8825493A patent/JPH06302557A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100508749B1 (ko) * | 1998-06-01 | 2005-11-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 식각설비 및 이를 이용한 식각방법 |
| US6638777B2 (en) | 2001-10-30 | 2003-10-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for and method of etching |
| US6830649B2 (en) * | 2001-12-18 | 2004-12-14 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductors |
| JP2006261633A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、固体撮像素子の製造方法、薄膜デバイスの製造方法及びプログラム |
| CN109698147A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-30 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法 |
| CN113496951A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体制造方法以及制造系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |