JPS60246635A - 自動基板処理装置 - Google Patents
自動基板処理装置Info
- Publication number
- JPS60246635A JPS60246635A JP10309884A JP10309884A JPS60246635A JP S60246635 A JPS60246635 A JP S60246635A JP 10309884 A JP10309884 A JP 10309884A JP 10309884 A JP10309884 A JP 10309884A JP S60246635 A JPS60246635 A JP S60246635A
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- JP
- Japan
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- substrates
- cassette
- substrate
- processed
- auxiliary
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(利用分野)
本発明は、半導体デバイス等tS造する際に用いる半導
体基板等の自動基板処理装置に関するものである。
体基板等の自動基板処理装置に関するものである。
(背景技術)
高密度に集積された半導体デバイス等の製造では生産歩
留りを改善することがきわめて*要である。生産歩留り
を上げることで希少かつ貴重な資源を有効に活用し、コ
スト低減を計ることができる。
留りを改善することがきわめて*要である。生産歩留り
を上げることで希少かつ貴重な資源を有効に活用し、コ
スト低減を計ることができる。
高密度集積半導体デバイスの生産歩留りに影響を与える
要因として、基板υ)搬送その他の前処理工程における
基板(例えはシリコンウェー)・)へのゴミ(極微粒子
を含む)の付着がある。例えば高密腿集積回路の製造工
程の中には]、 74n1前後の寸法のラインアンドス
ペースのエツチング上程があるが、この工程で1〜2μ
o+ :+31&の微粒子がエツチング処理前の基板1
11すれば、その微粒子はエツチング用マスクとして作
用し、その場所にエツチング不良(エツチング残り)を
生ずる。エッチング残りがA1配線の加工時に生ずると
き、それはすなわち線間のンヨートとなり半導体デバイ
スは動作しなくなり歩留りを低下させる。
要因として、基板υ)搬送その他の前処理工程における
基板(例えはシリコンウェー)・)へのゴミ(極微粒子
を含む)の付着がある。例えば高密腿集積回路の製造工
程の中には]、 74n1前後の寸法のラインアンドス
ペースのエツチング上程があるが、この工程で1〜2μ
o+ :+31&の微粒子がエツチング処理前の基板1
11すれば、その微粒子はエツチング用マスクとして作
用し、その場所にエツチング不良(エツチング残り)を
生ずる。エッチング残りがA1配線の加工時に生ずると
き、それはすなわち線間のンヨートとなり半導体デバイ
スは動作しなくなり歩留りを低下させる。
こうした前処理工41fflKおけるゴミ及び微粒子の
付着の原因には、1+14・μ業者の不注意によゐもの
。
付着の原因には、1+14・μ業者の不注意によゐもの
。
(2)基板の脱着に使用するピノセットなどの(、J具
の汚染によるもの、(3)基板処理に1Fって不可遊回
に生ずるものがある。これしのりら、ill 、 +2
1項は作業名の介イL&こよって生ずるもので、これの
除去を1指してfiil処理工程を出来心たけ作來者?
煩わさないものにする自動化装置の採用が増加している
。
の汚染によるもの、(3)基板処理に1Fって不可遊回
に生ずるものがある。これしのりら、ill 、 +2
1項は作業名の介イL&こよって生ずるもので、これの
除去を1指してfiil処理工程を出来心たけ作來者?
煩わさないものにする自動化装置の採用が増加している
。
さて、第2図は従来のドライエノナングエGにおける自
動基板処理装置の概略を示す図である。
動基板処理装置の概略を示す図である。
被処理基板11はカヤット10に1枚重たは俵数枚収帽
された状態で扉2を開けて右方の外気側からカセ7 ト
M I IIこ投入設置される。被処理基板11はこU
)あと、トラノスファー至5に設けられたフォーク6に
よって自動的にエノテノグ室7の電極8上に設けられた
ステージ9に搬込される。第1図では電極8の上に台f
it 811!Iのスフ°−/9が収けられているため
これに8枚の被処坤基板ケ配(ッて8枚が一計となって
同時にエツチングされるがカセット10内にだ寸だ捷8
の整数倍の枚数の基板11が力い場合には、電極8上に
不足分の空きステージを生ずること\なる。この状態で
エツチングを行なうと、空きステージは過度の活性グラ
スフに晒され、ステージ9のその部分の表面がエツチン
グされたり、あるいはこの表面に反応生成物や重合物が
堆積するなどし、損傷あるいは汚染されるなどの問題を
生ずる。こυンため、こうした場合には空きステージの
上にdタミー用の補助基板を置いてこれをエツチングさ
せるようにしている0 この補助基板は、被処理基板11が人っているカセット
101にカセット室1に搬入する萌に、作業者が被処理
基板11の枚数を数えて、それが前記した一計の枚数の
8の整数倍になるように調整しているもので、この場合
の基板の出し入れにはビンセットを用いているが、これ
がゴミの発生を促進することtcな一〕てい4・。こυ
)枚数νり模作実は上述のローディング(投入)作業時
だけでなく、γンローディング(回収)作業時にも必要
である。
された状態で扉2を開けて右方の外気側からカセ7 ト
M I IIこ投入設置される。被処理基板11はこU
)あと、トラノスファー至5に設けられたフォーク6に
よって自動的にエノテノグ室7の電極8上に設けられた
ステージ9に搬込される。第1図では電極8の上に台f
it 811!Iのスフ°−/9が収けられているため
これに8枚の被処坤基板ケ配(ッて8枚が一計となって
同時にエツチングされるがカセット10内にだ寸だ捷8
の整数倍の枚数の基板11が力い場合には、電極8上に
不足分の空きステージを生ずること\なる。この状態で
エツチングを行なうと、空きステージは過度の活性グラ
スフに晒され、ステージ9のその部分の表面がエツチン
グされたり、あるいはこの表面に反応生成物や重合物が
堆積するなどし、損傷あるいは汚染されるなどの問題を
生ずる。こυンため、こうした場合には空きステージの
上にdタミー用の補助基板を置いてこれをエツチングさ
せるようにしている0 この補助基板は、被処理基板11が人っているカセット
101にカセット室1に搬入する萌に、作業者が被処理
基板11の枚数を数えて、それが前記した一計の枚数の
8の整数倍になるように調整しているもので、この場合
の基板の出し入れにはビンセットを用いているが、これ
がゴミの発生を促進することtcな一〕てい4・。こυ
)枚数νり模作実は上述のローディング(投入)作業時
だけでなく、γンローディング(回収)作業時にも必要
である。
即ち、図示のように1処理済の基板にはカセット室3に
配置されたカセット15内に補助基板と一緒に回収場ノ
するので、カセット室3からカセット15を取り出した
際に不要な補助基板を抜き取る作業が8訣である。この
際にもゴミ付着の機会を生ずる。従って、上記の作業を
自動化するとともに、その作業を密閉した室内で行うよ
うな装置が必要となる。
配置されたカセット15内に補助基板と一緒に回収場ノ
するので、カセット室3からカセット15を取り出した
際に不要な補助基板を抜き取る作業が8訣である。この
際にもゴミ付着の機会を生ずる。従って、上記の作業を
自動化するとともに、その作業を密閉した室内で行うよ
うな装置が必要となる。
(発明の構成)
本発明はこの問題を次の構成の装置で解決するものであ
る。即ち、上記の第2図の装置を基板処理部として、そ
の前・後段に基板搬送装置およびそれに連なる基板収納
装置忙設備し、基板収納装置には、被処理基板、処理済
基板と、タミー用の補助基板の王者をそれぞれ区別して
収納し、これに対応して基板搬送装置には次の(A)
、 (B)の機能を持たせたものである。
る。即ち、上記の第2図の装置を基板処理部として、そ
の前・後段に基板搬送装置およびそれに連なる基板収納
装置忙設備し、基板収納装置には、被処理基板、処理済
基板と、タミー用の補助基板の王者をそれぞれ区別して
収納し、これに対応して基板搬送装置には次の(A)
、 (B)の機能を持たせたものである。
(A)基板収納装置力・ら基板処理部に搬送する被処理
基板の個数が、前記の一計の枚数(前記では8枚)に達
しないときけ、補助基板収納のカセットから、不足枚数
だけの補助基板を取出して搬送する。
基板の個数が、前記の一計の枚数(前記では8枚)に達
しないときけ、補助基板収納のカセットから、不足枚数
だけの補助基板を取出して搬送する。
(B)基板処理部から基板収納装置に基板を搬送すると
きには、基板を処理消基板と補助基板に区別してそれぞ
れのカセyトに収納する。
きには、基板を処理消基板と補助基板に区別してそれぞ
れのカセyトに収納する。
(実施例)
以下、図に基いて本発明の詳細な説明する。
第1図において、基板処理ff1lAけ、カセット10
の形状を除けは第1図と同一の基板処理装置である。こ
の実施例ではカセット10.15はカセット室1.3の
専用となってこ\に固定され脱着の必要がないものにな
っている。壕だこれに伴って、(第1図には第2図と同
じ大きさに描いたが)カセット室の扉2,4も基板が通
過できるだけの最小開口でよいものとなる。カセット1
0.15の出し入れが省略されるので、その分だけ真空
室へのゴミの流入の確率が小さくなる。
の形状を除けは第1図と同一の基板処理装置である。こ
の実施例ではカセット10.15はカセット室1.3の
専用となってこ\に固定され脱着の必要がないものにな
っている。壕だこれに伴って、(第1図には第2図と同
じ大きさに描いたが)カセット室の扉2,4も基板が通
過できるだけの最小開口でよいものとなる。カセット1
0.15の出し入れが省略されるので、その分だけ真空
室へのゴミの流入の確率が小さくなる。
第2図のB部の基板搬送装置60と基板収納装置70は
本実施例で付設された部分である。基板収納装[70の
内では処理前の被処理基板21はカセット20VC収納
され、処理後の基板31はカセッ)30に収納され、ダ
ミー用の補助基板51はカセッ)41.42に収納され
ている。カセット室1.3に固定されている既述のカセ
ット1()、15と基板収納装置70の各カセットの間
の基板の搬送を基板搬送装置60が受持つ。即ち、カセ
ット室1のカセット10の被処理基板11がなくなった
場合には、加2を開いて、基板収納装置70内にあらか
じめ投入されている被処理基板21がカセット2()か
ら、搬送器Cで搬送されてくるようになっている。そし
てこの場合、もしカセ7)21にセットされている基板
の枚数が、エツチング室7に設けられたステージ9の個
数(これは−回で処理される枚数であって、図の場合は
8個)の整数倍になっていない揚台には、(この検出は
カウンターの設置などで比較的簡単に行なわれる。図示
していない。)不足枚数だけの補助用基板5】がカセッ
ト41より搬送器F−D−Cを経由して、カセット室1
のカセット10に自動的に搬送補給されるよう罠なって
いる。次に、所定の基板処理を終えてエツチング室7か
もトランスファー室55il−経由して、処理済基板1
2がカセット室3のカセット15に納められた後は、j
jI+4が開かれ、処理済基板12が搬送器1〕、■パ
忙よって処理済基板31と補助基板51に区分けされて
、それぞれがカセット30とカセット41またけ42に
送られ収納される。処理済基板31と補助基板51の区
別けは、例えば補助基板5】の周縁部にあらかじめ切欠
ぎを設けておき、搬送器りにはその切欠きを検出する機
能を付与しておくなどの方法でこれも比較的簡単に行な
われる。便って、その詳細の図示・説明は省略する。
本実施例で付設された部分である。基板収納装[70の
内では処理前の被処理基板21はカセット20VC収納
され、処理後の基板31はカセッ)30に収納され、ダ
ミー用の補助基板51はカセッ)41.42に収納され
ている。カセット室1.3に固定されている既述のカセ
ット1()、15と基板収納装置70の各カセットの間
の基板の搬送を基板搬送装置60が受持つ。即ち、カセ
ット室1のカセット10の被処理基板11がなくなった
場合には、加2を開いて、基板収納装置70内にあらか
じめ投入されている被処理基板21がカセット2()か
ら、搬送器Cで搬送されてくるようになっている。そし
てこの場合、もしカセ7)21にセットされている基板
の枚数が、エツチング室7に設けられたステージ9の個
数(これは−回で処理される枚数であって、図の場合は
8個)の整数倍になっていない揚台には、(この検出は
カウンターの設置などで比較的簡単に行なわれる。図示
していない。)不足枚数だけの補助用基板5】がカセッ
ト41より搬送器F−D−Cを経由して、カセット室1
のカセット10に自動的に搬送補給されるよう罠なって
いる。次に、所定の基板処理を終えてエツチング室7か
もトランスファー室55il−経由して、処理済基板1
2がカセット室3のカセット15に納められた後は、j
jI+4が開かれ、処理済基板12が搬送器1〕、■パ
忙よって処理済基板31と補助基板51に区分けされて
、それぞれがカセット30とカセット41またけ42に
送られ収納される。処理済基板31と補助基板51の区
別けは、例えば補助基板5】の周縁部にあらかじめ切欠
ぎを設けておき、搬送器りにはその切欠きを検出する機
能を付与しておくなどの方法でこれも比較的簡単に行な
われる。便って、その詳細の図示・説明は省略する。
なお、上述の被処理基板個数の検出とそれに基つく補助
基板の追加と、処理隣?lk、板と補助基板の区分けと
各カセットへの缶分け′I&送なとは、簡単な記憶装置
と中央処理装置をそなえた電子的な制御器(第1図に1
点鎖線のブロック80で示す)を、基板搬送装置60に
付設して行わせることでも、容易に達成できる。補助基
板51のカセット41またt−t42への収納は41.
42の一方が空になった時点または酒杯になった時点で
供給用と回収用が自動的に変換されるものとなっている
。
基板の追加と、処理隣?lk、板と補助基板の区分けと
各カセットへの缶分け′I&送なとは、簡単な記憶装置
と中央処理装置をそなえた電子的な制御器(第1図に1
点鎖線のブロック80で示す)を、基板搬送装置60に
付設して行わせることでも、容易に達成できる。補助基
板51のカセット41またt−t42への収納は41.
42の一方が空になった時点または酒杯になった時点で
供給用と回収用が自動的に変換されるものとなっている
。
そのため補助基板は一定の枚数のものが繰返し基板処理
部に供給され、かつそこから回収される。
部に供給され、かつそこから回収される。
肝心なことは、それらの移動がすべて装置内で人手によ
らずして行なわれることで、装置の清浄性の維持は容易
となる。なお、本実施例では、基板収納装置70内に被
処理基板用、処理済基板用及び補助基板用に各2コのカ
セノ)20.30及び41と42t−用いたが、それら
のカセットの個数には制限はない。
らずして行なわれることで、装置の清浄性の維持は容易
となる。なお、本実施例では、基板収納装置70内に被
処理基板用、処理済基板用及び補助基板用に各2コのカ
セノ)20.30及び41と42t−用いたが、それら
のカセットの個数には制限はない。
さらに、本実施例には、次の側法的効果がある。
即ち、実工程に先だって基板処理部のウオーミングアツ
プを行うことがこの種の装置では不可欠であるが、その
場合、被処理基板用のカセット20投 に、故急に基板を参人せずに、梶動を開始すれば補助用
基板が自動的に必要数基板処理部1に搬送され処理され
、かつ返送されその動作が繰返されて所望回数のウオー
ミングアツプが実何されるという効果がある1、この際
の装置の清浄性も確保される。
プを行うことがこの種の装置では不可欠であるが、その
場合、被処理基板用のカセット20投 に、故急に基板を参人せずに、梶動を開始すれば補助用
基板が自動的に必要数基板処理部1に搬送され処理され
、かつ返送されその動作が繰返されて所望回数のウオー
ミングアツプが実何されるという効果がある1、この際
の装置の清浄性も確保される。
以上は本発明の一実施例をドライエツチング装置につい
て詳細に述べたものであるが、エラチン装置に限定され
ることなく本発明は半導体製造装置等で他の処理工程に
も広範囲に利用できることはいう1でもない。
て詳細に述べたものであるが、エラチン装置に限定され
ることなく本発明は半導体製造装置等で他の処理工程に
も広範囲に利用できることはいう1でもない。
(発明の効果)
本発明の自動基板処理装置は、クリーンルーム内への作
業者の立入りを低減し、ゴミの発生付層の機会を極小に
し、処理基板の歩留りを向上させる効果がある。自動化
による省力の効果も著るしい0
業者の立入りを低減し、ゴミの発生付層の機会を極小に
し、処理基板の歩留りを向上させる効果がある。自動化
による省力の効果も著るしい0
第1図は本発明の実施例の自動基板処理装置の概略図、
第2図は従来の基板処理装置の概略図である。 1.3・・カセット室 、 5・・・トランスファー室
7・・・・エツチング室 、6・・フォーク8・・・・
・電極 10.+5.20,30,41.42・・・カセット1
1.21・被処理基板、12.31・・・処理済基板5
1・・・・補助基板 、60 ・・・・基板搬送装置7
0・・・・基板収納装置 A・ ・・基板処理部 特許出願人 日電ア不ルバ株式会社 手続補正@(自発) 昭和59年7月13日 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第103098号 2、発明の名称 自動基板処理装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4 補正命令の日付 昭和 年 月 日5 補正により
増加する発明の数 0 6、補正の対象 明卸1@の発明の詳細な説明の欄。図面。 補 正 の 内 容 1 明側書第3頁20行目の11図では」を「2図では
」と補正する。 2、 同第6貞11行目の[0の形状Jt−1−0およ
び15の形状]と補正する。 3、同20行目の1第2図のB部」を「第1図の」と補
正する。 4 図面の第1図の符号の一部を冷付図面の赤字の如く
補正する。 即(−ハ第1図の符号の左上部の141」を142」に
補正する。 (以上)
第2図は従来の基板処理装置の概略図である。 1.3・・カセット室 、 5・・・トランスファー室
7・・・・エツチング室 、6・・フォーク8・・・・
・電極 10.+5.20,30,41.42・・・カセット1
1.21・被処理基板、12.31・・・処理済基板5
1・・・・補助基板 、60 ・・・・基板搬送装置7
0・・・・基板収納装置 A・ ・・基板処理部 特許出願人 日電ア不ルバ株式会社 手続補正@(自発) 昭和59年7月13日 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第103098号 2、発明の名称 自動基板処理装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4 補正命令の日付 昭和 年 月 日5 補正により
増加する発明の数 0 6、補正の対象 明卸1@の発明の詳細な説明の欄。図面。 補 正 の 内 容 1 明側書第3頁20行目の11図では」を「2図では
」と補正する。 2、 同第6貞11行目の[0の形状Jt−1−0およ
び15の形状]と補正する。 3、同20行目の1第2図のB部」を「第1図の」と補
正する。 4 図面の第1図の符号の一部を冷付図面の赤字の如く
補正する。 即(−ハ第1図の符号の左上部の141」を142」に
補正する。 (以上)
Claims (1)
- 所冗枚数の基板を一群としその複数群の谷の上に1遂仄
連続的かつ自動的Kg膜の堆積9食刻等の処理を施す自
動基板処理装置において、被処理基板と処理済基板とダ
ミー用の補助基板の王者をそれぞれのカセットに区別し
て収納する基板収納装置と、この基板収納装置の谷カセ
ットと基板処理部の間で削記各基板を搬送する基板搬送
装置とをそなえ、かつこの基板搬送装置には、基板収納
装置から基板処理部に搬送する被処理基板の個数が前記
所定枚数に遅しないときは、これに補助基板を加えて所
定枚数くし、かつ、基板処理部から基板収納装置に搬送
する基板は、これを処理済基板と補助基板に区別してそ
れぞれのカセットに収納する機能を付与したことを特徴
とする自動基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10309884A JPS60246635A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 自動基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10309884A JPS60246635A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 自動基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60246635A true JPS60246635A (ja) | 1985-12-06 |
JPH0357611B2 JPH0357611B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=14345151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10309884A Granted JPS60246635A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 自動基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60246635A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04108531A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Hitachi Ltd | 真空処理装置及びその運転方法 |
JPH09181058A (ja) * | 1996-12-16 | 1997-07-11 | Hitachi Ltd | 真空処理装置の運転方法 |
US6526330B2 (en) | 1995-07-19 | 2003-02-25 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
US7017637B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
USRE39775E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60113428A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP10309884A patent/JPS60246635A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60113428A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
Cited By (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6634116B2 (en) | 1990-08-09 | 2003-10-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6487794B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Substrate changing-over mechanism in vacuum tank |
US6044576A (en) * | 1990-08-29 | 2000-04-04 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method using a vacuum chamber |
US6487793B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6012235A (en) * | 1990-08-29 | 2000-01-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6487791B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6055740A (en) * | 1990-08-29 | 2000-05-02 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6070341A (en) * | 1990-08-29 | 2000-06-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
US6108929A (en) * | 1990-08-29 | 2000-08-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6112431A (en) * | 1990-08-29 | 2000-09-05 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method |
US6263588B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-07-24 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6301801B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-10-16 | Shigekazu Kato | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6301802B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-10-16 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6314658B2 (en) | 1990-08-29 | 2001-11-13 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6330755B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-12-18 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method |
US6330756B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-12-18 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6332280B2 (en) | 1990-08-29 | 2001-12-25 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6446353B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-09-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6457253B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6460270B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6463678B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Substrate changing-over mechanism in a vaccum tank |
US6463676B1 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6467186B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-22 | Hitachi, Ltd. | Transferring device for a vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6467187B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6470596B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6490810B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6484414B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6484415B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
JPH04108531A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Hitachi Ltd | 真空処理装置及びその運転方法 |
US5950330A (en) * | 1990-08-29 | 1999-09-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US5784799A (en) * | 1990-08-29 | 1998-07-28 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus for substate wafers |
US6473989B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Conveying system for a vacuum processing apparatus |
US6499229B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6505415B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-01-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US7367135B2 (en) | 1990-08-29 | 2008-05-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6588121B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
US6625899B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
USRE39823E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
US6655044B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6662465B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
USRE39824E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
USRE39776E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
USRE39775E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
US6880264B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-04-19 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6886272B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-05-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
US6904699B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-06-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6968630B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-11-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6962472B2 (en) | 1995-07-19 | 2005-11-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
US7201551B2 (en) | 1995-07-19 | 2007-04-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
US6895685B2 (en) | 1995-07-19 | 2005-05-24 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
EP0756316B1 (en) * | 1995-07-19 | 2004-09-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
US6752579B2 (en) | 1995-07-19 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
US6752580B2 (en) | 1995-07-19 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
US7347656B2 (en) | 1995-07-19 | 2008-03-25 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
US6526330B2 (en) | 1995-07-19 | 2003-02-25 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
JPH09181058A (ja) * | 1996-12-16 | 1997-07-11 | Hitachi Ltd | 真空処理装置の運転方法 |
US7017637B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0357611B2 (ja) | 1991-09-02 |
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