JP2816139B2 - 真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置Info
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Description
り、特に複数の真空処理室を有する真空処理装置 用搬送
システムに関するものである。
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位(一般
にロットとよばれる)として基板カセットに収納して装
置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセ
ットに収容して回収することにより、生産の効率化を図
るのが一般的な真空処理装置である。
置、特にドライエッチング装置、CVD装置など活性ガ
スによる反応を利用する装置においては、処理を行うに
従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するため
に、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレ
ベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これ
を避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする
作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤
等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニン
グと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用する
ドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からは
ドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産
ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつ
ある。
例として、実開昭63−127125号公報に開示され
た装置などがあげられる。
127125号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入
し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によっ
てダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室
は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専
用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題
があった。
されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後
に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済
みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようと
する未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚
染の観点から好ましくない。
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装
置用搬送システムを提供することにある。
成するために、被処理基板を一枚毎真空処理する複数の
真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは
処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置
するカセット台と、前記大気中のカセットとの間で前記
被処理基板もしくは処理済基板を搬入出するとともに、
前記搬送室を介していずれかの真空処理室との間で前記
被処理基板もしくは処理済基板を搬入出するためのロー
ドロック室/アンロードロック室と、前記大気中のカセ
ットと前記ロードロック室/アンロードロック室との間
で前記被処理基板もしくは処理済基板を搬送する搬送装
置と、前記ロードロック室/アンロードロック室の大気
側及び真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室/
アンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に
切り替えるために前記被処理基板もしくは処理済基板を
搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、大気雰囲気
の前記ロードロック室/アンロードロック室と前記大気
中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは処理済
基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロ
ードロック室/アンロードロック室と前記いずれかの真
空処理室との間で、前記被処理基板もしくは処理済基板
を一枚毎搬入出する真空処理装置用搬送システムに特徴
がある。
真空処理する複数の真空処理室と、該複数の真空処理室
に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板
を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセッ
ト台と、前記大気中のカセットとの間で前記被処理基板
もしくは処理済基板を搬入出するとともに、前記搬送室
を介していずれかの真空処理室との間で前記被処理基板
もしくは処理済基板を搬入出するためのロードロック室
/アンロードロック室と、前記大気中のカセットと前記
ロードロック室/アンロードロック室との間で前記被処
理基板もしくは処理済基板を搬送する搬送装置と、前記
ロードロック室/アンロードロック室の大気側及び真空
側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室/アンロード
ロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える
ために前記被処理基板もしくは処理済基板を搬入出する
毎に開閉される隔離弁とを備え、大気雰囲気の前記ロー
ドロック室/アンロードロック室と前記大気中のカセッ
トとの間で、前記被処理基板もしくは処理済基板を一枚
毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック
室/アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室と
の間で、前記被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬
入出する真空処理装置にある。
の間で搬送室を介して被処理基板もしくは処理済基板を
搬入出するためのロードロック室/アンロードロック室
があり、このロードロック室/アンロードロック室を大
気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために被処理
基板もしくは処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔
離弁が設けられている。そして、大気雰囲気のロードロ
ック室/アンロードロック室と大気中のカセットとの間
で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬入出する
とともに、真空雰囲気のロードロック室/アンロードロ
ック室といずれかの真空処理室との間で、被処理基板も
しくは処理済基板を一枚毎搬入出する。そのため、基板
の搬入出に伴い真空処理室とロードロック室/アンロー
ドロック室が連通状態になっている時間は短い。従っ
て、処理済基板に付着したゴミや残留ガスのロードロッ
ク室/アンロードロック室に持ちこまれる量が少なくな
り、ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなく
し、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処
理装置用搬送システムを提供することができる。
より説明する。
導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装置
への応用を示す図である。
した状態で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みの
ウェーハ(基板)を再度元の位置に収納して回収するた
めの、複数(通常25枚)のウェーハ(基板)を収納で
きる複数のカセット1a、1bおよび1c、該カセット
1a、1b、1cを載置し、装置への導入/払出しの位
置を決定するための、位置及び姿勢を変えることがな
く、水平又は水平に近い平面の上に常に一定位置に固定
されたカセット台2a、2b、2c、図示しない真空排
気装置及びガス導入装置を装備し、ウェーハを真空雰囲
気に導入するためのロードロック室(基板受入室)5、
同じくウェーハを大気中に取りだすためのアンロードロ
ック室(基板取出室)6、ウェーハにエッチング処理を
施すためのエッチング11、それらをそれぞれ気密に分
離可能な隔離弁12、及びロードロック室(基板受入
室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカセッ
ト1a、1b、1cとの間に配置され、X、Y、Z及び
θ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室(基板
受入室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカ
セット1a、1b、1cとの間でウェーハ(基板)を授
受するための第1搬送装置13から構成されている。
ーハ(基板)を収納したカセット1a、1bがストッカ
(図示省略)から装置へとロボット又はオペレータによ
り供給され、カセット台2a、2bに載置される。この
時カセット台2a、2bは水平な同一平面上にあるた
め、カセットの供給動作を単純化することが可能であ
り、生産ラインの自動化への対応が容易である。一方、
カセット台2cには、ダミーウェーハを収納したカセッ
ト1cが載置される。
自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基
づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、
いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができ
る。
ハ(基板)20を第1搬送装置13により抜き取り、第
1搬送装置13に対してカセット1aとは反対側に配置
されたロードロック室(基板受入室)5へ隔離弁12a
を通して搬入する。このときウェーハ(基板)20は、
カセット1a内のいずれの場所に収納されたものでも良
い。ウェーハ(基板)20は、隔離弁12aからロード
ロック室(基板受入室)5に入った後、隔離弁12bか
らアンロードロック室(基板取出室)6を出るまで、装
置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、
隔離弁12a、12bを境にして仕切りを設け、カセッ
ト台2a、2bとそこに載置されたカセット1a、1b
及び第1搬送装置13のみを清浄度の高いクリーンルー
ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンス
ルーム側に置くことができる。ロードロック室(基板受
入室)5は、隔離弁12aを閉じた後、排気装置(図示
省略)によって所定の圧力まで真空排気され、次いで、
隔離弁12bが開放されてウェーハ(基板)20は、搬
送室16に設置された真空搬送装置(図示省略)により
エッチング室11(11a,11b,11c)へ搬送さ
れ、試料台8(8a,8b,8c)上に載置される。
(基板)20は、所定の条件によりエッチング処理を施
される。この間に、ロードロック室(基板受入室)5は
隔離弁12a、12bを閉じた状態で、ガス導入装置4
により大気圧に復帰され、開放された隔離弁12aから
1枚目のウェーハと同様に2枚目のウェーハ(基板)が
第1搬送装置13によって搬入され、再び排気装置によ
って所定の圧力まで真空排気される。1枚目のウェーハ
20のエッチング処理が終了すると、隔離弁12cが開
かれて処理済みのウェーハ(基板)20がアンロードロ
ック室(基板取出室)6に搬出され、続いて隔離弁12
cが閉じられ、隔離弁12bが開かれて2枚目のウェー
ハ(基板)がロードロック室(基板受入室)5から搬入
され、隔離弁12bを閉じた後エッチング処理が開始さ
れる。
出された処理済みウェーハ(基板)20は、アンロード
ロック室(基板取出室)6を大気圧に復帰した後、隔離
弁12dを通して第1搬送装置13によって大気中に取
りだされ、当初収納されていたカセット1a内の元の位
置へ戻される。
収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位
置に再収納し終わるとカセット1aは回収可能となり、
別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換される
が、装置はその間カセット1b内の未処理ウェーハの処
理を続けており、カセット1bの全てのウェーハの処理
が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセッ
トが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能であ
る。この時カセット1a、カセット1bは水平な同一平
面上にあるため、カセット1aの回収作業及び別の未処
理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、第1搬
送装置13によるカセット1bへのアクセスに影響を与
えることなく行うことができる。
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実
施に当っては、カセット1cに収納されたダミーウェー
ハ30を第1搬送装置13によって抜取り、以降は前記
被処理ウェーハ20の場合と全く同様にして処理を行っ
た後、ダミーウェーハ30をカセット1c内の元の位置
に戻すことができ、ダミーウェーハ30は常にカセット
1c内にストックされていることになる。尚、カセット
1cのダミーウェーハ30が全てプラズマクリーニング
で使用された場合や、数回の使用により使用不良となっ
た場合、ダミーウェーハ30はカセット1cごと全て交
換される。
理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング
処理の中に組み込んで一連の作業として行うことがで
き、クリーニングを実施する周期も任意に設定すること
が可能である。装置のハードウェア上からもプラズマク
リーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセ
ット台の一つ(本例の場合2c)にダミーウェーハ30
を収納したカセット(本例の場合1c)を設置するだけ
で良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合
には、ダミーウェーハ30を収納したカセットの代わり
に、被処理ウェーハ(基板)20を収納したカセットを
設置することにより、より効率良く生産を行うことがで
きることは説明するまでもない。
れたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻
るようになされているので、真空室内では使用済みのダ
ミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の
心配も無い。更に、使用済みのダミーウェーハは、カセ
ットの元の位置に戻されるので、使用済みのダミーウェ
ーハと未使用のダミーウェーハまたは使用頻度の少ない
ダミーウェーハと高いダミーウェーハとの混同を防止で
き、プラズマクリーニングにダミーウェーハを有効に、
かつ、不都合なく使用し得る。
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装
置用搬送システムを提供することができるという効果が
有る。
面図である。
室(基板受入室)、6…アンロードロック室(基板取出
室)、8…試料台、11…エッチング室、12…隔離
弁、13…第1搬送装置、16…搬送室、20…ウェー
ハ(基板)、30…ダミーウェーハ。
Claims (2)
- 【請求項1】被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真
空処理室に連結された搬送室と、 被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセ
ットを大気中で載置するカセット台と、 前記大気中のカセットとの間で前記被処理基板もしくは
処理済基板を搬入出するとともに、前記搬送室を介して
いずれかの真空処理室との間で前記被処理基板もしくは
処理済基板を搬入出するためのロードロック室/アンロ
ードロック室と、 前記大気中のカセットと前記ロード
ロック室/アンロードロック室との間で前記被処理基板
もしくは処理済基板を搬送する搬送装置と、 前記ロードロック室/アンロードロック室の大気側及び
真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室/アンロ
ードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替
えるために前記被処理基板もしくは処理済基板を搬入出
する毎に開閉される隔離弁とを備え、 大気雰囲気の前記ロードロック室/アンロードロック室
と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もし
くは処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲
気の前記ロードロック室/アンロードロック室と前記い
ずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは
処理済基板を一枚毎搬入出することを特徴とする真空処
理装置用搬送システム。 - 【請求項2】被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真
空処理室と、 該複数の真空処理室に連結された搬送室と、 被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセ
ットを大気中で載置するカセット台と、 前記大気中のカセットとの間で前記被処理基板もしくは
処理済基板を搬入出するとともに、前記搬送室を介して
いずれかの真空処理室との間で前記被処理基板もしくは
処理済基板を搬入出するためのロードロック室/アンロ
ードロック室と、 前記大気中のカセットと前記ロード
ロック室/アンロードロック室との間で前記被処理基板
もしくは処理済基板を搬送する搬送装置と、 前記ロードロック室/アンロードロック室の大気側及び
真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室/アンロ
ードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替
えるために前記被処理基板もしくは処理済基板を搬入出
する毎に開閉される隔離弁とを備え、 大気雰囲気の前記ロードロック室/アンロードロック室
と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もし
くは処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲
気の前記ロードロック室/アンロードロック室と前記い
ずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは
処理済基板を一枚毎搬入出することを特徴とする真空処
理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8335329A JP2816139B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8335329A JP2816139B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2225321A Division JP2644912B2 (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-29 | 真空処理装置及びその運転方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32987397A Division JP2942527B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 真空処理装置及びその搬送システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09181058A JPH09181058A (ja) | 1997-07-11 |
JP2816139B2 true JP2816139B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=18287309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8335329A Expired - Lifetime JP2816139B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2816139B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60246635A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Anelva Corp | 自動基板処理装置 |
JPH0610357B2 (ja) * | 1988-05-25 | 1994-02-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JP2545591B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-10-23 | 国際電気株式会社 | ウェーハ処理装置 |
-
1996
- 1996-12-16 JP JP8335329A patent/JP2816139B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09181058A (ja) | 1997-07-11 |
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