JPH02235329A - 半導体基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔澱東上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造に使用する半導体基板処理
装置に関するもので萬る。

〔従来の技術〕

第３図は従米の真空処理装置の一例としてイオン注入装
置を示す。図に１いて、（１）は半導体基板を投入して
低真空度に真空引きする投入口側予備排気室、（２）は
高真空度に真空引きをして半導体基板にイオン注入をす
る処理室、（３）は投入口側予備排気室（１）と同じく
、低真空度に真空引きしてある取り出し口側予備排気室
である。

次に動作について説明する。半導体基板は一枚ずつ，大
気中から投入口側予備排慨室ロ》に入る。

そこで定められた低真２２！度に真空引きされた後、高
真空度の処理室（２）に入り、高真空度に真空引きされ
た後イオン注入され、その後半導体基板は低真空度の敗
り出し口側予備排気１１（３）　＃ｃ移り，ここで大気
圧にもどされ，その後大慨中に出される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のイオン注入機は以上のように構成されているので
，半導体基板の出し入れの際に塵埃が出て、それか投入
口側予備排気室（１）、取り出し口側予備排気１１（３
）にたまるため、真空引きする時に塵埃が半導体基板表
面に大量に付着する。塵埃をとるため定期的にこれらの
予備排気室の清掃を行う必脣があり、また，低真ｇ！度
の予備排気室（１）．　ｔ３）と，高真２２！度の処理
１ｉ１１２）との間の半導体基板の出し入れの際に処理
室（２）の真空度が下がり，再び高真ｇ！２に真空引き
するのに時間がかかる。あるいは，時間短縮のため少し
、低い真空度でイオン圧入することにより，イオン注入
）１１＆が低下するなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、処理室真空度の低下を小さくすることのでき
る半導体基板処理装置を得ることを目的とする。

また、投入口側予備排気室、取り出し口側予備排気璽へ
の半導体基板の出し入れの際に出る塵埃を自動的に外に
出す機構をもつ半導体基仮処理装置を得ることを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体処理装置は半導体基板投入口側に
設けられ，投入口に近づくにつれて、その真２２！度か
高くなる複数の第１の予備排気室と，処理室の取り出し
口側に設けられ、取り出し口から遠ざかる番こつれ、そ
の真窒度が低くなる複数の第２の予備排気室を備えてい
る。

また，第１の予備排気室に設けられその内部を排気後，
ｌ気圧６こもどす投入室と、第２の予備排気室ｉこ設け
られ、その内部を予め１気圧にした後排気する取り出し
室を備えている。

〔作用〕

この発明は処理室の投入口側に設けられ投入口に近づく
につれ，その真空度が高くなる。複数のＭｌの予備排気
室と．＋１１記処理室の取り出し口側６こ設けられ取り
出し口から遠ざかるにつれその真空度が低くなる複数の
第２の予備排気電とを設けたので、前記処理室の真空度
の低下が少なくなり，前記処理室の真空．度を高くする
時間を減少させることができる。

さらに，この発明は第１の予備排慨室に設けられ，その
内部を併気後１気圧一こもどす投入室と、前記第２の予
備排気室６こ設けられ，その内部を予め１気圧６こした
後排気する取り出し口とを設けたので、塵埃を目動的に
外６こ出すことができ，前記第１及び第２の予備排気室
の定期的な清帰の必要が減少する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図１ζｇいて、（ｌａ）　（Ｌｂ）　（ｌｃ）は半導体
基板投入口側予備排気室，（２》は高真ｇ！度の処理室
，（３ａ）　（：｛ｂ）　（３ｃ）は半導体基板取り出
し口側予備排気室、（ｌａ）　（ｌｂ）　（Ｌａ）　（
３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）の予備排気室は複数燗存在
し，大気側から処理室（２）へ向って徐々に真空藏が高
くなるように設定ざれている。

次に，この発明に係るイオン注入装置の動作を説明する
。図示しない複数の半導体基板をこの装置に投入するに
際しては、まず投入口側予備排気１１　（ｌｍ）に一枚
ずつ頴仄，半遍体基板を投入するが、半導体基板が入る
直前に大気中に一番近い予備排気室（ｌａ）は排気し，
その後通気がなされて予備排気室（ｌａ）の塵埃が外に
出される。１回以上の排気通気かなされた後に半導体基
板は予備排気室（ｌａ）入る。そこで、低真空度に真空
引きされた後、徐々に真ｇ！度の高くなっていく複数の
予備排気室（ｌｂ）　（ｌｃ）を経て、高真２２！度の
処理電（２）６と入る。処理室（２）とその手前の予備
排気室（ｌｃ）とでは、真窒度に大きな差がなく，処理
電（２）の真空度はあまり低下しない。高真空度に真窒
引きされた処理室（２）でイオン注入された半導体基板
は取り出し口側予備排気１１　（３ｃ）へ入る。そして
徐々に真空度が低くなっていく複数の予備排気室（３ｂ
）を経て、大気中１こ一番近い予備排気ｉ１　（３ａ）
に入る。予備排気室（３ａ）に半導体基板が入る直前に
は，１回以上排気し，その後通気がなされて塵埃が外に
出される。

予備排気′＠（３ａ）で大気圧に戻った後６こ半導体基
板は大気中に出される。

な８，上記実施例における塵埃を外に出すための排気・
通気は，排気速度、通気速度を変えて行えるようにして
もよく、任意の時間，任意の回数行うように設定可能な
プログラミング機構を有してもよく、また、大気中に一
書近い予備排気室のみでなく、他の予偏排気室で行える
ようにしてもよい。

また，上記実施例ではイオン注入装置６こついて説明し
たが、高真空度に保って半導体基板を処理する装置なら
何でもよく，上記実施例と同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、半導体基板の投入され
る投入口と、処理された半導体基板が取り出される取り
出し口を有する処理室と，この処理室のｆ＃Ｊ記投入口
側に設けられ投入口６こ近づくにつれ，その真空度が高
くなる複数の第１の予備排気室と前記処理室の前記取り
出し口側に設けられ取り出し口から遠ざかるにつれ，そ
の真２２２が低くなる複数の第２の予備排気室を設けた
ので、処理室の真空度の低下を小さ《でき、処理室を高
真空度６こ真空引きする時間が少なくなる。また、前記
第１の予備排気室を設けられその内部を排気後１気圧に
もどす投入室と、前記第２の予備排気室に設けられ，そ
の内部を予め１気圧にした後排気する取り出し室を設け
ているので、塵埃が自動的に外に排出され定期的に予備
排気室を清帰する必要が減少する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるイオン注入装置を示
す図、ｗＪｚ図は従来のイオン注入装置を示す図である
。 図において，（２）は処理室．　　（ｌａ）は大気中に
一番近い半導体基板投入口側予備排気電．　　（ｌｃ）
は処理ｊｉｉ！　＋２）　ｊこ一番近い投入口側予備排
気室、ｃ市）は（Ｉａ）と（１ｃ）の間に存在する予備
排気室、（３ａ）は大気中に一番近い，半導体基板取り
出し側予備排気室、（３ｃ）は処理室（２）に一番近い
取り出し口側予備排気室，龜ｂ）は（３ａ》と（３ｃ）
の間に存在する予備排気室，（＋ａ）．　（３ａ）は半
導体基板か入る前に排気・通気をして塵埃を外に出す機
能をもつ。 なお，図中，同一符号は同一，又は相当部分を示す。 第１図 手続補正書（自発） ２：赳理皇

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空状態で複数の半導体基板が順次その内部で処
   理されると共に、前記半導体基板の投入される投入口と
   、処理された半導体基板が取り出される取り出し口とを
   有する処理室と、この処理室の前記投入口側に設けられ
   、投入口に近づくにつれその真空度が高くなる複数の第
   １の予備排気室と、前記処理室の前記取り出し口側に設
   けられ、取り出し口から遠ざかるにつれその真空度が低
   くなる複数の第２の予備排気室とを備えた半導体基板処
   理装置。
2. （２）前記第１の予備排気電に設けられ、その内部を排
   気後１気圧にもどす投入室と、前記第２の予備排気室に
   設けられ、その内部を予め１気圧にした後排気する取り
   出し電とを備えた特許請求の範囲第１項記載の半導体基
   板処理装置。