JP3446352B2 - 真空予備室の真空排気方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体の製
造、液晶ディスプレイの製造等に用いられるイオン注入
装置、イオンドーピング装置（即ち非質量分離型イオン
注入装置）、イオンビームエッチング装置、薄膜形成装
置等における真空予備室の真空排気方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空予備室（これはロードロック室とも
呼ばれる）は、処理室等を大気中に開放しないで基板の
搬出入を行うために、処理室等と大気圧側との間に設け
られるものであり、これを設けることによってスループ
ットの向上等を図ることができる。

【０００３】そのような真空予備室を備えるイオン処理
装置の一例を図６に示す。このイオン処理装置は、基板
１０を処理する処理室８と、この処理室８に仕切弁１６
を介して隣接された搬送室６と、その左右両側に仕切弁
１４および１５をそれぞれ介して隣接された二つの真空
予備室２および４とを備えている。両真空予備室２、４
と大気圧側との間には、仕切弁１２、１３がそれぞれ設
けられている。

【０００４】両真空予備室２、４およびその真空排気系
は、この例では互いに同様の構成をしており、そのよう
にしているのは、この例では、基板１０を、大気圧側か
ら真空予備室２、搬送室６、処理室８、搬送室６および
真空予備室４を経て大気圧側へ搬送する場合と、その逆
の流れで搬送する場合とがあるからである。従って、真
空予備室２は、基板１０を搬入する側（即ちロード側）
になる場合と、基板１０を搬出する側（即ちアンロード
側）になる場合とがある。真空予備室４も同様である。
基板搬送方向の切り換えは、例えば、基板１０を所定枚
数（例えば、複数枚の基板１０を収納したカセットの１
カセット分）処理するごとに行われる。

【０００５】真空予備室２および４に対する基板１０の
搬出入は、例えば両真空予備室２、４の外部に設けられ
た基板搬送装置（図示省略）によって行われる。真空予
備室２から搬送室６および処理室８を経て真空予備室４
への、またはその逆の基板１０の搬送は、例えば搬送室
６内に設けられた基板搬送装置（図示省略）によって行
われる。

【０００６】搬送室６および処理室８は、例えば真空ポ
ンプ５０および５２によってそれぞれ所定の真空度に真
空排気される。

【０００７】基板１０の処理用に、この例では処理室８
の壁面部にイオン源５４が取り付けられており、処理室
８においてイオン源５４から引き出したイオンビームを
基板１０に照射して基板１０に対して、イオン注入、イ
オンドーピング（非質量分離のイオン注入）、イオンビ
ームエッチング等の処理を施すことができる。

【０００８】真空予備室２には、互いに並列なスロー排
気ライン２４および通常排気ライン２６を介して真空ポ
ンプ２０が接続されている。真空予備室４にも、互いに
並列なスロー排気ライン４４および通常排気ライン４６
を介して真空ポンプ４０が接続されている。スロー排気
ライン２４および４４は、それぞれ、途中にニードル弁
２２および４２が挿入されていて、相対的に低排気速度
のスロー排気を行うラインである。通常排気ライン２６
および４６は、それぞれ、途中にニードル弁は挿入され
ておらず、相対的に高排気速度の通常排気を行うライン
である。真空ポンプ２０および４０は、それぞれ、例え
ばメカニカルブースタポンプとロータリポンプ（または
ドライポンプ）との組み合わせから成る。真空予備室２
および４の真空度は、真空計２８および４８によってそ
れぞれ計測される。

【０００９】真空予備室２および４は、それぞれ、そこ
にベントガス３０を導入する（これをベントと呼ぶ）こ
とによって大気圧状態に戻される。ベントガス３０は、
例えば窒素ガスである。

【００１０】基板１０の処理は、例えば次のようにして
行われる。即ち、搬送室６および処理室８は常に所定の
真空度に保たれており、まず基板１０を大気圧状態の真
空予備室２内に搬入して同室内を真空排気し、所定の真
空度に達したら基板１０を搬送室６を経由して処理室８
内に搬送し、そこでの処理が完了したら、基板１０を処
理室８から搬送室６を経由して予め真空排気されている
真空予備室４内に搬送し、そしてベントガス３０を導入
して真空予備室４を大気圧状態に戻して基板１０を外部
へ搬出する。基板１０を上記とは逆の流れで搬送・処理
する場合は、真空予備室２と４とを上記とは逆に考えれ
ば良い。

【００１１】上記のような真空予備室２、４で搬入側
（ロード側）になるもの、例えば真空予備室２を例に取
るとこの真空予備室２を、大気圧状態から真空排気を行
う時、いきなり大きな排気速度で排気すると、急激な圧
力差によって、同室内に溜まっているパーティクルが舞
い上がり、これが同室内に搬入されている基板１０に付
着するという問題が起こる。このようなパーティクルの
付着は、基板１０がガラス基板の場合に特に起こり易
い。これは、ガラス基板は電気絶縁性が高く静電気を
帯びやすい、大面積である、等の理由による。

【００１２】そこでパーティクルの舞い上がりを抑制す
るために、従来から、真空予備室２の真空排気は、まず
スロー排気ライン２４で一定時間だけスロー排気を行っ
た後、通常排気ライン２６で所定の真空度に達するまで
通常排気を行う、という真空排気方法が採られている。
その場合、パーティクルの舞い上がりを抑えるために
は、スロー排気時間を長く取ることが望ましく、従来は
このスロー排気時間を例えば５０秒程度以上にしてい
た。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、真空予備室
２のスロー排気時間を長く取ると、パーティクルの舞い
上がりを抑えることはできるものの、スロー排気時間を
長くしたぶん、真空予備室２の真空排気に要する時間が
長くかかり、その間は基板１０の搬送室６等への搬送が
できないので、真空予備室２としての、ひいては図６に
示したイオン処理装置全体の、スループット（単位時間
当たりの処理能力）が低下する。

【００１４】また、真空予備室２は、メンテナンス等の
ための蓋、例えば上蓋（図示省略。但し、図５の上蓋３
参照）を有しており、この上蓋を開閉した直後や、複数
枚の基板１０を処理する処理間隔が長くなった場合に、
再度処理を始めた際、パーティクルの舞い上がりが多く
なり、最初の数枚の基板１０については、同じスロー排
気時間を取っていても、パーティクルの付着量が多くな
って製品欠陥が出る可能性が高くなる。

【００１５】真空予備室４についても、それがロード側
になる場合は、上記のような問題が生じる。

【００１６】そこでこの発明は、真空予備室内における
パーティクルの舞い上がりを常に少なくすることがで
き、しかもスロー排気時間を短縮してスループットを向
上させることができる、真空予備室の真空排気方法を提
供することを主たる目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の真空排気方法は、蓋を有する真空
予備室の真空排気方法であって、前記蓋が開かれかつ閉
じられたという第１の条件と、当該真空予備室への前回
の基板搬入および同室の前回の真空排気を行ってから所
定時間が経過したという第２の条件の少なくとも一方の
条件が成立した場合に、当該真空予備室を真空排気しか
つガスを導入して同室を大気圧状態に戻すダミー排気を
１回以上行っておき、その後、当該真空予備室への基板
搬入および同室の相対的に低排気速度のスロー排気とそ
の後の相対的に高排気速度の通常排気の組み合わせによ
る真空排気を行うようにしたことを特徴とする。

【００１８】また、この発明の第２の真空排気方法は、
蓋を有する真空予備室の真空排気方法であって、前記蓋
が開かれかつ閉じられたという第１の条件と、当該真空
予備室への前回の基板搬入および同室の前回の真空排気
を行ってから所定時間が経過したという第２の条件と、
当該真空予備室への基板搬入を所定枚数行ったという第
３の条件の少なくとも一つの条件が成立した場合に、当
該真空予備室を真空排気しかつガスを導入して同室を大
気圧状態に戻すダミー排気を１回以上行っておき、その
後、当該真空予備室への基板搬入および同室の相対的に
低排気速度のスロー排気とその後の相対的に高排気速度
の通常排気の組み合わせによる真空排気を行うようにし
たことを特徴とする。

【００１９】

【作用】真空予備室の蓋を開閉した場合、外からパーテ
ィクルが真空予備室内に入り易くなるので、同室内でパ
ーティクルが舞い上がり易くなる。

【００２０】また、基板の処理間隔が長くなった場合
も、より具体的には真空予備室内への前回の基板搬入お
よび同室の前回の真空排気を行ってから所定時間が経過
した場合も、同室内でパーティクルが舞い上がり易くな
ることが経験的に確かめられている。

【００２１】そこで、上記第１の真空排気方法では、上
記蓋の開閉と上記所定時間経過の少なくとも一方の条件
が成立した場合に、基板処理に先立ち、真空予備室のダ
ミー排気を１回以上行っておくようにしており、そのよ
うにすれば、ダミー排気によって同室内のパーティクル
を予め排出しておくことができるので、真空予備室内に
おけるパーティクルの舞い上がりを常に少なくすること
ができ、その結果、基板に付着するパーティクルを少な
くすることができる。

【００２２】しかも、パーティクルの舞い上がりが少な
いので、基板処理の際の真空予備室のスロー排気時間を
短縮してスループットを向上させることができる。

【００２３】また、真空予備室への基板搬入をある程度
以上の枚数行った後も、パーティクルの舞い上がりが多
くなることがあるので、そのような場合もダミー排気を
行っておくのが好ましく、上記第２の真空排気方法では
それを行うようにしている。そのようにすれば、真空予
備室内におけるパーティクルの舞い上がりを、ひいては
基板へのパーティクルの付着を、より確実に少なくする
ことができる。

【００２４】

【実施例】図１は、この発明の一実施例に係る真空排気
方法を含む基板処理方法の一例を示すフローチャートで
ある。図２は、図１および図３中の基板処理動作ステッ
プの中身の詳細例を示すフローチャートである。

【００２５】以下においては、前述した真空予備室２
に、この発明に係る真空排気方法を適用した場合の例を
主体にして説明する。

【００２６】また、図１ないし図３に示すような処理の
制御は、具体的には、例えば図５に示す制御装置５８に
おいて行われる。この制御装置５８は、例えばマイクロ
コンピュータを備えており、それには後述するような第
１のタイマ、第２のタイマおよびカウンタが含まれてい
る。

【００２７】図１を参照して、まず、真空予備室２の上
蓋３（図５参照）が開かれかつ閉じられたという第１の
条件が成立したか否かを判断する。即ち、真空予備室２
の上蓋３が開かれたか否かを判断し（ステップ６０）、
開かれた場合は、更にそれが閉じられたか否かを判断し
（ステップ６１）、閉じられた場合は、ステップ６３〜
６９のダミー排気に進む。

【００２８】上蓋３の開閉の検出は、例えば図５に示す
ように、真空予備室２の上蓋３の近傍に設けた検出器５
６によって行い、それからの信号を制御装置５８に取り
込む。この検出器５６は、例えばリミットスイッチ、光
電スイッチ等である。

【００２９】ステップ６０において上蓋３が開かれてい
ないと判断された場合は、ステップ６２において、真空
予備室２への前回の基板搬入および同室の前回の真空排
気を行ってから所定時間が経過したという第２の条件が
成立したか否かを判断する。ここで「前回の」というの
は、複数枚の基板処理を行っている場合における判断時
点の直前の回の、という意味である。

【００３０】具体的にはこの例では、基板搬入後に真空
予備室２の真空度が所定の真空度に達して真空計２８が
オンする（これは後述する図２中のステップ８７におけ
るオンのことである）たびごとに０から計時を始めて所
定時間経過でオンする第１のタイマを前述した制御装置
５８内に設けており、このタイマがオンしたか否かで上
記第２の条件が成立したか否かを判断するようにしてい
る。このタイマをオンさせる時間は、例えば数時間程度
に設定しておく。

【００３１】ステップ６２においてタイマがオンしてい
ると判断された場合は、ステップ６３以降のダミー排気
に進み、タイマがオンしていない場合はステップ７０に
進む。

【００３２】このようにして、上記第１および第２の条
件の少なくとも一方が成立した場合は、ステップ６３〜
６９のダミー排気へと進むことになる。即ち、ステップ
６３において、真空ポンプ２０によって真空予備室２の
真空排気を行う。この場合の真空排気は、真空予備室２
内に基板１０は存在しないのでパーティクルの舞い上が
りによる悪影響は無いので強制的により多くのパーティ
クルを舞い上がらせ、かつ時間を短縮する目的から、通
常排気ライン２６を用いて行うのが好ましく、この実施
例ではそのようにしている。

【００３３】次いで、ステップ６４において、真空予備
室２が所定の真空度に達して真空計２８がオンしたか否
かを判断し、オンしていなければステップ６３に戻って
真空排気を続行し、オンすればステップ６５に進んで真
空排気を終了する。この真空計２８がオンする真空度
は、例えば５０ｍＴｏｒｒ程度としておく。

【００３４】上記真空排気が終了したら、ステップ６６
に進んで、ベント、即ち真空予備室２にベントガス３０
を導入することを始め、次いでステップ６７において、
真空予備室２が大気圧になったか否かを判断し、大気圧
になっていなければステップ６６に戻ってベントを続行
し、大気圧になればステップ６８に進んでベントを終了
する。真空予備室２が大気圧になったか否かの検出は、
例えば真空予備室２に設けた大気圧センサ（図示省略）
によって行う。

【００３５】ベントが終了したら、ステップ６９に進ん
で、前述した制御装置５８内に設けているカウンタがオ
ンしているか否かを判断する。このカウンタは、ダミー
排気回数を数えるものであり、例えばステップ６３で真
空排気を開始するごとに１ずつカウントアップし、所定
数に達したらオンする。この所定数は、ダミー排気を行
う回数であり、１以上に設定しておくものとするが、実
験によればダミー排気回数は３回以上が好ましく、５回
以上がより好ましい（後述する図４参照）。

【００３６】ステップ６９においてカウンタがオンして
いない場合は、ステップ６３に戻って、再び上記のよう
なダミー排気を繰り返す。カウンタがオンしていれば、
そのカウンタを０にリセットして、処理はステップ６０
に戻る。

【００３７】真空予備室２の上蓋３が開いておらず、し
かも制御装置５８内の第１のタイマがオンしていない場
合は（ステップ６０、６２参照）、ステップ７０に進
み、基板１０の処理を開始するか否かが判断され、開始
しない場合はステップ６０に戻り、開始する場合はステ
ップ８０に進んで基板１０の処理動作が行われる。

【００３８】このステップ８０の中身の詳細例を図２に
示す。即ち、仕切弁１２を開いて（ステップ８１）、基
板１０を真空予備室２に搬入し（ステップ８２）、仕切
弁１２を閉じる（ステップ８３）。次いで、真空ポンプ
２０によってスロー排気ライン２４を用いて真空予備室
２をスロー排気し（ステップ８４）、これを所定時間続
ける。即ち、スロー排気開始から所定時間経過でオンす
る第２のタイマを制御装置５８内に設けており、ステッ
プ８５においてこのタイマがオンしたか否かを判断し、
オンしていなければステップ８４に戻ってスロー排気を
続行し、オンすればステップ８６に進む。この第２のタ
イマがオンする時間、即ちスロー排気時間を、前述した
ように従来は５０秒程度以上としていたのであるが、こ
の実施例ではダミー排気を予め行っておくことの効果と
して、従来よりも大幅に短縮することができる。例えば
２０秒程度にすることも可能である。その理由は図４を
参照して後述する。

【００３９】上記第２のタイマがオンしたら、スロー排
気ライン２４の代わりに通常排気ライン２６を用いて真
空予備室２を通常排気し（ステップ８６）、ステップ８
７において、真空予備室２が所定の真空度に達して真空
計２８がオンしたか否かを判断し、オンしていなければ
ステップ８６に戻って通常排気を続行し、オンすればス
テップ８８に進んで真空排気を終了する。この真空計２
８がオンする真空度は、例えば５０ｍＴｏｒｒ程度とし
ておく。

【００４０】その後は、仕切弁１４を開いて基板１０を
搬送室６へ搬送し（ステップ８９）、更にそれ以降の基
板処理動作を行う（ステップ９０）。即ち、基板１０を
処理室８に搬入してイオンドーピング等の処理を施し、
同基板１０を真空予備室４を経由して大気中に搬出す
る。そして、上記のような基板処理動作を続行するか否
かを判断し（ステップ９１）、続行しない場合は処理は
終了し、続行する場合はステップ８１に戻る。

【００４１】上記のようにして、この実施例では、ダミ
ー排気の条件が成立したか否かを自動で判断し、同条件
が成立した場合は、基板処理に先立ってダミー排気を自
動で行うようにしている。

【００４２】基板処理に先立って、真空予備室２のダミ
ー排気を行っておくことの効果を以下に説明する。

【００４３】真空予備室２の上蓋３をメンテナンス等の
ために開閉した場合、外からパーティクルが真空予備室
２内に入り易くなるので、同室内でパーティクルが舞い
上がり易くなる。

【００４４】また、基板１０の処理間隔が長くなった場
合も、より具体的には真空予備室２内への前回の基板搬
入および同室の前回の真空排気を行ってから長時間が経
過した場合も、上蓋３を開閉しなくても、同室内でパー
ティクルが舞い上がり易くなることが経験的に確かめら
れている。これは、真空予備室２の壁面等に付着してい
たパーティクルが、時間経過に伴って剥がれて舞い上が
り易くなるためではないかと考えられる。

【００４５】そこで、上記実施例のように、上蓋３の開
閉（ステップ６０、６１）と第１のタイマオン（ステッ
プ６２）の少なくとも一方の条件が成立した場合に、基
板処理に先立ち、真空予備室２のダミー排気を１回以上
行っておけば、このダミー排気によって同室内のパーテ
ィクルを予め排出しておくことができるので、真空予備
室２内におけるパーティクルの舞い上がりを常に少なく
することができ、その結果、基板１０に付着するパーテ
ィクルを少なくすることができる。ここで「常に」とい
うのは、基板１０に対して図２に示したような処理を行
う時はいつも、という意味である。

【００４６】しかも、パーティクルの舞い上がりが少な
いので、基板処理の際の真空予備室２のスロー排気時間
を短縮することができる。

【００４７】真空予備室２のダミー排気回数およびスロ
ー排気時間を変えた場合に、基板１０に付着するパーテ
ィクル数がどのように変化するかを測定した結果の一例
を図４に示す。

【００４８】ダミー排気が０回の場合は、従来の真空排
気方法に相当し、この場合はスロー排気時間を前述した
ように５０秒程度以上に取らないと、パーティクル数は
０近くにならない。これに対して、ダミー排気を１回以
上行うと、しかもその回数を増やすほど、スロー排気時
間を短縮しても、基板１０に付着するパーティクル数を
０近くにすることができる。例えば、ダミー排気を５回
行うと、スロー排気時間を２０秒程度に短縮しても、基
板１０に付着するパーティクル数を０近くにすることが
できる。

【００４９】基板１０の処理の際の真空予備室２のスロ
ー排気時間を短縮することができれば、そのぶん、真空
予備室２の真空排気に要する時間が短くなり、基板１０
を速やかに搬送室６等へ搬送して次の処理に移ることが
できるので、真空予備室２としての、ひいては図６に示
したイオン処理装置全体としての、スループットが向上
する。

【００５０】なお、上記ダミー排気に要する時間として
は、例えばダミー排気を数回行う場合は５分程度かかる
が、ダミー排気は、前述したように、メンテナンス等の
ために上蓋３を開閉した時に、または前回の基板処理か
ら長時間経過した時に、基板処理に先立って行っておく
ものである。即ちこのダミー排気は、メンテナンス後の
装置立上げ時間内に完了する、または基板を処理してい
ない時間内に完了するものであり、従ってダミー排気時
間は、基板１０の図２に示したような処理の際のスルー
プットには影響しない。このスループットに影響するの
は、前述したスロー排気時間および通常排気時間であ
る。

【００５１】ところで、真空予備室２への基板搬入をあ
る程度以上の枚数行った後も、即ち基板１０をある程度
以上の枚数処理した後も、パーティクルの舞い上がりが
多くなることがある。これは、基板搬入に伴って、わず
かながらパーティクルが真空予備室２内に持ち込まれる
からであると考えられる。従ってこのような場合もダミ
ー排気を行っておくのが好ましく、図３に示す実施例で
はそれを行うようにしている。

【００５２】即ち図３に示す実施例では、前述したステ
ップ６２からステップ７０に進む途中に、基板１０を所
定枚数処理したか否かを判断するステップ７１を設け、
所定枚数処理した場合はステップ６３以降のダミー排気
を行うようにしている。その他は図１の実施例の場合と
同じである。この所定枚数処理には、上記の真空予備室
２への基板搬入が含まれており（図２のフローチャート
参照）、従って基板１０の処理枚数と真空予備室２への
搬入枚数とは互いに同じと考えることができる。ここで
判断する所定枚数は、例えば数百枚程度にしておけば良
い。

【００５３】この実施例のようにすれば、真空予備室２
内におけるパーティクルの舞い上がりを、ひいては基板
１０へのパーティクルの付着を、より確実に少なくする
ことができる。

【００５４】なお、以上においては、この発明に係る真
空排気方法を真空予備室２に適用した場合を例に説明し
たが、図６に示したイオン処理装置では、前述したよう
に真空予備室４がロード側になる場合もあり、その場合
はこの真空予備室４にも上記と同様の真空排気方法を適
用するのが好ましい。そのようにすれば、この真空予備
室４についても、上記と同様の効果を得ることができ
る。また、装置によっては、真空予備室が一つしかな
い、即ちロード用とアンロード用とを兼ねる場合もあ
り、そのような真空予備室についても、勿論、上記のよ
うな真空排気方法を適用することができる。

【００５５】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００５６】請求項１の真空排気方法によれば、真空予
備室の蓋が開かれかつ閉じられたという第１の条件と、
真空予備室への前回の基板搬入および同室の前回の真空
排気を行ってから所定時間が経過したという第２の条件
の少なくとも一方の条件が成立した場合に、基板処理に
先立ち、真空予備室のダミー排気を１回以上行っておく
ようにしたので、ダミー排気によって同室内のパーティ
クルを予め排出しておくことができ、それによって真空
予備室内におけるパーティクルの舞い上がりを常に少な
くすることができ、その結果、基板に付着するパーティ
クルを少なくすることができる。しかも、パーティクル
の舞い上がりが少ないので、基板処理の際の真空予備室
のスロー排気時間を短縮してスループットを向上させる
ことができる。

【００５７】請求項２の真空排気方法によれば、真空予
備室への基板搬入を所定枚数以上行った場合もダミー排
気を行っておくようにしたので、真空予備室内における
パーティクルの舞い上がりを、ひいては基板へのパーテ
ィクルの付着を、より確実に少なくすることができる。

【００５８】請求項３の真空排気方法によれば、ダミー
排気を５回以上行うようにしたので、真空予備室におけ
るパーティクルの舞い上がりを、ひいては基板へのパー
ティクルの付着を、極めて少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る真空排気方法を含む
基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

【図２】図１および図３中の基板処理動作ステップの中
身の詳細例を示すフローチャートである。

【図３】この発明の他の実施例に係る真空排気方法を含
む基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

【図４】基板に付着するパーティクル数の測定結果の一
例を示す図である。

【図５】真空予備室に上蓋開閉の検出器を設けた例を示
す概略側面図である。

【図６】イオン処理装置の一例を示す概略平面図であ
る。

【符号の説明】

２ 真空予備室 ３ 上蓋 ４ 真空予備室 ６ 搬送室 ８ 処理室 １０ 基板 ２０ 真空ポンプ ２４ スロー排気ライン ２６ 通常排気ライン ４０ 真空ポンプ ４４ スロー排気ライン ４６ 通常排気ライン ５６ 検出器 ５８ 制御装置

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−87386（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−98434（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259259（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−94597（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−124893（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−145980（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 14/00 - 16/56 H01L 21/203 - 21/31

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蓋を有する真空予備室の真空排気方法で
   あって、前記蓋が開かれかつ閉じられたという第１の条
   件と、当該真空予備室への前回の基板搬入および同室の
   前回の真空排気を行ってから所定時間が経過したという
   第２の条件の少なくとも一方の条件が成立した場合に、
   当該真空予備室を真空排気しかつガスを導入して同室を
   大気圧状態に戻すダミー排気を１回以上行っておき、そ
   の後、当該真空予備室への基板搬入および同室の相対的
   に低排気速度のスロー排気とその後の相対的に高排気速
   度の通常排気の組み合わせによる真空排気を行うように
   したことを特徴とする真空予備室の真空排気方法。
2. 【請求項２】 蓋を有する真空予備室の真空排気方法で
   あって、前記蓋が開かれかつ閉じられたという第１の条
   件と、当該真空予備室への前回の基板搬入および同室の
   前回の真空排気を行ってから所定時間が経過したという
   第２の条件と、当該真空予備室への基板搬入を所定枚数
   行ったという第３の条件の少なくとも一つの条件が成立
   した場合に、当該真空予備室を真空排気しかつガスを導
   入して同室を大気圧状態に戻すダミー排気を１回以上行
   っておき、その後、当該真空予備室への基板搬入および
   同室の相対的に低排気速度のスロー排気とその後の相対
   的に高排気速度の通常排気の組み合わせによる真空排気
   を行うようにしたことを特徴とする真空予備室の真空排
   気方法。
3. 【請求項３】 前記ダミー排気を５回以上行う請求項１
   または２記載の真空予備室の真空排気方法。