JP3404392B2 - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
真空処理装置及び真空処理方法Info
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- JP3404392B2 JP3404392B2 JP2002040580A JP2002040580A JP3404392B2 JP 3404392 B2 JP3404392 B2 JP 3404392B2 JP 2002040580 A JP2002040580 A JP 2002040580A JP 2002040580 A JP2002040580 A JP 2002040580A JP 3404392 B2 JP3404392 B2 JP 3404392B2
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- vacuum
- substrate
- cassette
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置及び
真空処理方法に係り、特に複数の真空処理室を有する真
空処理装置及び真空処理方法に関するものである。
真空処理方法に係り、特に複数の真空処理室を有する真
空処理装置及び真空処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置ある
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位（一般
にロットとよばれる）として基板カセットに収納して装
置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセ
ットに収容して回収することにより、生産の効率化を図
るのが一般的な真空処理装置用搬送システム及び運転方
法である。
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位（一般
にロットとよばれる）として基板カセットに収納して装
置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセ
ットに収容して回収することにより、生産の効率化を図
るのが一般的な真空処理装置用搬送システム及び運転方
法である。
【０００３】しかしながら、上記のような真空処理装
置、特にドライエッチング装置、ＣＶＤ装置など活性ガ
スによる反応を利用する装置においては、処理を行うに
従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するため
に、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレ
ベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これ
を避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする
作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤
等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニン
グと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用する
ドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からは
ドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産
ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつ
ある。
置、特にドライエッチング装置、ＣＶＤ装置など活性ガ
スによる反応を利用する装置においては、処理を行うに
従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するため
に、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレ
ベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これ
を避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする
作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤
等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニン
グと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用する
ドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からは
ドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産
ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつ
ある。
【０００４】このような機能を備えた真空処理装置用搬
送システムの一例として、実開昭６３−１２７１２５号
公報に開示された装置などがあげられる。
送システムの一例として、実開昭６３−１２７１２５号
公報に開示された装置などがあげられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】例えば、実開昭６３−
１２７１２５号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入
し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によっ
てダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室
は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専
用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題
があった。
１２７１２５号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入
し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によっ
てダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室
は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専
用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題
があった。
【０００６】また、一旦、プラズマクリーニングに使用
されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後
に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済
みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようと
する未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚
染の観点から好ましくない。
されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後
に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済
みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようと
する未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚
染の観点から好ましくない。
【０００７】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装
置及び真空処理方法を提供することにある。
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装
置及び真空処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、大気中にあって、複数の基板を収納する
複数のカセットと、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボッ
トを備え前記基板を搬送する大気搬送装置と、真空搬送
手段を備えた１つの室からなる真空搬送室と、基板を処
理する複数の真空処理室と、前記大気搬送装置と前記真
空搬送室との間で基板が一枚搬入出される毎に開閉する
手段を備えたロードロック室及びアンロードロツク室と
を有する装置であって、真空処理装置への導入、払出し
の位置を決定するために前記大気搬送装置の前面の所定
位置にある実質的に水平な同一平面上に固定配置された
複数のカセット台の各々にカセットを載置する手段と、
前記いずれのカセット台のカセット内のいずれの場所か
らも基板を一枚毎取り出し、該取り出した前記基板を大
気状態のロードロック室へ一枚毎搬送する手段と、前記
基板が搬入された状態で該ロードロック室と大気搬送装
置とを遮断して、ロードロック室を真空にする手段と、
該真空状態のロードロック室より前記基板を、前記１つ
の真空搬送室を経て直接いずれかの真空処理室へ搬送す
る手段と、該真空処理室で基板を一枚毎処理する手段
と、前記いずれかの真空処理室で処理した基板を前記真
空搬送室を経て直接真空状態の前記アンロードロツク室
へ一枚毎搬送する手段と、前記基板が搬入された状態で
該アンロードロック室と真空搬送室とを遮断してアンロ
ードロック室を大気にする手段と、前記アンロードロッ
ク室の処理済基板を取り出して元のカセットの元の位置
に収納する手段とを備え、前記各手段は、前記カセット
に付与された生産情報、または上位の制御装置から送ら
れる情報に基づき制御される、ことを特徴とする。
成するために、大気中にあって、複数の基板を収納する
複数のカセットと、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボッ
トを備え前記基板を搬送する大気搬送装置と、真空搬送
手段を備えた１つの室からなる真空搬送室と、基板を処
理する複数の真空処理室と、前記大気搬送装置と前記真
空搬送室との間で基板が一枚搬入出される毎に開閉する
手段を備えたロードロック室及びアンロードロツク室と
を有する装置であって、真空処理装置への導入、払出し
の位置を決定するために前記大気搬送装置の前面の所定
位置にある実質的に水平な同一平面上に固定配置された
複数のカセット台の各々にカセットを載置する手段と、
前記いずれのカセット台のカセット内のいずれの場所か
らも基板を一枚毎取り出し、該取り出した前記基板を大
気状態のロードロック室へ一枚毎搬送する手段と、前記
基板が搬入された状態で該ロードロック室と大気搬送装
置とを遮断して、ロードロック室を真空にする手段と、
該真空状態のロードロック室より前記基板を、前記１つ
の真空搬送室を経て直接いずれかの真空処理室へ搬送す
る手段と、該真空処理室で基板を一枚毎処理する手段
と、前記いずれかの真空処理室で処理した基板を前記真
空搬送室を経て直接真空状態の前記アンロードロツク室
へ一枚毎搬送する手段と、前記基板が搬入された状態で
該アンロードロック室と真空搬送室とを遮断してアンロ
ードロック室を大気にする手段と、前記アンロードロッ
ク室の処理済基板を取り出して元のカセットの元の位置
に収納する手段とを備え、前記各手段は、前記カセット
に付与された生産情報、または上位の制御装置から送ら
れる情報に基づき制御される、ことを特徴とする。
【０００９】本発明の他の特徴は、大気中にあって、複
数の基板を収納する複数のカセツトと、Ｘ、Ｙ、Ｚ及び
θ軸を有するロボットを備え前記基板を搬送する大気搬
送装置と、真空搬送手段を備えた１つの室からなる真空
搬送室と、基板を処理する複数の真空処理室と、前記大
気搬送装置と前記真空搬送室との間で基板が搬入出され
る毎に開閉する手段を備えたロードロック室及びアンロ
ードロツク室とを有する真空処理装置を用いた基板の真
空処理方法であって、 真空処理装置への導入、払出しの
位置を決定するために設けられた複数のカセット台の各
々に、前記カセットをそれぞれ載置し、 該真空処理装置
は、前記カセットに付与された生産情報、または上位の
制御装置から送られる情報に基づき、前記いずれのカセ
ット台のカセット内のいずれの場所からも基板を一枚毎
取り出し、該取り出した前記基板を大気状態のロードロ
ック室へ一枚毎搬送し、前記基板が搬入された状態で該
ロードロック室と大気搬送装置とを遮断して、該ロード
ロツク室を真空にし、該真空状態のロードロック室より
前記基板を前記１つの真空搬送室を経て直接いずれか１
つの真空処理室へ搬送し、該真空処理室で基板を一枚毎
処理し、前記いずれかの真空処理室で処理した前記基板
を前記前記真空搬送室を経て直接真空状態の前記アンロ
ードロツク室へ一枚毎搬送し、前記基板が搬入された状
態で該アンロードロック室と真空搬送室とを遮断してア
ンロードロツク室を大気にし、前記大気搬送装置によ
り、前記アンロードロック室の処理済基板を一枚毎取り
出して元のカセットの元の位置に収納する、ことにあ
る。
数の基板を収納する複数のカセツトと、Ｘ、Ｙ、Ｚ及び
θ軸を有するロボットを備え前記基板を搬送する大気搬
送装置と、真空搬送手段を備えた１つの室からなる真空
搬送室と、基板を処理する複数の真空処理室と、前記大
気搬送装置と前記真空搬送室との間で基板が搬入出され
る毎に開閉する手段を備えたロードロック室及びアンロ
ードロツク室とを有する真空処理装置を用いた基板の真
空処理方法であって、 真空処理装置への導入、払出しの
位置を決定するために設けられた複数のカセット台の各
々に、前記カセットをそれぞれ載置し、 該真空処理装置
は、前記カセットに付与された生産情報、または上位の
制御装置から送られる情報に基づき、前記いずれのカセ
ット台のカセット内のいずれの場所からも基板を一枚毎
取り出し、該取り出した前記基板を大気状態のロードロ
ック室へ一枚毎搬送し、前記基板が搬入された状態で該
ロードロック室と大気搬送装置とを遮断して、該ロード
ロツク室を真空にし、該真空状態のロードロック室より
前記基板を前記１つの真空搬送室を経て直接いずれか１
つの真空処理室へ搬送し、該真空処理室で基板を一枚毎
処理し、前記いずれかの真空処理室で処理した前記基板
を前記前記真空搬送室を経て直接真空状態の前記アンロ
ードロツク室へ一枚毎搬送し、前記基板が搬入された状
態で該アンロードロック室と真空搬送室とを遮断してア
ンロードロツク室を大気にし、前記大気搬送装置によ
り、前記アンロードロック室の処理済基板を一枚毎取り
出して元のカセットの元の位置に収納する、ことにあ
る。
【００１０】本発明によれば、未処理の基板を収納した
カセットがカセット台に載置される。この時カセット台
は水平であるため、カセットの供給動作を単純化するこ
とが可能であり、生産ラインの自動化への対応が容易で
ある。
カセットがカセット台に載置される。この時カセット台
は水平であるため、カセットの供給動作を単純化するこ
とが可能であり、生産ラインの自動化への対応が容易で
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１に
より説明する。
より説明する。
【００１２】図１は、本発明による真空処理装置の、半
導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装置
への応用を示す図である。
導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装置
への応用を示す図である。
【００１３】装置は、未処理のウェーハを収納した状態
で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ
を再度元の位置に収納して回収するための、複数（通常
２５枚）のウェーハを収納できる複数のカセット１ａ、
１ｂおよび１ｃ、該カセット１ａ、１ｂ、１ｃを載置
し、装置への導入／払出しの位置を決定するための、位
置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平
面の上に常に一定位置に固定されたカセット台２ａ、２
ｂ、２ｃ、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を
装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロード
ロック室（基板受入室）５、同じくウェーハを大気中に
取りだすためのアンロードロック室（基板取出室）６、
ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング１１
（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）、それらをそれぞれ気密に
分離可能な隔離弁１２、及びロードロック室（基板受入
室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカセッ
ト１ａ、１ｂ、１ｃとの間に配置され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及び
θ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室（基板
受入室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカ
セット１ａ、１ｂ、１ｃとの間でウェーハを授受するた
めの第１搬送装置１３から構成されている。
で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ
を再度元の位置に収納して回収するための、複数（通常
２５枚）のウェーハを収納できる複数のカセット１ａ、
１ｂおよび１ｃ、該カセット１ａ、１ｂ、１ｃを載置
し、装置への導入／払出しの位置を決定するための、位
置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平
面の上に常に一定位置に固定されたカセット台２ａ、２
ｂ、２ｃ、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を
装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロード
ロック室（基板受入室）５、同じくウェーハを大気中に
取りだすためのアンロードロック室（基板取出室）６、
ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング１１
（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）、それらをそれぞれ気密に
分離可能な隔離弁１２、及びロードロック室（基板受入
室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカセッ
ト１ａ、１ｂ、１ｃとの間に配置され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及び
θ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室（基板
受入室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカ
セット１ａ、１ｂ、１ｃとの間でウェーハを授受するた
めの第１搬送装置１３から構成されている。
【００１４】装置の動作としては、まず、未処理のウェ
ーハを収納したカセット１ａ、１ｂがストッカ（図示省
略）から装置へとロボット又はオペレータにより供給さ
れ、カセット台２ａ、２ｂに載置される。この時カセッ
ト台２ａ、２ｂは水平な同一平面上にあるため、カセッ
トの供給動作を単純化することが可能であり、生産ライ
ンの自動化への対応が容易である。一方、カセット台２
ｃには、ダミーウェーハを収納したカセット１ｃが載置
される。
ーハを収納したカセット１ａ、１ｂがストッカ（図示省
略）から装置へとロボット又はオペレータにより供給さ
れ、カセット台２ａ、２ｂに載置される。この時カセッ
ト台２ａ、２ｂは水平な同一平面上にあるため、カセッ
トの供給動作を単純化することが可能であり、生産ライ
ンの自動化への対応が容易である。一方、カセット台２
ｃには、ダミーウェーハを収納したカセット１ｃが載置
される。
【００１５】装置は、カセットに付与された生産情報を
自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基
づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、
いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができ
る。
自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基
づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、
いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができ
る。
【００１６】カセット１ａに収納された未処理のウェー
ハ（基板）２０を第１搬送装置１３により抜き取り、第
１搬送装置１３に対してカセット１ａとは反対側に配置
されたロードロック室（基板受入室）５へ隔離弁１２ａ
を通して搬入する。このときウェーハ（基板）２０は、
カセット１ａ内のいずれの場所に収納されたものでも良
い。ウェーハ（基板）２０は、隔離弁１２ａからロード
ロック室（基板受入室）５に入った後、隔離弁１２ｂか
らアンロードロック室（基板取出室）６を出るまで、装
置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、
隔離弁１２ａ、１２ｂを境にして仕切りを設け、カセッ
ト台２ａ、２ｂとそこに載置されたカセット１ａ、１ｂ
及び第１搬送装置１３のみを清浄度の高いクリーンルー
ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンス
ルーム側に置くことができる。ロードロック室（基板受
入室）５は、隔離弁１２ａを閉じた後、排気装置（図示
省略）によって所定の圧力まで真空排気され、次いで隔
離弁１２ｂが開放されてウェーハ（基板）２０は、搬送
室１６に設けられた真空搬送装置（図示略）により各エ
ッチング室１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）へ搬送さ
れ、各試料台８（８ａ，８ｂ，８ｃ）上に載置される。
ハ（基板）２０を第１搬送装置１３により抜き取り、第
１搬送装置１３に対してカセット１ａとは反対側に配置
されたロードロック室（基板受入室）５へ隔離弁１２ａ
を通して搬入する。このときウェーハ（基板）２０は、
カセット１ａ内のいずれの場所に収納されたものでも良
い。ウェーハ（基板）２０は、隔離弁１２ａからロード
ロック室（基板受入室）５に入った後、隔離弁１２ｂか
らアンロードロック室（基板取出室）６を出るまで、装
置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、
隔離弁１２ａ、１２ｂを境にして仕切りを設け、カセッ
ト台２ａ、２ｂとそこに載置されたカセット１ａ、１ｂ
及び第１搬送装置１３のみを清浄度の高いクリーンルー
ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンス
ルーム側に置くことができる。ロードロック室（基板受
入室）５は、隔離弁１２ａを閉じた後、排気装置（図示
省略）によって所定の圧力まで真空排気され、次いで隔
離弁１２ｂが開放されてウェーハ（基板）２０は、搬送
室１６に設けられた真空搬送装置（図示略）により各エ
ッチング室１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）へ搬送さ
れ、各試料台８（８ａ，８ｂ，８ｃ）上に載置される。
【００１７】尚、各エッチング室１１ａ，１１ｂ，１１
ｃには、搬送室１６との間にそれらをそれぞれ気密に分
離する隔離弁１２ａ’１２ｂ’１２ｃ’（図示省略）が
設置されている。
ｃには、搬送室１６との間にそれらをそれぞれ気密に分
離する隔離弁１２ａ’１２ｂ’１２ｃ’（図示省略）が
設置されている。
【００１８】各エッチング室１１（１１ａ，１１ｂ，１
１ｃに搬入されたウェーハ（基板）２０は、所定の条件
によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロ
ック室（基板受入室）５は隔離弁１２ａ、１２ｂを閉じ
た状態で、ガス導入装置４により大気圧に復帰され、開
放された隔離弁１２ａから１枚目のウェーハと同様に２
枚目のウェーハが第１搬送装置１３によって搬入され、
再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。
１枚目のウェーハ（基板）２０のエッチング処理が終了
すると、隔離弁１２ｃが開かれて処理済みのウェーハ
（基板）２０がアンロードロック室（基板取出室）６に
搬出され、続いて隔離弁１２ｃが閉じられ、隔離弁１２
ｂが開かれて２枚目のウェーハがロードロック室（基板
受入室）５から搬入され、隔離弁１２ｂを閉じた後エッ
チング処理が開始される。
１ｃに搬入されたウェーハ（基板）２０は、所定の条件
によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロ
ック室（基板受入室）５は隔離弁１２ａ、１２ｂを閉じ
た状態で、ガス導入装置４により大気圧に復帰され、開
放された隔離弁１２ａから１枚目のウェーハと同様に２
枚目のウェーハが第１搬送装置１３によって搬入され、
再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。
１枚目のウェーハ（基板）２０のエッチング処理が終了
すると、隔離弁１２ｃが開かれて処理済みのウェーハ
（基板）２０がアンロードロック室（基板取出室）６に
搬出され、続いて隔離弁１２ｃが閉じられ、隔離弁１２
ｂが開かれて２枚目のウェーハがロードロック室（基板
受入室）５から搬入され、隔離弁１２ｂを閉じた後エッ
チング処理が開始される。
【００１９】アンロードロック室（基板取出室）６に搬
出された処理済みウェーハ（基板）２０は、アンロード
ロック室（基板取出室）６を大気圧に復帰した後、隔離
弁１２ｄを通して第１搬送装置１３によって大気中に取
りだされ、当初収納されていたカセット１ａ内の元の位
置へ戻される。
出された処理済みウェーハ（基板）２０は、アンロード
ロック室（基板取出室）６を大気圧に復帰した後、隔離
弁１２ｄを通して第１搬送装置１３によって大気中に取
りだされ、当初収納されていたカセット１ａ内の元の位
置へ戻される。
【００２０】以上の動作を繰り返して、カセット１ａに
収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位
置に再収納し終わるとカセット１ａは回収可能となり、
別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換される
が、装置はその間カセット１ｂ内の未処理ウェーハの処
理を続けており、カセット１ｂの全てのウェーハの処理
が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセッ
トが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能であ
る。この時カセット１ａ、カセット１ｂは水平な同一平
面上にあるため、カセット１ａの回収作業及び別の未処
理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、搬送装
置１３によるカセット１ｂへのアクセスに影響を与える
ことなく行うことができる。
収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位
置に再収納し終わるとカセット１ａは回収可能となり、
別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換される
が、装置はその間カセット１ｂ内の未処理ウェーハの処
理を続けており、カセット１ｂの全てのウェーハの処理
が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセッ
トが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能であ
る。この時カセット１ａ、カセット１ｂは水平な同一平
面上にあるため、カセット１ａの回収作業及び別の未処
理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、搬送装
置１３によるカセット１ｂへのアクセスに影響を与える
ことなく行うことができる。
【００２１】エッチング室１１は、処理を重ねるにつれ
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実
施に当っては、カセット１ｃに収納されたダミーウェー
ハ３０を第１搬送装置１３によって抜取り、以降は前記
被処理ウェーハ（基板）２０の場合と全く同様にして処
理を行った後、ダミーウェーハ３０をカセット１ｃ内の
元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ３０は常に
カセット１ｃ内にストックされていることになる。
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実
施に当っては、カセット１ｃに収納されたダミーウェー
ハ３０を第１搬送装置１３によって抜取り、以降は前記
被処理ウェーハ（基板）２０の場合と全く同様にして処
理を行った後、ダミーウェーハ３０をカセット１ｃ内の
元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ３０は常に
カセット１ｃ内にストックされていることになる。
【００２２】尚、カセット１ｃのダミーウェーハ３０が
全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の
使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ３０
はカセット１ｃごと全て交換される。
全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の
使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ３０
はカセット１ｃごと全て交換される。
【００２３】従って、プラズマクリーニングを特別な処
理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング
処理の中に組み込んで一連の作業として行うことがで
き、クリーニングを実施する周期も任意に設定すること
が可能である。装置のハードウェア上からもプラズマク
リーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセ
ット台の一つ（本例の場合２ｃ）にダミーウェーハ３０
を収納したカセット（本例の場合１ｃ）を設置するだけ
で良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合
には、ダミーウェーハ３０を収納したカセットの代わり
に、被処理ウェーハ２０を収納したカセットを設置する
ことにより、より効率良く生産を行うことができること
は説明するまでもない。
理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング
処理の中に組み込んで一連の作業として行うことがで
き、クリーニングを実施する周期も任意に設定すること
が可能である。装置のハードウェア上からもプラズマク
リーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセ
ット台の一つ（本例の場合２ｃ）にダミーウェーハ３０
を収納したカセット（本例の場合１ｃ）を設置するだけ
で良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合
には、ダミーウェーハ３０を収納したカセットの代わり
に、被処理ウェーハ２０を収納したカセットを設置する
ことにより、より効率良く生産を行うことができること
は説明するまでもない。
【００２４】また、一旦プラズマクリーニングに使用さ
れたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻
るようになされているので、真空室内では使用済みのダ
ミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の
心配も無い。
れたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻
るようになされているので、真空室内では使用済みのダ
ミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の
心配も無い。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ゴミの発生や残留ガス
などによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製
品歩留まりを実現する真空処理及びそれを用いた基板の
真空処理方法を提供することができる。
などによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製
品歩留まりを実現する真空処理及びそれを用いた基板の
真空処理方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例のドライエッチング装置の平
面図である。
面図である。
１…基板カセット、２…カセット台、５…ロードロック
室（基板受入室）、６…アンロードロック室（基板取出
室）、８…試料台、１１…エッチング室、１２…隔離
弁、１３…第１搬送装置、１６…搬送室、２０…ウェー
ハ（基板）、３０…ダミーウェーハ。
室（基板受入室）、６…アンロードロック室（基板取出
室）、８…試料台、１１…エッチング室、１２…隔離
弁、１３…第１搬送装置、１６…搬送室、２０…ウェー
ハ（基板）、３０…ダミーウェーハ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 伊藤 温司
山口県下松市大字東豊井794番地 株式
会社 日立製作所 笠戸工場内
(56)参考文献 特開 昭62−207866（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−133521（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−178946（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−170013（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−258438（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−216315（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−52449（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/68
B01J 3/02
B65G 49/07
H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】大気中にあって、複数の基板を収納する複
数のカセットと、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボットを備え前記 基板を
搬送する大気搬送装置と、 真空搬送手段を備えた１つの室からなる真空搬送室と、 基板を処理する複数の真空処理室と、 前記大気搬送装置と前記真空搬送室との間で基板が一枚
搬入出される毎に開閉する手段を備えたロードロック室
及びアンロードロツク室とを有する装置であって、真空処理装置への導入、払出しの位置を決定するために
前記大気搬送装置の前面の所定位置にある実質的に水平
な同一平面上に固定配置された複数のカセット台の各々
にカセットを載置する手段と、 前記いずれのカセット台の カセット内のいずれの場所か
らも基板を一枚毎取り出し、該取り出した前記基板を大
気状態のロードロック室へ一枚毎搬送する手段と、前記基板が搬入された状態で 該ロードロック室と大気搬
送装置とを遮断して、ロードロック室を真空にする手段
と、 該真空状態のロードロック室より前記基板を、前記１つ
の真空搬送室を経て直接いずれかの真空処理室へ搬送す
る手段と、 該真空処理室で基板を一枚毎処理する手段と、 前記いずれかの真空処理室で処理した基板を前記真空搬
送室を経て直接真空状態の前記アンロードロツク室へ一
枚毎搬送する手段と、前記基板が搬入された状態で 該アンロードロック室と真
空搬送室とを遮断してアンロードロック室を大気にする
手段と、前記 アンロードロック室の処理済基板を取り出して元の
カセットの元の位置に収納する手段とを備え、 前記各手段は、前記カセットに付与された生産情報、ま
たは上位の制御装置から送られる情報に基づき制御され
る、 ことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】大気中にあって、複数の基板を収納する複
数のカセツトと、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボットを備え前記 基板を
搬送する大気搬送装置と、 真空搬送手段を備えた１つの室からなる真空搬送室と、 基板を処理する複数の真空処理室と、 前記大気搬送装置と前記真空搬送室との間で基板が搬入
出される毎に開閉する手段を備えたロードロック室及び
アンロードロツク室とを有する真空処理装置を用いた基
板の真空処理方法であって、 真空処理装置への導入、払出しの位置を決定するために
設けられた複数のカセット台の各々に、前記カセットを
それぞれ載置し、 該真空処理装置は、 前記カセットに付与された生産情
報、または上位の制御装置から送られる情報に基づき、 前記いずれのカセット台のカセット内のいずれの場所か
らも基板を一枚毎取り出し、該取り出した前記基板を大
気状態のロードロック室へ一枚毎搬送し、前記基板が搬入された状態で 該ロードロック室と大気搬
送装置とを遮断して、該ロードロツク室を真空にし、 該真空状態のロードロック室より前記基板を前記１つの
真空搬送室を経て直接いずれか１つの真空処理室へ搬送
し、 該真空処理室で基板を一枚毎処理し、 前記いずれかの真空処理室で処理した前記基板を前記前
記真空搬送室を経て直接真空状態の前記アンロードロツ
ク室へ一枚毎搬送し、前記基板が搬入された状態で 該アンロードロック室と真
空搬送室とを遮断してアンロードロツク室を大気にし、 前記大気搬送装置により、前記アンロードロック室の処
理済基板を一枚毎取り出して元のカセットの元の位置に
収納する、ことを特徴とする真空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002040580A JP3404392B2 (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002040580A JP3404392B2 (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000338177A Division JP3424750B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 真空処理装置及び基板の真空処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002320979A Division JP3443421B2 (ja) | 2002-11-05 | 2002-11-05 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237509A JP2002237509A (ja) | 2002-08-23 |
| JP3404392B2 true JP3404392B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=19192700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002040580A Expired - Lifetime JP3404392B2 (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3404392B2 (ja) |
-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002040580A patent/JP3404392B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002237509A (ja) | 2002-08-23 |
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