JPS61263127A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
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- JPS61263127A JPS61263127A JP10472285A JP10472285A JPS61263127A JP S61263127 A JPS61263127 A JP S61263127A JP 10472285 A JP10472285 A JP 10472285A JP 10472285 A JP10472285 A JP 10472285A JP S61263127 A JPS61263127 A JP S61263127A
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- Japan
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- chamber
- etching
- wafers
- wafer
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- Pending
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 50
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体ウェハをエツチングする工じチング
装置に関する。
装置に関する。
（ロ）従来の技術
一般に、例えばプラズマエツチング装置は、１つのチャ
ンバ内に数枚乃至数袷枚のウェハを所定の間隔を存して
並設し、このチャンバ内に四フッ化炭素（ＣＦ Ｉ）を
導入し、低圧内で高周波を印加してプラズマを発生させ
、化学反応を生起させてウェハをエツチングしている。
ンバ内に数枚乃至数袷枚のウェハを所定の間隔を存して
並設し、このチャンバ内に四フッ化炭素（ＣＦ Ｉ）を
導入し、低圧内で高周波を印加してプラズマを発生させ
、化学反応を生起させてウェハをエツチングしている。
また、このように複数枚のウェハを一括処理する装置の
他、ウェハを１枚宛エツチングするようにしているもの
がある。
他、ウェハを１枚宛エツチングするようにしているもの
がある。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上述したエツチング装置において、複数枚のウェハを１
つのチャンバで一括処理する場合、作業効率は良好であ
るが、各ウェハ間にバラツキが多いという問題があった
。つまり、チャンバ内にガス分布のバラツキがあり、各
ウェハにおいてエツチングする膜厚や膜質が異なるとい
う欠点があった。
つのチャンバで一括処理する場合、作業効率は良好であ
るが、各ウェハ間にバラツキが多いという問題があった
。つまり、チャンバ内にガス分布のバラツキがあり、各
ウェハにおいてエツチングする膜厚や膜質が異なるとい
う欠点があった。
また、１枚宛ウェハをエツチングする場合、エツチング
精度は向上するものの、作業効率が悪いという欠点があ
る。
精度は向上するものの、作業効率が悪いという欠点があ
る。
（ニ）問題点を解決するための手段及び作用この発明は
、エツチング前のウェハを複数枚収納する搬入側収納室
とエツチング後のウェハを複数枚収納する搬出側収納室
との間に、ウェハをエツチングするチャンバが複数個並
設され、各収納室及び各チャンバが順に開口を介して連
通自在に構成されると共に、搬入側収納室から各チャン
バを通り搬出側収納室に亘ってウェハを搬送する搬送手
段が設けられる一方、各チャンバに開口を開閉するシャ
ッタが設けられると共に、ガスの導入管及び導出管が連
接され、更に各チャンバにウェハを所定位置に停止する
位置センサとエツチング終了を検知するエンドセンサと
が設けられて構成されている。
、エツチング前のウェハを複数枚収納する搬入側収納室
とエツチング後のウェハを複数枚収納する搬出側収納室
との間に、ウェハをエツチングするチャンバが複数個並
設され、各収納室及び各チャンバが順に開口を介して連
通自在に構成されると共に、搬入側収納室から各チャン
バを通り搬出側収納室に亘ってウェハを搬送する搬送手
段が設けられる一方、各チャンバに開口を開閉するシャ
ッタが設けられると共に、ガスの導入管及び導出管が連
接され、更に各チャンバにウェハを所定位置に停止する
位置センサとエツチング終了を検知するエンドセンサと
が設けられて構成されている。
従って、この発明は、搬入側収納室よりウェハを１枚宛
チャンバに搬入して設置し、シャッタで開口を閉鎖し、
各チャンバで１枚のウェハをエツチングし、複数枚のウ
ェハを同時に処理し、搬出側収納室に収集するようにな
っている。
チャンバに搬入して設置し、シャッタで開口を閉鎖し、
各チャンバで１枚のウェハをエツチングし、複数枚のウ
ェハを同時に処理し、搬出側収納室に収集するようにな
っている。
（ホ）実施例゛
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図及び第２図に示すように、１はフン化炭素（ＣＦ
＊）プラズマを用いたエツチング装置であって、Ｓｔ
ウェハ２をエツチングするものである。
＊）プラズマを用いたエツチング装置であって、Ｓｔ
ウェハ２をエツチングするものである。
このエツチング装置１は、搬入側収納室３と搬出側収納
室４との間に複数個のチャンバ５．５、・・・・・・が
並設されて構成されている。画成納室３．４は、複数枚
のウェハ２が収納されるようになっており、チャンバ５
の前後両壁には開口５ａが形成されて、各収納室３．４
と各チャンバ５とが連通自在に構成されている。
室４との間に複数個のチャンバ５．５、・・・・・・が
並設されて構成されている。画成納室３．４は、複数枚
のウェハ２が収納されるようになっており、チャンバ５
の前後両壁には開口５ａが形成されて、各収納室３．４
と各チャンバ５とが連通自在に構成されている。
また、チャンバ５の前後両壁にはシャッタ６が設けられ
て開口５ａが開閉自在に構成され、チャンバ５がそれぞ
れ独立した一室に成っている。このシャッタ６は、駆動
モータ７が連設されて上下に回動するようになっている
。更に、各チャンバ５には搬送コンベヤ８ （搬送手段
）が設けられ、搬入側収納室３にはカセット９が設けら
れ、収納室３よりウェハ２が１枚宛搬入されるように成
っている。
て開口５ａが開閉自在に構成され、チャンバ５がそれぞ
れ独立した一室に成っている。このシャッタ６は、駆動
モータ７が連設されて上下に回動するようになっている
。更に、各チャンバ５には搬送コンベヤ８ （搬送手段
）が設けられ、搬入側収納室３にはカセット９が設けら
れ、収納室３よりウェハ２が１枚宛搬入されるように成
っている。
一方、各チャンバ５にはガスの導入管工０と導出管１１
とが連接され、それぞれ主管１０ａ、１１ａより分枝し
た枝管１０ｂ、ｌｌｂが連接されている。この導入主管
１０ａにはガス圧を制御するコントローラ１２とプラズ
マを発生させる発生器１３とが介設され、導入枝管１０
ｂにはそれぞれバルブ１４が介設されている。また、導
出枝管１１ｂは各収納室３．４にも連接されている。
とが連接され、それぞれ主管１０ａ、１１ａより分枝し
た枝管１０ｂ、ｌｌｂが連接されている。この導入主管
１０ａにはガス圧を制御するコントローラ１２とプラズ
マを発生させる発生器１３とが介設され、導入枝管１０
ｂにはそれぞれバルブ１４が介設されている。また、導
出枝管１１ｂは各収納室３．４にも連接されている。
更に各チャンバ５には、ウェハ２を所定位置に停止させ
る位置センサ１５が設けられると共に、エツチングの終
了を検知するエンドセンサ１６が設けられている。この
エンドセンサ１６は、ウェハ２の反射光量を検知し、こ
の検知信号よりエツチングの進行状況を検知するように
なっている。
る位置センサ１５が設けられると共に、エツチングの終
了を検知するエンドセンサ１６が設けられている。この
エンドセンサ１６は、ウェハ２の反射光量を検知し、こ
の検知信号よりエツチングの進行状況を検知するように
なっている。
次に、プラズマエツチング動作について説明する。
先ず、複数枚のウェハ２は搬入側収納室３のカセット９
に収納されており、各シャッタ６を開動して開口５ａを
開放する。この状態より、１枚宛ウェハ２を隣接するチ
ャンバ５に送出し、搬出端のチャンバ５より搬送コンベ
ヤ８を駆動して設置する。この設置は、各チャンバ５の
位置センサ１５により検知され、各チャンバ５に１枚の
ウェハ２が設置され、その後、シャフタロを開動して開
口５ａを閉鎖する。これにより、各チャンバが独立した
一室になる。
に収納されており、各シャッタ６を開動して開口５ａを
開放する。この状態より、１枚宛ウェハ２を隣接するチ
ャンバ５に送出し、搬出端のチャンバ５より搬送コンベ
ヤ８を駆動して設置する。この設置は、各チャンバ５の
位置センサ１５により検知され、各チャンバ５に１枚の
ウェハ２が設置され、その後、シャフタロを開動して開
口５ａを閉鎖する。これにより、各チャンバが独立した
一室になる。
一方、各チャンバ５内を所定真空度に排気した後、導入
主管１０ａよりＣＦ４＋Ｏｔのガスが導入され、コント
ローラ１２で圧力が制御され、発生器１３でプラズマが
発生し、このプラズマ内のフッ素う゛ジカルが各チャン
バ５内に導入され、ウェハ２のシリコンと化学反応を生
起し、ウェハ２をエツチングし、フン化シリコンは導出
管１１より排気される。このエツチングの進行状況は、
エンドセンサ１６でで検知され、各チャンバ５内のウェ
ハ２のエツチングが終了すると、各バルブ１４が閉鎖さ
れる。
主管１０ａよりＣＦ４＋Ｏｔのガスが導入され、コント
ローラ１２で圧力が制御され、発生器１３でプラズマが
発生し、このプラズマ内のフッ素う゛ジカルが各チャン
バ５内に導入され、ウェハ２のシリコンと化学反応を生
起し、ウェハ２をエツチングし、フン化シリコンは導出
管１１より排気される。このエツチングの進行状況は、
エンドセンサ１６でで検知され、各チャンバ５内のウェ
ハ２のエツチングが終了すると、各バルブ１４が閉鎖さ
れる。
その後、全ウェハ２のエツチングが終了すると、シャッ
タ６を開動し、搬送コンベヤ８を駆動して、搬出側収納
室４にウェハを収集する。
タ６を開動し、搬送コンベヤ８を駆動して、搬出側収納
室４にウェハを収集する。
尚、この実施例はプラズマエツチングについて説明した
が、この発明は、イオンエツチングに適用してもよい。
が、この発明は、イオンエツチングに適用してもよい。
また、搬送手段は搬送コンベヤ８に限られるものではな
い。
い。
くべ）発明の効果
以上のように、この発明のエツチング装置によれば、複
数枚のチャンバにウェハを１枚宛設置し、複数枚のウェ
ハをそれぞれ個別に且つ同時にエツチングするようにし
たために、作業効率を低下させることなくエツチング精
度を向上させることができる。つまり、複数枚のウェハ
を同時に処理するので、作業効率は低下することなく、
他方、各ウェハはそれぞれ１つのチャンバ内で処理され
るので、エツチングの膜厚や膜質を均一にすることがで
きるので、精度を向上させることができる。
数枚のチャンバにウェハを１枚宛設置し、複数枚のウェ
ハをそれぞれ個別に且つ同時にエツチングするようにし
たために、作業効率を低下させることなくエツチング精
度を向上させることができる。つまり、複数枚のウェハ
を同時に処理するので、作業効率は低下することなく、
他方、各ウェハはそれぞれ１つのチャンバ内で処理され
るので、エツチングの膜厚や膜質を均一にすることがで
きるので、精度を向上させることができる。
図面は、この発明の一実施例を示し、第１図は、エツチ
ング装置の概略側面図、第２図は、同概略平面図である
。 １：エツチング装置、２：ウェハ、 ３・４：収納室、 ５：チャンバ、 ５ａ：開口、 ６：シャッタ、８：搬送コンベ
ヤ、 １ｏ：導入管、１１：導出管、 １５：
位置センサ、１６：エンドセンサ。
ング装置の概略側面図、第２図は、同概略平面図である
。 １：エツチング装置、２：ウェハ、 ３・４：収納室、 ５：チャンバ、 ５ａ：開口、 ６：シャッタ、８：搬送コンベ
ヤ、 １ｏ：導入管、１１：導出管、 １５：
位置センサ、１６：エンドセンサ。
Claims (1)
- （１）エッチング前のウェハを複数枚収納する搬入側収
納室とエッチング後のウェハを複数枚収納する搬出側収
納室との間に、ウェハをエッチングするチャンバが複数
個並設され、各収納室及び各チャンバが順に開口を介し
て連通自在に構成されると共に、搬入側収納室から各チ
ャンバを通り搬出側収納室に亘ってウェハを搬送する搬
送手段が設けられる一方、各チャンバに開口を開閉する
シャッタが設けられると共に、ガスの導入管及び導出管
が連接され、更に各チャンバにウェハを所定位置に停止
する位置センサとエッチングの終了を検知するエンドセ
ンサとが設けられて成り、各チャンバにおいてウェハを
１枚宛エッチングすることを特徴とするエッチング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10472285A JPS61263127A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10472285A JPS61263127A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263127A true JPS61263127A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14388380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10472285A Pending JPS61263127A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6992780B2 (en) | 2001-05-22 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7067826B2 (en) | 2001-05-22 | 2006-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection method and apparatus |
| KR100752935B1 (ko) | 2004-10-20 | 2007-08-30 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 및 기판 파손 여부 검사방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56278A (en) * | 1979-06-13 | 1981-01-06 | Matsushita Electronics Corp | Method and apparatus for plasma ethcing of aluminum |
| JPS5710238A (en) * | 1980-05-19 | 1982-01-19 | Buranson Intern Purazuma Corp | Computer controlled device for processing semiconductor wafer and method therefor |
| JPS6062126A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP10472285A patent/JPS61263127A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56278A (en) * | 1979-06-13 | 1981-01-06 | Matsushita Electronics Corp | Method and apparatus for plasma ethcing of aluminum |
| JPS5710238A (en) * | 1980-05-19 | 1982-01-19 | Buranson Intern Purazuma Corp | Computer controlled device for processing semiconductor wafer and method therefor |
| JPS6062126A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6992780B2 (en) | 2001-05-22 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7067826B2 (en) | 2001-05-22 | 2006-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection method and apparatus |
| US7148973B2 (en) | 2001-05-22 | 2006-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7247868B2 (en) | 2001-05-22 | 2007-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection method and apparatus |
| KR100752935B1 (ko) | 2004-10-20 | 2007-08-30 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 및 기판 파손 여부 검사방법 |
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