JP2006128341A - 基板処理装置の運転方法，基板処理装置の制御方法，基板処理装置，基板処理装置の制御を行うプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 簡単な構成により，チャンバ間でゲートを開く際の衝撃波や対流を抑制することにより，チャンバ内でのパーティクルの巻上げを効果的に防止する。
【解決手段】 ロードロック室１５０と搬送室１３０との間で被処理基板の受渡しを行う際に，ゲートバルブ１５２の開放に先立って，例えばパージバルブＶ１を開いてパージガスを導入し，大気圧スイッチなどによりロードロック室が大気圧状態になったと判断すると，パージバルブを閉じてパージガスの導入を停止し，酸排気バルブＶ８を開いてロードロック室の排気を開始し，その後にリリーフバルブＶ４を開いてロードロック室を大気と連通することにより，大気開放を行い，大気開放後にゲートバルブ１５２を開放する。
【選択図】 図２

Description

本発明は，基板処理装置の運転方法，基板処理装置の制御方法，基板処理装置，基板処理装置の制御を行うプログラムに関する。

基板処理装置は，複数のチャンバを接続して構成される。このようなチャンバとしては，例えば大気圧状態において外部との間で被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する。）の受渡しを行う搬送ユニットに設けられる搬送室，ウエハに対してエッチングや成膜など所定の処理を施す真空処理室，この真空処理室と上記搬送室との間を繋ぐ真空準備室（例えばロードロック室）などがある。これらチャンバ間は，それぞれゲートバルブを介して気密に接続される。

基板処理装置は，これらチャンバ間でウエハを搬送しながら，真空処理室においてウエハに対する処理を行うようになっている。上記のようなチャンバを備える基板処理装置における一般的なウエハの流れとしては，次の通りである。例えば外部から上記搬送室へ搬入されたウエハは，真空準備室へ搬入され，真空準備室から真空処理室へ搬入される。そして，真空処理室で所定の処理ガスによるウエハの処理例えばエッチングや成膜などが行われる。真空処理室での処理が終了すると，ウエハは真空準備室へ戻され，真空準備室から搬送室へ戻される。このようなウエハの一連の流れにおいて，真空準備室と搬送室との間でウエハを受渡しする場合には，真空準備室の大気開放などが行われ所定の圧力になるとゲートバルブが開かれてウエハが受渡される。また，真空準備室と処理室との間でウエハを受渡しする場合には，真空準備室の真空引きなどが行われ所定の圧力になるとゲートバルブが開かれてウエハが受渡される。このように，各チャンバ間でウエハを受渡しするときには，チャンバ間の圧力差を少なくするため，各チャンバが所定の圧力になるように制御される。

ところが，各チャンバの圧力状態によっては，そのチャンバ間のゲートバルブを開く際に様々な問題が生じる。例えばゲートバルブを開いた際に真空処理室に残留している処理ガスが逆流したり，搬送室から水分等のコンタミネーションが流入したり，各チャンバ内でパーティクル（堆積物，付着物，塵など）が巻上がったりする。このため，パーティクルやコンタミネーションによってウエハが汚染されたり，また腐食性の処理ガスが別のチャンバへ逆流すればそのチャンバ内の構成部品が腐食されたりするといった問題が生じる。

このため，従来よりゲートバルブを開くのに先立って様々な方法や様々な構成でチャンバ内の圧力制御が行われている。例えば搬送室と真空準備室との間でゲートバルブを開放する際に行われる真空準備室の大気開放時に，真空準備室にあるパーティクルを前もって除去することを目的として，真空準備室に対してＮ_２ガスなどのパージガスを供給しながら排気を行う技術がある（例えば特許文献１参照）。

また，複数の真空処理室を共通搬送室に接続し，この共通搬送室に真空準備室（ロードロック室）を接続する所謂クラスタツール型の基板処理装置において，共通搬送室と，真空処理室又はロードロック室との間でゲートバルブを開く際に，共通搬送室にＮ_２ガスなどのパージガスを供給して共通搬送室の圧力を真空処理室又はロードロック室よりも僅かに高くして真空処理室又はロードロック室への気体の流れをつくることにより，共通搬送室へ処理ガスや水分等のコンタミネーションが流入することを防止する技術もある（例えば特許文献２参照）。

特開平３−８７３８６号公報 特開平７−２１１７６１号公報

ところで，上述したような従来の技術では，チャンバ間のゲートバルブを開く際に処理ガスやクロスコンタミネーションの逆流やパーティクルの除去を防止するために，Ｎ_２ガスなどのパージガスなどを供給しながら各チャンバ間の圧力調整が行われるので，チャンバ間には圧力差が生じている。

このようなチャンバ間に生じる圧力差によっては，ゲートバルブを開放したときに気体の流れが発生し，チャンバ内でパーティクルが巻上がるという問題がある。特にチャンバ間の圧力差が大きいと，衝撃波（圧縮性流体が高速で流れるとき音速を超えて伝わる圧力波）が発生し，この衝撃波が伝搬することにより，チャンバ内でパーティクルが巻上がる大きな要因となる。

この点，チャンバ間の圧力差を僅かに抑えることができれば，パーティクルの巻上げを抑えることもできるものとも考えられる。しかしながら，近年では，シール技術の改良などにより各チャンバの機密性が従来以上に高まっている。このため，従来の圧力制御のシーケンスでは，例えばパージガスの導入によってチャンバ内の圧力が必要以上に上昇してしまい，実際にチャンバ間に生じる圧力差が必要以上に大きくなってしまうという問題があった。

また，例えばすべてのチャンバに圧力を正確に計測しながら，チャンバ間の圧力差が大きくなりすぎないように正確に圧力制御することも可能である。しかしながら，正確に圧力制御を行うためには，高価な圧力計や制御機器が必要となってコストがかかるとともに，圧力制御のシーケンスも複雑化するため，実用的でない。

さらに，特許文献２には，各チャンバ間に開閉可能なバイパス路を設け，ゲートバルブを開く前にこのバイパス路を開いてチャンバ間の圧力差を少なくすることにより，ゲートバルブを開く際に生じる気体の急激な流れ（衝撃波）を防止するような構成も記載されている。しかしながら，バイパス路を開くときにチャンバ間に生じている圧力差によっては，ゲートバルブが開放される前でも，バイパス路を開いたときに衝撃波が発生するため，その衝撃波がチャンバに伝搬してパーティクルの巻上げの原因となってしまう虞がある。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，簡単な構成により，チャンバ間でゲートを開く際の衝撃波や対流を抑制することができ，これにより，チャンバ内でのパーティクルの巻上げを効果的に防止することができる基板処理装置の運転方法等を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，この搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットを備え，この真空処理ユニットは，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続される真空準備室と，この真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して腐食性ガスを処理ガスとして用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室とを備える基板処理装置の運転方法であって，前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に，前記ゲートバルブの開放に先立って，前記真空準備室内へ不活性ガスを導入する工程と，前記真空準備室内が大気圧状態になると，前記不活性ガスの導入を停止し，前記真空準備室の腐食性ガス排気を開始して，その後に前記真空準備室を大気と連通することにより，大気開放を行う工程と，前記大気開放工程後に前記ゲートバルブを開放する工程とを有することを特徴とする基板処理装置の運転方法が提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，この搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットを備え，この真空処理ユニットは，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続され，少なくとも不活性ガス導入系，腐食性ガス排気系，大気開放系を備える少なくとも１つ以上の真空準備室と，この真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して腐食性ガスを処理ガスとして用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室とを備える基板処理装置の制御方法であって，前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に，前記ゲートバルブの開放に先立って，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記真空準備室内へ不活性ガスを導入する工程と，前記真空準備室に設けられた大気圧状態検出手段により前記真空準備室内が大気圧状態になったと判断すると，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記不活性ガスの導入を停止し，前記腐食性ガス排気系の排気バルブを制御して前記真空準備室の排気を開始し，その後に前記大気開放系の大気開放バルブを制御して前記真空準備室を大気と連通することにより，大気開放を行う工程と，前記大気開放工程後に，前記ゲートバルブを制御して開放する工程とを有することを特徴とする基板処理装置の制御方法が提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，前記搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットと，前記真空処理ユニットに設けられ，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続され，少なくとも不活性ガス導入系，ガス排気系，大気開放系を備える少なくとも１つ以上の真空準備室と，前記真空処理ユニットに設けられ，前記真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して処理ガス用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室と，前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に前記ゲートバルブの開放に先立って，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記真空準備室内へ不活性ガスを導入し，前記真空準備室内が大気圧状態になると，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記不活性ガスの導入を停止し，前記ガス排気系の排気バルブを制御して前記真空準備室の排気を開始し，その後に前記大気開放系の大気開放バルブを制御して前記真空準備室を大気と連通し，前記大気開放工程後に前記ゲートバルブを制御して開放する制御手段とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，この搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットを備え，この真空処理ユニットは，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続され，少なくとも不活性ガス導入系，腐食性ガス排気系，大気開放系を備える少なくとも１つ以上の真空準備室と，この真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して腐食性ガスを処理ガスとして用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室とを備える基板処理装置の制御を行うプログラムであって，コンピュータに，前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に，前記ゲートバルブの開放に先立って，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを開く手順と，前記真空準備室に設けられた大気圧状態検出手段により前記真空準備室内が大気圧状態になったと判断すると，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを閉じるとともに，前記腐食性ガス排気系の排気バルブを開き，その後に前記大気開放系の大気開放バルブを開くことにより，大気開放を行う手順と，前記ゲートバルブを開放する手順とを実行させるためのプログラムが提供される。

このような本発明にかかる方法又は装置又はプログラムによれば，ゲートバルブの開放に先立って，真空準備室に不活性ガスを導入しても，早期に不活性ガスの導入を停止することができる。これにより，必要以上に真空準備室の圧力が上昇することを防止できる。しかも，早期に真空準備室の腐食性ガス排気を開始することもできるため，例えば真空準備室に残留する腐食性ガスなどをゲートバルブの開放を待たずに前もって排気することができることから，その後に大気開放バルブを開いても，腐食性ガスが搬送室などへ流れ込むことを防止でき，例えば搬送室内の機構部品が腐食することも防止できる。このように，本発明によれば，早期に不活性ガスの導入を停止するとともに，真空準備室の腐食性ガス排気を開始するという簡単な構成により必要以上に真空準備室の圧力が上昇することを防止できるので，チャンバ間でゲートを開く際の衝撃波や対流を抑制することができ，これにより，チャンバ内でのパーティクルの巻上げを効果的に防止することができる。

また，上記運転方法又は制御方法においては，前記大気開放工程における前記不活性ガス導入の停止タイミングと前記腐食性ガス排気の開始タイミングは，自由に設定可能であり，例えば前記真空準備室内が大気圧状態になると同時になるように設定してもよい。これによれば，不活性ガス導入の停止タイミングと腐食性ガス排気の開始タイミングを調整することにより，真空準備室と搬送ユニットとの間に圧力差があっても，ゲートバルブ開放の際にパーティクルの巻き上げが起らない程度に調整することができる。このような本発明によれば，不活性ガスの導入停止タイミングと腐食性ガス排気開始タイミングを調整するという簡単な構成により必要以上に真空準備室の圧力が上昇することを防止できるので，チャンバ間（ここでは真空準備室と搬送ユニットとの間）でゲートを開く際の衝撃波や対流を抑制することができ，これによりチャンバ内でのパーティクルの巻上げを効果的に防止することができる。

また，上記運転方法又は制御方法においては，前記基板処理装置は，腐食性ガス排気の逆流を検知する逆流検知手段を備え，前記真空準備室の腐食性ガス排気開始後に，前記逆流検知手段により排気の逆流が検知された場合に，一定時間経過後においても逆流が収っていない場合には逆流時エラー処理を行い，前記一定時間経過後に逆流が収っている場合には前記逆流時エラー処理を行わないようにしてもよい。これにより，瞬間的に逆流が検知されても，所定時間内に収ればエラー処理は行わないので，本発明のようにゲートバルブが開放される前に早期に排気バルブを開くようにしても，エラー処理が例えば逆流が生じると排気バルブを閉じるような処理の場合でも，瞬間的に逆流が発生しただけで排気バルブが閉じてしまうような不都合を回避できる。

また，上記装置においては，前記真空準備室と前記搬送ユニットとの間に，前記真空準備室と前記搬送ユニットとの圧力差に応じて発生する衝撃波を抑止するための衝撃波抑止機構を設けてもよく，また前記真空準備室と前記真空処理室との間に，前記真空準備室と前記真空処理室との圧力差に応じて発生する衝撃波を抑止するための衝撃波抑止機構を設けてもよい。この衝撃波抑止機構は，例えば前記真空準備室と前記搬送ユニット又は前記真空処理室との間を連通する連通管と，前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段と，
前記衝撃波伝搬防止手段の一方側であって，圧力の高い方の真空準備室側に配設される連通管開閉バルブとを備えて構成される。

このような衝撃波抑止機構を備える基板処理装置においては，例えば連通管開閉バルブを開放してからゲートバルブを開放することができる。これにより，真空準備室と搬送ユニット又は真空処理室との間にたとえ圧力差があっても，連通管開閉バルブの開放によって生じる衝撃波は衝撃波伝搬防止手段の作用により連通管にとどまって衝撃波が伝搬しないため，衝撃波によるパーティクルの巻上げを防止できる。さらに真空準備室と搬送ユニット又は真空処理室との間は連通管開閉バルブの開放により圧力差が低減しているため，その後にゲートバルブを開放しても衝撃波は発生しないので，衝撃波によるパーティクルの巻上げを防止できる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，少なくとも被処理基板に対して処理ガスを用いた処理を施す真空処理室を含む複数のチャンバを備え，各チャンバ間で前記被処理基板を受渡しが可能に構成された基板処理装置であって，前記複数のチャンバのうち，少なくとも圧力差が生じるチャンバ間には，これらチャンバ間の圧力差に応じて発生する衝撃波を抑止するための衝撃波抑止機構を設けることを特徴とする基板処理装置が提供される。

また，上記衝撃波抑止機構は，例えば前記チャンバ間を連通する連通管と，前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段（例えば絞りを有するノズルやオリフィスなど）と，前記衝撃波伝搬防止手段の一方側であって，圧力の高い方のチャンバ側に配設される連通管開閉バルブとを備えて構成される。また，上記処理ガスが腐食性ガスの場合は，さらに連通管には，前記衝撃波伝搬防止手段の他方側であって，圧力の低い方のチャンバ側にも連通管開閉バルブを設けるとともに，前記衝撃波伝搬防止手段とこの衝撃波伝搬防止手段の他方側の連通管開閉バルブとの間に前記連通管を真空引きするための真空排気手段を設けるようにしてもよい。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，少なくとも被処理基板に対して処理ガスを用いた処理を施す真空処理室を含む複数のチャンバを備え，各チャンバ間でゲートバルブを介して前記被処理基板を受渡しが可能に構成された基板処理装置の制御方法であって，前記チャンバのうち圧力差の生じるチャンバ間には，前記チャンバ間を連通する連通管と，前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段と，前記衝撃波伝搬防止手段の一方側であって，圧力の高い方のチャンバ側に配設される連通管開閉バルブとを備える前記衝撃波抑止機構を設け，前記ゲートバルブの開放する際，前記連通管開閉バルブを開放することにより前記連通管を通じてチャンバ間を連通させた後に，前記ゲートバルブを開放することを特徴とする基板処理装置の制御方法が提供される。

このような衝撃波抑止機構を備える基板処理装置においては，例えば連通管開閉バルブを開放してからゲートバルブを開放すれば，チャンバ間にたとえ圧力差があっても，連通管開閉バルブの開放によって生じる衝撃波は衝撃波伝搬防止手段の作用により連通管にとどまって伝搬しない。さらにチャンバ間は連通管開閉バルブの開放により圧力差が低減しているため，その後にゲートバルブを開放しても衝撃波は発生しない。このような本発明によれば，チャンバ間に連通管を設けるとともに，この連通管内に衝撃波伝搬防止手段を設けるという簡単な構成により，チャンバ間でゲートを開く際の衝撃波や対流を抑制することができ，これによりチャンバ内でのパーティクルの巻上げを効果的に防止することができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，少なくとも被処理基板に対して腐食ガスを処理ガスとして用いた処理を施す真空処理室を含む複数のチャンバを備え，各チャンバ間でゲートバルブを介して前記被処理基板を受渡しが可能に構成された基板処理装置の制御方法であって，前記チャンバのうち圧力差の生じるチャンバ間には，チャンバ間を連通する連通管と，前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段と，前記衝撃波伝搬防止手段の両側に配設される連通管開閉バルブと，前記衝撃波伝搬防止手段と圧力の低い方のチャンバ側の連通管開閉バルブとの間に配設された前記連通管を真空引きするための真空排気手段と備える前記衝撃波抑止機構を設け，前記ゲートバルブの開放に先立って，両方の前記連通管開閉バルブが閉じているときに，真空排気手段により前記連通管内を真空引きして，圧力の低い方のチャンバの圧力よりもさらに低い圧力にしておき，前記ゲートバルブの開放する際，圧力の低い方のチャンバ側の連通管開閉バルブを開放した後に，圧力の高い方のチャンバ側の連通管開閉バルブを開放することによってそのチャンバ間を連通した後に，前記ゲートバルブを開放することを特徴とする基板処理装置の制御方法が提供される。

このような本発明によれば，上記と同様に，チャンバ間に圧力差があっても，連通管開閉バルブを開放したときに，衝撃波によるパーティクルの巻上げを防止できる。例えば圧力の低い方のチャンバ側の連通管開閉バルブを開放するときには，連通管内の圧力は圧力の低い方のチャンバよりも低いため，連通管内に衝撃波が発生し，その衝撃波は衝撃波伝搬防止手段の作用により連通管内にとどまって伝搬しないのでパーティクル巻上げは発生しない。また，圧力の高い方のチャンバ側の連通管開閉バルブを開放しても，上記と同様に連通管内に衝撃波が発生し，その衝撃波は衝撃波伝搬防止手段の作用により連通管内にとどまって伝搬しないのでパーティクル巻上げは発生しない。さらにチャンバ間は連通管開閉バルブの開放により圧力差が低減しているため，その後にゲートバルブを開放しても衝撃波は発生しないので，衝撃波によるパーティクルの巻上げを防止できる。また，連通管内を排気できるので腐食性ガスによって連通管が汚染されることを防止できる。

なお，上記運転方法又は制御方法において，前記大気開放系により前記真空準備室を大気と連通した時から少なくとも大気開放終了ディレイ時間の経過待ちをして，大気開放終了ディレイ時間の経過後に前記ゲートバルブの開放指示があると，その指示に応じて前記ゲートバルブを開放するようにしてもよい。

この場合，前記大気開放系により前記真空準備室を大気と連通した時から調整ディレイ時間の経過待ちをしてから前記大気開放終了ディレイ時間の経過待ちをするようにしてもよく，また，前記調整ディレイ時間の経過待ちの間に前記ゲートバルブ開放指示があったときは，そのときから前記大気開放終了ディレイ時間の経過待ちをし，前記調整ディレイ時間の経過待ちの後に前記ゲートバルブ開放指示があったときは，そのときから前記大気開放終了ディレイ時間の経過待ちをするようにしてもよい。これによって，従来の他の搬送シーケンスを変えることなく，本発明にかかる真空準備室の大気開放シーケンスを適用することができる。

なお，本明細書中１Ｔｏｒｒは（１０１３２５／７６０）Ｐａ，１ｍＴｏｒｒは（１０^−３×１０１３２５／７６０）Ｐａとする。

以上説明したように本発明によれば，簡単な構成により，チャンバ間でゲートを開く際の衝撃波や対流を抑制することができ，これによりチャンバ内でのパーティクルの巻上げを効果的に防止することができる基板処理装置の運転方法等を提供できるものである。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置の運転方法又は制御方法について説明する。被処理基板を処理する基板処理装置としては，例えば大気圧状態にある搬送室と，真空状態にして被処理基板の処理を行う真空処理室との間に，真空準備室例えばロードロック室を接続したものがある。このような基板処理装置において，例えば搬送室とロードロック室との間で被処理基板を搬出入する場合にはその圧力差を少なくするために，搬送室とロードロック室との間のゲートバルブの開放に先立って，ロードロック室内の圧力を大気圧状態にある搬送室の圧力に近づける大気開放処理が行われる。以下，このような大気開放処理に特徴を有する基板処理装置の運転方法又は制御方法について具体例を挙げて説明する。

（基板処理装置の構成例）
本実施形態に係る基板処理装置の運転方法又は制御方法を適用可能な基板処理装置の具体例を図面を参照しながら説明する。ここでは，大気圧雰囲気となる搬送室に少なくとも１以上の真空処理ユニットが接続された基板処理装置を例に挙げて説明する。図１は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う１つ又は２つ以上の真空処理ユニット１１０と，この真空処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット１２０は，ウエハＷを搬送する際に共用される搬送室１３０を有している。

図１では，例えば２つの真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂを搬送ユニット１２０の側面に配設したものを示す。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，それぞれ処理室１４０Ａ，１４０Ｂと，これらのそれぞれに連設され，真空引き可能に構成されたロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂを有している。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内でウエハＷに対して例えば同種の処理または互いに異なる異種の処理を施すようになっている。各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内には，ウエハＷを載置するための載置台１４２Ａ，１４２Ｂがそれぞれ設けられている。なお，この処理室１４０及びロードロック室１５０よりなる真空処理ユニット１１０は２つに限定されるものではなく，さらに追加して設けてもよい。

上記搬送ユニット１２０の搬送室１３０は，例えばＮ_２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略矩形状の箱体により構成されている。搬送室１３０における断面略矩形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃが並設されている。これらカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃは，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃを載置する被処理基板待機ポートとして機能する。図１では，例えば各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに３台のカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃをそれぞれ１つずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば１台又は２台であってもよく，また４台以上設けてもよい。

各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃには，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ_２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へゲートバルブ１３６Ａ〜１３６Ｃを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。

搬送室１３０内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する共通搬送機構（大気側搬送機構）１６０が設けられている。この共通搬送機構１６０は，例えば基台１６２上に固定され，この基台１６２は搬送室１３０内の中心部を長さ方向に沿って設けられた図示しない案内レール上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。共通搬送機構１６０は例えば図１に示すような２つのピックを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つのピックを備えるシングルアーム機構であってもよい。

搬送室の端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する一測面には，内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備えた位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３７が設けられている。このオリエンタ１３７は，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行うものである。

搬送室における断面略矩形状の長辺を構成する他測面には，上記２つのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの基端が，開閉可能に構成されたゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）１５２Ａ，１５２Ｂをそれぞれ介して連結されている。各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの先端は，開閉可能に構成されたゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）１４４Ａ，１４４Ｂを介してそれぞれ上記処理室１４０Ａ，１４０Ｂに連結されている。

各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂ内には，それぞれウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ及び１５４Ｂ，１５６Ｂが設けられる。ここで搬送室側のバッファ用載置台１５４Ａ，１５４Ｂを第１バッファ用載置台とし，反対側のバッファ用載置台１５６Ａ，１５６Ｂを第２バッファ用載置台とする。そして，両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ間及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間には，屈伸，旋回及び昇降可能になされた多関節アームよりなる個別搬送機構（真空側搬送機構）１７０Ａ，１７０Ｂが設けられている。これら個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂの先端にはピック１７２Ａ，１７２Ｂが設けられ，このピック１７２Ａ，１７２Ｂを用いて第１，第２の両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間でウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。なお，ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂから処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内へのウエハの搬出入は，それぞれ上記個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂを用いて行われる。

上記基板処理装置１００には，上記各搬送機構１６０，１７０や各ゲートバルブ１３６，１４４，１５６などの動作制御の他，後述するロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂへ導入されるガスや排気管などのバルブの制御も含めてこの基板処理装置全体の動作を制御する制御部１８０が設けられている。制御部１８０は，例えばこの制御部１８０の本体を構成するマイクロコンピュータ，各種のデータ等を記憶するメモリなどを備える。

（ロードロック室のガス配管構成図）
次に，上記真空処理ユニットにおけるロードロック室のガス配管構成を図面を参照しながら説明する。図２は，ロードロック室１５０のガス配管の概略構成を示す図である。なお，このガス配管構成は，各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂに共通の構成である。

ロードロック室１５０の給気側（例えばロードロック室１５０の上部や側部）には，不活性ガス導入系が配設されている。この不活性ガス導入系は，ロードロック室１５０へ不活性ガス（例えばＡｒガスやＮ_２ガス等）をパージガスとして供給するためのパージガス供給管１８１を備える。パージガス供給管１８１には，並列接続されたガス導入バルブとしての制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１，Ｖ２が介在している。制御バルブＶ１，Ｖ２は，パージガスの流量を制御するものである。例えば制御バルブＶ１は後述する大気開放処理を行う際に制御されるものであり，制御バルブＶ２はロードロック室内の圧力制御を行う際に制御されるものである。なお，パージガス用の制御バルブＶ１，Ｖ２は，１つの制御バルブで構成してもよい。

また，ロードロック室１５０の給気側には，大気圧状態を検出する大気圧状態検出手段が接続されている。具体的には，大気圧スイッチが大気圧スイッチ用接続配管１８２を介して接続されており，この大気圧スイッチ用接続配管１８２にマノメータが保護バルブＶ３を介して接続されるとともにピラニ真空計（ピラニゲージ）が接続されている。上記大気圧スイッチは例えばクリスタルゲージなどで構成される。上記マノメータは例えばキャパシタンスマノメータ（隔膜真空計）で構成される。上記ピラニゲージの代りに例えばコンベクトロン真空計を用いてもよい。

一方，ロードロック室１５０の排気側（例えばロードロック室１５０の底部）には，大気開放系が配設されている。この大気開放系は，ロードロック室１５０内をリリーフバルブ（大気開放バルブ）Ｖ４を介して大気と連通するリリーフ管（大気連通管）１８３を備える。なお，リリーフ管（大気連通管）には，ロードロック室１５０とリリーフバルブＶ４との間に，エアパージ用のエア（空気）を供給するためのエア供給管１８４が接続されている。エア供給管１８４には，エアの流量を制御するための制御バルブＶ５が介在している。

また，ロードロック室１５０の排気側には，真空排気系が配設されている。この真空排気系は，ロードロック室１５０内を真空排気するための真空排気管１８５を備える。真空排気管１８５には，並列接続されたメイン排気バルブＶ６，スロー排気バルブＶ７が介在しているとともに，例えばドライポンプなどの真空ポンプ１９０に接続されている。メイン排気バルブＶ６は，多量の排気を一気に行う場合に制御され，スロー排気バルブＶ７は排気量を微調整する場合に制御される。

さらに，ロードロック室１５０の排気側には，腐食性ガス排気系が配設される。この腐食性ガス排気系は，ロードロック室１５０と排気バルブＶ６，Ｖ７との間に，排気バルブとしての酸排気バルブＶ８を介して接続される酸排気管１８６を備える。上記酸排気バルブＶ８は，ウエハの処理ガスとして例えば腐食ガス（例えば塩素，塩化水素等）を用いた場合に，ロードロック室１５０の酸排気を行うために制御されるものである。具体的には例えば処理室１４０からウエハＷを搬出する際に入り込む虞のある処理ガス例えば腐食性ガスなどを排気したり，大気側から入り込む虞のある水分等を排気したりする。酸排気管１８６は例えば真空処理ユニットが設置される工場の排気設備に接続される。酸排気管１８６には逆流検知手段の１例としてのマノスタゲージ１９２が接続される。

上述した各制御バルブＶ１〜Ｖ８は例えば制御部１８０により制御され，ロードロック室１５０内の圧力制御が行われる。この圧力制御は例えばロードロック室１５０のゲートバルブ１５２を開放する際の大気開放処理にて行われる。制御部１８０はマノスタゲージ１９２を監視し，逆流を検知すると報知するなど逆流検知処理を行うようになっている。これら大気開放処理や逆流検知処理の詳細は後述する。

（基板処理装置の動作）
次に，上述したような構成の基板処理装置の動作について図面を参照しながら説明する。先ず，共通搬送機構１６０により各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから処理を行うウエハＷが取り出される。共通搬送機構１６０により取り出されたウエハＷは，オリエンタ１３７まで搬送されてオリエンタ１３７の回転載置台１３８に移載され，ここで位置決めされる。位置決めされたウエハＷは，再度，上記共通搬送機構１６０により受け取られて保持され，このウエハＷに対して処理を行う真空処理ユニット１１０Ａ又は１１０Ｂのロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂの直前まで搬送される。そして，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが開放されると，共通搬送機構１６０に保持されているウエハＷが搬送室１３０からロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂ内へ搬入される。ロードロック室１５０Ａ又は１５０ＢへのウエハＷの搬入が終了すると，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが閉塞される。

ロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂ内へ搬入されたウエハＷは，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが開放されると，個別搬送機構１７０Ａ又は１７０Ｂにより処理室１４０Ａ又は１４０Ｂへ搬入される。処理室１４０Ａ又は１４０ＢへのウエハＷの搬入が終了すると，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが閉塞され，処理室１４０Ａ又は１４０Ｂにおいて処理ガスとして例えば腐食ガスを用いたウエハＷの処理が開始される。

そして，処理室１４０Ａ又は１４０ＢでのウエハＷの処理が終了して，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが開放されると，ウエハＷは個別搬送機構１７０Ａ又は１７０Ｂによりロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂへ搬出される。ロードロック室１５０Ａ又は１５０ＢへのウエハＷの搬出が終了すると，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが閉塞し，搬送室１３０へのウエハＷの搬出動作が行われる。すなわち，ロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂへ搬出された処理済のウエハＷは，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが開放されると，共通搬送機構１６０によりロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂから搬送室１３０へ搬出され，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが閉塞される。

上述の動作のうち，ロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂから大気圧状態にある搬送室１３０との間でウエハＷを搬出入する際には，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂを開放するのに先だって，ロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂの大気開放処理を行う。

（ロードロック室の大気開放処理）
以下，本実施形態にかかるロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂの大気開放処理について，従来例と比較しつつ，図面を参照しながら詳細に説明する。なお，本実施形態にかかる大気開放処理は，所定のプログラムに基づいて動作する制御部１８０によって各バルブの制御などにより実施される。

大気開放処理としては，ロードロック室へＮ_２ガスなどの不活性ガスをパージガスとして導入して，大気圧状態になってからリリーフバルブを開いて，その後にパージガスバルブを閉じてから搬送室とロードロック室との間のゲートバルブを開放する処理（第１の大気開放処理）と，基板処理装置のスループットをより重視して，リリーフバルブを開いた時点でゲートバルブの開放を可能とし，ゲートバルブ開放時にパージガスバルブを閉じる処理（第２の大気開放処理）がある。本発明にかかる大気開放処理は，これら第１及び第２の大気開放処理の両方に適用することができるので，以下，それぞれの場合に分けて説明する。

（第１の大気開放処理）
先ず，本発明の場合と比較するために第１の大気開放処理の従来例について説明する。図３は第１の大気開放処理の従来例を示すフローチャートであり，図４は図３に示す処理における各バルブの制御状態を示す図である。図４では，各バルブが開状態か閉状態かのタイミングを折れ線グラフで示すものであり，各折れ線グラフが重なる場合は見やすいようにずらしてある。

図３及び図４に示すように，第１の大気開放処理の従来例においては，先ずステップＳ１１０にて図２に示す制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を開いて例えばＮ_２ガスなどの不活性ガスをパージガスとしてロードロック室１５０へ導入する。次いで，ステップＳ１２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったか否かを判断する。この大気圧状態になったか否かについては，例えば次のように判断する。例えば図２に示す大気圧スイッチがオンするとともに，ピラニゲージが大気圧（７５０ｍＴｏｒｒ）に達した時点でロードロック室１５０が大気圧状態になったものと判断する。

ステップＳ１２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったと判断した場合は，ステップＳ１３０にて，図４に示すように大気圧状態になった時点ｔ_１１から所定時間Ｔ_１１経過後にリリーフバルブＶ４を開いてロードロック室１５０内を大気と連通させる。

その後，ステップＳ１４０にて大気圧状態になった時点ｔ_１１から所定時間Ｔ_１２経過後に制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止する。次いで，ステップＳ１５０にて制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じた時点ｔ_１３から大気開放終了ディレイ時間Ｔ_１３の経過待ちとなる。この大気開放終了ディレイ時間Ｔ_１３を経過すると，大気開放終了となり，その時点からゲートバルブ１５２の開放が可能となる。

ステップＳ１５０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_１３を経過したと判断した場合は，ステップＳ１６０にてゲートバルブ１５２の開放指示待ちとなる。そして，ステップＳ１６０にてゲートバルブ１５２の開放指示があったと判断した場合は，ステップＳ１７０にてゲートバルブ１５２の開放指示を受付して，ゲートバルブ１５２を開放する。ゲートバルブ１５２を開放すると，ステップＳ１８０にて酸排気バルブＶ８を開いて，排気を行って一連の大気開放処理を終了する。例えば処理室１４０からウエハＷを搬出する際に入り込んだ処理ガス例えば腐食性ガス（例えば塩素，塩化水素等）などを排気するためである。実際には，処理室１４０からウエハＷを搬出する際に，ロードロック室１５０内の圧力を処理室１４０よりも少し高めにしておけば，ロードロック室１５０から処理室１４０へ向けて僅かな対流が生じるので，腐食性ガスが処理室１４０からロードロック室へ入り込むことを防止できるが，ウエハＷに付着して入り込むことも考えら得るためである。

このように，従来の第１の大気開放処理では，ロードロック室１５０が大気開放状態になった後に，パージガスを導入してロードロック室１５０内の圧力を搬送室１３０よりも若干高めにすることにより，外気の流れ込みを防止することができる。これにより，例えば外気に含まれる水分等のコンタミネーションの流れ込みを防止することができるので，ウエハに対するクロスコンタミネーションを防止することができる。

ところで，近年では例えばロードロック室１５０におけるメンテナンスドア等のシール部の改良などにより，ロードロック室１５０内の機密性が一層高まっている。それにも拘らず，従来は，図４に示すようにパージガスを停止するまでの時間Ｔ_１２が一定であったため，パージガスの導入によるロードロック室１５０の圧力は，搬送室１３０よりも必要以上に高くなり過ぎる傾向がある。このため，ロードロック室１５０と搬送室１３０との間のゲートバルブ１５２を開放したときに，衝撃波や急激な対流が発生するという問題があった。衝撃波や急激な対流が発生するとロードロック室１５０内でパーティクルが巻き上がるなどの問題が発生する。

また，従来の第１の大気開放処理では，ゲートバルブ１５２が開放される前には未だ酸排気バルブＶ８は閉じているため，リリーフバルブＶ４を開いた時点で大気と連通することにより，例えばリリーフ管１８３が搬送室１３０と連通している場合等には，ロードロック室へ残留している腐食性ガスが搬送室１３０内に流れ込んでしまう虞がある。腐食性ガスが搬送室１３０内に流れ込むと，例えば搬送室１３０内の機構部品が腐食するという問題がある。

そこで，本発明では，大気開放処理において，制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じるタイミングと酸排気バルブＶ８を開くタイミングを自由に設定できるようにする。これにより，例えばロードロック室１５０が大気圧状態になった時点で同時に，制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスを停止し，酸排気バルブＶ８を開くようにすることもできる。これにより，必要以上にロードロック室１５０の圧力が上昇することを防止でき，しかもロードロック室１５０に残留する腐食性ガスをゲートバルブ１５２の開放を待たずに前もって排気することができる。

（第１の大気開放処理に本発明を適用した場合の具体例）
次に，上述したような第１の大気開放処理に本発明を適用した場合の具体例について説明する。ここでは，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点で制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスを停止し，酸排気バルブＶ８を開くようにした場合を図５及び図６を参照しながら説明する。図５は，第１の大気開放処理に本発明を適用した場合における制御部が行う大気開放処理のフローチャートであり，図６は図５に示す処理における各バルブの制御状態を示す図である。図６では，図４の場合と同様に，各バルブが開状態か閉状態かのタイミングを折れ線グラフで示すものであり，各折れ線グラフが重なる場合は見やすいようにずらしてある。

本実施形態にかかる大気開放処理は，プログラムに基づいて制御部１８０により次のように行われる。すなわち，図５及び図６に示すように，先ずステップＳ２１０にて図２に示す制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を開いて例えばＮ_２ガスなどの不活性ガスをパージガスとしてロードロック室１５０へ導入する。次いで，ステップＳ２２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったか否かを判断する。この大気圧状態になったか否かについては，図３に示すステップＳ１２０の場合と同様に例えば図２に示す大気圧スイッチがオンするとともに，ピラニゲージが大気圧（７５０ｍＴｏｒｒ）に達した時点でロードロック室１５０が大気圧状態になったものと判断する。

ステップＳ２２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったと判断した場合は，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点ｔ_２１で例えばこれと同時に，ステップＳ２３０にて図６に示すように制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止するとともに，ステップＳ２４０にて酸排気バルブＶ８を開いてロードロック室１５０に入り込んだ腐食性ガスなどの排気を早期に開始する。

その後，ステップＳ２５０にて図６に示すように大気圧状態になった時点ｔ_２１から所定時間Ｔ_２１経過後にリリーフバルブＶ４を開いてロードロック室１５０内を大気と連通させる。

次いで，ステップＳ２６０にて調整ディレイ時間Ｔ_２２経過待ちとなる。この調整ディレイ時間は，図３及び図４に示す従来のシーケンスと同時期にゲートバルブ１５２を開放可能とするためである。これにより，図６に示すロードロック室１５０が大気開放状態になった時点ｔ_２１からゲートバルブ１５２を開放する時点までの時間を，図４に示すロードロック室１５０が大気開放状態になった時点ｔ_１１からゲートバルブ１５２を開放する時点までの時間と同じにすることができるので，従来の他の搬送シーケンスを変えることなく，本発明にかかる大気開放処理を適用することができる。なお，この調整ディレイ時間経過待ちの処理は必ずしも必要ない。この処理を省略することにより，従来よりも早くゲートバルブ１５２を開放することもできる。これにより，全体の搬送シーケンスを早くすることができる。

ステップＳ２６０にて調整ディレイ時間Ｔ_２２を経過したと判断した場合は，ステップＳ２７０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_２３の経過待ちとなる。この大気開放終了ディレイ時間Ｔ_２３を経過すると，大気開放終了となり，搬送室１３０とロードロック室１５０との間のゲートバルブ１５２が開放可能となる。

ステップＳ２７０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_２３を経過したと判断した場合は，ステップＳ２８０にてゲートバルブ１５２の開放指示待ちとなる。そして，ステップＳ２８０にてゲートバルブ１５２の開放指示があったと判断した場合は，ステップＳ２９０にてゲートバルブ１５２の開放指示を受付してゲートバルブ１５２を開放し，一連の大気開放処理を終了する。

このように，本発明を第１の大気開放処理に適用した場合においては，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点で直ぐに制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じるという簡単なシーケンスの変更によって，必要以上にロードロック室１５０の圧力が上昇することを防止することができる。これにより，ゲートバルブ１５２を開放する際の衝撃波や急激な対流の発生を抑制することができるので，パーティクルの巻上げなどを防止することができる。

さらにゲートバルブ１５２の開放を待たずに，早期に酸排気バルブＶ８を開くことによってロードロック室１５０に残留する腐食性ガスを前もって排気することができるので，その後にリリーフバルブＶ４が開いてもリリーフバルブＶ４を介して腐食性ガスが搬送室１３０などに流れ込むことを防止でき，これにより例えば搬送室１３０内の機構部品が腐食することも防止できる。

（第２の大気開放処理）
次に，本発明の場合と比較するために第２の大気開放処理の従来例について説明する。図７は第２の大気開放処理の従来例を示すフローチャートであり，図８は図７に示す処理における各バルブの制御状態を示す図である。図８では，図４の場合と同様に，各バルブが開状態か閉状態かを折れ線グラフで示すものであり，各折れ線グラフが重なる場合は見やすいようにずらしてある。

第２の大気開放処理の従来例においては，図７及び図８に示すように，先ずステップＳ３１０にて図２に示す制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を開いて例えばＮ_２ガスなどの不活性ガスをパージガスとしてロードロック室１５０へ導入する。次いで，ステップＳ３２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったか否かを判断する。この大気圧状態になったか否かの判断については，図３に示すステップＳ１２０の場合と同様である。

ステップＳ３２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったと判断した場合は，ステップＳ３３０にて，図８に示すように大気圧状態になった時点ｔ_３１から所定時間Ｔ_３１経過後にリリーフバルブＶ４を開いてロードロック室１５０内を大気と連通させる。第２の大気開放処理では，リリーフバルブＶ４を開いた時点ｔ_３２で大気開放終了となり，この時点からゲートバルブ１５２の開放指示の受付が可能となる。その後，ゲートバルブ１５２の開放指示の有無に拘らず，所定時間Ｔ_３２経過後に制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止する。

次に，ステップＳ３４０にてリリーフバルブを開いた時点ｔ_３２からパージ終了時間Ｔ_３２が経過したか否かを判断する。ステップＳ３４０にてパージ終了時間Ｔ_３２が経過していないと判断した場合は，ステップＳ４１０にてゲートバルブ１５２の開放指示があったか否かを判断する。

ステップＳ４１０にて未だゲートバルブ１５２の開放指示がないと判断した場合は，ステップＳ３４０の処理に戻り，ゲートバルブ１５２の開放指示がないまま，ステップＳ３４０にてパージ終了時間Ｔ_３２が経過したと判断した場合は，ステップＳ３５０にて制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止する。

その後，ステップＳ３６０にてゲートバルブ１５２の開放指示があったと判断した場合は，その開放指示を受付した上で，ステップＳ３７０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_３３の経過待ちとなる。ステップＳ３７０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_３３が経過したと判断した場合は，ステップＳ３８０にてゲートバルブ１５２を開放する。ゲートバルブ１５２を開放すると，ステップＳ３９０にて酸排気バルブＶ８を開いて，腐食性ガスなどの排気を行って一連の大気開放処理を終了する。

これに対して，パージ終了時間Ｔ_３２が経過していない状態で，ステップＳ４１０にてゲートバルブ１５２の開放指示があったと判断した場合は，その開放指示を受付した上で，ステップＳ４２０にて制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止し，ステップＳ３７０の処理に移り，ステップＳ３７０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_３３が経過したと判断した場合は，ステップＳ３８０にてゲートバルブ１５２を開放し，ステップＳ３９０にて酸排気バルブＶ８を開いて腐食性ガスなどの排気を行って一連の大気開放処理を終了する。

このように，従来の第２の大気開放処理では，パージ終了時間Ｔ_３２の間にゲートバルブ１５２の開放指示がなかった場合は，パージ終了時間Ｔ_３２の経過後に制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止する。これに対して，パージ終了時間Ｔ_３２の間にゲートバルブ１５２の開放指示があった場合は，その時点で制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止する。これにより，第１の大気開放処理よりも早くゲートバルブ１５２を開放することができる。

また，従来の第２の大気開放処理においても，第１の大気開放処理と同様に，ロードロック室１５０が大気開放状態になった後に，パージガスを導入してロードロック室１５０内の圧力を搬送室１３０よりも若干高めにすることにより，外気の流れ込みを防止することができる。これにより，例えば外気に含まれる水分等のコンタミネーションの流れ込みを防止することができるので，ウエハに対するクロスコンタミネーションを防止することができる。

ところが，従来の第２の大気開放処理においては，従来の第１の大気開放処理に比べれば制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じるタイミングが早くなる場合があるものの，大気圧状態になった時点ｔ_３１から少なくとも所定時間Ｔ_３１が経過してリリーフバルブＶ４が開放されてからでないと，ゲートバルブ１５２の開放指示を受付けることができないので，その後パージガスを停止するまでには，ロードロック室１５０の圧力は，搬送室１３０よりも必要以上に高くなり過ぎる傾向がある。この点で，ゲートバルブ１５２を開放したときに衝撃波や急激な対流が発生し，パーティクルの巻上げなどが発生するという従来の第１の大気開放処理と同様の問題がある。

また，従来の第２の大気開放処理においても，ゲートバルブ１５２が開放される前には未だ酸排気バルブＶ８は閉じているため，リリーフバルブＶ４を開いた時点で大気と連通することにより，例えばリリーフ管１８３が搬送室１３０と連通している場合等には，ロードロック室へ残留している腐食性ガスが搬送室１３０内に流れ込んでしまう虞がある。この点で，例えば搬送室１３０内の機構部品が腐食するという従来の第１の大気開放処理と同様の問題もある。

そこで，本実施形態における大気開放処理では，第２の大気開放処理においても制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じるタイミングと酸排気バルブＶ８を開くタイミングを自由に設定することができるようにする。これにより，例えばロードロック室１５０が大気圧状態になった時点で制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスを停止し，酸排気バルブＶ８を開くようにすることもできる。これにより，必要以上にロードロック室１５０の圧力が上昇することを防止でき，しかもロードロック室１５０に残留する腐食性ガスをゲートバルブ１５２の開放を待たずに前もって排気することができる。

（第２の大気開放処理に本発明を適用した場合の具体例）
次に，上述したような第２の大気開放処理に本発明を適用した場合の具体例について説明する。ここでは，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点で制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスを停止し，酸排気バルブＶ８を開くようにした場合を図９及び図１０を参照しながら説明する。図９は，第２の大気開放処理に本発明を適用した場合における制御部が行う大気開放処理のフローチャートである。図１０は図９に示す処理における各バルブの制御状態を示す図である。図１０では，図４の場合と同様に，各バルブが開状態か閉状態かを折れ線グラフで示すものであり，各折れ線グラフが重なる場合は見やすいようにずらしてある。

本実施形態にかかる大気開放処理は，プログラムに基づいて制御部１８０により次のように行われる。すなわち，図９及び図１０に示すように，先ずステップＳ５１０にて図２に示す制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を開いて例えばＮ_２ガスなどの不活性ガスをパージガスとしてロードロック室１５０へ導入する。次いで，ステップＳ５２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったか否かを判断する。この大気圧状態になったか否かについては，図３に示すステップＳ１２０の場合と同様である。

ステップＳ５２０にてロードロック室１５０が大気圧状態になったと判断した場合は，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点ｔ_４１で例えばこれと同時に，ステップＳ５３０にて図１０に示すように制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスの導入を停止するとともに，ステップＳ５４０にて酸排気バルブＶ８を開いてロードロック室１５０に入り込んだ腐食性ガスなどの排気を早期に開始する。

その後，ステップＳ５５０にて図１０に示すように大気圧状態になった時点ｔ_４１から所定時間Ｔ_４１経過後にリリーフバルブＶ４を開いてロードロック室１５０内を大気と連通させる。

次に，ステップＳ５６０にてリリーフバルブを開いた時点ｔ_４２から調整ディレイ時間Ｔ_４２が経過したか否かを判断する。この調整ディレイ時間は，図７及び図８に示す従来のシーケンスと同時期にゲートバルブ１５２を開放可能とするためである。これにより，図１０に示すロードロック室１５０が大気開放状態になった時点ｔ_４１からゲートバルブ１５２を開放する時点までの時間を，図８に示すロードロック室１５０が大気開放状態になった時点ｔ_３１からゲートバルブ１５２を開放する時点までの時間と同じにすることができるので，従来の他の搬送シーケンスを変えることなく，本発明にかかる大気開放処理を適用することができる。なお，この調整ディレイ時間経過待ちの処理は必ずしも必要ない。この処理を省略することにより，従来よりも早くゲートバルブ１５２を開放することもできる。これにより，全体の搬送シーケンスを早くすることができる。

そして，ステップＳ５６０にて調整ディレイ時間Ｔ_４２が経過していないと判断した場合は，ステップＳ６００にてゲートバルブ１５２の開放指示があったか否かを判断する。ステップＳ６００にて未だゲートバルブ１５２の開放指示がないと判断した場合は，ステップＳ５６０の処理に戻り，ゲートバルブ１５２の開放指示がないまま，ステップＳ５６０にて調整ディレイ時間Ｔ_４２が経過したと判断した場合は，ステップＳ５７０にてゲートバルブ１５２の開放指示があったか否かを判断する。

その後，ステップＳ５７０にてゲートバルブ１５２の開放指示があったと判断した場合は，その開放指示を受付した上で，ステップＳ５８０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_４３の経過待ちとなる。ステップＳ５８０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_４３が経過したと判断した場合は，ステップＳ５９０にてゲートバルブ１５２を開放して，一連の大気開放処理を終了する。

これに対して，調整ディレイ時間Ｔ_４２が経過していない状態で，ステップＳ６００にてゲートバルブ１５２の開放指示があったと判断した場合は，その開放指示を受付した上で，ステップＳ５８０の処理に移り，ステップＳ５８０にて大気開放終了ディレイ時間Ｔ_４３が経過したと判断した場合は，ステップＳ５９０にてゲートバルブ１５２を開放して，一連の大気開放処理を終了する。

このように，本発明を第２の大気開放処理に適用した場合においては，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点で直ぐに制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じるといった簡単なシーケンスの変更によって，必要以上にロードロック室１５０の圧力が上昇することを防止することができる。これにより，ゲートバルブ１５２を開放する際の衝撃波や急激な対流の発生を抑制することができるので，パーティクルの巻上げなどを防止することができる。

さらにゲートバルブ１５２の開放を待たずに，早期に酸排気バルブＶ８を開くことによってロードロック室１５０に残留する腐食性ガスを前もって排気することができるので，その後にリリーフバルブＶ４が開いてもリリーフバルブＶ４を介して腐食性ガスが搬送室１３０などに流れ込むことを防止でき，これにより例えば搬送室１３０内の機構部品が腐食することも防止できる。

なお，本発明による図５及び図９に示す大気開放処理においては，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点で同時に，制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてパージガスを停止し，酸排気バルブＶ８を開くようにした場合を例に挙げたが，必ずしもこれに限定されるものではない。本発明では，制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じるタイミングと酸排気バルブＶ８を開くタイミングを自由に設定できるようにしたことから，これらのタイミングの設定によっては，制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じてから多少時間をずらして酸排気バルブＶ８を開くようにすることも可能であり，またロードロック室１５０が大気圧状態になってから多少時間をずらして制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じて酸排気バルブＶ８を開くようにすることも可能である。これらのタイミングは，ゲートバルブ１５２を開放した際にロードロック室１５０内でパーティクルの巻き上げが発生しない程度に，パージガスの導入や排気のタイミングによってロードロック室１５０内の圧力が大気圧よりも高くなりすぎないように設定することが好ましい。

（酸排気バルブを開く際の逆流検知処理）
次に，本発明にかかる大気開放処理において，酸排気バルブを開く際に行われる逆流検知処理について図面を参照しながら説明する。本発明では，図５及び図９に示すように，ロードロック室１５０が大気圧状態になった時点，すなわち未だリリーフバルブＶ４やゲートバルブ１５２が開放されていない早期の段階で，制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じて酸排気バルブＶ８を開くようにしている。このため，酸排気管１８６に瞬間的に逆流が生じる虞もあるが，このような逆流は一定時間が経過すれば収るものである。

しかしながら，逆流検知手段例えばマノスタゲージ１９２によって酸排気管１８６に逆流が検知されると，ブザーなどで報知される。また，逆流発生時のエラー処理によっては酸排気バルブＶ８が強制的に閉じてしまう虞もある。

そこで，本発明では，酸排気バルブＶ８を開く際に，例えば図１１に示すような逆流検知処理を行って，酸排気管１８６に瞬間的に逆流が検知されても，所定時間内に収ればエラー処理は行わないようにする。

図１１に示す逆流検知処理においては，酸排気バルブＶ８を開く際にステップＳ７１０にて逆流検知手段例えばマノスタゲージ１９２により酸排気管１８６に逆流を検知したか否かを判断する。ステップＳ７１０にて逆流を検知していないと判断した場合は，ステップＳ７２０にて所定時間例えば３秒が経過したか否かを判断し，所定時間が経過していないと判断した場合はステップＳ７１０に戻り，所定時間内に逆流を検知しないでステップＳ７２０にて所定時間が経過したと判断した場合は，逆流検知処理を終了する。この所定時間は，酸排気管１８６に瞬間的に逆流が発生しても収る時間を予め実験して，その実験結果に基づいて設定してもよい。但し，基板処理装置によってもばらつきがあるので，この逆流を検知する所定時間は，自由に設定できるようにしてもよい。具体的には例えば０〜１０秒の間で所望の時間を設定できるようにしてもよい。

これに対して，ステップＳ７１０にて逆流を検知したと判断した場合は，ステップＳ７３０にて所定時間が経過したか否かを判断し，ステップＳ７３０にて所定時間が経過していないと判断した場合はステップＳ７１０に戻って所定時間が経過するまで逆流を検知する。そして，ステップＳ７３０にて所定時間が経過したと判断した場合は，ステップＳ７４０にて逆流が収ったか否かを判断する。例えば所定時間を経過した時点で逆流を検知しなくなった場合には逆流が収ったと判断する。これに対して所定時間を経過した時点で未だ逆流を検知している場合には逆流が収っていないと判断する。

ステップＳ７４０にて逆流が収ったと判断した場合は逆流検知処理を終了し，逆流が収っていないと判断した場合はステップＳ７５０にてエラー処理を行う。このエラー処理としては例えばブザーなどによる報知処理を行うとともに，酸排気バルブＶ８を強制的に閉じる処理を行う。

このような逆流検知処理を行うことによって，酸排気管１８６に瞬間的に逆流が検知されても，所定時間内に収ればエラー処理は行わないので，本発明のようにゲートバルブ１５２が開放される前に早期に酸排気バルブＶ８を開くようにしても，酸排気管１８６に瞬間的に逆流が発生しただけで酸排気バルブＶ８が閉じてしまうような実施上の不都合を回避できる。

（パーティクル巻上げ現象の検証）
上述したように，本実施形態にかかるロードロック室の大気圧開放処理を図１に示すような基板処理装置に適用すれば，パージバルブや酸排気バルブの開閉タイミングを調整することにより，ロードロック室と搬送室との間の圧力差をゲートバルブ開放の際に，パーティクルの巻き上げが起らない程度に調整することができる。

このようなパーティクルの巻き上げという現象は，搬送室とロードロック室との間や，処理室とロードロック室との間のように，圧力差のあるチャンバ間のゲートバルブを開放する際に生じる衝撃波による急激な流れや，衝撃波までには至らない対流が主な要因となっている。例えば衝撃波が発生すると，この衝撃波が瞬時にチャンバ内に伝搬して急激な流れが生じることにより，例えばチャンバ壁に付着しているパーティクルが剥離し，パーティクルの巻き上げが発生する。

この衝撃波は，各チャンバ間の圧力差の大きさなど一定条件を満たすと発生するものである。従って，各チャンバ間の圧力差によっては，衝撃波によるパーティクルの巻き上げが発生する可能性が高くなる。

ここで，チャンバ間の圧力差がパーティクルの巻き上げにどのように影響するかについて実験を行った場合の結果を図面を参照しながら説明する。ここでは，例えば図１に示すような処理室１４０とロードロック室１５０との間に様々な圧力差を与えて，ゲートバルブ１４４を開いたときに，処理室１４０で巻上がるパーティクルの量を検出する実験を行った。

先ず，本実験で使用したパーティクル量検出装置について説明する。図１２は，処理室１４０に設けるパーティクル量検出装置の構成例を示しており，図１２（ａ）は斜視図であり，図１２（ｂ）は断面図である。図１２（ａ）に示すように，パーティクル量検出装置は，例えばレーザ光照射装置などのレーザ光源２１０と，スリット２２０，２３０と，レーザ光源２１０のレーザ光を消光する消光装置２４０と，例えばＣＣＤカメラなどの受光手段２５０を備える。処理室１４０の壁部の一部には石英などを取付けて光が透過するように構成した窓部１４８を設ける。この窓部１４８は，図１２（ｂ）に示すように，レーザ光源２１０からのレーザ光が処理室１４０内を透過できるような対向位置に設けるとともに，受光手段２５０が処理室１４０内のパーティクルによる散乱光を受光可能な位置に設ける。

レーザ光源２１０からのレーザ光は，スリット２２０を介して１つの窓部１４８から処理室１４０へ入射し，処理室１４０内を透過して，対向する窓部１４８及びスリット２３０を介して消光装置２４０へ入射する。このとき生じるパーティクルによる散乱光をもう一つの窓部１４８を介して受光手段２５０により観察する。

このような実験装置を用い，処理室１４０内のガス供給部１４６の下面にパーティクルパウダーを付着させ，ロードロック室１５０と処理室１４０との圧力を種々変えて，ゲートバルブ１４４を開いたときのパーティクル飛散の有無を受光手段２５０で観察し，複数回繰り返し試行を行ってパーティクルの飛散確率を調べた。その実験結果を図１３に示す。図１３では，横軸にロードロック室１５０の圧力をとるとともに，縦軸にパーティクルの飛散確率をとって，ロードロック室１５０の各圧力ごとに処理室１４０の圧力を図１３の右上欄に記載した圧力の範囲内で設定して得られたパーティクルの飛散確率をそれぞれプロットしたものである。

図１３に示す実験結果によれば，右上欄の処理室１４０内の圧力をＰ１，横軸のロードロック室の圧力をＰ２とすると，例えばＰ１が０．１ｍＴｏｒｒの場合には，Ｐ２が１２５ｍＴｏｒｒくらいからパーティクルが飛散し始めて，Ｐ１の圧力の上昇とともに飛散確率が高くなり，略１７５ｍＴｏｒｒ以上では，１００％の確率でパーティクルが飛散している。Ｐ１が１４ｍＴｏｒｒの場合には，Ｐ２が１００ｍＴｏｒｒくらいからパーティクルが飛散し始めて，Ｐ１の圧力の上昇とともに飛散確率が高くなり，略２７５ｍＴｏｒｒ以上では，１００％の確率でパーティクルが飛散している。

また，例えばＰ１が１００ｍＴｏｒｒの場合には，Ｐ２が２２５ｍＴｏｒｒくらいからパーティクルが飛散し始めて，Ｐ１の圧力の上昇とともに飛散確率が高くなり，略４５０ｍＴｏｒｒ以上では，１００％の確率でパーティクルが飛散している。Ｐ１が２００ｍＴｏｒｒの場合には，Ｐ２が４００ｍＴｏｒｒくらいからパーティクルが飛散し始めて，Ｐ１の圧力の上昇とともに飛散確率が高くなり，略５２５ｍＴｏｒｒ以上では，１００％の確率でパーティクルが飛散している。

こうして，各チャンバ間の圧力差と飛散確率と各圧力との関係を見ていくと，Ｐ１，Ｐ２の圧力比（Ｐ２／Ｐ１）が２倍以上になるとパーティクルが飛散し，圧力比が大きくなるほどパーティクルの飛散確率も大きくなることがわかる。一方，Ｐ１，Ｐ２がともに小さいほどパーティクルが飛散し難く，さらにＰ１，Ｐ２がともに略１００ｍＴｏｒｒ以下であれば，たとえ圧力比が２倍以上になっても，パーティクルが飛散しないことがわかる。

このようなチャンバ間の圧力差とパーティクル飛散との関係は，処理室１４０とロードロック室１５０場合に限られず，例えばロードロック室１５０と搬送室１３０の場合のように，いずれのチャンバ間でも圧力差がある場合には同様の関係があるといえる。

以上のように，チャンバ間の圧力比が２倍以上のときにゲートバルブを開放すると，衝撃波が発生し，その衝撃波がチャンバ内に伝搬することにより，チャンバ内のパーティクルが飛散することがわかる。このことは，衝撃波は圧力比が２倍のときに発生し，その衝撃波の大きさは圧力比に依存するという理論とも一致する。これに対して，チャンバ間の圧力差がともに略１００ｍＴｏｒｒ以下であれば，たとえ圧力比が２倍以上になっても，パーティクルが飛散しない。

従って，本実施形態にかかるロードロック室１５０の大気圧開放処理において，ロードロック室１５０と搬送室１３０との圧力差がともに略１００ｍＴｏｒｒ以下となるようにパージバルブや酸排気バルブの開閉タイミングを制御すれば，ゲートバルブ開放の際におけるパーティクルの巻上げを防止できる。また，ロードロック室１５０と搬送室１３０との圧力差がともに略１００ｍＴｏｒｒ以上となっても，その圧力比が２倍以上とならないようにパージバルブや酸排気バルブの開閉タイミングを制御すれば，衝撃波の発生を防止することができるので，衝撃波によるパーティクルの巻上げを防止できる。

なお，上記実施形態では，本発明をロードロック室１５０の大気開放時におけるパージバルブの開閉タイミングの制御について適用した場合について説明したが，上記ロードロック室に限られず，ゲートバルブを開く前にＮ_２などのパージガスを導入して圧力調整を行うチャンバであれば，本発明によるパージバルブの開閉タイミングの制御を適用することができる。

また，チャンバ間のゲートバルブ開放の際に生じる衝撃波については，後述するラバルノズルなどで構成される衝撃波抑止機構をチャンバ間に設けることによっても，抑止することができる。

（衝撃波抑止機構を備えた基板処理装置の具体例）
以下，このような衝撃波抑止機構を備えた基板処理装置の具体例について図面を参照しながら説明する。図１４は，図１に示す基板処理装置のロードロック室１５０と処理室１４０との間に衝撃波抑止機構を設けた場合の構成例を示す。

具体的には，図１４に示す衝撃波抑止機構は次のように構成される。ロードロック室１５０と処理室１４０との間には，それぞれの内部を連通する連通管（バイパスライン）３４０が接続されている。そして，連通管３４０の途中にこの連通管３４０を開閉する制御バルブ３５０と，所定の絞りが形成された衝撃波伝搬防止手段３６０とが設けられる。衝撃波伝搬防止手段３６０は，制御バルブ３５０により連通管３４０が開放されたときに発生する衝撃波の伝搬を防止するためのものであり，例えば所定の絞りを有し，衝撃波を定常波として立たせて伝搬を防止するものが考えられる。

この場合，連通管３４０の制御バルブ３５０は圧力が高い方のチャンバ側に設け，衝撃波伝搬防止手段３６０は圧力が低い方のチャンバ側に設ける。これは，衝撃波は圧力の低いチャンバで発生するので，衝撃波の伝搬を効率よく防止するためである。図１４に示す例では，処理ガスとして例えばＨＣｌなどの腐食ガスを使用する場合は，その腐食ガス雰囲気がロードロック室１５０に進入しないように，ロードロック室１５０の圧力を処理室１４０よりも高くすることが多いので，連通管３４０の制御バルブ３５０はロードロック室１５０側，例えば連通管３４０を構成する配管３４２に設けられ，衝撃波伝搬防止手段３６０は処理室１４０側，例えば連通管３４０を構成する配管３４２，３４４の間に設けられる。

衝撃波伝搬防止手段３６０としては，衝撃波の伝搬を防止することができるものであれば，絞りを有するノズルなど様々なものが適用可能である。このような衝撃波伝搬防止手段３６０は，例えば図１５に示すようなラバルノズル（De Laval Nozzle）で構成する。ラバルノズルは，図１５に示すように，絞りを有するノズルであり，具体的には縮小部３６２，喉部３６４，拡大部３６６より構成される。また，衝撃波伝搬防止手段３６０は，図１６に示すように絞りを有し，絞りの両側が拡大部よりなるノズルで構成してもよい。その他，衝撃波伝搬防止手段３６０は，衝撃波の伝搬を防止できれば上記の構成に限定されるものではなく，例えば連通管３４０にオリフィスや多孔質セラミック，多孔質カーボン等のフィルタを設けて構成してもよい。

図１４に示すような衝撃波伝搬防止手段３６０を設けた基板処理装置においては，ゲートバルブ１４４を開放する際に，ゲートバルブ１４４の開放に先立って，制御バルブ３５０により連通管３４０が開放される。このとき，処理室１４０とロードロック室１５０との間の圧力差によっては，連通管３４０内に衝撃波が発生する。ところが，衝撃波は衝撃波伝搬防止手段例えばラバルノズルにより連通管３４０内に定在する。これにより，衝撃波が処理室１４０へ伝搬することを防止でき，処理室１４０内でパーティクルの巻上げが発生することを防止できる。

しかも，連通管３４０の開放により処理室１４０とロードロック室１５０が連通管３４０を介して連通するので，処理室１４０とロードロック室１５０との間の圧力差を十分に少なくすることができる。そして，処理室１４０とロードロック室１５０との間の圧力差が，衝撃波が発生しない程度の圧力差になったところで，ゲートバルブ１４４を開放する。こうすることにより，ゲートバルブ１４４を開放しても衝撃波が発生しないため，衝撃波によるパーティクル巻上げを確実に防止できる。

このように，チャンバ間に連通管３４０を設け，その連通管３４０内に衝撃波伝搬防止手段３６０を設けるという簡単な構成で，たとえ連通管３４０内に衝撃波が発生してもその衝撃波を定在波として立たせることができるので，ゲートバルブ１４４を開くときのみならず，連通管３４０を開くときにも，衝撃波によるパーティクルの巻上げを効果的に防止できる。また，図１４に示す基板処理装置によれば，パーティクルで汚染され易い処理室１４０への衝撃波の伝搬を防止できるため，基板へのパーティクル汚染をより効果的に防止できる。

（衝撃波抑止機構を備えた基板処理装置の変形例）
次に，衝撃波抑止機構を備えた基板処理装置の変形例について図面を参照しながら説明する。図１７は，衝撃波抑止機構を備えた基板処理装置の変形例の構成を示す概略図である。ここでは，腐食ガスを処理ガスとして使用する基板処理装置に衝撃波抑止機構を適用する場合について説明する。

処理室１４０において腐食ガスを処理ガスとして用いる場合は，連通管３４０を腐食ガスから保護するため，例えば図１７に示すように構成される。すなわち，連通管３４０には，配管３４２に設けられる制御バルブ３５０に加えて，衝撃波伝搬防止手段３６０よりも処理室１４０側の配管３４４にも制御バルブ４３０が設けられる。さらに，この連通管３４０の配管３４４のうち，衝撃波伝搬防止手段３６０と制御バルブ４３０との間に，排気管４２０が接続される。そして，この排気管４２０には，制御バルブ４４０が設けられており，排気管４２０は連通管３４０内を真空引きするドライポンプなどの真空ポンプ４１０へ接続される。

図１７に示すような基板処理装置においては，ゲートバルブ１４４を開放する際に，その開放に先立って次のような処理が行われる。先ず，連通管３４０の両方の制御バルブ３５０，４３０が共に閉じているときに，連通管３４０が真空ポンプ４１０により真空引きされる。これにより，連通管３４０内に残留する処理ガスが排気される。このとき，連通管３４０の方が処理室１４０よりも圧力が低くなるようにする。

次いで，両方のチャンバのうち圧力が低い方のチャンバ（図１７に示す場合は処理室１４０）側の制御バルブ４３０が開放される。このとき，連通管３４０と処理室１４０との圧力差によっては衝撃波が発生する。ところが，連通管３４０は既に真空引きされて処理室１４０よりも圧力が低くなっているため，衝撃波は連通管３４０で生じるので処理室１４０内では衝撃波によるパーティクル巻上げが発生することはないので，基板も汚染されない。なお，ロードロック室１５０側の制御バルブ３５０は閉じているので，制御バルブ４３０を開いたときに発生する衝撃波はロードロック室１５０へ伝搬することもない。これにより，連通管３４０の制御バルブ４３０を開放しても，ロードロック室１５０に衝撃波によるパーティクル巻上げが発生することもない。

続いて，ロードロック室１５０側の制御バルブ３５０が開放される。このとき，ロードロック室１５０と処理室１４０との圧力差によっては，圧力の低いロードロック室１５０側の連通管３４０で衝撃波が発生する。ところが，衝撃波は衝撃波伝搬防止手段例えばラバルノズルにより連通管３４０内に定在するため，処理室１４０へは伝搬しない。これにより，処理室１４０内では衝撃波によるパーティクル巻上げが発生することはないので，基板も汚染されない。

なお，このような処理は，衝撃波の大きさがチャンバ間の圧力比に比例することに鑑みれば，チャンバ間の圧力比が大きくなりすぎないように両方のチャンバの圧力を判断した上で実行されることが望ましい。

また，連通管３４０の真空引きは，処理室１４０から基板の搬出が終了してゲートバルブ１４４が閉じられた後に，処理室１４０内を真空引きするときに同時に行ってもよい。すなわち，処理室１４０内を真空引きする際に処理室１４０側の制御バルブ４３０を開放すれば，処理室１４０内を真空引きする真空ポンプの作用によって，処理室１４０内のみならず，連通管３４０内も真空引きすることができる。これによれば，連通管３４０内を真空引きする排気管４２０や真空ポンプ４１０を不要とすることができる。

さらに，図１４及び図１７に示す例では，圧力差のあるチャンバ間として処理室１４０とロードロック室１５０との間に衝撃波抑止機構を設けた場合について説明したが，これに限られることはなく，様々なチャンバ間に衝撃波抑止機構を設けてもよい。例えばロードロック室１５０と搬送室１３０との間に衝撃波抑止機構を設けてもよい。

（基板処理装置の他の構成例）
次に，本発明を適用可能な基板処理装置の他の構成例について説明する。例えば本発明は，図１に示す基板処理装置に限られず，様々な基板処理装置に適用できる。図１８には，真空処理ユニットがマルチチャンバで構成される基板処理装置の概略構成を示す。

図１８に示す基板処理装置５００は，被処理基板例えば半導体ウエハＷに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う複数の処理室５４０を有する真空処理ユニット５１０と，この真空処理ユニット５１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット１２０の構成は，図１とほぼ同様であるため，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図１８に示す搬送ユニット１２０は，搬送室１３０内に配設される共通搬送機構（大気側搬送機構）１６０を１つのピックを備えるシングルアーム機構で構成した例である。共通搬送機構１６０が固定される基台１６２は，搬送室１３０内の中心部を長さ方向に沿って設けられた案内レール１６４上にスライド移動可能に支持されている。この基台１６２と案内レール１６４にはそれぞれ，リニアモータの可動子と固定子とが設けられている。案内レール１６４の端部には，このリニアモータを駆動するためのリニアモータ駆動機構１６６が設けられている。リニアモータ駆動機構１６６には，制御部１８０が接続されている。これにより，制御部１８０からの制御信号に基づいてリニアモータ駆動機構１６６が駆動し，共通搬送機構１６０が基台１６２とともに案内レール１６４に沿って矢印方向へ移動するようになっている。

図１８では，例えば６つの処理室５４０Ａ，５４０Ｂ，５４０Ｃ，５４０Ｄ，５４０Ｅ，５４０Ｆを有する真空処理ユニット５１０を搬送ユニット５２０の側面に配設したものを示す。真空処理ユニット５１０は，６つの処理室５４０Ａ〜５４０Ｆにウエハを搬出入する共通搬送室５５０を備え，この共通搬送室５５０の周りに各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆがそれぞれゲートバルブ５１２Ａ，５１２Ｂ，５１２Ｃ，５１２Ｄ，５１２Ｅ，５１２Ｆを介して配設されている。また，共通搬送室５２０には，真空引き可能に構成された第１，第２ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎがそれぞれゲートバルブ５６４Ｍ，５６４Ｎを介して配設されている。これら第１，第２ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎは，それぞれゲートバルブ５６２Ｍ，５６２Ｎを介して搬送室１３０の側面に接続されている。

このように，上記共通搬送室５５０と上記６つの各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆとの間及び上記共通搬送室５５０と上記各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され，クラスタツール化されており，必要に応じて共通搬送室５５０内と連通可能になっている。また，上記第１及び第２の各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎと上記搬送室１３０との間も，それぞれ気密に開閉可能に構成されている。

上記各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆは，ウエハＷに対して例えば同種の処理または互いに異なる異種の処理を施すようになっている。各処理室５４０Ａ，５４０Ｂ内には，ウエハＷを載置するための載置台５４２Ａ，５４２Ｂ，５４２Ｃ，５４２Ｄ，５４２Ｅ，５４２Ｆがそれぞれ設けられている。なお，処理室５４０は６つに限定されるものではなく，さらに追加して設けてもよい。

上記ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有している。上記ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎは，さらに冷却機構や加熱機構を有するように構成してもよい。なお，ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎのガス配管構成はそれぞれ，図２に示すものと同様である。

共通搬送室５５０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる搬送機構（真空側搬送機構）５７０が設けられている。この搬送機構５７０は基台５７２に回転自在に支持されている。基台５７２は，共通搬送室５５０内の基端側から先端側にわたって配設された案内レール５７４上を例えばアーム機構５７６によりスライド移動自在に構成されている。このように構成された搬送機構５７０によれば，搬送機構５７０を案内レール５７４に沿ってスライド移動させることにより，各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎ及び各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆにアクセス可能となる。例えば，上記各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎ及び対向配置された処理室５４０Ａ，５４０Ｆにアクセスする際には，搬送機構５７０を案内レール５７４に沿って共通搬送室５５０の基端側寄りに位置させる。また，上記６つの処理室５４０Ｂ〜５４０Ｅにアクセスする際には，搬送機構５７０を案内レール５７４に沿って共通搬送室５５０の先端側寄りに位置させる。これにより，１つの搬送機構５７０により，共通搬送室５５０に接続されるすべてのロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎや各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆにアクセス可能となる。搬送機構５７０は，２つのピックを有しており，一度に２枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。

なお，搬送機構５７０の構成は上記のものに限られず，２つの搬送機構によって構成してもよい。例えば共通搬送室５５０の基端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第１搬送機構を設けるとともに，共通搬送室５５０の先端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第２搬送機構を設けるようにしてもよい。また，上記搬送機構５７０のピックの数は，２つの場合に限られることはなく，例えば１つのみのピックを有するものであってもよい。

図１８に示すような基板処理装置５００における搬送ユニット１２０の搬送室１３０とロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎとの間でゲートバルブ５６２Ｍ，５６２Ｎを開放する際にも，その開放に先立って，図１に示す基板処理装置と同様にロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎへパージガスを導入しつつ大気開放を行う大気開放処理が行われる。従って，このようなロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎの大気開放処理においても，本発明の場合と同様に制御バルブ（パージバルブ）Ｖ１を閉じるタイミングと酸排気バルブＶ８を開くタイミングを自由に設定できるようにすることができ，例えば図５又は図９に示す大気開放処理を適用することができる。

これにより，必要以上にロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎの圧力が上昇することを防止できるのでパーティクルの巻上げを防止することができ，しかもロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎに残留する処理ガス例えば腐食ガスなどをゲートバルブ５６２Ｍ，５６２Ｎの開放を待たずに前もって排気することができる。

また，共通搬送室５５０と各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆとの間でゲートバルブ５４４Ａ〜５４４Ｆを開放する際にも，各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆから共通搬送室５５０へ腐食ガスなどの処理ガスが流入することを防止する目的で，共通搬送室５５０へパージガスの導入することにより，共通搬送室５５０の圧力を各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆよりもわずかに高くすることが多い。このため，共通搬送室５５０と各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆとの間でも圧力差が生じるため，その圧力差の大きさによっては衝撃波が発生しパーティクルの巻上げが発生する。従って，共通搬送室５５０の圧力を各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆとの間に，例えば図１４又は図１７に示すような衝撃波抑止機構を設けることにより，図１に示す基板処理装置１００の場合と同様に，衝撃波によるパーティクル巻上げを確実に防止することができる。

（チャンバのセルフチェック処理）
なお，上述したような図１又は図１８に示す処理室１４０，５４０やロードロック室１５０，５６０などの各チャンバでは，主として定期メンテナンスの作業効率の向上，作業時間の短縮化等を目的として，真空ポンプにより真空引き（排気）を行う真空系と，処理ガスやパージガスなどの所定のガスを供給するガス系についてチェックするセルフチェック処理を行う場合がある。

このようなセルフチェック処理の具体例を図面を参照しながら説明する。図１９は，処理室１４０，５４０におけるセルフチェック機能にかかる処理の一般的な例を示すフローチャートである。先ずステップＳ８１０にて真空系により真空引きを行う。例えば真空ポンプなどを作動して真空排気バルブを開き，処理室１４０，５４０内を真空引きし，ステップＳ８２０にてガス系の例えば処理ガス導入管などに配設されるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）が安定するのを待つ。

そして，ステップＳ８２０にてＭＦＣ安定待ち時間を経過したと判断した場合は，ステップＳ８３０にて所定のガス（例えば処理室１４０，５４０のセルフチェックの場合は処理ガス）を導入して，処理室１４０，５４０に設けられた隔膜真空計例えばキャパシタンスマノメータによって圧力を監視しつつ，所定圧力まで圧力を上昇させる（ビルドアップ）。このように，処理ガスを導入する際は，広範囲で圧力を測定可能な隔膜真空計によって圧力を監視する。隔膜真空計は，薄い金属膜を使い静電容量の変化で圧力を測定するものであり，一般に１０^−４Ｔｏｒｒ〜１０^２Ｔｏｒｒ程度の範囲で圧力測定が可能である。隔膜真空計は，例えば真空計容器内を薄い金属膜で区分けし，金属膜の一方側は密閉されて真空状態になっており，金属膜の他方側は処理室に連通するように取付けられる。

次いで，ステップＳ８４０にて真空系の例えば真空排気管に設けられる計測子を利用した真空計例えばコンベクトロン真空計によって圧力を監視しつつ，真空系により真空引きを行う。ここでは真空引きを行うので，真空排気管に配設された真空計により圧力測定を行う。計測子を利用した真空計としては，上述したコンベクトロン真空計の他に，ピラニ真空計，水晶摩擦真空計などが挙げられる。コンベクトロン真空計やピラニ真空計は，例えば白金細線で構成される測定子の温度変化を電気抵抗の変化で圧力を測定するものであり，一般に１０^−３Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度の範囲で圧力測定が可能である。また水晶摩擦真空計は，音叉形水晶振動子からなる測定子の共振状態の変化率で圧力を測定するものであり，一般に１０^−２Ｔｏｒｒ〜１０^３Ｔｏｒｒの範囲で圧力測定が可能である。水晶摩擦真空計としては，水晶摩擦真空計の機能とＢ−Ａ形電離真空計の機能を兼ね備える複合真空計として例えばクリスタルゲージが挙げられる。このような計測子を利用した真空計は，計測子を気体中に晒して圧力を測定する点に特徴がある。

次に，ステップＳ８５０，Ｓ８６０，Ｓ８７０の順にそれぞれ，上記ステップＳ８２０，Ｓ８３０，Ｓ８４０の処理と同様の処理を繰返して，一連のセルフチェック処理を終了する。

このように，図１９に示すセルフチェック処理では，ビルドアップの処理ガス導入の際（ステップＳ８３０，Ｓ８６０）には，隔膜真空計を使用して圧力を監視しているのに対して，真空引きの際（ステップＳ８４０，Ｓ８７０）には，真空系を使うため，真空排気管などに配設される計測子を利用した真空計を使用して圧力を監視している。

このような計測子を利用した真空計は，隔膜真空計とは異なり，真空排気管を流れる処理ガスに計測子を直接晒して圧力を計測するので，処理ガスに晒される時間が長いほど，隔膜真空計以上に故障や経時変化が起りやすくなる。このため，図１９に示す処理のように，実際の基板処理とは異なるセルフチェックのときまで，計測子を利用した真空計を用いると，真空計の故障等が起り易くなり，寿命が短くなってしまうという問題がある。

しかも，計測子を利用した真空計によって測定できる圧力範囲は，隔膜真空計で測定できる圧力範囲に含まれる。すなわち，計測子を利用した真空計例えばコンベクトロン真空計やピラニ真空計で測定できる圧力範囲は１０^−３Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒであり，また水晶摩擦真空計で測定できる圧力範囲は１０^−２Ｔｏｒｒ〜１０^３Ｔｏｒｒであるので，これらいずれについても隔膜真空計例えばキャパシタンスマノメータによって測定できる範囲１０^−４Ｔｏｒｒ〜１０^２Ｔｏｒｒに含まれる。このため，計測子を利用した真空計の代りに隔膜真空計で圧力を測定することも可能である。

そこで，セルフチェック処理では，計測子を利用した真空計の代りに隔膜真空計例えばキャパシタンスマノメータを使用し，計測子を利用した真空計を使用しないようにすれば，計測子を利用した真空計の故障や経時変化を防止することができる。

ここで，計測子を利用した真空計を使用しないようにしたセルフチェック処理の具体的を図２０に示す。図２０に示すセルフチェック処理では，先ずステップＳ９１０にて真空系により真空引きを行い，ステップＳ９２０にてガス系の例えば処理ガス導入管などに配設されるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）が安定するのを待つ。そして，ステップＳ９２０にてＭＦＣ安定待ち時間を経過したと判断した場合は，ステップＳ９３０にて所定のガス（例えば処理室１４０，５４０のセルフチェックの場合は処理ガス）を導入して，処理室１４０，５４０に設けられた隔膜真空計例えばキャパシタンスマノメータによって圧力を監視しつつ，所定圧力まで圧力を上昇させる（ビルドアップ）。ここまでは，図１９に示すステップＳ８１０〜Ｓ８３０までの処理と同様である。

次いで，ステップＳ９４０にて隔膜真空計（例えばキャパシタンスマノメータ）によって圧力を監視しつつ，真空系により真空引きを行う。このとき，計測子による真空計（例えばコンベクトロン真空計，ピラニ真空計，クリスタルゲージなど）が設けられている場合には，その保護バルブを閉じて，真空計内に腐食ガスなどの処理ガスが入り込まないようにする。

次に，ステップＳ９５０，Ｓ９６０，Ｓ９７０の順にそれぞれ，上記ステップＳ９２０，Ｓ９３０，Ｓ９４０の処理と同様の処理を繰返して，一連のセルフチェック処理を終了する。

このように，図２０に示すセルフチェック処理においては，ビルドアップの処理ガス導入の際（ステップＳ９３０，Ｓ９６０）のみならず，真空引きの際（ステップＳ９４０，Ｓ９７０）においても，隔膜真空計（例えばキャパシタンスマノメータ）を使用して圧力を監視する。このように，計測子を利用した真空計（例えばコンベクトロン真空計，ピラニ真空計，クリスタルゲージなど）を使用せずにセルフチェック処理を行うため，計測子を利用した真空計の故障等の確率を低減することができ，寿命を延すことができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，基板処理装置の運転方法，基板処理装置の制御方法，基板処理装置，基板処理装置の制御を行うプログラムに適用可能である。

本発明の実施形態にかかる方法を適用可能な基板処理装置の概略構成を示す図である。 図１に示すロードロック室のガス配管の概略構成を示す図である。 第１の大気開放処理の従来例を示すフローチャートである。 図３の処理において各バルブが開状態か閉状態かのタイミングを折れ線グラフで示す図である。 第１の大気開放処理に本発明を適用した場合における制御部が行う大気開放処理のフローチャートである。 図５の処理において各バルブが開状態か閉状態かのタイミングを折れ線グラフで示す図である。 第２の大気開放処理の従来例を示すフローチャートである。 図７の処理において各バルブが開状態か閉状態かのタイミングを折れ線グラフで示す図である。 第２の大気開放処理に本発明を適用した場合における制御部が行う大気開放処理のフローチャートである。 図９の処理において各バルブが開状態か閉状態かのタイミングを折れ線グラフで示す図である。 図２に示す酸排気バルブを開く際の逆流検知処理を示すフローチャートである。 パーティクル量検出装置の構成例を示す図である。 チャンバ間の圧力差とパーティクルの飛散確率との関係を示す図である。 ロードロック室と処理室との間に衝撃波抑止機構を設けた場合の構成例を示す図である。 衝撃波伝搬防止手段の例としてのラバルノズルの構成を説明する図である。 衝撃波伝搬防止手段の他の具体例の構成を説明する図である。 衝撃波抑止機構を備えた基板処理装置の変形例の構成を示す概略図である。 真空処理ユニットがマルチチャンバで構成される基板処理装置の概略構成を示す図である。 処理室におけるセルフチェック機能にかかる処理の一般的な例を示すフローチャートである。 計測子を利用した真空計を使用しないようにしたセルフチェック処理の具体的を示すフローチャートである。

符号の説明

１００ 基板処理装置
１１０（１１０Ａ，１１０Ｂ） 真空処理ユニット
１２０ 搬送ユニット
１３０ 搬送室
１３２Ａ〜１３２Ｃ カセット台
１３４Ａ〜１３２Ｃ カセット容器
１３６Ａ〜１３２Ｃ ゲートバルブ
１３７ オリエンタ
１３８ 回転載置台
１３９ 光学センサ
１４０（１４０Ａ，１４０Ｂ） 処理室
１４２（１４２Ａ，１４２Ｂ） 載置台
１４４（１４４Ａ，１４４Ｂ） ゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）
１４６ ガス供給部
１４８ 窓部
１５０（１５０Ａ，１５０Ｂ） ロードロック室
１５２（１５２Ａ，１５２Ｂ） ゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）
１５４Ａ，１５４Ｂ，１５６Ａ，１５６Ｂ バッファ用載置台
１６０ 共通搬送機構
１６２ 基台
１７０Ａ，１７０Ｂ 個別搬送機構
１７２Ａ，１７２Ｂ ピック
１８０ 制御部
１８１ パージガス供給管
１８２ 大気圧スイッチ用接続配管
１８３ リリーフ管
１８４ エア供給管
１８５ 真空排気管
１８６ 酸排気管
１９０ 真空ポンプ
１９２ マノスタゲージ
２１０ レーザ光源
２２０，２３０ スリット
２２０，２３０ スリット
２４０ 消光装置
２５０ 受光手段
３４０ 連通管
３４２，３４４ 配管
３５０ 制御バルブ
３６０ 衝撃波伝搬防止手段
４１０ 真空ポンプ
４２０ 排気管
４３０ 制御バルブ
４４０ 制御バルブ
５００ 基板処理装置
５１０ 真空処理ユニット
５１２（５１２Ａ〜５１２Ｆ） ゲートバルブ
５２０ 搬送ユニット
５４０（５４０Ａ〜５４０Ｆ） 処理室
５４２（５４２Ａ〜５４２Ｆ） 載置台
５４４（５４４Ａ〜５４４Ｆ） ゲートバルブ
５５０ 共通搬送室
５６０Ｍ，５６０Ｎ ロードロック室
５６２Ｍ，５６２Ｎ ゲートバルブ
５６４Ｍ，５６４Ｎ ゲートバルブ
５７０ 搬送機構
５７２ 基台
５７４ 案内レール
５７６ アーム機構
Ｖ１ パージバルブ（ガス導入バルブ）
Ｖ２ 制御バルブ
Ｖ３ 保護バルブ
Ｖ４ リリーフバルブ（大気開放バルブ）
Ｖ５ 制御バルブ
Ｖ６ メイン排気バルブ
Ｖ７ スロー排気バルブ
Ｖ８ 酸排気バルブ（排気バルブ）
Ｗ ウエハ

Claims (23)

1. 外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，この搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットを備え，この真空処理ユニットは，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続される真空準備室と，この真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して腐食性ガスを処理ガスとして用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室とを備える基板処理装置の運転方法であって，
   前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に，前記ゲートバルブの開放に先立って，前記真空準備室内へ不活性ガスを導入する工程と，
   前記真空準備室内が大気圧状態になると，前記不活性ガスの導入を停止し，前記真空準備室の腐食性ガス排気を開始して，その後に前記真空準備室を大気と連通することにより，大気開放を行う工程と，
   前記大気開放工程後に前記ゲートバルブを開放する工程と，
   を有することを特徴とする基板処理装置の運転方法。
2. 前記大気開放工程における前記不活性ガス導入の停止タイミングと前記腐食性ガス排気の開始タイミングは，自由に設定可能であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の運転方法。
3. 前記大気開放工程における前記不活性ガス導入の停止タイミングと前記腐食性ガス排気の開始タイミングは，前記真空準備室内が大気圧状態になると同時であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置の運転方法。
4. 前記基板処理装置は，腐食性ガス排気の逆流を検知する逆流検知手段を備え，
   前記真空準備室の腐食性ガス排気開始後に，前記逆流検知手段により排気の逆流が検知された場合に，一定時間経過後においても逆流が収っていない場合には逆流時エラー処理を行い，前記一定時間経過後に逆流が収っている場合には前記逆流時エラー処理を行わないことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置の運転方法。
5. 外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，この搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットを備え，この真空処理ユニットは，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続され，少なくとも不活性ガス導入系，腐食性ガス排気系，大気開放系を備える少なくとも１つ以上の真空準備室と，この真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して腐食性ガスを処理ガスとして用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室とを備える基板処理装置の制御方法であって，
   前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に，前記ゲートバルブの開放に先立って，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記真空準備室内へ不活性ガスを導入する工程と，
   前記真空準備室に設けられた大気圧状態検出手段により前記真空準備室内が大気圧状態になったと判断すると，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記不活性ガスの導入を停止し，前記腐食性ガス排気系の排気バルブを制御して前記真空準備室の排気を開始し，その後に前記大気開放系の大気開放バルブを制御して前記真空準備室を大気と連通することにより，大気開放を行う工程と，
   前記大気開放工程後に，前記ゲートバルブを制御して開放する工程と，
   を有することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
6. 前記大気開放工程における前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを閉じるタイミングと前記腐食性ガス排気系の排気バルブを開くタイミングは，自由に設定できることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置の制御方法。
7. 前記大気開放工程における前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを閉じるタイミングと前記腐食性ガス排気系の排気バルブを開くタイミングは，前記真空準備室内が大気圧状態になると同時であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置の制御方法。
8. 前記腐食性ガス排気系は，排気の逆流を検知する逆流検知手段を備え，
   前記腐食性ガス排気系の排気バルブを開いた後に，前記逆流検知手段により排気の逆流が検知された場合に，一定時間経過後においても逆流が収っていない場合には逆流時エラー処理を行い，前記一定時間経過後に逆流が収っている場合には前記逆流時エラー処理を行わないことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理装置の制御方法。
9. 外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，
   前記搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットと，
   前記真空処理ユニットに設けられ，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続され，少なくとも不活性ガス導入系，ガス排気系，大気開放系を備える少なくとも１つ以上の真空準備室と，
   前記真空処理ユニットに設けられ，前記真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して処理ガス用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室と，
   前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に前記ゲートバルブの開放に先立って，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記真空準備室内へ不活性ガスを導入し，前記真空準備室内が大気圧状態になると，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを制御して前記不活性ガスの導入を停止し，前記ガス排気系の排気バルブを制御して前記真空準備室の排気を開始し，その後に前記大気開放系の大気開放バルブを制御して前記真空準備室を大気と連通し，前記大気開放工程後に前記ゲートバルブを制御して開放する制御手段と，
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
10. 前記制御手段は，前記不活性ガス導入の停止タイミングと，前記真空準備室の排気開始タイミングは，自由に設定できることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記制御手段は，前記不活性ガス導入の停止タイミングと，前記真空準備室の排気開始タイミングは，前記真空準備室内が大気圧状態になると同時であることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記ガス排気系は，排気の逆流を検知する逆流検知手段を備え，
    前記制御手段は，前記ガス排気系の排気バルブを開いた後に，前記逆流検知手段により排気の逆流が検知された場合に，一定時間経過後においても逆流が収っていない場合には逆流時エラー処理を行い，前記一定時間経過後に逆流が収っている場合には前記逆流時エラー処理を行わないことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の基板処理装置。
13. 前記真空準備室と前記搬送ユニットとの間に，前記真空準備室と前記搬送ユニットとの圧力差に応じて発生する衝撃波を抑止するための衝撃波抑止機構を設けたことを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 前記真空準備室と前記真空処理室との間に，前記真空準備室と前記真空処理室との圧力差に応じて発生する衝撃波を抑止するための衝撃波抑止機構を設けたことを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
15. 前記衝撃波抑止機構は，
    前記真空準備室と前記搬送ユニット又は前記真空処理室との間を連通する連通管と，
    前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段と，
    前記衝撃波伝搬防止手段の一方側であって，圧力の高い方の真空準備室側に配設される連通管開閉バルブと，
    を備えることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の基板処理装置。
16. 少なくとも被処理基板に対して処理ガスを用いた処理を施す真空処理室を含む複数のチャンバを備え，各チャンバ間で前記被処理基板を受渡しが可能に構成された基板処理装置であって，
    前記複数のチャンバのうち，少なくとも圧力差が生じるチャンバ間には，これらチャンバ間の圧力差に応じて発生する衝撃波を抑止するための衝撃波抑止機構を設けることを特徴とする基板処理装置。
17. 前記衝撃波抑止機構は，
    前記チャンバ間を連通する連通管と，
    前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段と，
    前記衝撃波伝搬防止手段の一方側であって，圧力の高い方のチャンバ側に配設される連通管開閉バルブと，
    を備えることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
18. 前記処理ガスは，腐食性ガスであり，
    前記連通管には，前記衝撃波伝搬防止手段の他方側であって，圧力の低い方のチャンバ側にも連通管開閉バルブを設けるとともに，前記衝撃波伝搬防止手段とこの衝撃波伝搬防止手段の他方側の連通管開閉バルブとの間に前記連通管を真空引きするための真空排気手段を設けたことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
19. 前記衝撃波伝搬防止手段は，絞りを有するノズルであることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の基板処理装置。
20. 前記衝撃波伝搬防止手段は，オリフィスであることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の基板処理装置。
21. 少なくとも被処理基板に対して処理ガスを用いた処理を施す真空処理室を含む複数のチャンバを備え，各チャンバ間でゲートバルブを介して前記被処理基板を受渡しが可能に構成された基板処理装置の制御方法であって，
    前記チャンバのうち圧力差の生じるチャンバ間には，前記チャンバ間を連通する連通管と，前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段と，前記衝撃波伝搬防止手段の一方側であって，圧力の高い方のチャンバ側に配設される連通管開閉バルブとを備える前記衝撃波抑止機構を設け，
    前記ゲートバルブの開放する際，前記連通管開閉バルブを開放することにより前記連通管を通じてチャンバ間を連通させた後に，前記ゲートバルブを開放することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
22. 少なくとも被処理基板に対して腐食ガスを処理ガスとして用いた処理を施す真空処理室を含む複数のチャンバを備え，各チャンバ間でゲートバルブを介して前記被処理基板を受渡しが可能に構成された基板処理装置の制御方法であって，
    前記チャンバのうち圧力差の生じるチャンバ間には，チャンバ間を連通する連通管と，前記連通管に配設される衝撃波伝搬防止手段と，前記衝撃波伝搬防止手段の両側に配設される連通管開閉バルブと，前記衝撃波伝搬防止手段と圧力の低い方のチャンバ側の連通管開閉バルブとの間に配設された前記連通管を真空引きするための真空排気手段と備える前記衝撃波抑止機構を設け，
    前記ゲートバルブの開放に先立って，両方の前記連通管開閉バルブが閉じているときに，真空排気手段により前記連通管内を真空引きして，圧力の低い方のチャンバの圧力よりも低い圧力にしておき，
    前記ゲートバルブの開放する際，圧力の低い方のチャンバ側の連通管開閉バルブを開放した後に，圧力の高い方のチャンバ側の連通管開閉バルブを開放することによってそのチャンバ間を連通した後に，前記ゲートバルブを開放することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
23. 外部との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送ユニットと，この搬送ユニットに接続される少なくとも１つ以上の真空処理ユニットを備え，この真空処理ユニットは，前記搬送ユニットにゲートバルブを介して接続され，少なくとも不活性ガス導入系，腐食性ガス排気系，大気開放系を備える少なくとも１つ以上の真空準備室と，この真空準備室を介して搬入された被処理基板に対して腐食性ガスを処理ガスとして用いた処理を施す少なくとも１つ以上の真空処理室とを備える基板処理装置の制御を行うプログラムであって，
    コンピュータに，
    前記真空処理ユニットの真空準備室と前記搬送ユニットとの間で前記被処理基板の受渡しを行う際に，前記ゲートバルブの開放に先立って，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを開く手順と，
    前記真空準備室に設けられた大気圧状態検出手段により前記真空準備室内が大気圧状態になったと判断すると，前記不活性ガス導入系のガス導入バルブを閉じるとともに，前記腐食性ガス排気系の排気バルブを開き，その後に前記大気開放系の大気開放バルブを開くことにより，大気開放を行う手順と，
    前記ゲートバルブを開放する手順と，
    を実行させるためのプログラム。
    

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