JP2873761B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2873761B2 JP2873761B2 JP304292A JP304292A JP2873761B2 JP 2873761 B2 JP2873761 B2 JP 2873761B2 JP 304292 A JP304292 A JP 304292A JP 304292 A JP304292 A JP 304292A JP 2873761 B2 JP2873761 B2 JP 2873761B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、半
導体ウエハ等に対する微細な回路パターンの形成に塵埃
が悪影響を及ぼすため、天井から床に向けて清浄化空気
の流れ（ダウンフロー）が形成されたクリーンルーム内
でそのほとんどの工程が実施される。したがって、例え
ばエッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、イオン
注入装置等の半導体製造装置は、クリーンルーム内に配
置される。
導体ウエハ等に対する微細な回路パターンの形成に塵埃
が悪影響を及ぼすため、天井から床に向けて清浄化空気
の流れ（ダウンフロー）が形成されたクリーンルーム内
でそのほとんどの工程が実施される。したがって、例え
ばエッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、イオン
注入装置等の半導体製造装置は、クリーンルーム内に配
置される。
【０００３】ところで、半導体製造工程においては、被
処理物例えば半導体ウエハは、複数例えば25枚の半導体
ウエハを収容可能に構成されたいわゆるウエハカセット
内に収容されて各工程間を搬送される。したがって、半
導体製造装置には、半導体ウエハ等に所定の処理、例え
ばエッチング処理、ＣＶＤ膜の成膜処理、スパッタリン
グ処理、イオン注入処理等を施す処理機構と、複数のウ
エハカセットを収容するいわゆるカセットバッファ、ウ
エハカセット内の半導体ウエハのオリエンテーションフ
ラットの位置を揃えて所定の向きに整列させるウエハ整
列機構、ウエハカセット内の半導体ウエハを処理部にロ
ード・アンロードするロード・アンロード機構等を備え
たものが多い。
処理物例えば半導体ウエハは、複数例えば25枚の半導体
ウエハを収容可能に構成されたいわゆるウエハカセット
内に収容されて各工程間を搬送される。したがって、半
導体製造装置には、半導体ウエハ等に所定の処理、例え
ばエッチング処理、ＣＶＤ膜の成膜処理、スパッタリン
グ処理、イオン注入処理等を施す処理機構と、複数のウ
エハカセットを収容するいわゆるカセットバッファ、ウ
エハカセット内の半導体ウエハのオリエンテーションフ
ラットの位置を揃えて所定の向きに整列させるウエハ整
列機構、ウエハカセット内の半導体ウエハを処理部にロ
ード・アンロードするロード・アンロード機構等を備え
たものが多い。
【０００４】なお、通常クリーンルームは、パンチング
メタル等から構成される床により、上層階と下層階とに
分けられており、この上層階には各半導体製造装置等が
配置され、下層階には真空ポンプ等が配置されることが
多い。
メタル等から構成される床により、上層階と下層階とに
分けられており、この上層階には各半導体製造装置等が
配置され、下層階には真空ポンプ等が配置されることが
多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体デバイスは、急速に高集積化および微細化される傾
向にあり、これに伴って半導体製造工程においては、工
程数の増加に伴う半導体製造装置数の増大によるクリー
ンルーム内の占有面積の増大、塵埃付着による歩留まり
の低下等の問題が発生している。
導体デバイスは、急速に高集積化および微細化される傾
向にあり、これに伴って半導体製造工程においては、工
程数の増加に伴う半導体製造装置数の増大によるクリー
ンルーム内の占有面積の増大、塵埃付着による歩留まり
の低下等の問題が発生している。
【０００６】このため、上述したような半導体製造装置
においても、さらに設置スペースを削減してスペースフ
ァクターを向上させること、被処理物に対する塵埃の付
着を防止して歩留まりの向上を図ること等が要求されて
いる。
においても、さらに設置スペースを削減してスペースフ
ァクターを向上させること、被処理物に対する塵埃の付
着を防止して歩留まりの向上を図ること等が要求されて
いる。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて設置スペースを削減してス
ペースファクターの向上を図ることができるとともに、
被処理物に対する塵埃の付着を防止して歩留まりの向上
を図ることのできる半導体製造装置を提供しようとする
ものである。
されたもので、従来に較べて設置スペースを削減してス
ペースファクターの向上を図ることができるとともに、
被処理物に対する塵埃の付着を防止して歩留まりの向上
を図ることのできる半導体製造装置を提供しようとする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体製造装置は、上部から下部に向けて清浄化気体流を形
成され、少なくとも上層階と下層階の複数の階層を有す
るクリーンルームに配置される半導体製造装置であっ
て、前記上層階に配置され、前記被処理物を複数収容す
る被処理物収容機構と、前記下層階に配置され、前記被
処理物に所定の処理を施す処理機構と、前記被処理物収
容機構と前記処理機構との間で前記被処理物を搬送する
搬送機構とを具備したことを特徴とする。
体製造装置は、上部から下部に向けて清浄化気体流を形
成され、少なくとも上層階と下層階の複数の階層を有す
るクリーンルームに配置される半導体製造装置であっ
て、前記上層階に配置され、前記被処理物を複数収容す
る被処理物収容機構と、前記下層階に配置され、前記被
処理物に所定の処理を施す処理機構と、前記被処理物収
容機構と前記処理機構との間で前記被処理物を搬送する
搬送機構とを具備したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】前述したように、一般にクリーンルームは、パ
ンチングメタル等によって、上層階と下層階とに分割さ
れている。そして、従来は、これらのうちよりクリーン
度の高い上層階に半導体製造装置等を配置し、専ら上層
階を半導体ウエハ等に処理等を施す作業場として使用
し、下層階には、例えば一部の真空ポンプ、電源等が配
置されているのみである。
ンチングメタル等によって、上層階と下層階とに分割さ
れている。そして、従来は、これらのうちよりクリーン
度の高い上層階に半導体製造装置等を配置し、専ら上層
階を半導体ウエハ等に処理等を施す作業場として使用
し、下層階には、例えば一部の真空ポンプ、電源等が配
置されているのみである。
【００１０】また、例えば、半導体ウエハ等に処理等を
施すエッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、イオ
ン注入装置等の半導体製造装置では、気密容器の内部で
所定の処理を実施するため、その気密容器等の処理機構
は、実質的にあまりクリーン度の高い環境に配置する必
要はない。
施すエッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、イオ
ン注入装置等の半導体製造装置では、気密容器の内部で
所定の処理を実施するため、その気密容器等の処理機構
は、実質的にあまりクリーン度の高い環境に配置する必
要はない。
【００１１】そこで、本発明の半導体製造装置では、ク
リーン度の高いクリーンルームの上層階に被処理物を複
数収容する被処理物収容機構等を配置し、クリーン度の
低いクリーンルームの下層階にイオン注入処理等を行う
処理機構を配置する。そして、これらの間に、内部に上
部から下部に向けて清浄化気体流を形成されたダクト
と、このダクト内においてウエハカセット等を搬送する
搬送駆動装置等を具備した搬送機構によって接続する。
リーン度の高いクリーンルームの上層階に被処理物を複
数収容する被処理物収容機構等を配置し、クリーン度の
低いクリーンルームの下層階にイオン注入処理等を行う
処理機構を配置する。そして、これらの間に、内部に上
部から下部に向けて清浄化気体流を形成されたダクト
と、このダクト内においてウエハカセット等を搬送する
搬送駆動装置等を具備した搬送機構によって接続する。
【００１２】これにより、従来有効に利用されていなか
ったクリーンルームの下層階を有効に利用することがで
き、スペースファクターの向上を図ることができる。ま
た、クリーンルームの上層階に設置される装置類を削減
することにより、上層階における発塵源の減少およびメ
ンテナンス時の作業員の立ち入り機会を減少させること
ができ、よりクリーンな環境を実現し、半導体ウエハ等
に対する塵埃の付着を防止して歩留まりの向上を図るこ
とができる。
ったクリーンルームの下層階を有効に利用することがで
き、スペースファクターの向上を図ることができる。ま
た、クリーンルームの上層階に設置される装置類を削減
することにより、上層階における発塵源の減少およびメ
ンテナンス時の作業員の立ち入り機会を減少させること
ができ、よりクリーンな環境を実現し、半導体ウエハ等
に対する塵埃の付着を防止して歩留まりの向上を図るこ
とができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハにイオン注入処
理を施すイオン注入装置に適用した一実施例を図面を参
照して説明する。
理を施すイオン注入装置に適用した一実施例を図面を参
照して説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例の構成を示すも
ので、同図に示すように、クリーンルーム１には、清浄
化空気（ダウンフロー）の吹き出し口（図示せず）を備
えた天井２が設けられており、この天井２と床３との間
には、例えばダウンフローの通過孔（図示せず）を有す
るパンチングメタル４が配置されている。クリーンルー
ム１は、このパンチングメタル４によって、上層階５と
下層階６とに分割されている。
ので、同図に示すように、クリーンルーム１には、清浄
化空気（ダウンフロー）の吹き出し口（図示せず）を備
えた天井２が設けられており、この天井２と床３との間
には、例えばダウンフローの通過孔（図示せず）を有す
るパンチングメタル４が配置されている。クリーンルー
ム１は、このパンチングメタル４によって、上層階５と
下層階６とに分割されている。
【００１５】なお、クリーンルーム１内には、天井２か
らパンチングメタル４を通過して床３方向へ向かう如
く、図示しない清浄化空気循環機構により清浄化空気の
ダウンフローが形成されている。またこのようなクリー
ンルーム１において、従来は、専ら上層階５が半導体ウ
エハ等に処理等を施す作業場として使用されており、下
層階６には、例えば一部の真空ポンプ、電源等が配置さ
れているのみである。
らパンチングメタル４を通過して床３方向へ向かう如
く、図示しない清浄化空気循環機構により清浄化空気の
ダウンフローが形成されている。またこのようなクリー
ンルーム１において、従来は、専ら上層階５が半導体ウ
エハ等に処理等を施す作業場として使用されており、下
層階６には、例えば一部の真空ポンプ、電源等が配置さ
れているのみである。
【００１６】本実施例では、上層階５には、半導体ウエ
ハ７を複数（例えば25枚）収容するウエハカセット８を
複数個収容可能に構成されたカセットバッファ９と、こ
のカセットバッファ９から受け渡されたウエハカセット
８内の半導体ウエハ７のオリエンテーションフラットを
揃えて所定の向きに整列させるウエハ整列機構１０と、
このウエハ整列機構１０と後述するカセット搬送機構１
５の間等でウエハカセット８の受け渡しを行う受け渡し
機構１１が設けられている。
ハ７を複数（例えば25枚）収容するウエハカセット８を
複数個収容可能に構成されたカセットバッファ９と、こ
のカセットバッファ９から受け渡されたウエハカセット
８内の半導体ウエハ７のオリエンテーションフラットを
揃えて所定の向きに整列させるウエハ整列機構１０と、
このウエハ整列機構１０と後述するカセット搬送機構１
５の間等でウエハカセット８の受け渡しを行う受け渡し
機構１１が設けられている。
【００１７】なお、図２に示すように、カセットバッフ
ァ９としては、搬入用カセットバッファ９ａと、搬出用
カセットバッファ９ｂとが2 列に設けられている。そし
て、図中矢印で示すように、処理を行う半導体ウエハ７
を収容したウエハカセット８を、搬入用カセットバッフ
ァ９ａから、ウエハ整列機構１０および受け渡し機構１
１を介して、カセット搬送機構１５に受け渡し、処理の
終了した半導体ウエハ７を収容したウエハカセット８
を、カセット搬送機構１５から、受け渡し機構１１を介
して、搬出用カセットバッファ９ｂに受け渡すよう構成
されている。
ァ９としては、搬入用カセットバッファ９ａと、搬出用
カセットバッファ９ｂとが2 列に設けられている。そし
て、図中矢印で示すように、処理を行う半導体ウエハ７
を収容したウエハカセット８を、搬入用カセットバッフ
ァ９ａから、ウエハ整列機構１０および受け渡し機構１
１を介して、カセット搬送機構１５に受け渡し、処理の
終了した半導体ウエハ７を収容したウエハカセット８
を、カセット搬送機構１５から、受け渡し機構１１を介
して、搬出用カセットバッファ９ｂに受け渡すよう構成
されている。
【００１８】一方、下層階６には、図３にも示すよう
に、気密容器内で半導体ウエハ７に所定の処理を施すウ
エハ処理機構１２と、このウエハ処理機構１２内に半導
体ウエハ７をロード・アンロードするためのロード・ア
ンロード機構１３およびこのロード・アンロード機構１
３にウエハカセット８を受け渡す受け渡し機構１４等が
設けられている。
に、気密容器内で半導体ウエハ７に所定の処理を施すウ
エハ処理機構１２と、このウエハ処理機構１２内に半導
体ウエハ７をロード・アンロードするためのロード・ア
ンロード機構１３およびこのロード・アンロード機構１
３にウエハカセット８を受け渡す受け渡し機構１４等が
設けられている。
【００１９】そして、上層階５と下層階６との間には、
上述した各機構間を接続する如く、カセット搬送機構１
５が設けられている。すなわち、上層階５と下層階６と
の間に配置されたパンチングメタル４を貫通する如く、
ダクト１６が設けられており、このダクト１６内におい
て、ウエハカセット８を支持し、上下動させる如く、例
えばボールネジ１７とこのボールネジ１７を回転させる
駆動モータ１８等からなる搬送駆動装置が設けられてい
る。また、このダクト１６の上部およびこのダクト１６
に隣接して設けられたカセットバッファ９、ウエハ整列
機構１０、受け渡し機構１１の上部には、塵埃除去用の
フィルタ１９が設けられており、ダクト１６の下部に
は、排気用配管２０が接続されている。そして、排気用
配管２０から排気することにより、ウエハカセット８の
搬送路となるダクト１６内等に清浄化したダウンフロー
が形成され、ウエハカセット８の搬送路が全て清浄化雰
囲気となるよう構成されている。
上述した各機構間を接続する如く、カセット搬送機構１
５が設けられている。すなわち、上層階５と下層階６と
の間に配置されたパンチングメタル４を貫通する如く、
ダクト１６が設けられており、このダクト１６内におい
て、ウエハカセット８を支持し、上下動させる如く、例
えばボールネジ１７とこのボールネジ１７を回転させる
駆動モータ１８等からなる搬送駆動装置が設けられてい
る。また、このダクト１６の上部およびこのダクト１６
に隣接して設けられたカセットバッファ９、ウエハ整列
機構１０、受け渡し機構１１の上部には、塵埃除去用の
フィルタ１９が設けられており、ダクト１６の下部に
は、排気用配管２０が接続されている。そして、排気用
配管２０から排気することにより、ウエハカセット８の
搬送路となるダクト１６内等に清浄化したダウンフロー
が形成され、ウエハカセット８の搬送路が全て清浄化雰
囲気となるよう構成されている。
【００２０】上記構成の本実施例の半導体製造装置で
は、上層階５に設けられた搬入用カセットバッファ９ａ
に、搬送ロボット等により処理を行うウエハカセット８
を載置する。すると、このウエハカセット８は、まずウ
エハ整列機構１０に搬送され、半導体ウエハ７の向きを
揃えられた後、受け渡し機構１１によってカセット搬送
機構１５に受け渡される。
は、上層階５に設けられた搬入用カセットバッファ９ａ
に、搬送ロボット等により処理を行うウエハカセット８
を載置する。すると、このウエハカセット８は、まずウ
エハ整列機構１０に搬送され、半導体ウエハ７の向きを
揃えられた後、受け渡し機構１１によってカセット搬送
機構１５に受け渡される。
【００２１】この後、ウエハカセット８は、ダクト１６
内を通って下層階６に搬送され、受け渡し機構１４によ
ってロード・アンロード機構１３に受け渡される。しか
る後、ロード・アンロード機構１３によってウエハカセ
ット８内の半導体ウエハ７が一枚ずつウエハ処理機構１
２の気密容器内に搬入され、所定の処理が施される。
内を通って下層階６に搬送され、受け渡し機構１４によ
ってロード・アンロード機構１３に受け渡される。しか
る後、ロード・アンロード機構１３によってウエハカセ
ット８内の半導体ウエハ７が一枚ずつウエハ処理機構１
２の気密容器内に搬入され、所定の処理が施される。
【００２２】そして、処理の終了した半導体ウエハ７を
収容したウエハカセット８は、上記手順と逆の手順で上
層階５の搬出用カセットバッファ９ｂに搬送され、ここ
から搬送ロボット等により、次の工程へ搬送される。
収容したウエハカセット８は、上記手順と逆の手順で上
層階５の搬出用カセットバッファ９ｂに搬送され、ここ
から搬送ロボット等により、次の工程へ搬送される。
【００２３】なお、上記ロード・アンロード機構は、ウ
エハ処理機構に含まれるように構成されてもよいし、複
数のウエハを同時に処理できるように構成されてもよ
い。
エハ処理機構に含まれるように構成されてもよいし、複
数のウエハを同時に処理できるように構成されてもよ
い。
【００２４】なお、図３に示すように、本実施例ではウ
エハ処理機構１２としてイオン注入処理機構が設けられ
ている。このイオン注入処理機構は、イオン源３１にお
いて、ガスボックス３２内に収容されたガスボトルから
供給された所定のガスを、イオン源用電源３３から印加
された電力によりイオン化する。そして、このイオンを
引き出し、質量分析マグネット３４および可変スリット
３５によって選別し、加速管３６および四極子レンズ３
７、Ｙスキャンプレート３８およびＸスキャンプレート
３９によって加速、収束、走査を行い、イオンビームと
してプラテン４０上に配置された半導体ウエハ７に走
査、照射するよう構成されている。また、ロード・アン
ロード機構１３は、搬入用および搬出用の2 つのロード
ロック室４２の前方に設けられた回転可能に構成された
ターンテーブルおよび長手方向に移動可能とされたフォ
ークからなるウエハ搬送機構４３と、上部に載置された
ウエハカセット８を上下動させるカセットエレベータ４
４等から構成されている。
エハ処理機構１２としてイオン注入処理機構が設けられ
ている。このイオン注入処理機構は、イオン源３１にお
いて、ガスボックス３２内に収容されたガスボトルから
供給された所定のガスを、イオン源用電源３３から印加
された電力によりイオン化する。そして、このイオンを
引き出し、質量分析マグネット３４および可変スリット
３５によって選別し、加速管３６および四極子レンズ３
７、Ｙスキャンプレート３８およびＸスキャンプレート
３９によって加速、収束、走査を行い、イオンビームと
してプラテン４０上に配置された半導体ウエハ７に走
査、照射するよう構成されている。また、ロード・アン
ロード機構１３は、搬入用および搬出用の2 つのロード
ロック室４２の前方に設けられた回転可能に構成された
ターンテーブルおよび長手方向に移動可能とされたフォ
ークからなるウエハ搬送機構４３と、上部に載置された
ウエハカセット８を上下動させるカセットエレベータ４
４等から構成されている。
【００２５】このようなウエハ処理機構１２としては、
上述したイオン注入処理機構の他に、例えば、エッチン
グ処理機構、ＣＶＤ処理機構、スパッタ処理機構等の気
密容器内で処理を実施するものを使用することができ
る。
上述したイオン注入処理機構の他に、例えば、エッチン
グ処理機構、ＣＶＤ処理機構、スパッタ処理機構等の気
密容器内で処理を実施するものを使用することができ
る。
【００２６】以上説明したように、本実施例によれば、
従来有効に利用されていなかったクリーンルーム１の下
層階６を有効に利用することができ、スペースファクタ
ーの向上を図ることができる。また、クリーンルーム１
の上層階５に設置される装置類を削減することにより、
上層階５における発塵源の減少およびメンテナンス時の
作業員の立ち入り機会を減少させることができ、よりク
リーンな環境を実現し、半導体ウエハ７等に対する塵埃
の付着を防止して歩留まりの向上を図ることができる。
従来有効に利用されていなかったクリーンルーム１の下
層階６を有効に利用することができ、スペースファクタ
ーの向上を図ることができる。また、クリーンルーム１
の上層階５に設置される装置類を削減することにより、
上層階５における発塵源の減少およびメンテナンス時の
作業員の立ち入り機会を減少させることができ、よりク
リーンな環境を実現し、半導体ウエハ７等に対する塵埃
の付着を防止して歩留まりの向上を図ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造装置によれば、従来に較べて設置スペースを削減して
スペースファクターの向上を図ることができるととも
に、被処理物に対する塵埃の付着を防止して歩留まりの
向上を図ることができる。
造装置によれば、従来に較べて設置スペースを削減して
スペースファクターの向上を図ることができるととも
に、被処理物に対する塵埃の付着を防止して歩留まりの
向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体製造装置の構成を示
す図。
す図。
【図２】図１の半導体製造装置の上層階部分の構成を示
す図。
す図。
【図３】図１の半導体製造装置の下層階部分の構成を示
す図。
す図。
１ クリーンルーム ２ 天井 ３ 床 ４ パンチングメタル ５ 上層階 ６ 下層階 ７ 半導体ウエハ ８ ウエハカセット ９ カセットバッファ １０ ウエハ整列機構 １１ 受け渡し機構 １２ ウエハ処理機構 １３ ロード・アンロード機構 １４ 受け渡し機構 １５ カセット搬送機構 １６ ダクト １７ ボールネジ １８ 駆動モータ １９ 塵埃除去用のフィルタ ２０ 排気用配管
Claims (2)
- 【請求項１】 上部から下部に向けて清浄化気体流を形
成され、少なくとも上層階と下層階の複数の階層を有す
るクリーンルームに配置される半導体製造装置であっ
て、 前記上層階に配置され、前記被処理物を複数収容する被
処理物収容機構と、 前記下層階に配置され、前記被処理物に所定の処理を施
す処理機構と、 前記被処理物収容機構と前記処理機構との間で前記被処
理物を搬送する搬送機構とを具備したことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、 前記搬送機構は、内部に上部から下部に向けて清浄化気
体流を形成されたダクトと、 前記ダクト内において前記被処理物を搬送する搬送駆動
装置とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP304292A JP2873761B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP304292A JP2873761B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132186A JPH06132186A (ja) | 1994-05-13 |
| JP2873761B2 true JP2873761B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=11546260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP304292A Expired - Lifetime JP2873761B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873761B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5957648A (en) * | 1996-12-11 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Factory automation apparatus and method for handling, moving and storing semiconductor wafer carriers |
| US6540466B2 (en) | 1996-12-11 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers |
| US5964561A (en) * | 1996-12-11 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers |
| JP2000277584A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Innotech Corp | 半導体デバイスの製造ライン |
| US6354781B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-03-12 | Chartered Semiconductor Manufacturing Company | Semiconductor manufacturing system |
| CN117316846B (zh) * | 2023-11-30 | 2024-03-08 | 浙江果纳半导体技术有限公司 | 晶圆传输设备 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP304292A patent/JP2873761B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH06132186A (ja) | 1994-05-13 |
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