TW201443984A - 清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置、以及記錄媒體及清洗結束判定方法 - Google Patents

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Abstract

〔課題〕提供一種技術，能以成為既定之範圍內的方式，控制表示因清洗氣體而生成的既定之氣體的濃度之信號。〔解決手段〕提供一種清洗方法，具有供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序，在前述清洗程序中，係控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。

Description

清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置、以及記錄媒體及清洗結束判定方法
本發明，係有關於在基板處理裝置中之配方控制，尤其，有關於執行維護用配方而維護之技術。
在基板處理裝置中，有在將多段地保持基板之基板保持具裝入反應爐內之狀態下，將處理氣體供給至反應爐內，而以進行對於基板保持具所保持之基板的處理之方式所構成之批式者。例如，根據專利文獻1，記載了在操作畫面上顯示維護資訊顯示畫面。藉此，能以各構件之使用次數和處理時間判斷構成基板處理裝置之構件的維護期間。
歷來，在基板處理裝置中，由於到達維護期間之各構件係與新品作交換，故會使裝置停止。然而，近年來，在裝置利用率之提升及工場內之自動化等之背景之下，逐漸極力要求如不使裝置停止的裝置運用。在縱型之批式基板處理裝置方面，亦在如此之背景之下，藉執行維護用配方，供給既定之清洗氣體而將附著於構成反應爐內 之構材(反應管和基板保持具等)的副產物除去。例如，根據專利文獻2，揭露了於反應管內供給清洗氣體，而將附著於前述反應管內壁之附著物除去。此外，根據專利文獻3，在單晶圓式之基板處理裝置方面，堆積於處理室內之堆積膜若到達閾值則執行維護用配方而將累積之堆積膜除去。
然而，供給清洗氣體之步驟時間，係預先藉計算而算出清洗結束之時間，依該算出之時間而作設定。因此，無法判定清洗是否結束。另一方面，由於若重複進行成膜處理，則產生副產物，若放置了此副產物則就這麼附著於構成裝置之各構件，對於成膜帶來不良影響，故依固定週期進行氣體清洗。
歷來，清洗之結束判定，係利用了清洗時因反應熱而發生溫度上升之現象。亦即，進行了一種方法，將清洗前的既定之溫度設為閾值，比較此閾值與既定之實測值(溫度)，藉判斷是否穩定成清洗前之狀態而判定清洗之結束。然而，在此方法中，誤差大而無法適切地進行清洗之結束判定。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本發明專利第3300816號公報
〔專利文獻2〕日本發明專利第4541739號公報
〔專利文獻3〕日本發明專利第3854157號公報
本發明係鑒於如此的實情，是提供一種技術者，能以成為既定之範圍內的方式，控制表示因清洗氣體而生成的既定之氣體的濃度之信號。
根據本發明之一態樣，提供一種清洗方法，具有供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序，在前述清洗程序中，係控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序；在前述清洗程序中，係控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
根據本發明之再另一個態樣， 提供一種基板處理裝置，供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於構成裝置之構件的附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述清洗控制部，係控制成：表示前述既定的氣體之濃度的信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
根據本發明之再另一個態樣，提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗構成裝置之構件，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述構件之附著物除去；以及控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
根據本發明之再另一個態樣，提供一種結束判定方法，係供排清洗氣體而清洗構成裝置之構件的清洗之結束判定方法，判定：表示因附著於前述構件之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍 內。
根據本發明之再另一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序；在前述清洗程序中，係判定：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
根據本發明之再另一個態樣，提供一種基板處理裝置，供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於構成裝置之構件的附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
根據本發明之再另一個態樣， 提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗構成裝置之構件，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述構件之附著物除去；測定表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號；以及判定：前述表示濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
根據本發明，由於控制能以使表示因清洗氣體而生成的既定之氣體的濃度之信號成為既定之範圍內的方式進行，故由於接著生產之基板的處理結果會穩定，使得維持了基板之品質。
1‧‧‧基板處理裝置
18‧‧‧晶圓
〔圖1〕繪示本發明之基板處理裝置的透視圖。
〔圖2〕繪示本發明之基板處理裝置的側剖面圖。
〔圖3〕繪示在本發明之基板處理裝置中之裝置控制器的構成之圖。
〔圖4〕繪示在本發明之基板處理裝置中之主控制器的構成之方塊圖。
〔圖5〕繪示在本發明之基板處理裝置中之處理系統 控制器的構成之圖。
〔圖6〕(a)在本發明之一實施形態中之維護資訊一覧畫面的圖示例。(b)在本發明之一實施形態中之維護項目設定畫面的圖示例。
〔圖7〕在本發明之一實施形態中之設定製程配方的步驟之步驟設定畫面的圖示例。
〔圖8〕在本發明之一實施形態中之設定維護用配方之配方設定畫面的圖示例。
〔圖9〕在本發明之一實施形態中之執行清洗處理之副配方的指令設定畫面之圖示例。
〔圖10〕(a)在本發明之一實施形態中之副配方設定畫面的圖示例。
〔圖11〕供以說明在本發明之一實施形態中之清洗結束判定的細節設定的圖。
〔圖12〕(a)說明在本案發明中之清洗配方的概要與其流程之圖。(b)繪示清洗配方所叫出之副配方的流程圖之圖。
〔圖13〕供以說明在本發明之一實施形態中之清洗結束判定信號之舉動的圖示例。
〔圖14〕繪示在本發明之基板處理裝置中之一實施形態的細節(實施例1)之圖。
〔圖15〕繪示在本發明之基板處理裝置中之其他實施形態的細節(實施例2)之圖。
以下，一面參見圖式一面說明本發明之實施例。
首先，於圖1、圖2中，說明有關於本發明所實施之基板處理裝置。
圖1、圖2作為基板處理裝置之一例而繪示了縱型之基板處理裝置。另外，於該基板處理裝置中所處理之基板，係作為一例而繪示了由矽等所成之半導體晶圓。
基板處理裝置1具備框體2，於該框體2之正面壁3的下部係開設了作為以維護可能之方式所設置之開口部的正面維護口4，該正面維護口4係藉正面維護門5而開閉。
於前述框體2之前述正面壁3係以連通前述框體2之內外的方式開設了傳送盒搬入搬出口6，前述傳送盒搬入搬出口6係藉前擋件(搬入搬出口開閉機構)7而開閉，於前述傳送盒搬入搬出口6之正前方側係設置了裝載埠(基板搬送容器交接台)8，該裝載埠8係構成為將所載置之傳送盒9對準。
該傳送盒9係密閉式的基板搬送容器，藉不圖示之程序內搬送裝置而搬入前述裝載埠8，此外，規定成從該裝載埠8上搬出。
於前述框體2內之前後方向的略中央部之上部，係設置了旋轉式傳送盒架(基板搬送容器收納架)11，該旋轉式傳送盒架11係構成為收納複數個傳送盒 9。
前述旋轉式傳送盒架11係具備：垂直立設而間歇之支柱12；以及被該支柱12於上中下段之各位置放射狀地支撐之複數段的架板(基板搬送容器載置架)13；該架板13係構成為將前述傳送盒9在載置複數個目標的狀態下收納。
於前述旋轉式傳送盒架11之下方，係設有傳送盒開具(基板搬送容器蓋體開閉機構)14，該傳送盒開具14係具有載置前述傳送盒9，又可開閉該傳送盒9之蓋子的構成。
於前述裝載埠8與前述旋轉式傳送盒架11、前述傳送盒開具14之間，係設置了傳送盒搬送機構(容器搬送機構)15，該傳送盒搬送機構15，係規定成保持前述傳送盒9而可升降、可進退於水平方向，構成為在前述裝載埠8、前述旋轉式傳送盒架11、前述傳送盒開具14之間搬送前述傳送盒9。
於前述框體2內之前後方向的略中央部之下部，係遍及後端地設置了子框體16。於該子框體16之正面壁17係於垂直方向上下2段排列而開設了一對之供以將晶圓(基板)18相對於前述子框體16搬入搬出的晶圓搬入搬出口(基板搬入搬出口)19，相對於上下段之晶圓搬入搬出口19,19而分別設置了前述傳送盒開具14。
該傳送盒開具14具備：載置前述傳送盒9之載置台21；以及將前述傳送盒9之蓋子開閉的開閉機構 22。前述傳送盒開具14係構成為：透過藉前述開閉機構22而開閉載置於前述載置台21之前述傳送盒9的蓋子，將前述傳送盒9之晶圓出入口開閉。
前述子框體16係構成規定為從配設了前述傳送盒搬送機構15和前述旋轉式傳送盒架11之空間(傳送盒搬送空間)氣密之移載室23。於該移載室23之前側區域係設置了晶圓移載機構(基板移載機構)24，該晶圓移載機構24，係具備載置晶圓18之所需張數(在圖示中係5張)之晶圓載置板25，該晶圓載置板25係規定為可直動於水平方向、可旋轉、或升降於水平方向。前述晶圓移載機構24係構成為對於晶舟(基板保持體)26裝填及送出晶圓18。
於前述移載室23之後側區域，係構成了收容前述晶舟26而予以待機之待機部27，於該待機部27之上方係設置了縱型之處理爐28。該處理爐28係在內部形成處理室29，該處理室29之下端部係規定成爐口部，該爐口部係規定成藉爐口遮擋件(爐口開閉機構)31而開閉。
在前述框體2之右側端部與前述子框體16之前述待機部27的右側端部之間係設置了供以使前述晶舟26升降的晶舟升降機(基板保持具升降機構)32。在連結於該晶舟升降機32之升降台的臂件33係水平地安裝了作為蓋體的密封蓋34，該密封蓋34係規定成：垂直地支承前述晶舟26，可在將該晶舟26裝入前述處理室29的 狀態下將前述爐口部氣密地閉塞。
前述晶舟26，係構成為：將複數片(例如，50片~125片左右)之晶圓18於其中心對齊而以水平姿勢多段地保持。
在與前述晶舟升降機32側對向之位置係配設了清洗單元35，該清洗單元35，係以供應扇及防塵過濾件構成為供給清淨化之氣體介質或為惰性氣體之潔淨空氣36。於前述晶圓移載機構24與前述清洗單元35之間，係設置了作為使晶圓18之圓周方向的位置整合的基板整合裝置之刻痕(notch)定位裝置(未圖示)。
從前述清洗單元35所吹出之前述潔淨空氣36，係構成為：在流通於刻痕定位裝置(未圖示)及前述晶圓移載機構24、前述晶舟26後，藉不圖示之導管而被吸入，向前述框體2之外部進行排氣，或藉前述清洗單元35而吹出至前述移載室23內。
接著，說明有關於前述基板處理裝置1之動作。
一旦前述傳送盒9被供給至前述裝載埠8，則前述傳送盒搬入搬出口6藉前述前擋件7而被打開。前述裝載埠8上之前述傳送盒9係藉前述傳送盒搬送裝置15而往前述框體2之內部通過前述傳送盒搬入搬出口6而搬入，載置於前述旋轉式傳送盒架11之所指定的前述架板13。前述傳送盒9係在前述旋轉式傳送盒架11暫時保管後，藉前述傳送盒搬送裝置15而從前述架板13搬送至任 一個傳送盒開具14而移載至前述載置台21，或從前述裝載埠8直接移載至前述載置台21。
此情況下，前述晶圓搬入搬出口19係藉前述開閉機構22而關閉，於前述移載室23中係流通、充滿了前述潔淨空氣36。例如，於前述移載室23中係作為前述潔淨空氣36而充滿氮氣，以設定成氧濃度遠比前述框體2之內部(大氣環境)的氧濃度還低成20ppm以下。
載置於前述載置台21之前述傳送盒9係其開口側端面被頂於在前述子框體16之前述正面壁17的前述晶圓搬入搬出口19的開口邊緣部，同時蓋子藉前述開閉機構22而被卸下，晶圓出入口被打開。
一旦前述傳送盒9藉前述傳送盒開具14而被打開，則晶圓18係從前述傳送盒9藉前述晶圓移載機構24而被卸下，移送至刻痕定位裝置(未圖示)，在該刻痕定位裝置整合晶圓18後，前述晶圓移載機構24係將晶圓18搬入至在前述移載室23之後方的前述待機部27，裝填(charging)於前述晶舟26。
於該晶舟26交接晶圓18之前述晶圓移載機構24係返回前述傳送盒9，將下個晶圓18裝填於前述晶舟26。
在其中一方(上端或下段)之傳送盒開具14之利用了前述晶圓移載機構24之晶圓18的往前述晶舟26之裝填作業中，於另一方(下段或上段)之傳送盒開具14中係從前述旋轉式傳送盒架11藉前述傳送盒搬送裝 置15而搬送、移載別的傳送盒9，藉前述另一方的傳送盒開具14之傳送盒9的打開作業被同時進行。
一旦預先指定之張數的晶圓18裝填於前述晶舟26則藉前述爐口遮擋件31而關閉之前述處理爐28的爐口部藉前述前述爐口遮擋件31而被打開。隨後，前述晶舟26係藉前述晶舟升降機32而被上升，被搬入(loading)前述處理室29。
搬入後，係藉前述密封蓋34而爐口部被氣密地閉塞。另外，在本實施之形態中，在此時機(搬入後)，具有前述處理室29被置換成惰性氣體之沖洗程序(預沖洗程序)。
藉排氣機構(未圖示)而抽真空成前述處理室29成為期望的壓力(真空度)。此外，以前述處理室29成為期望的溫度分布的方式藉加熱器驅動部(未圖示)而加熱直到既定溫度。
此外，藉供氣機構(未圖示)，供給被控制成既定之流量的處理氣體，處理氣體流通於前述處理室29之過程中，與晶圓18之表面接觸，於晶圓18之表面上實施既定之處理。再者，反應後之處理氣體，係藉前述排氣機構而從前述處理室29排出。
一旦經過預先設定之處理時間，則藉前述供氣機構而從惰性氣體供給管(未圖示)供給惰性氣體，前述處理室29被置換成惰性氣體，同時前述處理室29之壓力回歸常壓(後沖洗程序)。然後，藉前述晶舟升降機 32透過前述密封蓋34而前述晶舟26被降下。
關於處理後之晶圓18的搬出，係在與上述說明相反的順序下，晶圓18及傳送盒9係往前述框體2之外部送出。未處理之晶圓18，進一步被裝填於前述晶舟26，重覆晶圓18之批式處理。
關於前述處理爐28、是至少搬送基板之機構的傳送盒搬送機構15、晶圓移載機構24、包含晶舟升降機32之搬送機構、於前述處理爐28供給處理氣體等之供氣機構、將前述處理爐28內排氣之排氣機構、將前述處理爐28加熱至既定溫度的加熱器驅動部、以及分別控制前述處理爐28、前述搬送機構、前述供氣機構、前述排氣機構、前述加熱器驅動部之控制裝置240，參見圖3、圖4而說明。
接著，參見圖3，而說明有關於以作為主控制部之主控制器201為中心之控制裝置240的構成。如圖3所示，作為控制裝置之裝置控制器240，係具備：主控制器201、連接於主控制器201之交換式集線器215、連接於主控制器201之顯示控制部216、作為透過交換式集線器215而連接於主控制器201之副顯示部的副顯示控制部217、作為搬送控制部之搬送系統控制器211、作為處理控制部之程序系統控制器212。於主控制器201，係搬送系統控制器211及處理系統控制器212透過交換式集線器215而藉例如100BASE-T等之LAN(局部區域網路)而電性連接。
於主控制器201，係設置了作為裝著部的埠213，該裝著部插卸是作為外部記憶裝置之記錄媒體的USB記憶體等。於主控制器201中，係安裝了對應於埠213之OS。此外，主控制器201，係與不圖示之外部的上位電腦，透過例如通訊網路而連接。為此，即使在基板處理裝置1被設置於無塵室內之情況下上位電腦仍可配置於無塵室外之事務所等。
顯示控制部216係，藉例如視訊電纜而連接於作為顯示部之顯示裝置218。顯示裝置218，係例如液晶顯示面板。在顯示裝置218中係構成為：供以操作基板處理裝置1之各操作畫面被顯示。顯示裝置218，係具有供以確認基板搬送系統211A和基板處理系統之狀態的畫面，此外，在操作畫面中，係亦可設置作為輸入往基板搬送系統211A和基板處理系統(加熱機構212A、排氣機構212B及供氣系統212C)之動作指令的輸入部之各操作鈕(亦稱作系統指令鈕、或PM指令鈕)。顯示控制部216係，透過操作畫面而使在基板處理裝置100內所生成之資訊顯示於顯示裝置218。此外，使顯示於顯示裝置218之資訊輸出至插入於主控制器201之USB記憶體等之裝置。顯示控制部216，係接收來自顯示於顯示裝置218之操作畫面的作業員之輸入資料(輸入指示)，將輸入資料傳送至主控制器201。此外，顯示控制部216，係規定成：接收使展開於後述之記憶體(RAM)等之配方或儲存於後述之記憶部的複數之配方之中任意的基板處理配方 (亦稱作製程配方)執行的指示(控制指示)，傳送至主控制器201。另外，顯示控制部216及輸入部與顯示裝置218亦可由觸控面板而構成。此外，副顯示控制部217及副顯示裝置219亦為與上述顯示控制部216及顯示裝置218同樣的構成。於此，顯示控制部16與副顯示控制部17係記載為與主控制器201分體，但亦可為包含於主控制器201之構成。以下，有將至少包含主控制器201、顯示控制部216、顯示裝置218之構成記載為操作部、至少包含主控制器201、副顯示控制部217、副顯示裝置219之構成記載為副操作部的情形。
搬送系統控制器211，係連接於主要由旋轉式傳送盒架11、晶舟升降機32、傳送盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)15、晶圓移載機構(基板移載機構)24、晶舟26及旋轉機構(未圖示)所構成之基板搬送系統211A。搬送系統控制器211，係構成為：分別控制旋轉式傳送盒架11、晶舟升降機32、傳送盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)15、晶圓移載機構(基板移載機構)24、晶舟26及旋轉機構(未圖示)之搬送動作。
處理系統控制器212，係具備：溫度控制器212a、壓力控制器212b及供氣流量控制器212c、定序器212d、濃度檢測器252。溫度控制器212a、壓力控制器212b及供氣流量控制器212c、定序器212d、濃度檢測器252係構成副控制器，與處理系統控制器212電性連接，故各資料之傳接收和各檔案之下載及上傳等為可能的。另 外，處理系統控制器212與副控制器，係圖示為分體，但亦可一體構成。
於溫度控制器212a，係主要連接著藉加熱器及溫度感測器所構成之加熱機構212A。溫度控制器212a，係構成為：藉控制處理爐28之加熱器的溫度而調節處理爐28內之溫度。另外，溫度控制器212a，係構成為：進行閘流體的切換控制，控制供給於加熱器絲線的電力。
於壓力控制器212b，係連接著由壓力檢測器、作為壓力閥之APC(自動壓力控制)閥及真空泵浦所構成之排氣機構212B。壓力控制器212b，係構成為：基於藉壓力檢測器所檢知之壓力值，而以處理室29內之壓力在期望的時機成為期望的壓力的方式，控制APC閥之開度及真空泵浦之切換(開關)。
氣體流量控制器212c，係由MFC(質量流控制器)所構成。定序器212d，係構成為：將來自處理氣體供給管、沖洗氣體供給管的氣體之供給和停止，藉使閥212D開閉而控制。此外，處理系統控制器212，係構成為：以供給於處理室29內之氣體的流量在期望的時機成為期望的流量之方式，控制氣體流量控制器212c(MFC)、及定序器212d(閥212D)。
濃度檢測器252，係構成為：檢知氣體清洗時所生成之反應氣體的濃度。然後，處理系統控制器212，係構成為：取得此濃度檢測器252所檢知之信號，根據從 所取得之信號所獲得之氣體濃度之舉動而進行清洗之結束判定。於此，濃度檢測器252，係例如，可利用非發散性紅外線分析器(NDIR(Non-Dispensive InfraRed))或、傅立葉轉換紅外光譜法(FTIR(Fourier Transform Infrared Spectroscopy))，而從排放氣體中檢測既定之氣體的濃度檢測器。另外，既定之氣體，在本發明之實施形態中，係四氟化矽(SiF4)。
另外，本發明之實施形態相關之主控制器201、搬送系統控制器211、處理系統控制器212，係不用專用的系統，可使用通常的電腦系統而實現。例如，可於通用電腦，從儲存了供以執行上述之處理的程式之記錄媒體(可撓性碟、CD一ROM、USB等)安裝該程式，以構成執行既定之處理的各控制器。
然後，供以供給此等程式之手段係任意的。除了可如上述般透過既定之記錄媒體而供給以外，例如，亦可透過通訊線路、通訊網絡、通訊系統等而供給。此情況下，例如，亦可於通訊網路之佈告欄揭露該程式，將此透過網路而重疊於載波而提供。然後，啟動以此方式所提供之程式，在OS之控制下，藉以與其他的應用程式同樣的方式執行，可執行既定之處理。
接著，對於主控制器14之方塊構成，一面參見圖4一面作說明。圖4係，作為本發明之第1實施形態相關的基板處理裝置100之控制裝置的裝置控制器240所具備的主控制器201之方塊構成圖。
作為主控制部之主控制器201，係構成為具備以下之電腦：作為處理部之CPU(中央處理裝置)224、作為暫時記憶部之記憶體(RAM、ROM等)226、作為記憶部之硬碟(HDD)222、作為通信部之傳接收模組228、具有時鐘功能的時刻部(未圖示)。
於硬碟222中，係除了定義了處理條件及處理順序之配方等之各配方檔、供以執行此等各配方檔之控制程式檔、供以設定處理條件及處理順序之參數檔，此外，錯誤處理之程式檔及錯誤處理之參數檔以外，儲存了各種畫面檔、各種圖標檔等(皆未圖示)。另外，於主控制器201之傳接收模組228，係連接著顯示控制部216及交換式集線器215等，主控制器201，係構成為：透過網路而與外部之電腦等進行資料之傳送及接收。
此外，如圖4所示，主控制器201，係亦可為如下構成：除了至少包含CPU224及記憶體226等之控制部220、透過網路而與外部之電腦等進行資料之傳送及接收的通信部228、硬碟驅動器等之記憶部222以外，包含液晶顯示器等之顯示裝置以及鍵盤及鼠標等之指向裝置的使用者介面(UI)裝置218。此外，控制部220，係亦可為進一步包含通信部228之構成。
此外，主控制器201，係透過不圖示之網路而對於外部之主機裝置等而傳送基板處理裝置本體111之狀態。基板處理裝置本體111，係例如於基板進行氧化及擴散處理及CVD處理等之縱型的裝置。另外，基板處理裝 置本體111，係基於記憶於例如記憶部222之運轉配方、控制參數等，而由裝置控制器240所控制。
於圖5中，係記載了處理系統控制器212之細節。此外，雖不圖示但搬送系統控制器211亦為同樣的構成。
如圖5所示，處理系統控制器212，係具有作為處理部之CPU236，同時至少具有：至少包含ROM(read-only memory)250、及RAM(random-access memory)251之暫時記憶部；以及進行與溫度控制部212a、MFC212c、壓力控制部212b、定序器212d及濃度檢測器252等之I/O通信的I/O通信部255。CPU236，係例如，基於在顯示裝置218之操作畫面等作成或編輯、記憶於RAM251等之配方，而將供以處理基板之控制資料(控制指示)對溫度控制部212a等而輸出。
於ROM250或RAM251中，係儲存了：順序程式、複數之配方和從作為操作部之顯示裝置218等所輸入之輸入資料(輸入指示)、配方之指令及配方執行時之歷史資料等。以此方式，ROM250或RAM251亦可用作為將記載了處理基板之順序的配方記憶的記憶部。輸入指示，係從顯示於顯示裝置218之操作畫面，從顯示於副顯示裝置219之副操作畫面，或從顯示於外部之顯示裝置的操作畫面而為之。此外，輸入指示，係除了使配方執行之指示以外，舉了設定各使用者之操作權限的指示等作為其一例，但不限定於此。另外，於處理系統控制器212，係 亦可含有藉硬碟驅動器(HDD)等而實現之記憶部(不圖示)，此情況下，亦可作成：於該記憶部，係儲存了與儲存於RAM251之資料相同的資料。
溫度控制部212a，係藉設於上述之處理爐28的外周部之加熱器而控制處理爐28內之溫度。作為氣體控制部之MFC(質流控制器)212c，係設於處理爐28之氣體配管，控制供給於處理爐28內之反應氣體等之供給量。定序器212d，係藉使設於處理氣體供給管、沖洗氣體供給管之閥212D開閉，控制既定之氣體的供給和停止。此外，處理系統控制器212，係構成為：以供給於處理室29內之氣體的流量在期望的時機成為期望的流量之方式，控制氣體流量控制器212c(MFC)、定序器212d(閥212D)。另一方面，壓力控制部212b，係藉基於設於處理爐28之排氣配管的壓力檢測器246之輸出值而控制APC閥242之開度而控制處理爐28之壓力。
在本實施之形態中，濃度檢測器252，係至少由作為檢知執行反應爐28內之清洗時的既定之反應氣體的紅外線感測器的NDIR252a、檢測來自此NDIR252a之信號的控制單元252b所構成。
濃度檢測器252，係將在維護用配方之中清洗配方執行而清洗處理爐28內時所產生的既定之氣體濃度藉作為紅外線感測器的NDIR252a而測定，從所測定之氣體濃度將信號藉控制單元252b而檢測出。控制單元252b，係將此所檢測出之信號作為清洗處理結束判定信號 而傳送至處理系統控制器212。處理系統控制器212，係構成為：從此判定信號之舉動進行清洗結束判定。另外，NDIR252a與控制單元252b當然亦可為一體構造。以下，在本實施之形態中，有將濃度檢測器252僅記載為NDIR252之情形。
在本實施形態中之基板處理裝置1中，按照檔案之種類，設定了使用者(作業員)之操作權限。例如，就各種之配方檔之中配方而言，在對於製程配方之操作權限設定為可編輯之情況下，登錄之使用者，係可進行製程配方(檔案)之參見、編輯。此外，就副配方及維護用配方同樣地設定對於使用者(作業員)之各配方檔的操作權限。於此，以可編輯登錄權限之使用者，可就與副配方及維護用配方相關之資料，在操作畫面上進行參見及編輯。
例如，製程配方，係在作為顯示部之顯示裝置218的操作畫面上依使用者之操作而被作成或編輯而保存時，透過交換式集線器215而被傳送至處理系統控制器212之接發送處理部(未圖示)，儲存於ROM250。或者，儲存於記憶部222。此情況下，包含製程配方之各檔案，亦可儲存於記憶部222。此外，當然亦可儲存了與儲存於ROM250及RAM251之資料同樣的資料。
然後，透過顯示裝置218之操作畫面而藉輸入部，供以設定配方之資料和對於該配方之使用者(作業員)的操作權限等之資料(輸入資料)被輸入時，該輸入 資料(輸入指示)，係儲存於作為暫時記憶部之記憶體226並透過顯示控制部216而顯示於操作畫面。進一步透過交換式集線器215而傳送至處理系統控制器212之接發送處理部。
CPU236，係將該輸入資料儲存於RAM251，將例如儲存於ROM250之配方和對於該配方之使用者(作業員)的操作權限等之設定輸入予以確定。此外，CPU236，係啟動控制程式，依照該控制程式，將例如儲存於RAM251之配方的指令叫進執行，以逐次執行步驟，透過I/O通信部255而對於溫度控制部212a、流量控制部212c、壓力控制部212b傳送供以處理基板之控制指示。
以此方式，溫度控制部212a等之副控制器，係基於來自處理系統控制器212之控制指示而進行基板處理裝置1之各構件(加熱器、溫度感測器263、壓力閥242、壓力檢測器246及閥212D等)之控制。藉此，進行上述之晶圓18的處理。
在本實施形態相關之基板處理裝置1中，係構成為：維護用配方之中清洗配方與製程配方同樣地，依照上述控制程式而執行。此外，構成為：在清洗配方之執行中，副配方藉既定之指令而被叫入執行。關於在此等清洗配方及副配方之操作畫面上的設定係於後敘述。
(基板處理方法)
首先，說明有關於使用本實施形態相關之基板處理裝置1而實施之基板處理方法。於此，係將實施是半導體裝置之製程的一程序之基板處理程序的情形舉作例子。
基板處理程序之實施時，首先，對應於應實施之基板處理的基板處理配方(製程配方)，例如，從作為暫時記憶部之ROM250所讀出，展開於主控制器201內之RAM251等之記憶體。然後，必要時，從主控制器201往處理系統控制器212和搬送系統控制器211給予動作指示。以此方式所實施之基板處理程序，係大致區分時，具有：移載程序、搬入程序、成膜程序、晶舟移送程序、搬出程序。
(移載程序)
從主控制器41，係對於搬送系統控制器110，而發出晶圓移載機構24之驅動指示。然後，一面依照來自搬送系統控制器110之指示，晶圓移載機構24係一面開始從作為載置台之授受台21上之傳送盒9往晶舟26之晶圓18的移載處理。此移載處理，係進行直到所預定之所有的晶圓18之往晶舟26的裝填(晶圓裝填)結束為止。
(搬入程序)
指定張數的晶圓18裝填於晶舟26時，晶舟26，係藉依照來自搬送系統控制器110之指示而動作之晶舟升降機32而上升，裝入(晶舟裝載)形成於處理爐28之內管 內的處理室29。一旦晶舟26完全裝入，則晶舟升降機32之密封蓋34，係將處理爐28之歧管的下端氣密地閉塞。
(成膜程序)
之後，係處理室29內，係一面依照來自壓力控制部212b之指示，一面以成為既定之成膜壓力(真空度)的方式藉抽真空裝置而抽真空。此情況下，處理室29內之壓力係以壓力檢測器246測定，基於此所測定之壓力資訊而壓力調整裝置被回授控制。此外，處理室29內，係一面依照來自溫度控制部212a之指示，一面以成為既定之溫度的方式藉加熱器而加熱。此情況下，以處理室29內之溫度成為既定之溫度(成膜溫度)的方式，基於作為溫度檢測器之溫度感測器263所檢測之溫度資訊而往加熱器之通電狀態受回授控制。隨後，一面依照來自搬送系統控制器211之指示，一面開始藉旋轉機構之晶舟26及晶圓18之旋轉。
例如，在處理室29內被維持在既定之成膜溫度、既定之成膜壓力的狀態下，開始含矽氣體之往處理室29內之供給。此時，往處理室29內所供給之N2氣體，係作用為稀釋成膜氣體(例如，SiH2Cl2氣體)之稀釋氣體，或作用為促進往處理室101內之擴散的載送氣體。藉控制N2氣體之供給流量，可控制成膜氣體(SiH2Cl2氣體)之濃度和擴散速度。
供給於處理室29內之成膜氣體(SiH2Cl2氣 體)，係在通過處理室29內時與晶圓18之表面接觸。此情況下，在晶圓18表面上堆積(沉積)薄膜，亦即堆積矽膜(以下，亦簡單稱作Si膜)。若經過預先設定之處理時間，成膜了既定之膜厚的矽膜，則閥關閉，往處理室29內之成膜氣體(SiH2Cl2氣體)之供給停止。
然後，一面繼續往處理室29內之N2氣體的供給，一面將處理室29內排氣，以將處理室29內沖洗。若處理室29內之氣體介質置換成N2氣體，則調整作為壓力調整部之壓力閥242之開度而使處理室29內之壓力回歸常壓。此外，將往加熱器之通電停止，使處理室29內之溫度降溫至既定之溫度(晶圓搬出溫度)。另外，壓力閥242亦可為APC閥。
(搬出程序)
一旦對於晶舟26之成膜程序結束，則一面依照來自搬送系統控制器211之指示，之後，一面使藉旋轉機構之晶舟26及晶圓18之旋轉停止，藉晶舟升降機32而使密封蓋34下降而使歧管之下端打開，同時將保持了處理結束之晶圓18的晶舟26搬出(晶舟卸載)至處理爐28之外部。
然後，保持了處理結束之晶圓18的晶舟26，係藉從清洗單元35所吹出之潔淨空氣36而非常有效地冷卻。然後，一旦冷卻至例如150℃以下，則在從晶舟26卸下(晶圓卸載)處理結束之晶圓18而移載至傳送盒9 後，進行新的未處理晶圓18之往晶舟26的移載。
藉重複以上般的各程序，本實施形態相關之基板處理裝置1，能將至晶圓18上之矽膜的形成，以高產出量進行。
另外例如，作為含矽氣體例示了二氯矽烷(SiH2Cl2)氣體，但本發明不限於相關形態，例如，可使用：一氯矽烷(SiH3Cl、簡稱：MCS)、六氯二矽烷(Si2Cl6、簡稱：HCDS)、四氯化矽(SiCl4、簡稱：STC)、三氯矽烷(SiHCl3、簡稱：TCS)等之其他的氯矽烷系、和三矽烷(Si3H8、簡稱：TS)、二矽烷(Si2H6、簡稱：DS)、甲矽烷(SiH4、簡稱：MS)等之無機原料、和氨基矽烷系之四二甲基氨基矽烷(Si[N(CH3)2]4、簡稱：4DMAS)、三(二甲基氨基)矽烷(Si[N(CH3)2]3H、簡稱：3DMAS)、雙(二乙基氨基)矽烷(Si[N(C2H5)2]2H2、簡稱：3DEAS)、雙(叔丁氨基)矽烷(SiH2[NH(C4H9)]2、簡稱：BTBAS)等之有機原料。
(基板處理裝置之維護方法)
上述之成膜程序，係以往晶圓18上之膜形成為目的，但實際上，係除了晶圓18以外，對於例如處理室29之反應管和晶舟26等亦形成膜。一旦所形成之膜堆厚，則所施加之應力增大而產生破裂，有在處理室29內使異物(顆粒)產生的情形。所以，本實施形態相關之基板處 理裝置1，係一旦因重複上述之成膜程序而推積於處理室29內等之膜的厚度到達既定之厚度，則作為供以維護(maintenance)處理室29內等之維護程序，實施如以下所述之清洗程序。
(清洗程序)
清洗程序，係在附著於處理室29內等之堆積物(累積之薄膜)的厚度，到達於堆積物發生剝離、落下之前的既定之厚度的時間點，開始該實施。累積膜厚是否到達既定厚度，係例如，思考：基於因作為反應管之處理管所形成之處理室29內所累積的累積膜厚值，例如從將處理室29使用於成膜程序之使用次數和使用時間等所推理之膜厚推定值而判斷。
亦即，藉使用從處理管等之累積膜厚值、使用次數、使用時間所選擇之至少一個的設定參數，而將該設定參數與既定閾值作比較，是否為維護期間藉主控制器201而判定。構成為一旦判定為維護期間，則執行中之製程配方係就這樣予以正常結束，但構成為供以接著作批式處理的製程配方係不執行。
在清洗程序之實施時，在主控制器201，係非製程配方而是供於應實施之清洗的維護用配方，例如，從暫時記憶部206所讀出，展開於主控制器201內之RAM等之記憶體。然後，必要時，從主控制器201往處理系統控制器212和搬送系統控制器211給予動作指示。藉此， 變成實施清洗程序。
實施清洗程序之情況下，係藉例如爐口遮擋件31，將歧管之下端開口氣密地閉塞著。然後，以處理室29內成為既定之清洗壓力(真空度)的方式藉抽真空裝置而抽真空，同時以處理室29內成為既定之清洗溫度的方式藉加熱器而加熱。之後，係在處理室29內被維持在既定之清洗溫度、既定之清洗壓力的狀態下，將清洗氣體往處理室29內供給。
往處理室29內所供給之F2氣體，係在處理室29內上升，從內管之28之上端開口流出至筒狀空間內，在筒狀空間內流下後，從排氣管排放。F2氣體，係在通過處理室29內時，與累積於處理室29內之矽膜等接觸，藉熱化學反應而將矽膜等除去。亦即，加熱而活性化之F2氣體係成為蝕刻物質，將累積於處理室29內之矽膜等蝕刻而除去。一旦矽膜等之除去結束，則停止往處理室29內之F2氣體的供給。於此，矽膜之除去的結束之判定，亦即，關於清洗結束之判定(清洗結束判定程序)係於後敘述。
例如，作為清洗氣體而例示了氟(F2)氣，但不限於此，例如，亦可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、三氟化氮(NF3)氣體等之包含氟(F)和氯(Cl)等之鹵素的含鹵素氣體，另亦可將此等組合而使用。
此時，作為將清洗氣體(例如，F2氣體)稀 釋之稀釋氣體，或作為促進往處理室29內之擴散的載送氣體，亦可供給N2氣體。藉此，藉控制N2氣體之供給流量，可控制F2氣體之濃度和擴散速度。
此外，作為添加於清洗氣體(例如，F2氣體)之添加氣體，亦可供給一氧化氮(NO)氣體。如此之添加氣體，係用於使藉清洗氣體之蝕刻速度提升。此外，氧(O2)氣、氫(H2)氣等被作為添加氣體而使用。
(維護用配方執行控制)
接著，藉圖6~圖8，對於從在本實施形態中之清洗配方的設定直到執行為止作說明。首先，圖6(a)，係在本實施形態中之基板處理裝置之維護資訊顯示畫面的圖示例。在圖6(a)之維護資訊顯示畫面中，係項目編號、維護名稱、維護項目、現值、第一設定值、第二設定值、單位、維護處理分別作為項目(Item)而顯示。
項目編號，係規定為按鈕(圖標)，構成為：一旦按下，則移往後述之圖6(b)的維護設定畫面。維護名稱係構成為適當附上。維護項目，係構成為：除了膜厚值以外，亦可設定非運作時間等。第一設定值係指定清洗週期之閾值。構成為：一旦現值到達此第一設定值，則進行既定之維護處理。第二設定值係維護極限值。構成為：現值到達此維護極限值時，判定為在維護下之恢復處理(往進行基板處理之狀態的恢復)在不可能的狀態，立即停止裝置。
維護處理，係設定了在現值到達第一設定值時之維護處理。然後，構成為：選擇項目號碼(按鈕)的既定之號碼，一旦按下，則在圖6(a)之維護資訊顯示畫面上圖6(b)之維護項目設定畫面彈出顯示。另外，亦可構成為：從圖6(a)之維護資訊顯示畫面切換顯示成圖6(b)之維護項目設定畫面。此外，構成為：按項目編號顯示圖6(b)之維護項目設定畫面。
圖6(b)之維護項目設定畫面，係顯示在圖6(a)之維護資訊顯示畫面上按下項目號碼(按鈕)之18號(No.18)之情況下的畫面。首先，圖6(b)之維護項目設定畫面，係在相當於圖6(a)之項目號碼的表號以數字顯示為18。在圖6(b)之維護項目設定畫面，係維護項目資訊、現值資訊、排程起始值資訊、維護極限值資訊的4項目以在畫面上可設定的方式顯示，圖6(b)之維護項目設定畫面，係對應於在圖6(a)所顯示之項目的各者而顯示。
具體而言，維護項目資訊，係構成為：可任意變更維護名稱。此外，作為當下的維護項目而設定了配方膜厚值(步驟指定)。接著，現值資訊，係構成為：可變更現值(監測值)。
在作為第一設定值之排程起始值資訊方面，係第一設定值之變更、現值(監測值)到達第一設定值時之維護處理的變更、及構成為：可設定現值(監測值)到達第一設定值時是否產生警報。另外，當下的第一設定 值，係20000nm(20μm)，依膜種和用途等而適當修正。於此，在超過第一設定值之情況下，執行既定之維護用配方。
在作為第二設定值之維護極限值資訊方面，係構成為：僅可變更第二設定值。此外，設定了到達第二設定值時之處理(維護處理)。在此圖6(b)中，係設定了工作執行禁止，例如，構成為：在結束當下的配方時，無法執行下個配方。
於此，當下的第二設定值，係25000nm(25μm)，與第一設定值同樣地依膜種和用途等而適當修正。另外，在超過此第二設定值之情況下，禁止執行包含維護用配方之所有的配方，進行晶舟26交換等之維護作業，處理爐28內大氣開放。
說明有關於示於圖6(b)之維護項目設定畫面上之操作。例如，構成為：一旦選擇了維護項目資訊之維護名稱的單元格(在圖中係LV1-Check之顯示)，則所選擇之單元格成為有效，能以手輸入。或者，構成為：一旦選擇了此維護名稱單元格，則選擇既定之輸入畫面或既定之選擇畫面。
然後，於單元格直接手輸入既定之維護名稱，還是依選擇了在既定之輸入畫面或既定之選擇畫面上顯示於單元格之維護名稱，進行維護名稱之編輯。同樣地，進行了在排程起始值資訊之維護處理單元格(在圖中係維護工作自動開始之顯示)及警報發生有無單元格(在 圖中係警報無之顯示)之編輯。
接著，現值資訊，係一旦按下了現值變更(按鈕)，則顯示既定之數值輸入畫面，藉在該數值輸入畫面上輸入既定之數值，可編輯單元格。此外，關於作為排程起始值資訊之第一設定值的排程起始值單元格(於圖中係200之顯示)，或者，作為維護極限值資訊之第二設定值的維護極限值單元格(於圖中係250之顯示)之編輯，分別同樣地，一旦選擇了各單元格，則顯示既定之數值輸入畫面，藉在該數值輸入畫面上輸入既定之數值，可編輯單元格。
然後，維護項目資訊、現值資訊、排程起始值資訊、一旦結束編輯維護極限值資訊之各者的資訊，則按下OK按鈕而確定更新，同時返回圖6(a)之維護資訊顯示畫面。此外，一旦按下取消按鈕，則取消在示於圖6(b)之維護項目設定畫面上之編輯作業，返回圖6(a)之維護資訊顯示畫面。
圖7係，設定製程配方之步驟的步驟設定畫面之圖示例。構成為：利用在此步驟設定畫面所指定之步驟的步驟時間而計算現值。在圖7中，係構成為：計算了在步驟2之蝕刻。
圖8係，設定維護用配方之配方設定畫面的圖示例。在此配方設定畫面，係構成為：在至少現值到達作為第一設定值之排程起始值時，設定了是所執行之維護用配方的清洗配方。
然後，構成為：一旦從圖6至圖8為止的在設定畫面中之各設定結束，則在既定之現值(累積膜厚值)到達既定之閾值(第一設定值)時自動執行清洗配方。再者，構成為：藉進行在圖9之後說明之設定，實現本發明中之清洗結束判定。
(副配方執行設定)
圖9係，設定執行清洗處理之副配方的指令設定畫面之圖示例。此指令設定畫面，係構成為：與供以檢知清洗結束判定之檢測信號相關的設定(於圖中係終點檢知項目之顯示)、利用於清洗週期之維護項目的指定及供於自動終點判定之計算定數的設定(於圖中係指令規範之顯示)、自動終點判定不可時之錯誤處理的設定(於圖中係錯誤處理之顯示)可分別在畫面上設定。
供以取得清洗結束判定用之檢測信號的項目(Item)，係依包含溫度、氣體、壓力之控制參數、及包含AUX(Auxiliary)等之預備參數的參數類型(於圖中係終點檢知埠類別之顯示)及表示檢測信號的號碼(於圖中係終點檢知埠之顯示)而設定。此檢測信號，係指定來自使用了紅外線感測器252a之檢測既定氣體的濃度之濃度檢測器252的檢測信號。
接著，上述的指令規範，係包含維護項目(於圖中係膜厚維護項目No.(號碼)之顯示)、最大循環數算出係數。於此，在維護項目中，係設定了前述之圖 6(a)的維護資訊顯示畫面之項目號碼及維護項目，相當於此項目號碼及維護項目之累積膜厚值(圖6(a)的維護資訊顯示畫面之現值)作為計算定數而被利用。
此係數，係使用於最小循環次數之算出。此外，作為其他計算定數而設定了最大循環數算出係數。此係數，係使用於最大循環次數之算出。接著，終點判定不可時之錯誤處理，係設定了到達最大循環次數時(於圖中係最大循環次數到達時之顯示)的動作。於圖9中，係指定為下個基板處理被禁止(次JOB停止)。另外，關於最小循環次數及最大循環次數係於後敘述。
圖10係，設定依在圖9所設定之指令所執行之副配方的參數之副配方設定畫面。在此設定畫面中，係構成為：設定了能以至少1次的清洗處理(副配方)執行而除去之推定膜厚量。
具體而言，顯示了藉輸入負的值而除去。在此所設定之膜厚值(負的值)，係使用於最小循環次數之算出。另外，關於最小循環次數係於後敘述。此外，雖不圖示但在圖10中，既定之清洗氣體流量、溫度、壓力等之控制參數與在製程配方之各步驟中的設定同樣地設定。在本實施之形態中，係構成為：副配方，係以至少執行氣體清洗(蝕刻處理)及氣體排放(排氣程序)的方式可設定各步驟。
例示一例時，氣體清洗處理條件，係氟(F2)氣體2slm作為清洗氣體、添加氣體8slm、稀釋氣 體(N2)氣體1slm、壓力6000Pa、溫度300℃，之後，慢速排氣(S.P)以666(Pa/S)進行50(秒)及主排氣(M.P)在閥全開之狀態下進行10(秒)。另外，如圖10所示般畫面構成亦與製程配方之各步驟的構成為同樣的。
圖11係，供以說明清洗結束判定信號之指定的圖。清洗之結束判定係依副配方之執行控制而實施，故為了執行此副配方，構成為：在配方上之指令指定欄上設定。另外，一旦選擇了指令指定欄，則顯示指令選擇畫面。顯示形式，係可為切換顯示亦可為彈出畫面表示。然後，在指令選擇畫面，選擇在結束判定使用之指令(按下副配方按鈕)，一旦按下細節按鈕，則顯示供以設定選擇之指令的細節之設定畫面。
在此設定畫面中，係顯示進行終點檢知之項目(項目)與穩定上限值、穩定下限值、穩定循環次數。於此，構成為可分別設定：穩定上限值、穩定下限值、穩定循環次數。穩定上限值及穩定下限值係分別設定了既定之數值，穩定下限值，係基本上指定0。此外，穩定循環次數，係使用於算出最大循環次數之數值。
如以上所述，一旦從圖9至圖11為止的在各設定畫面之細節設定結束，則可實現可適切地進行清洗之結束判定之在本實施形態中之清洗處理。另外，清洗配方亦與製程配方同樣地，從主控制器201往處理系統控制器212和搬送系統控制器211給予動作指示，被實施。
(副配方執行控制)
接著，使用圖12，而說明有關於供以執行依在從圖6至圖11為止之各者的畫面所設定之內容所執行之在本實施形態中之清洗配方的流程圖。圖12(a)，係說明在本實施形態中之清洗配方的概要與其流程的圖。此外，圖12(b)，係繪示清洗配方所叫出之副配方的流程圖之圖。
另外，在本實施之形態中，構成為實質上副配方執行清洗處理，規定成：藉重複執行副配方直到清洗結束為止而將累積膜厚除去之處理重複進行。此外，清洗配方，具有晶舟裝載步驟及晶舟卸載步驟，但不限定於此形態，至少有清洗處理步驟即可。再者，如本實施之形態，在執行後述之副配方中，由於可取得從濃度檢測器252所傳送之終點檢知判定用的信號，故較佳為有NDIR零點調整步驟。但是，NDIR零點調整步驟，係例如，在執行後述之作為既定次數的最小循環次數副配方之後，由於取得所濃度檢測器252所傳送之終點檢知判定用的信號即可，故亦可省略。
如圖12(a)所示，規定成至少包含以下之構成：清洗配方，係晶舟裝載步驟、壓力調整步驟、NDIR零點調整步驟、清洗步驟、晶舟卸載步驟。然後在清洗步驟，係構成為：使副配方重複執行複數次(N次)。此外，副配方，係至少包含氣體清洗(蝕刻處理)程序、排氣程序之構成即可。
圖12(b)，係繪示副配方之執行控制流程。首先，處理系統控制器212，係在執行清洗配方中，在所指令設定的既定之步驟，到達最小循環次數為止重複、叫出副配方，予以執行。另外，從濃度檢測器252所傳送之終點檢知判定用的信號值之取得，與副配方執行同時開始。
副配方之執行次數，到達最小循環次數時，從濃度檢測器252所傳送之終點檢知判定用的信號值，副配方之結束後，確認預先設定之穩定下限值與穩定上限值之範圍內。另外，此結束檢知判定用之信號值，未到達既定之閾值(穩定上限值)以下的情況下，係再度執行副配方，繼續此信號值之監視。但是，未到達既定之閾值(穩定上限值)以下的情況下，亦可規定成：作為錯誤從副配方返回清洗配方，使清洗配方結束。
然後，此結束檢知判定用之信號值，確認到達既定之閾值(穩定上限值)以下後，執行副配方之期間(從副配方之開始直到結束為止的期間)，若前述信號值之最大值及最小值為前述穩定下限值與前述穩定上限值之範圍內，則算出連續穩定循環數及執行次數(總循環次數)。
然後，連續穩定數為穩定循環數以下、副配方之執行次數(總循環次數)為最大循環次數以下時，再執行副配方。另一方面，副配方之執行次數(總循環次數)超過最大循環次數時，產生終點檢知不可知警報，結 束副配方，而返回清洗配方。
此外，連續穩定數為穩定循環數以上、副配方之執行次數(總循環次數)為最大循環次數以下時，結束副配方而返回清洗配方。另一方面，副配方之執行次數(總循環次數)超過最大循環次數時，產生終點檢知不可知警報，結束副配方，而返回清洗配方。
接著，一旦返回清洗配方，則處理系統控制器212，係移往清洗配方之下個步驟而執行。然後，處理系統控制器212，係執行步驟，使清洗配方結束。
於此，發生了在副配方之終點判定不可警報的情況，清洗配方係成為異常結束，下個配方之執行成為不可。但是，亦可如圖12(b)所示構成為：對於下個配方之執行於以任意指定。
以此方式，在本實施之形態中，係在執行清洗配方時，藉執行控制副配方，可實現作為清洗構成裝置之構件之清洗結束判定程式的功能。此外，藉執行控制此副配方，可控制成：供排清洗氣體，而將附著於前述構件之附著物除去，表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號(在本實施形態中之結束檢知判定用的信號)，到達既定之閾值(在本實施形態中之穩定上限值)後，既定期間落入既定之上下限值的範圍(在本實施形態中之穩定上限值與下限穩定值之範圍)內。
使用圖13，而說明有關於在本案所請發明中 之清洗結束判定。另外，圖13，係亦可構成為：顯示於顯示裝置218之操作畫面上。
圖13，係供以檢測清洗結束所預先設定之濃度檢測器252所檢測出之檢測信號的時間序列圖。在波形上之數值，係表示清洗處理執行次數，實質上，係副配方之執行次數。亦即，在本實施形態中，顯示了副配方被執行9次。波形的一個山表示從副配方之開始直到結束。
於此，在圖13中係為了增進理解而繪示清洗處理執行次數，但在實際之顯示裝置210中，係可不顯示。另外，在最大循環次數(10次)前終點檢知已結束，故顯示了正常進行了清洗結束判定。
最小循環次數，係從累積膜厚(在圖6(a)所示之維護項目之中、以現值所示之數值)分出在執行1次副配方時可除去之膜厚(設定為在圖10之副配方設定畫面上所示之膜厚值的數值)的數值。最大循環次數，係對於最小循環次數加上計算定數(在圖9所預先設定之最大循環數算出係數的值)，而預先加上在圖11所設定之穩定循環次數的值之數值。此等，最小循環次數及最大循環次數，係構成為：本副配方執行開始時被自動計算。
最小循環次數份，重複、執行副配方執行後，進行從濃度檢測器252所傳送之檢測信號(結束檢知判定用之信號)是否穩定成既定之值(依本實施形態為穩定上限值)以下之確認。亦即，依照本實施之形態，若檢測信號之值落入穩定上限值與穩定下限值之範圍內，則從 下個次數作終點判定。在圖13中，係由於可得知副配方從5次結束之時間點被執行，故得知最小循環次數為5。
此外，依圖13，由於在第6次係仍超過穩定上限值，故不加在穩定循環次數。加於穩定循環次數之條件，係執行副配方中之檢測信號的最大值與最小值分別落入穩定上限值與穩定下限值之範圍內的情況。
在圖13中，係由於從第7次至第9次為止的副配方執行中的檢測信號之值落入穩定上限值與穩定下限值之範圍內，故得知穩定循環次數係3。在到達穩定循環次數之前到達最大循環次數之情況下，判定為終點檢知為不可能(異常判定)，而進行所預先設定之錯誤處理。
以此方式，在本實施之形態中，在執行清洗用之維護配方時，最小的清洗處理執行次數，係可藉從目標維護項目之現值(累積膜厚值)分出清洗配方內累積值而算出。再者，在清洗之結束判定中，考量了檢測信號之振動現象的最大清洗處理執行次數，係可藉對於一旦連續落入穩定上下限值內則判斷為穩定狀態(清洗前之狀態)的結束判斷執行次數加上對最小清洗執行次數乘上既定之定數的值，算出。
因此，確實執行最低限之清洗處理執行次數，無需無限等待結束條件，可實現能以有限處理執行次數結束之功能。此外，由於可依清洗結束判定為正常判定還是異常判定，指定接著執行之基板處理的停止，故不會清洗就這樣異常結束，執行下個基板處理，可抑制成膜變 動之影響。
另外，根據本實施形態，結束檢知判定用之信號是否為穩定狀態之判定，係既定次數、執行副配方之後亦可。此情況下，副配方之執行次數到達既定次數後，結束檢知判定用之信號，控制成：既定期間落入既定之上下限值的範圍(在本實施形態中之穩定上限值與下限穩定值之範圍)內。此情況下，既定期間，係對於副配方之每1次的執行時間乘上次數的時間。
<在本實施形態中之效果>
根據本實施形態，發揮以下的(1)至(5)之中的一個以上之效果。
(1)歷來之清洗配方的情況下，由於僅執行所計算之時間，故無法判定是否真的完成清洗。因此，若指定長的時間，則生產率會不良化，若指定短的時間，則清洗本身是否正常執行不明，有可能對於下個生產造成不良影響，但根據在本實施形態中之可自動判定清洗處理的結束的機制，則下個生產的成膜會穩定。
(2)在歷來的清洗中，係在因意味著清洗結束的既定之信號而結束判定之情況下，無法對付此既定之信號的抖動，若條件成立則判斷為結束判定，故在清洗不充分之狀態下執行下個生產，但根據在本實施形態中之可自動判定清洗處理的結束的機制，則由於可對於清洗判定條件設定有冗餘性之設定，故清洗處理時間之最適化成為 可能，結果，能夠提升生產性。
(3)歷來，係每次變更清洗週期需要再調整清洗用維護配方，亦需要連動修正清洗配方。為此，有修正錯誤或修正遺漏則無法正確清洗的問題，但根據在本實施形態中之可自動判定清洗處理的結束的機制，則可極力縮小對於清洗週期之變更的影響範圍，可避免在因清洗週期變更時之修正項目的削減所造成的修正錯誤下之批退。
(4)不限於清洗處理，可應用於循環沖洗處理、在後述之去活處理等之其他處理的結束條件。
(5)在本實施形態中之利用了從濃度檢測器252所取得之信號值的清洗之終點判定方法，係在採用於後述之去活處理之情況下為有效的。於此，從處理爐28從排氣系統附著於泵浦內之Si系化合物，係一旦曝露於大氣則有爆炸的憂慮，故在流放清洗氣體等而改變組成之後，進行維護等，將該改變組成者稱作去活。因此，為了定期的去活運用，有需要依情況之清洗氣體的流放方式、可運用之規範。即使在此種情況下，在為了改變Si系化合物之組成而流放清洗氣體時，在本實施形態中之依既定之氣體濃度的舉動而判定適切的結束時期之技術係有用的。
<本發明之變化例>
例如，上述之基板處理裝置1為批式的縱型裝置之情況下，存在將至少1隻噴嘴(供給成膜用氣體之噴嘴)設 於爐內之情況。在如此之形態中的清洗配方，在爐內之累積膜厚與噴嘴內之累積膜厚方面，係由於除去之條件不同，故有將爐內清洗之步驟與將噴嘴內清洗之步驟。此情況下，在爐內清洗步驟與噴嘴內清洗步驟之兩者中，可構成為：執行在本實施形態中之依副配方之清洗處理。
此外，噴嘴內清洗由於能以既定之時間供給清洗氣體之程度而除去，故可構成為：噴嘴內清洗係執行如歷來的清洗方法，在爐內清洗步驟中執行在本實施形態中之依副配方之清洗處理。
<實施例1>
接著，使用圖14說明有關於本發明之具體的一實施形態。
如圖14所示，基板處理裝置1，係具備長邊方向朝向垂直方向之略圓筒狀的反應管302。反應管302，係由優於耐熱及耐腐蝕性之材料，例如，石英所形成。
於反應管302之上端，係設有以朝向上端側而直徑縮小的形式形成為大致圓錐狀之頂部。排氣系統，係以排氣配管與後述之旁通管320所構成。於排氣配管，係連接著配設了作為主閥之壓力閥242、閥309、泵浦310等之壓力調整機構的排氣配管，藉此壓力調整機構使得反應管302內被控制成期望的壓力(真空度)。
於反應管302之下方，係配置了歧管303。此 外，藉不圖示之晶舟升降機使得密封蓋34上昇，配置於反應管302之下方側(爐口部分)之歧管309藉密封蓋34而被閉鎖。
晶舟26，係載置於密封蓋34上。晶舟26，係例如，由石英所形成。藉不圖示之旋轉機構使得晶舟26旋轉。於反應管302之周圍，係以包圍反應管302的方式，例如，設置了由電阻發熱體所成之加熱器。藉此加熱器使得反應管302之內部被加熱至既定之溫度。
於反應管302之下端近旁的側面，係於反應管302內導入成膜氣體之不圖示的處理氣體導入管。處理氣體導入管，係透過不圖示之質流控制器(MFC)，而連接於不圖示之處理氣體供給源。作為成膜用氣體，係例如，在晶圓18上形成氮化矽膜之情況下，係有二氯矽烷(SiH2Cl2)與氨(NH3)之混合氣體。清洗用氣體，係只要是可將附著於基板處理裝置1之內部的附著物者即可，例如，在本實施之形態中，係供給氟(F2)與氮(N2)之混合氣體。
另外，在圖14未圖示處理氣體導入管，但依導入反應管302內之氣體的種類，插通複數根之處理氣體導入管。具體而言，於反應管302內導入成膜用氣體之成膜用氣體導入管、於反應管302內導入清洗用氣體之清洗用氣體導入管，插通於反應管302之下端的歧管303。此外，於反應管302之下端的歧管303，係插通了沖洗氣體供給管。於沖洗氣體供給管，係透過不圖示之MFC而連 接於不圖示之沖洗氣體供給源，期望量之沖洗氣體被供給於反應管302內。另外，亦可共用導入成膜用氣體與清洗用氣體之供給管。
歧管303與排氣配管被氣密地連接。於排氣配管，係從其上游側，作為主閥之壓力閥242、閥309、泵浦310設置於之間。
調整主閥242之開度，而將反應管302內及排氣配管內之壓力控制成既定之壓力。泵浦310，係透過排氣配管而排放反應管302內之氣體，同時藉與主閥242之協作而調整反應管302內、排氣管305及排氣配管內之壓力。
此外，於排氣配管，係設有旁通管320。旁通管320，係以跨過主閥242的方式，一端連接於主閥242之上游側的排氣配管，另一端連接於主閥242之下游側的排氣配管。此旁通管320之直徑，係設定為其排氣流量(排氣流量面積)小於排氣配管。於旁通管320，係從其上游側，閥305、壓力檢測器306、包含紅外線感測器之濃度檢測器252、針閥307、閥308、設置於之間。
藉將閥305開放，流通於排氣配管之氣體的一部分流至旁通管320。針閥307，係以針閥307之兩端的壓力差成為預定之值的方式，其開度被預先調整。
接著，說明有關於基板處理裝置1之洗淨方法。在本實施之形態中，係將藉在晶圓18上形成氮化矽膜而將附著於基板處理裝置1之內部的氮化矽除去之情況 作為例子，說明有關於基板處理裝置1之洗淨方法。另外，在本實施之形態中，係亦說明有關於在基板處理裝置1之內部附著了氮化矽之成膜處理。此外，在以下之說明中，構成基板處理裝置1之各部的動作，係由裝置控制器240所控制。
一旦構成處理室29之反應管302內在既定之壓力及溫度下穩定，則停止來自沖洗氣體供給管之氮的供給。然後，從不圖示之處理氣體導入管17將作為處理氣體之二氯矽烷(SiH2Cl2)或六氯二矽烷(Si2Cl6)等之矽(Si)含有氣體既定量，例如，0.1升/min，然後，作為供以予以與矽(Si)含有氣體反應而使氮化合物堆積於基板的反應氣體，例如，將氨(NH3)等之含氮氣體既定量，例如，1升/min導入反應管302內。
導入反應管302內之二氯矽烷及氨，係因反應管302內之熱而引起熱分解反應，在晶圓18之表面堆積了氮化矽膜(Si3N4)。另外，此等成膜用氣體，係亦可供給於循環而成膜。藉此，於晶圓18之表面形成氮化矽膜(Si3N4膜)(成膜程序)。
一旦在晶圓18之表面形成既定厚之氮化矽膜，則停止來自不圖示之處理氣體導入管的二氯矽烷(SiH2Cl2)及氨(NH3)之供給。然後，從沖洗氣體供給管於反應管302內供給既定量之氮，同時一面控制主閥242之開度，一面驅動泵浦310而將反應管302內之氣體排出(沖洗程序)。另外，為了將反應管302內之氣體確 實排出，較佳為進行氮之供給及反應管302內之氣體的排出重複複數次的循環沖洗。
然後，藉不圖示之加熱器，將反應管302內，設成既定之溫度，例如300℃，同時從沖洗氣體供給管於反應管302內供給既定量之氮，使反應管302內之壓力返回常壓。最後，藉不圖示之晶舟升降機使密封蓋34下降，從而卸載(卸載程序)。
另外，供於予以堆積於基板之膜，係在本實施例中，採用氮化矽膜，但當然亦可為矽膜。
一旦進行複數次如以上的成膜處理，則藉成膜處理所生成之氮化矽，不僅晶圓18之表面，亦堆積(附著)於裝置內部，例如，反應管302之內壁、晶舟26、歧管303、排氣配管等。為此，將成膜處理進行既定次數之後，執行本發明之基板處理裝置1的清洗方法(蝕刻處理)。作為蝕刻條件，係例示了：溫度：400℃未滿，較佳為200℃~350℃，壓力：1330Pa(10Torr)~101300Pa(大氣壓)，較佳為13300Pa(100Torr)以上53320Pa(400Torr)，F2氣體供給流量：0.5~5slm，NO氣體供給流量：0.5~5slm，N2氣體供給流量：1~20slm，NO氣體/F2氣體流量比：0.5~2，將各自的蝕刻條件，以各自的範圍內之某值維持為固定，從而進行包含薄膜之堆積物的蝕刻。在本實施形態之 基板處理裝置1的洗淨方法中，作為處理條件之一例，將在氣體清洗程序(薄膜之蝕刻程序)中之反應管302內的溫度設成300℃，將F2氣體之流量設成2.0slm，將NO氣體之流量設成1.0slm，將反應管302內之壓力設成6000Pa。使作為清洗用氣體之氟(F2)氣體與作為添加氣體之一氧化氮(NO)氣體混合，導入反應管302內，進行附著於反應管302等之氮化矽(Si3N4)的除去(清洗)。此外，在此清洗中，係在從反應管302內所排出之氣體中所含的四氟化矽(SiF4)之濃度藉濃度檢測器252而測定，基於此SiF4之濃度而決定清洗之終點(end point)。
首先，藉加熱器將反應管302內維持於既定之裝載溫度，例如300℃。此外，從沖洗氣體供給管於反應管302內供給既定量之氮後，將未收容晶圓18之晶舟26載置於密封蓋34上，藉不圖示之晶舟升降機使密封蓋34上升，將晶舟26裝載於反應管302內(裝載程序)。
一旦反應管302內以既定之壓力及溫度而穩定，則停止來自沖洗氣體供給管之氮的供給。然後，從不圖示之處理氣體導入管將清洗用氣體導入反應管302內。在本實施之形態中，係將由既定量之氟(F2)例如2升/min、既定量之一氧化氮(NO)例如1升/min、既定量之作為稀釋氣體之氮例如8升/min所成之清洗用氣體導入反應管302內。
所導入之清洗用氣體係在反應管302內加 熱，清洗用氣體中之氟會活性化，亦即，成為具有多數的具有反應性之自由的原子之狀態。此活性化之氟與附著於反應管302的內壁等之氮化矽(Si3N4)接觸，從而附著於反應管302等之氮化矽(Si3N4)與清洗用氣體(F2)反應。
因為此反應所生成之生成物(SiF4)從反應管302內透過排氣配管等而被排出至裝置外部。結果，附著於基板處理裝置1之內部的氮化矽被除去(清洗程序)。
於此，濃度檢測器252，亦可構成為具有：作為提取從反應管302所排出之氣體的至少一部分之提取部的旁通管320、將在以前述提取部所提取得氣體之至少一部分中所含的既定之氣體抽出的抽出部。在清洗程序中，係將在從反應管302內所排出之氣體中所含的既定之氣體，在本實施形態係四氟化矽(SiF4)的濃度藉濃度檢測器252而測定，利用此測定結果，而在判斷為在從反應管302內所排出之氣體中已不含四氟化矽時，作為附著於反應管302等之氮化矽已被除去者，決定清洗程序之終點(end point)。另外，關於終點判定之細節由於如已經敘述者故省略。
以此方式，在清洗程序中，係將清洗用氣體導入反應管302內，開始附著於反應管302等之氮化矽的清洗，同時將閥305開放而將從反應管302內所排出之氣體的一部分從排氣配管導入旁通管320(濃度檢測器252)。藉此，從反應管302內所排出之氣體(尤其、 SiF4氣體)被供給於紅外線感測器之單元內，四氟化矽(SiF4)之濃度藉濃度檢測器252而被測定。然後，依從濃度檢測器252所檢測出之檢測信號，決定清洗程序之終點(end point)，從而可適切地清洗基板處理裝置1。此外，能在適切的清洗時間將附著於裝置內部之構材的附著物除去。此外，可減低反應管302等之裝置內部的構材所受的損傷，可抑制顆粒的產生。此外，可抑制清洗氣體之使用量。
在清洗程序中，係較佳為藉紅外線感測器用加熱器而將紅外線感測器之單元窗加熱為至少150℃。藉將單元窗加熱為至少150℃，可防止從反應管302內所排出之副生成物的粉末附著於單元窗。結果，可防止因副生成物的粉末之附著所造成之單元窗的透射率之降低，可防止濃度檢測器252之性能的降低。
一旦附著於基板處理裝置1之內部的氮化矽被除去，則停止來自處理氣體導入管之清洗用氣體的導入。然後，從沖洗氣體供給管於反應管302內供給既定量之氮，同時一面控制主閥242之開度，一面驅動泵浦322而將反應管302內之氣體排出(沖洗程序)。
然後，從沖洗氣體供給管於反應管302內供給既定量之氮，同時一面控制主閥242之開度，一面驅動泵浦322，使反應管302內之壓力返回常壓。最後，藉不圖示之晶舟升降機使密封蓋34下降，從而卸載(卸載程序)。
如以上所說明，根據本發明之一實施形態，利用藉濃度檢測器252所檢測出之檢測信號，而決定清洗程序之終點(end point)，故可適切地清洗基板處理裝置1。此外，由於可在適切的洗淨時間清洗，故可減低反應管302等之裝置內部的構材(構件)所受的損傷，可抑制顆粒的產生。再者，可抑制清洗氣體之使用量。
根據本發明之一實施形態，由於僅使由從反應管302內所排出之氣體中所含之四氟化矽所吸收之紅外線的波段之紅外光入射於濃度檢測器252，故濃度檢測器252，係僅測定四氟化矽之濃度即可，可使其構成變簡單。
此外，在上述實施形態中，係於排氣配管設置旁通管320，以於此旁通管320在中間設置了具有紅外線感測器之濃度檢測器252的情況作為例子說明了本發明，但只要測定在從反應管302內所排出之排放氣體中所含的既定之氣體的濃度即可，例如，不設置旁通管320，於排氣配管在中間設置具有紅外線感測器之濃度檢測器252亦可。此外，測定氣體之濃度的測定部除了紅外線感測器以外，亦可為各種感測器。
<實施例2>
接著，使用圖15說明有關於本發明之具體的其他實施形態。
從反應管302附著於排氣系統及泵浦310內 之Si系化合物，係一旦急速曝露於大氣則有爆炸的憂慮，故在流放既定之清洗氣體等而改變組成之後，有必要進行維護等。在圖15中，作為清洗氣體而供給F2氣體，從而予以與上述Si系化合物反應，而使SiF4產生。
另外，在處理爐28內之Si系化合物藉清洗氣體而全被組成變更為SiF4之後(總之，處理爐清洗結束)，於排氣系統，係亦有附著了Si系化合物之可能性。如果，無法往排氣系統直接流放清洗氣體，則只能透過處理爐28而供給清洗氣體，故處理爐28內之石英構材會過蝕，成為顆粒的原因。另一方面，若藉清洗氣體所為之組成變更處理(去活處理)不充分，則有Si系化合物的爆炸之虞。因此，由於維護時有使排氣系統之配管曝露於大氣的情況故非常危險。
因此，在本實施之形態中，如圖15所示，規定成：一旦執行了維護用配方，則從氣體供給管不透過反應爐(Reactor)28而於壓力閥(MainValve)242之排氣側直接供給清洗氣體。
在圖15中，係於主泵浦(Main Pump)310之排氣側的排氣配管配置了濃度檢測器252。濃度檢測器252，係構成：供以測定濃度之感測器單元252a、從此紅外線感測器所測定之結果算出濃度而輸出之控制單元252b。於此，濃度檢測器252，係非發散性紅外線分析器(NDIR(Non-Dispensive InfraRed))，係從排放氣體(流於排氣側之排氣配管中的氣體)中檢測出既定之氣體 的濃度之濃度檢測器。在本實施形態中之濃度檢測器252，係測定四氟化矽(SiF4)之濃度。然後，4-20mA作為濃度輸出被輸出至I/O通信部255。
以此方式，在圖15中，係可：藉濃度檢測器，檢測出藉去活處理所產生之四氟化矽(SiF4)，從而利用於Si系化合物之組成變更處理是否結束的判定。
在本實施之形態中，係可：在清洗程序中，不僅在從處理爐28內所排出之氣體中所含的既定之氣體，將藉從處理爐28附著於排氣系統及泵浦310內之Si系化合物與清洗氣體(F2)的反應所生成之四氟化矽(SiF4)的濃度藉濃度檢測器252而測定，利用此測定結果，而一旦判斷為排氣系統之氣體中已不包含四氟化矽，則作為Si系化合物之去活處理已結束者，而決定清洗程序之結束。
在上述實施例1及實施例2中，係以包含作為稀釋氣體之氮氣的情況作為例子而說明了本發明，但亦可不包含稀釋氣體。作為稀釋氣體，係較佳為惰性氣體，除了氮氣以外，例如，可適用：氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)。
在上述實施例1及實施例2中，係在清洗程序中，以連續性測定含於排放氣體中之四氟化矽的濃度之情況作為例說明了本發明，但例如，以每隔幾分鐘的方式，間歇地測定亦可。此情況下，採取測定間隔隨著清洗續行而縮短較佳。此外，亦可於排氣配管設置複數個濃度 檢測器252。只要如此地構成，則膜種，即使為二氧化矽之情況，以1個紅外線感測器，測定四氟化矽(SiF4)之濃度，另1個測定HF之濃度，可適切地檢測出清洗程序之結束判定。
在上述實施例1及實施例2中，係以裝置內部之構材至少一個係由石英所形成之情況作為例子而說明了本發明，但例如，亦可藉碳化矽(SiC)而形成。
<本發明之其他實施形態>
作為附著於前述裝置內部之附著物，有：氮化矽、二氧化矽、氮化鈦、鎢、多晶矽、氧化鋁、氧化鉿、矽酸鉿氧化物，或者，氮氧矽鉿。此情況下，作為前述既定之氣體，係例如有：四氟化矽、四氯化矽、三氟化氮、四氯化鈦、四氟化鈦、四氟化鎢、六氟化鎢、四氟化鋁、四氯化鉿，或者，四氟化鉿。及為此等之副生成物等。
例如，在附著於熱處理裝置1之內部的附著物為二氧化矽(SiO2)之情況下，作為清洗氣體，可使用：包含氟化氫之氣體、包含氟與氟化氫之氣體、包含氟化氫與氨之氣體等。此情況下，測定之氣體，係採用四氟化矽(SiF4)較佳。
此外，作為清洗氣體，使用三氟化氯(ClF3)之情況下，測定之氣體，係較佳為：依形成於被處理體之膜的種類，採用如下的氣體。於被處理體形成氮化矽(Si3N4)膜和氧化矽(SiO)膜之情況下，測定之氣 體，係較佳為採用：四氟化矽(SiF4)、四氯化矽(SiCl4)，或者，三氟化氮(NF3)。於被處理體形成氮化鈦(TiN)膜之情況下，測定之氣體，係四氯化鈦(TiCl4)、四氟化鈦(TiF4)，或者，較佳為採用：三氟化氮(NF3)。於被處理體形成鎢(W)膜之情況下，測定之氣體，係較佳為採用：四氟化鎢(WF4)。於被處理體形成矽化鎢氧化(WSiO2)膜之情況下，測定之氣體，係較佳為採用：四氟化矽(SiF4)，或者，六氟化鎢(WF6)。
使用TEOS(Si(C2H5O)4)，而於晶圓18之表面形成二氧化矽(SiO2)之情況下，於熱處理裝置1之內部，會附著由二氧化矽、和碳、氫、氧等所成之副生成物。作為清洗氣體，例如，使用包含氟化氫(HF)與氨(NH3)之氣體，作為測定之氣體，例如，藉採用乙醇(C2H5OH)，可判定使用了藉具有紅外線感測器之濃度檢測器327,427所得之檢測信號的清洗之終點(end point)。
此外，附著於基板處理裝置1之內部的附著物為氧化鋁(AlO)、氧化鉿(HfO)、矽酸鉿氧化物，或者，氮氧矽鉿之情況下，作為測定之氣體，係例如有：四氟化鋁(AlF4)、四氯化鉿(HfCl4)，或者，四氟化鉿(HfF4)。
此外，例如如上所述，在本發明相關之處理爐28的構成，係構成為處理多數個晶圓18之批式裝置， 但不限於此，亦可於逐片處理晶圓18之單晶圓式裝置應用本發明。
例如，在上述之實施形態，係以處理對象基板為半導體晶圓基板之情況舉例，但本發明不限定於此，於處理LCD(Liquid Crystal Display)裝置等之玻璃基板的基板處理裝置亦可適用。
另外例如，在上述之實施形態，係不要本發明受限於此。亦即，作為其他成膜處理，亦可為：形成氧化膜、氮化膜之處理、形成包含金屬之膜的處理。此外，基板處理之具體內容不限，再者，本發明，係於其他基板處理裝置，例如氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗布裝置、利用了電漿之CVD裝置等之其他基板處理裝置亦可適用。
接著，附記本發明之較佳態樣。
〔附記1〕
根據本發明之一態樣，提供一種清洗方法，具有供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序，在前述清洗程序中，係控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記2〕
較佳地，提供如附記1之清洗方法，其中，前述清洗氣體，亦可使用氟(F2)氣，氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體，三氟化氮(NF3)氣體等之包含氟(F)和氯(Cl)等之鹵素的含鹵素氣體，另外為將此等組合。
〔附記3〕
較佳地，提供如附記1之清洗方法，其中，附著於前述構件之附著物，係從氮化矽(Si3N4)、二氧化矽(SiO2)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、多晶矽(Poly-Si)、氧化鋁(AlO)、氧化鉿(HfO)、矽酸鉿氧化物，或者，氮氧矽鉿中選擇至少一者。
〔附記4〕
較佳地，提供如附記1之清洗方法，其中，作為前述既定之氣體，係例如，從四氟化矽(SiF4)、四氯化矽(SiCl4)、三氟化氮(NF3)、四氯化鈦(TiCl4)、四氟化鈦(TiF4)、四氟化鎢(WF4)、六氟化鎢(WF6)、四氟化鋁(AlF4)、四氯化鉿(HfCl4)、四氟化鉿(HfF4)、此等之副生成物等中選擇至少一者。
〔附記5〕
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於構 成裝置之構件的附著物除去之清洗程序，在前述清洗程序中，係控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記6〕
再更佳地，提供如附記5之半導體裝置之製造方法，其中，前述清洗氣體，係氟(F2)氣、氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、三氟化氮(NF3)氣體等之包含氟(F)和氯(Cl)等之鹵素的含鹵素氣體，或者，此等之組合。
〔附記7〕
再者，較佳地，提供如附記5之半導體裝置之製造方法，其中，附著於前述構件之附著物，係從氮化矽(Si3N4)、二氧化矽(SiO2)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、多晶矽(Poly-Si)、氧化鋁(AlO)、氧化鉿(HfO)、矽酸鉿氧化物，或者，氮氧矽鉿中選擇至少一者。
〔附記8〕
再者，較佳地，提供如附記5之半導體裝置之製造方法，其中，作為前述既定之氣體，係例如，從四氟化矽 (SiF4)、四氯化矽(SiCl4)、三氟化氮(NF3)、四氯化鈦(TiCl4)、四氟化鈦(TiF4)、四氟化鎢(WF4)、六氟化鎢(WF6)、四氟化鋁(AlF4)、四氯化鉿(HfCl4)、四氟化鉿(HfF4)、此等之副生成物中選擇至少一者。
〔附記9〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種基板處理裝置，供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於構成裝置之構件的附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述清洗控制部，係控制成：表示前述既定的氣體之濃度的信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記10〕
較佳地，再者，提供如附記9之基板處理裝置，其中，具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述排出部，係具備連接於處理前述基板之處理室的 排出路徑、在該排出路徑中間所設之泵浦，前述測定部，係設置在比前述泵浦上游側之前述排出路徑中間。
〔附記11〕
較佳地，再者，提供如附記9之基板處理裝置，其中，具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述排出部，係具備連接於處理前述基板之處理室的排出路徑、在該排出路徑中間所設之泵浦，前述測定部，係設置在比前述泵浦下游側之前述排出路徑中間。
〔附記12〕
較佳地，提供如附記9~附記11中任一者之基板處理裝置，其中，作為前述既定之氣體，係例如，從四氟化矽(SiF4)、四氯化矽(SiCl4)、三氟化氮(NF3)、四氯化鈦(TiCl4)、四氟化鈦(TiF4)、四氟化鎢(WF4)、六氟化鎢(WF6)、四氟化鋁(AlF4)、四氯化鉿(HfCl4)、四氟化鉿(HfF4)、及此等之副生成物等中選擇至少一者。
〔附記13〕
較佳地，提供如附記10或附記11之基板處理裝置，其中，前述測定部，係具有：提取從前述處理室所排出之氣體的至少一部分的提取部、將在以前述提取部所提取之氣體的至少一部分中所含之前述既定的氣體抽出之抽出 部。
〔附記14〕
較佳地，提供如附記10或附記11之基板處理裝置，其中，前述測定部，係在前述排出路徑設置了複數個。
〔附記15〕
較佳地，再者，提供如附記9之基板處理裝置，其中，具有：至少記憶供以將附著於構成裝置之構件的附著物除去之配方(清洗配方)的記憶部、執行儲存於前述記憶部之前述配方的執行部，在前述清洗配方中，在執行清洗處理之清洗步驟，係具有氣體清洗程序之副配方被至少重複執行，直到表示既定之氣體的濃度的信號到達既定之上限值以下為止。
〔附記16〕
較佳地，提供如附記15之基板處理裝置，其中，前述副配方之執行次數，係第1既定次數(最小循環次數)與第2既定次數(最大循環次數)之間的次數。
〔附記17〕
較佳地，提供如附記15之基板處理裝置，其中，前述第1既定次數，係從當下的累積膜厚值分配執行一次前述副配方時可除去之膜厚值的數值。
〔附記18〕
較佳地，提供如附記16之基板處理裝置，其中，前述副配方之執行後，前述執行次數超過前述第2既定次數(最大循環次數)之情況下，通知終點檢知不可的警報。
〔附記19〕
較佳地，提供如附記9或附記15之基板處理裝置，其中，前述構件，係構成處理爐28(或處理室29)之構件。
〔附記20〕
較佳地，前述構件，係提供是反應管302之如附記19之基板處理裝置。
〔附記21〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗構成裝置之構件，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述構件之附著物除去；以及控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下 後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記22〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種結束判定方法，係供排清洗氣體而清洗構成裝置之構件的清洗之結束判定方法，判定：表示因附著於前述構件之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記23〕
較佳地，提供如附記22之清洗之結束判定方法，其中，前述清洗氣體，亦可使用氟(F2)氣、氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、三氟化氮(NF3)氣體等之包含氟(F)和氯(Cl)等之鹵素的含鹵素氣體，另外為將此等組合。
〔附記24〕
較佳地，提供如附記22之清洗之結束判定方法，其中，附著於前述構件之附著物，係從氮化矽(Si3N4)、二氧化矽(SiO2)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、多晶矽(Poly-Si)、氧化鋁(AlO)、氧化鉿(HfO)、矽酸鉿氧化物，或者，氮氧矽鉿中選擇至少一者。
〔附記25〕
較佳地，提供如附記22之清洗之結束判定方法，其中，作為前述既定之氣體，係例如，從四氟化矽(SiF4)、四氯化矽(SiCl4)、三氟化氮(NF3)、四氯化鈦(TiCl4)、四氟化鈦(TiF4)、四氟化鎢(WF4)、六氟化鎢(WF6)、四氟化鋁(AlF4)、四氯化鉿(HfCl4)、四氟化鉿(HfF4)、此等之副生成物中選擇至少一者。
〔附記26〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序；在前述清洗程序中，係判定：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記27〕
較佳地，提供如附記26之半導體裝置之製造方法，其中，前述清洗氣體，亦可使用氟(F2)氣、氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、三氟化氮(NF3)氣體等之包含氟(F)和氯(Cl)等之鹵素的含鹵素氣 體，另外為將此等組合。
〔附記28〕
較佳地，提供如附記26之半導體裝置之製造方法，其中，附著於前述構件之附著物，係從氮化矽(Si3N4)、二氧化矽(SiO2)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、多晶矽(Poly-Si)、氧化鋁(AlO)、氧化鉿(HfO)、矽酸鉿氧化物，或者，氮氧矽鉿中選擇至少一者。
〔附記29〕
較佳地，提供如附記26之半導體裝置之製造方法，其中，作為前述既定之氣體，係例如，從四氟化矽(SiF4)、四氯化矽(SiCl4)、三氟化氮(NF3)、四氯化鈦(TiCl4)、四氟化鈦(TiF4)、四氟化鎢(WF4)、六氟化鎢(WF6)、四氟化鋁(AlF4)、四氯化鉿(HfCl4)、四氟化鉿(HfF4)、此等之副生成物中選擇至少一者。
〔附記30〕
提供一種基板處理裝置，供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及 控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於構成裝置之構件的附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記31〕
較佳地，提供如附記30之基板處理裝置，其中，前述排出部，係具備連接於處理前述基板之處理室的排出路徑、在該排出路徑中間所設之泵浦，前述測定部，係設置在比前述泵浦上游側之前述排出路徑中間。
〔附記32〕
較佳地，提供如附記30之基板處理裝置，其中，前述排出部，係具備連接於處理前述基板之處理室的排出路徑、在該排出路徑中間所設之泵浦，前述測定部，係設置在比前述泵浦下游側之前述排出路徑中間。
〔附記33〕
較佳地，提供如附記30~附記32中任一者之基板處理裝置，其中，作為前述既定之氣體，係例如，從四氟化矽(SiF4)、四氯化矽(SiCl4)、三氟化氮(NF3)、四氯化鈦(TiCl4)、四氟化鈦(TiF4)、四氟化鎢(WF4)、六氟化鎢(WF6)、四氟化鋁(AlF4)、四氯化鉿(HfCl4)、四氟化鉿(HfF4)、及此等之副生成物等中選擇至少一者。
〔附記34〕
較佳地，提供如附記31或附記32之基板處理裝置，其中，前述測定部，係具有：提取從前述處理室所排出之氣體的至少一部分的提取部、將在以前述提取部所提取之氣體的至少一部分中所含之前述既定的氣體抽出之抽出部。
〔附記35〕
較佳地，提供如附記31或附記32之基板處理裝置，其中，前述測定部，係在前述排出路徑設置了複數個。
〔附記36〕
較佳地，再者，提供如附記30之基板處理裝置，其中，具有：至少記憶供以將附著於構成裝置之構件的附著物除去之配方(清洗配方)的記憶部、執行儲存於前述記憶部之前述配方的執行部、 在前述清洗配方中，在執行清洗處理之清洗步驟，係至少具有氣體清洗程序之副配方，至少被執行既定次數。
〔附記37〕
較佳地，提供如附記36之基板處理裝置，其中，前述副配方，係進一步具有排氣程序，藉執行前述副配方，實現時序列地重複清洗程序與排氣程序的循環清洗。
〔附記38〕
較佳地，提供如附記30之基板處理裝置，其中，前述既定次數，係從當下的累積膜厚值分配執行一次前述副配方時可除去之膜厚值的數值(次數)。
〔附記39〕
較佳地，提供如附記38之基板處理裝置，其中，前述既定次數，係第1既定次數(最小循環次數)，前述副配方，係執行前述第1既定次數(最小循環次數)與第2既定次數(最大循環次數)之間的次數。
〔附記40〕
較佳地，提供如附記38之基板處理裝置，其中，前述既定次數後，確認：在執行前述副配方中所取得之信號的最大值及最小值，是否落入前述既定之上下限值的範圍 內。
〔附記41〕
較佳地，提供如附記38之基板處理裝置，其中，前述既定次數後，監視在執行前述副配方中所取得之信號的最大值及最小值，一旦落入前述既定之上下限值的範圍內的次數，在前述第1既定次數(最小循環次數)與前述第2既定次數(最大循環次數)之間連續到達第3既定次數(穩定循環次數)，則使清洗結束判定為正常判定。
〔附記42〕
較佳地，提供如附記39或附記41之基板處理裝置，其中，前述副配方之執行次數超過前述第2既定次數(最大循環次數)之情況下，當作清洗結束判定為異常判定而通知終點檢知不可之警報。
〔附記43〕
較佳地，提供如附記41或附記42之基板處理裝置，其中，前述清洗結束判定後，執行前述清洗配方之下個步驟，使前述清洗配方結束。
〔附記44〕
較佳地，提供如附記30或附記36之基板處理裝置，其中，前述構件，係構成前述處理室之構件。
〔附記45〕
較佳地，提供如附記19之基板處理裝置，其中，前述構件，係反應管302。
〔附記46〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗構成裝置之構件，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述構件之附著物除去；測定表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號；以及判定：前述表示濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記47〕
提供一種結束判定方法，係供排清洗氣體而清洗處理基板之處理室內的清洗之結束判定方法，判定：表示因附著於前述處理室的內壁之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記48〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於處理基板的處理室之內壁的附著物除去之清洗程序；在前述清洗程序中，係判定：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記49〕
提供一種基板處理裝置，至少具備供給處理氣體而處理基板之處理室，該基板處理裝置具備：於前述處理室內供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出從前述處理室內所排出之前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以除去附著於前述處理室之內壁的附著物之方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的 範圍內的基板處理裝置。
〔附記50〕
提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗處理基板之處理室內，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述處理室的內壁之附著物除去；以及測定表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號；判定：前述表示濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記51〕
提供一種結束判定方法，係供排清洗氣體而清洗反應管之清洗之結束判定方法，判定：表示因附著於前述反應管之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記52〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：於反應管內供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而 將附著於前述反應管之附著物除去之清洗程序；在前述清洗程序中，係判定：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記53〕
提供一種基板處理裝置，於反應管內供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：於前述反應管內供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出從前述反應管內所排出之前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於前述反應管之附著物除去的方式將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記54〕
提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記 錄媒體，該清洗結束判定程式清洗反應管，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述反應管之附著物除去；測定表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度；以及判定：前述表示濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記55〕
提供一種結束判定方法，係供排清洗氣體而清洗加熱成既定之溫度的反應爐內的清洗之結束判定方法，判定：表示因附著於前述反應管之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記56〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：於加熱成既定之溫度的反應爐供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於構成前述反應爐之構件的附著物除去之清洗程序；在前述清洗程序中，係判定：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到 達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記57〕
提供一種基板處理裝置，於反應爐內供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：將前述反應爐內加熱成既定之溫度的加熱部；於前述反應爐內供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出從前述反應爐內所排出之前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於構成反應爐之構件的附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記58〕
提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗加熱至既定溫度之反應 爐內，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於構成前述反應爐之構件的附著物除去；測定表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度；以及判定：前述表示濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記59〕
提供一種結束判定方法，係將清洗氣體供給於排氣配管而失活處理之清洗的結束判定方法，判定：表示因附著於前述排氣配管之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記60〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及將清洗氣體供給於排氣配管，而失活處理之清洗程序；在前述清洗程序中，係判定：表示因附著於前述排氣配管之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記61〕
提供一種基板處理裝置，於反應管內供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：於前述反應管內或排氣配管供給清洗氣體之清洗氣體供給部；設置了前述排氣配管之排出部；控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於前述排氣配管之附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；以及前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記54〕
提供一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式將排氣配管內失活處理，並具有以下程序：將清洗氣體供給於前述排氣配管，而將附著於前述排氣配管之附著物除去； 測定表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度；以及判定：前述表示濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記55〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種結束判定方法，係將附著於反應管之附著物除去的清洗之結束判定方法，於前述反應管內供給供給清洗氣體，而清洗前述反應管時，測定表示在從前述反應管所排出之氣體中所包含之既定之氣體的濃度的信號，判定：前述表示濃度之信號，到達既定之閾值後，是否落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記56〕
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，具有：於反應管內供給處理氣體而於基板形成膜之程序；將附著於前述反應管之附著物除去之清洗程序；於在前述反應管內供給清洗氣體而清洗前述反應管之清洗程序，係判定：表示在從前述反應管所排出之氣體中所包含之既定之氣體的濃度的信號，到達既定之閾值後，是否落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記57〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種基板處理裝置，於反應管內供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：於前述反應管內供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出從前述反應管內所排出之前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於前述反應管之附著物除去的方式將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之閾值後，是否落入既定之上下限值的範圍內。
〔附記58〕
根據本發明之再另一個態樣，提供一種記錄了結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該結束判定程式係將附著於反應管之附著物除去的清洗之結束判定程式，具有以下程序：於前述反應管內供給供給清洗氣體，而清洗反應管；測定表示在從前述反應管內所排出之氣體中所包含之既定之氣體的濃度；以及 判定：前述表示濃度之信號，到達既定之閾值後，是否落入既定之上下限值的範圍內之程序。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧框體
3‧‧‧正面壁
5‧‧‧正面維護門
7‧‧‧前擋件
8‧‧‧裝載埠
9‧‧‧傳送盒
11‧‧‧旋轉式傳送盒架
14‧‧‧傳送盒開具
15‧‧‧傳送盒搬送機構
16‧‧‧子框體
17‧‧‧正面壁
21‧‧‧載置台
23‧‧‧移載室
24‧‧‧晶圓移載機構
26‧‧‧晶舟
27‧‧‧待機部
28‧‧‧處理爐
29‧‧‧處理室
32‧‧‧晶舟升降機
34‧‧‧密封蓋
35‧‧‧清洗單元
36‧‧‧潔淨空氣

Claims (8)

  1. 一種清洗方法，具有供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序，在前述清洗程序中，係控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
  2. 一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序，在前述清洗程序中，係控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
  3. 一種基板處理裝置，供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備：供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於構成裝置之構件的附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述清洗控制部，係控制成：表示前述既定的氣體之濃度的信號，到達既定之上限值以下後，既定期間落入既 定之上下限值的範圍內。
  4. 一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗構成裝置之構件，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述構件之附著物除去；以及控制成：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號到達既定之上限值以下後，既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
  5. 一種結束判定方法，係供排清洗氣體而清洗構成裝置之構件的清洗之結束判定方法，判定：表示因附著於前述構件之附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
  6. 一種半導體裝置之製造方法，具有：供給處理氣體而處理基板之程序；以及供排清洗氣體，而將附著於構成裝置之構件的附著物除去之清洗程序；在前述清洗程序中，係判定：表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
  7. 一種基板處理裝置，供給處理氣體而處理基板，該基板處理裝置具備： 供給清洗氣體之清洗氣體供給部；排出前述處理氣體或前述清洗氣體之排出部；以及控制前述清洗氣體供給部及前述排出部，而以將附著於構成裝置之構件的附著物除去的方式，將因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體排出的清洗控制部；前述排出部，係具有測定前述既定之氣體的濃度之測定部，前述清洗控制部，係藉前述測定部而取得表示前述既定之氣體的濃度之信號，判定：該所取得之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內。
  8. 一種記錄了清洗結束判定程式之電腦可讀取之記錄媒體，該清洗結束判定程式清洗構成裝置之構件，並具有以下程序：供排清洗氣體，而將附著於前述構件之附著物除去；測定表示因前述附著物與前述清洗氣體之反應而生成的既定之氣體的濃度；判定：前述表示濃度之信號，到達既定之上限值以下後，是否既定期間落入既定之上下限值的範圍內之程序。
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