JP2000235955A - Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JP2000235955A JP2000235955A JP11036396A JP3639699A JP2000235955A JP 2000235955 A JP2000235955 A JP 2000235955A JP 11036396 A JP11036396 A JP 11036396A JP 3639699 A JP3639699 A JP 3639699A JP 2000235955 A JP2000235955 A JP 2000235955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- gas
- substance
- etching
- mass spectrum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 堆積膜とガスとの反応だけで行う膜エッチン
グが終了した時点で確実にクリーニング処理を終了させ
ることができるＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニン
グ方法を提供する。 【解決手段】 内部で物質堆積処理がなされる真空容器
１と、真空容器１の内部に堆積した前記物質の成分をエ
ッチングするクリーニングガスを導入するクリーニング
ガス供給系７と、前記エッチング中の真空容器１内に存
在するガスを分析する質量分析器１０と、質量分析器１
０からの質量スペクトル信号強度に基づいて前記エッチ
ングガスの導入を停止するクリーニングガス供給停止機
構１３を備えたものである。
グが終了した時点で確実にクリーニング処理を終了させ
ることができるＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニン
グ方法を提供する。 【解決手段】 内部で物質堆積処理がなされる真空容器
１と、真空容器１の内部に堆積した前記物質の成分をエ
ッチングするクリーニングガスを導入するクリーニング
ガス供給系７と、前記エッチング中の真空容器１内に存
在するガスを分析する質量分析器１０と、質量分析器１
０からの質量スペクトル信号強度に基づいて前記エッチ
ングガスの導入を停止するクリーニングガス供給停止機
構１３を備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＶＤ（熱的化学気
相成長）装置及びＣＶＤ装置のクリーニング方法、特
に、半導体製造に用いるＣＶＤ装置の真空容器内部に付
着した膜を除去するためのクリーニング機構を具備した
ＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニング方法に関する
ものである。
相成長）装置及びＣＶＤ装置のクリーニング方法、特
に、半導体製造に用いるＣＶＤ装置の真空容器内部に付
着した膜を除去するためのクリーニング機構を具備した
ＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニング方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造に用いるＣＶＤ法は目的とす
る化学反応を密閉した真空容器内で生じさせて薄膜を成
長させるものであり、目的とする薄膜を堆積するための
半導体基板は真空容器内のサセプタ等の基板支持体上に
載置され、主として薄膜はこの半導体基板上に堆積する
のであるが、この膜は基板上のみならず、真空容器の内
壁にも成膜されて残留する。ＣＶＤ装置を半導体製品製
造のため連続して稼働させる場合、この残留物は処理ご
とに真空容器の内壁上に堆積され、一定量以上の膜厚に
なるとプロセスの不安定化や膜剥離による半導体基板上
のパーティクルの原因となる。
る化学反応を密閉した真空容器内で生じさせて薄膜を成
長させるものであり、目的とする薄膜を堆積するための
半導体基板は真空容器内のサセプタ等の基板支持体上に
載置され、主として薄膜はこの半導体基板上に堆積する
のであるが、この膜は基板上のみならず、真空容器の内
壁にも成膜されて残留する。ＣＶＤ装置を半導体製品製
造のため連続して稼働させる場合、この残留物は処理ご
とに真空容器の内壁上に堆積され、一定量以上の膜厚に
なるとプロセスの不安定化や膜剥離による半導体基板上
のパーティクルの原因となる。
【０００３】この膜を除去するために、真空容器内を一
定期間毎に真空を破ることなくクリーニングするドライ
クリーニング（以下単にクリーニングという）方法が開
発されており、このクリーニング方法はクリーニングガ
スとしてＣｌＦ3ガスを使用し、そのガスからＦ原子を
発生させて真空容器の内壁に付着、堆積した膜をエッチ
ングして除去するものである。ＣｌＦ3ガスはプラズマ
励起を必要とせず、常温でも分解して容易にＦ原子を放
出するので、ＣＶＤ装置によく採用されているが、この
クリーニング法においては単にＣｌＦ3ガスの分解と反
応であるため、プラズマクリーニングの時のように反応
に伴う発光スペクトルなどを利用したクリーニングの終
点検出ができず、特に枚葉式のＣＶＤ装置では有効なク
リーニング終点検出方法が見出されなかった。そこであ
らかじめ膜堆積物に対するエッチング速度を測定してお
き、堆積膜が完全に除去されると予想される時間固定の
クリーニングを行うことでクリーニングの終点を決める
ようにしていた。
定期間毎に真空を破ることなくクリーニングするドライ
クリーニング（以下単にクリーニングという）方法が開
発されており、このクリーニング方法はクリーニングガ
スとしてＣｌＦ3ガスを使用し、そのガスからＦ原子を
発生させて真空容器の内壁に付着、堆積した膜をエッチ
ングして除去するものである。ＣｌＦ3ガスはプラズマ
励起を必要とせず、常温でも分解して容易にＦ原子を放
出するので、ＣＶＤ装置によく採用されているが、この
クリーニング法においては単にＣｌＦ3ガスの分解と反
応であるため、プラズマクリーニングの時のように反応
に伴う発光スペクトルなどを利用したクリーニングの終
点検出ができず、特に枚葉式のＣＶＤ装置では有効なク
リーニング終点検出方法が見出されなかった。そこであ
らかじめ膜堆積物に対するエッチング速度を測定してお
き、堆積膜が完全に除去されると予想される時間固定の
クリーニングを行うことでクリーニングの終点を決める
ようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法ではクリーニングの終点を直接検出していない
ので、最適なクリーニング時間を設定することができ
ず、ある場合にはクリーニング不足のためのクリーニン
グ残渣や過剰クリーニングによる真空容器内壁の表面荒
れ、真空容器内に設置された治具などの変形劣化といっ
た不具合が生じることになる。すなわち、クリーニング
時間が短い場合には、真空容器内部に付着堆積した膜が
残り、これが半導体基板上へのパーティクル汚染の原因
となって再クリーニングが必要となる。また、クリーニ
ング時間が長い場合には、真空容器内部に備え付けられ
た部品治具の寿命が短くなり、交換頻度が多くなるため
ランニングコストが高くなっている。さらに、このクリ
ーニングを行っている間は生産が停止し生産性を低下さ
せる等、種々の問題点があった。
うな方法ではクリーニングの終点を直接検出していない
ので、最適なクリーニング時間を設定することができ
ず、ある場合にはクリーニング不足のためのクリーニン
グ残渣や過剰クリーニングによる真空容器内壁の表面荒
れ、真空容器内に設置された治具などの変形劣化といっ
た不具合が生じることになる。すなわち、クリーニング
時間が短い場合には、真空容器内部に付着堆積した膜が
残り、これが半導体基板上へのパーティクル汚染の原因
となって再クリーニングが必要となる。また、クリーニ
ング時間が長い場合には、真空容器内部に備え付けられ
た部品治具の寿命が短くなり、交換頻度が多くなるため
ランニングコストが高くなっている。さらに、このクリ
ーニングを行っている間は生産が停止し生産性を低下さ
せる等、種々の問題点があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、堆積膜とガスとの反応だけで行う膜エッチング
が終了した時点で確実にクリーニング処理を完了させる
ことができるＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニング
方法を提供することを目的とするものであり、また、半
導体製造工程において、クリーニング終了から生産開始
までのタイムラグを最小にすることにより、高い生産性
を実現することを他の目的とするものである。
であり、堆積膜とガスとの反応だけで行う膜エッチング
が終了した時点で確実にクリーニング処理を完了させる
ことができるＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニング
方法を提供することを目的とするものであり、また、半
導体製造工程において、クリーニング終了から生産開始
までのタイムラグを最小にすることにより、高い生産性
を実現することを他の目的とするものである。
【０００６】
【発明を解決するための手段】本発明のＣＶＤ装置は、
内部で物質堆積処理がなされる容器と、容器内部に堆積
した物質の成分をエッチングするエッチングガスを導入
する手段と、エッチング中の容器内に存在するガスを分
析する質量分析器と、質量分析器から質量スペクトル信
号強度に基づいて前記エッチングガスの導入を停止する
手段とを備えたＣＶＤ装置であり、また、本発明のＣＶ
Ｄ装置のクリーニング方法は物質を堆積するＣＶＤ装置
の容器内に、物質の成分をエッチングするエッチングガ
スを導入する工程と、エッチングガスを用いて前記物質
の成分を除去する工程と、物質の成分を除去する工程中
の容器内に存在するガスを質量分析し、その質量スペク
トル信号強度を測定する工程と、質量スペクトル信号強
度に基づいて前記エッチングガスの導入を停止する工程
とを含むものである。
内部で物質堆積処理がなされる容器と、容器内部に堆積
した物質の成分をエッチングするエッチングガスを導入
する手段と、エッチング中の容器内に存在するガスを分
析する質量分析器と、質量分析器から質量スペクトル信
号強度に基づいて前記エッチングガスの導入を停止する
手段とを備えたＣＶＤ装置であり、また、本発明のＣＶ
Ｄ装置のクリーニング方法は物質を堆積するＣＶＤ装置
の容器内に、物質の成分をエッチングするエッチングガ
スを導入する工程と、エッチングガスを用いて前記物質
の成分を除去する工程と、物質の成分を除去する工程中
の容器内に存在するガスを質量分析し、その質量スペク
トル信号強度を測定する工程と、質量スペクトル信号強
度に基づいて前記エッチングガスの導入を停止する工程
とを含むものである。
【０００７】この発明によれば、堆積膜とガスとの反応
だけで行う膜エッチングが終了した時点で確実にクリー
ニング処理を終了させることができ、また、半導体製造
工程において、クリーニング終了から生産開始までのタ
イムラグを最小にすることが可能となり、高い生産性を
実現することができる。
だけで行う膜エッチングが終了した時点で確実にクリー
ニング処理を終了させることができ、また、半導体製造
工程において、クリーニング終了から生産開始までのタ
イムラグを最小にすることが可能となり、高い生産性を
実現することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】一般的に、真空容器内のクリーニ
ング法は、化学反応を利用した技術であるから、反応後
の反応生成物が真空容器内に存在し、その量はクリーニ
ングが進むにつれ増加し、真空容器に付属した排気系の
排気速度とのバランスでやがて一定の量になった後、付
着堆積膜がすべてエッチングされてクリーニング終了と
ともに急速に減少することが予想される。反応生成物の
検出は、存在場所によらず真空容器内に被クリーニング
処理物が存在する限り行われ、反応性物が検出されなく
なれば、真空容器内に被処理物が存在しないということ
を意味する。
ング法は、化学反応を利用した技術であるから、反応後
の反応生成物が真空容器内に存在し、その量はクリーニ
ングが進むにつれ増加し、真空容器に付属した排気系の
排気速度とのバランスでやがて一定の量になった後、付
着堆積膜がすべてエッチングされてクリーニング終了と
ともに急速に減少することが予想される。反応生成物の
検出は、存在場所によらず真空容器内に被クリーニング
処理物が存在する限り行われ、反応性物が検出されなく
なれば、真空容器内に被処理物が存在しないということ
を意味する。
【０００９】そこで、この反応生成物を質量分析器で検
出することにより、クリーニングの終点検出が可能とな
るのであるが、この終点検出においては被クリーニング
処理物を構成する材料、クリーニングガスの種類や温度
などの条件によって、クリーニング工程中の反応生成物
の種類とその存在量は変わってくる。
出することにより、クリーニングの終点検出が可能とな
るのであるが、この終点検出においては被クリーニング
処理物を構成する材料、クリーニングガスの種類や温度
などの条件によって、クリーニング工程中の反応生成物
の種類とその存在量は変わってくる。
【００１０】よって、反応生成物を質量分析器で検出
し、明確なクリーニング終点を判定するためには質量分
析法での信号強度が大きく、かつその信号強度がクリー
ニング反応をできるだけ忠実に反映するような反応生成
物のスペクトルを選ぶ必要があり、そのためには予め反
応生成物の種類の予想や実験的に質量分析を行った上で
最も顕著にクリーニング状態を反映している質量数を選
択すればよい。
し、明確なクリーニング終点を判定するためには質量分
析法での信号強度が大きく、かつその信号強度がクリー
ニング反応をできるだけ忠実に反映するような反応生成
物のスペクトルを選ぶ必要があり、そのためには予め反
応生成物の種類の予想や実験的に質量分析を行った上で
最も顕著にクリーニング状態を反映している質量数を選
択すればよい。
【００１１】本発明はこのような技術的背景のもとにな
されたものであり、以下、その各実施の形態について図
面を参照しながら説明する。
されたものであり、以下、その各実施の形態について図
面を参照しながら説明する。
【００１２】（実施の形態１）図１は本発明のＣＶＤ装
置の実施の形態１における構成を示す断面概略図であ
る。図１において、ＣＶＤ装置の真空容器１の中央部に
は基板設置台となるサセプタ２が配置され、成膜が行わ
れるとき、サセプタ２上には半導体基板３が載置され
る。サセプタ２の上方にはガスを均一に供給するための
多孔板４が取り付けられ、この上部よりガス導入管５が
真空容器１内に導入されている。このガス導入管５に
は、膜を堆積するための材料ガス供給系６と、容器内ク
リーニングガス供給系７が接続されており、それぞれに
所定のガスを供給する。また、真空容器１の下部におい
て容器底面に排気口８が設けられており、真空容器１内
で発生したクリーニング時の反応生成物のガスや膜堆積
時の余った材料ガス、クリーニング用ガスは真空排気装
置９により排気される構造となっている。
置の実施の形態１における構成を示す断面概略図であ
る。図１において、ＣＶＤ装置の真空容器１の中央部に
は基板設置台となるサセプタ２が配置され、成膜が行わ
れるとき、サセプタ２上には半導体基板３が載置され
る。サセプタ２の上方にはガスを均一に供給するための
多孔板４が取り付けられ、この上部よりガス導入管５が
真空容器１内に導入されている。このガス導入管５に
は、膜を堆積するための材料ガス供給系６と、容器内ク
リーニングガス供給系７が接続されており、それぞれに
所定のガスを供給する。また、真空容器１の下部におい
て容器底面に排気口８が設けられており、真空容器１内
で発生したクリーニング時の反応生成物のガスや膜堆積
時の余った材料ガス、クリーニング用ガスは真空排気装
置９により排気される構造となっている。
【００１３】１０は真空容器１に取り付けられた質量分
析器であり、それに付属した真空ポンプ１１により、ク
リーニング中に発生した反応生成物ガスあるいはイオン
を分析器１０の内部に取り込み、質量のスペクトルを瞬
時に分析する。１２はコントローラであって、質量分析
器１０と接続され、その機能の１つは質量分析器１０か
ら伝達された特定の被クリーニング処理物を構成する材
料とクリーニングガスとの反応によって生じた様々な質
量を持つ生成物スペクトルのうちから、検出しやすい特
定の質量スペクトルを選び出してその強度の時間的変化
をモニターするものである。また、もう一つの機能は、
クリーニング時において特定の質量スペクトル物質があ
る強度になったとき、クリーニングガスの供給を停止す
る命令を発することであり、これによりコントローラ１
２に接続されたクリーニングガス供給停止機構１３がク
リーニングガスを遮断停止する。クリーニングガス供給
を停止する時点でのスペクトル強度は予め実験によって
堆積膜がすべてエッチングされたときの強度を測定して
得られた値をコントローラ１２に設定しておけばよいの
である。
析器であり、それに付属した真空ポンプ１１により、ク
リーニング中に発生した反応生成物ガスあるいはイオン
を分析器１０の内部に取り込み、質量のスペクトルを瞬
時に分析する。１２はコントローラであって、質量分析
器１０と接続され、その機能の１つは質量分析器１０か
ら伝達された特定の被クリーニング処理物を構成する材
料とクリーニングガスとの反応によって生じた様々な質
量を持つ生成物スペクトルのうちから、検出しやすい特
定の質量スペクトルを選び出してその強度の時間的変化
をモニターするものである。また、もう一つの機能は、
クリーニング時において特定の質量スペクトル物質があ
る強度になったとき、クリーニングガスの供給を停止す
る命令を発することであり、これによりコントローラ１
２に接続されたクリーニングガス供給停止機構１３がク
リーニングガスを遮断停止する。クリーニングガス供給
を停止する時点でのスペクトル強度は予め実験によって
堆積膜がすべてエッチングされたときの強度を測定して
得られた値をコントローラ１２に設定しておけばよいの
である。
【００１４】このように構成することにより、クリーニ
ング中に生じる反応生成物質の質量スペクトル強度の時
間的変化を直接モニターすることができるので、真空容
器１内部に付着堆積した膜が完全に除去できた時点での
スペクトル強度がわかれば正確にクリーニングの終点を
検出でき、その時点で正確にクリーニング動作を停止す
ることができる。
ング中に生じる反応生成物質の質量スペクトル強度の時
間的変化を直接モニターすることができるので、真空容
器１内部に付着堆積した膜が完全に除去できた時点での
スペクトル強度がわかれば正確にクリーニングの終点を
検出でき、その時点で正確にクリーニング動作を停止す
ることができる。
【００１５】以上のように、本実施の形態によれば、ク
リーニング終了時点で正確にクリーニング動作を停止さ
せることができるので、膜の残渣や過剰クリーニングに
よる真空容器内壁の表面荒れや治具などの変形劣化とい
った問題は解決され、これら治具など交換頻度が減少さ
れて生産性が向上すると共に、過剰クリーニングのムダ
な時間をとることなくクリーニング作業が終了するの
で、直ちに生産目的物である半導体等の生産を開始でき
る。
リーニング終了時点で正確にクリーニング動作を停止さ
せることができるので、膜の残渣や過剰クリーニングに
よる真空容器内壁の表面荒れや治具などの変形劣化とい
った問題は解決され、これら治具など交換頻度が減少さ
れて生産性が向上すると共に、過剰クリーニングのムダ
な時間をとることなくクリーニング作業が終了するの
で、直ちに生産目的物である半導体等の生産を開始でき
る。
【００１６】（実施の形態２）図２は本発明のＣＶＤ装
置のクリーニング方法の実施の形態２におけるクリーニ
ング時間と信号強度の関係を示す曲線図である。本実施
の形態は図１に示したＣＶＤ装置を用い、真空容器１内
に付着したタングステンシリサイド膜を除去、清浄化す
るものである。
置のクリーニング方法の実施の形態２におけるクリーニ
ング時間と信号強度の関係を示す曲線図である。本実施
の形態は図１に示したＣＶＤ装置を用い、真空容器１内
に付着したタングステンシリサイド膜を除去、清浄化す
るものである。
【００１７】ＣＶＤ装置のクリーニング前の状態は、既
に２５回の連続成膜（１回あたりのタングステンシリサ
イド膜の成膜膜厚は約１５０ｎｍ）を行っており、真空
容器１内壁にタングステンシリサイド膜が付着している
状態であるとする。このタングステンシリサイドは例え
ば、ＷＦ6とＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを用いて約６００℃の温
度で成長させることができるものである。
に２５回の連続成膜（１回あたりのタングステンシリサ
イド膜の成膜膜厚は約１５０ｎｍ）を行っており、真空
容器１内壁にタングステンシリサイド膜が付着している
状態であるとする。このタングステンシリサイドは例え
ば、ＷＦ6とＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを用いて約６００℃の温
度で成長させることができるものである。
【００１８】この状態のＣＶＤ装置でＣｌＦ3ガスを用
いてクリーニングした場合の、質量数２７９の質量スペ
クトル信号強度の経時変化を質量分析器８を用いて測定
した結果は図２に示すとおりであり、質量数２７９はＷ
Ｆ6に対応すると考えられる。この例のクリーニング条
件は、ＣｌＦ3ガス流量５００ｓｃｃｍ，圧力２０００
Ｐａ，サセプタ２の温度２００℃であった。図２より、
信号強度はクリーンニング時間が進むと共に増加し、あ
る時間でピークに達した後減少していることがわかる。
このピークはタングステンシリサイド膜がＣｌＦ3ガス
と反応して生成されるＷＦ6の増加が終了したこと、即
ち真空容器１内に付着したタングステンシリサイド膜が
ＣｌＦ3ガスと反応してエッチングされてなくなり、実
際にクリーニングが終了したことを意味している。ま
た、別の反応生成物であるＷＯＦ4に対応すると考えら
れる質量数２５７の信号強度も同様の変化が確認され、
クリーニングの終点検出に利用できることが確認され
た。この質量数でも信号強度のピークに達した時点でク
リーニングが終了する点ではＷＦ6と同様である。
いてクリーニングした場合の、質量数２７９の質量スペ
クトル信号強度の経時変化を質量分析器８を用いて測定
した結果は図２に示すとおりであり、質量数２７９はＷ
Ｆ6に対応すると考えられる。この例のクリーニング条
件は、ＣｌＦ3ガス流量５００ｓｃｃｍ，圧力２０００
Ｐａ，サセプタ２の温度２００℃であった。図２より、
信号強度はクリーンニング時間が進むと共に増加し、あ
る時間でピークに達した後減少していることがわかる。
このピークはタングステンシリサイド膜がＣｌＦ3ガス
と反応して生成されるＷＦ6の増加が終了したこと、即
ち真空容器１内に付着したタングステンシリサイド膜が
ＣｌＦ3ガスと反応してエッチングされてなくなり、実
際にクリーニングが終了したことを意味している。ま
た、別の反応生成物であるＷＯＦ4に対応すると考えら
れる質量数２５７の信号強度も同様の変化が確認され、
クリーニングの終点検出に利用できることが確認され
た。この質量数でも信号強度のピークに達した時点でク
リーニングが終了する点ではＷＦ6と同様である。
【００１９】図２では反応生成物ＷＦ6やＷＯＦ4の質量
スペクトル強度がピークに達した後、テールを引いて徐
々に減少しているが、これはクリーニングが終了した後
も生成物が真空容器内に一定の時間留まり、次第に排気
されていくためであると考えられる。したがって原理的
には信号強度がピークに達した時点で、クリーニングガ
スをガス供給停止機構１３が遮断するようにコントロー
ラ１２を設定すればよいが、実際には少しマージンを見
てある程度の濃度低下した時間にクリーニングを停止す
ることが望ましい。図２に示した例では、質量数２７９
ではピーク値の約６０〜７０％、質量数２５７について
はピーク値の約５０％になったところでクリーニングを
停止した。
スペクトル強度がピークに達した後、テールを引いて徐
々に減少しているが、これはクリーニングが終了した後
も生成物が真空容器内に一定の時間留まり、次第に排気
されていくためであると考えられる。したがって原理的
には信号強度がピークに達した時点で、クリーニングガ
スをガス供給停止機構１３が遮断するようにコントロー
ラ１２を設定すればよいが、実際には少しマージンを見
てある程度の濃度低下した時間にクリーニングを停止す
ることが望ましい。図２に示した例では、質量数２７９
ではピーク値の約６０〜７０％、質量数２５７について
はピーク値の約５０％になったところでクリーニングを
停止した。
【００２０】（実施の形態３）図３は本発明のＣＶＤ装
置のクリーニング方法の実施の形態３におけるクリーニ
ング時間と信号強度の関係を示す曲線図である。本実施
の形態は図１に示したＣＶＤ装置を用い、真空容器１内
に付着したアモルファスシリコン膜を除去、清浄化する
ものである。
置のクリーニング方法の実施の形態３におけるクリーニ
ング時間と信号強度の関係を示す曲線図である。本実施
の形態は図１に示したＣＶＤ装置を用い、真空容器１内
に付着したアモルファスシリコン膜を除去、清浄化する
ものである。
【００２１】アモルファスシリコン膜は通常半導体装置
に使用される場合、リンなどの不純物が導入されてい
る。この場合、ＣＶＤ装置は既に２５回の連続成膜（１
回あたりのアモルファスシリコン膜成膜膜厚は約１００
ｎｍ）を行っており、真空容器１内壁にアモルファスシ
リコン膜が付着している状態であるとする。図３はこの
状態のＣＶＤ装置でＣｌＦ3ガスを用いてクリーニング
した場合のＳｉＦ4に対応する質量数８５の信号強度の
経時変化を質量分析器１０を用いて測定した結果であ
る。この時のクリーニング条件は、ＣｌＦ3ガス流量５
００ｓｃｃｍ，圧力２０００Ｐａ，サセプタ２の温度２
００℃であった。
に使用される場合、リンなどの不純物が導入されてい
る。この場合、ＣＶＤ装置は既に２５回の連続成膜（１
回あたりのアモルファスシリコン膜成膜膜厚は約１００
ｎｍ）を行っており、真空容器１内壁にアモルファスシ
リコン膜が付着している状態であるとする。図３はこの
状態のＣＶＤ装置でＣｌＦ3ガスを用いてクリーニング
した場合のＳｉＦ4に対応する質量数８５の信号強度の
経時変化を質量分析器１０を用いて測定した結果であ
る。この時のクリーニング条件は、ＣｌＦ3ガス流量５
００ｓｃｃｍ，圧力２０００Ｐａ，サセプタ２の温度２
００℃であった。
【００２２】図３に示すように信号強度は、クリーンニ
ング時間の進行とともに増加し、ある時間でピークに達
した後減少していることがわかる。このピークはアモル
ファスシリコン膜がＣｌＦ3ガスと反応して生成される
ＳｉＦ4の増加がこの時点で終了したこと、すなわち真
空容器１内に付着したアモルファスシリコン膜がすべて
エッチングされてなくなり、クリーニングが終了したこ
とを意味している。この後はＳｉＦ4の供給がなく、徐
々に排気されて行くだけなので信号強度が減少する。な
お、クリーニング停止はピーク強度の７０〜８０％の点
とした。
ング時間の進行とともに増加し、ある時間でピークに達
した後減少していることがわかる。このピークはアモル
ファスシリコン膜がＣｌＦ3ガスと反応して生成される
ＳｉＦ4の増加がこの時点で終了したこと、すなわち真
空容器１内に付着したアモルファスシリコン膜がすべて
エッチングされてなくなり、クリーニングが終了したこ
とを意味している。この後はＳｉＦ4の供給がなく、徐
々に排気されて行くだけなので信号強度が減少する。な
お、クリーニング停止はピーク強度の７０〜８０％の点
とした。
【００２３】（実施の形態４）本実施の形態は図１に示
したＣＶＤ装置を用い、真空容器１内で１回にタングス
テンシリサイド膜とリンが導入されたアモルファスシリ
コン膜を連続成膜した積層膜構造を形成した後、真空容
器１内に付着したタングステンシリサイド膜とアモルフ
ァスシリコン膜を除去、清浄化するものである。
したＣＶＤ装置を用い、真空容器１内で１回にタングス
テンシリサイド膜とリンが導入されたアモルファスシリ
コン膜を連続成膜した積層膜構造を形成した後、真空容
器１内に付着したタングステンシリサイド膜とアモルフ
ァスシリコン膜を除去、清浄化するものである。
【００２４】こののようなタングステンシリサイド膜／
リンが導入されたアモルファスシリコン膜２層構造の膜
はポリサイドと呼ばれ、半導体装置のゲート電極や中間
層の配線として使用されているものである。ＣＶＤ装置
は既に２５回の連続成膜（１回あたりの成膜は、タング
ステンシリサイド膜約１５０ｎｍ／アモルファスシリコ
ン膜約１００ｎｍ）を行っており、真空容器１の内壁に
タングステンシリサイド膜とアモルファスシリコン膜が
付着している状態であるとする。クリーニング条件は、
ＣｌＦ3ガス流量５００ｓｃｃｍ，圧力２０００Ｐａ，
サセプター温度２００℃であった。
リンが導入されたアモルファスシリコン膜２層構造の膜
はポリサイドと呼ばれ、半導体装置のゲート電極や中間
層の配線として使用されているものである。ＣＶＤ装置
は既に２５回の連続成膜（１回あたりの成膜は、タング
ステンシリサイド膜約１５０ｎｍ／アモルファスシリコ
ン膜約１００ｎｍ）を行っており、真空容器１の内壁に
タングステンシリサイド膜とアモルファスシリコン膜が
付着している状態であるとする。クリーニング条件は、
ＣｌＦ3ガス流量５００ｓｃｃｍ，圧力２０００Ｐａ，
サセプター温度２００℃であった。
【００２５】この場合も実施の形態２および３と同様に
して質量数２７９，２５７，８５（図２，図３参照）の
信号強度は、クリーニング時間の進行とともに増加し、
ある時間でピークに達した後減少していた。このピーク
はタングステンシリサイド膜とアモルファスシリコン膜
がＣｌＦ3ガスと反応して生成されるＷＦ6，ＷＯＦ4，
ＳｉＦ4の供給が終了したこと、すなわち真空容器１内
に付着したタングステンシリサイド膜とアモルファスシ
リコン膜がなくなり、クリーニングが終了したことを意
味している。
して質量数２７９，２５７，８５（図２，図３参照）の
信号強度は、クリーニング時間の進行とともに増加し、
ある時間でピークに達した後減少していた。このピーク
はタングステンシリサイド膜とアモルファスシリコン膜
がＣｌＦ3ガスと反応して生成されるＷＦ6，ＷＯＦ4，
ＳｉＦ4の供給が終了したこと、すなわち真空容器１内
に付着したタングステンシリサイド膜とアモルファスシ
リコン膜がなくなり、クリーニングが終了したことを意
味している。
【００２６】このように複合膜の場合は、構成するそれ
ぞれの膜のエッチング状態を検出する質量スペクトルを
適当に組み合わせることによってクリーニングを検出で
きる。ただし、タングステンシリサイド膜とアモルファ
スシリコン膜のクリーニング終了時間が若干異なること
があるので、複数の質量スペクトルのすべてがピークに
達した後にクリーニングを終了するのが望ましい。
ぞれの膜のエッチング状態を検出する質量スペクトルを
適当に組み合わせることによってクリーニングを検出で
きる。ただし、タングステンシリサイド膜とアモルファ
スシリコン膜のクリーニング終了時間が若干異なること
があるので、複数の質量スペクトルのすべてがピークに
達した後にクリーニングを終了するのが望ましい。
【００２７】（実施の形態５）実施の形態１と同じ状態
にあるＣＶＤ装置でのクリーニングにおいては、これと
は別のクリーニング停止方法を用いることができる。本
実施の形態は質量分析の対象をクリーニングによる堆積
付着物起源の反応生成物ではなく、ＣｌＦ3クリーニン
グガスとし、その変化からクリーニング終点検出を行う
ＣＶＤ装置のクリーニング方法である。
にあるＣＶＤ装置でのクリーニングにおいては、これと
は別のクリーニング停止方法を用いることができる。本
実施の形態は質量分析の対象をクリーニングによる堆積
付着物起源の反応生成物ではなく、ＣｌＦ3クリーニン
グガスとし、その変化からクリーニング終点検出を行う
ＣＶＤ装置のクリーニング方法である。
【００２８】ＣＶＤ装置は実施の形態１と同様に、既に
２５回の連続成膜（１回あたりの成膜膜厚は約１５０ｎ
ｍ）を行っており、真空容器１の内壁にタングステンシ
リサイド膜が付着している状態である。図４は本発明の
ＣＶＤ装置のクリーニング方法の実施の形態５における
クリーニング時間と信号強度の関係を示す曲線図であ
り、前記の状態のＣＶＤ装置でＣｌＦ3ガスを用いてク
リーニングした場合の、ＣｌＦ3に対応する質量数７３
およびＣｌ2に対応する質量数７０の信号強度の経時変
化を質量分析器１０を用いて測定した結果を示していて
いる。クリーニング条件は、ＣｌＦ3ガス流量５００ｓ
ｃｃｍ，圧力２０００Ｐａ，サセプタ温度２００℃であ
った。
２５回の連続成膜（１回あたりの成膜膜厚は約１５０ｎ
ｍ）を行っており、真空容器１の内壁にタングステンシ
リサイド膜が付着している状態である。図４は本発明の
ＣＶＤ装置のクリーニング方法の実施の形態５における
クリーニング時間と信号強度の関係を示す曲線図であ
り、前記の状態のＣＶＤ装置でＣｌＦ3ガスを用いてク
リーニングした場合の、ＣｌＦ3に対応する質量数７３
およびＣｌ2に対応する質量数７０の信号強度の経時変
化を質量分析器１０を用いて測定した結果を示していて
いる。クリーニング条件は、ＣｌＦ3ガス流量５００ｓ
ｃｃｍ，圧力２０００Ｐａ，サセプタ温度２００℃であ
った。
【００２９】図４より、質量数７３の信号強度はクリー
ニング開始時にはほとんど検出されず、ある時間に達す
ると増加し始め、その後一定になっていることがわか
る。これは、クリーニング初期はＣｌＦ3ガスが堆積付
着物との反応によりほとんど消費されており、すべての
堆積付着物のエッチングが終了すると共に、ＣｌＦ3ガ
スが反応を起こさず、消費されなくなったことを示して
いると考えられる。すなわち、このＣｌＦ3ガス濃度が
一定になった時点で、真空容器１内に付着したタングス
テンシリサイド膜がなくなり、クリーニングが終了した
ことを意味している。また、質量数７０の信号強度は、
クリーンニング時間の増加とともに増加し、ある時間で
ピークに達した後減少していることがわかる。質量数７
０の信号はＣｌＦ3ガスがタングステンシリサイド膜と
反応して生成されるＣｌ2によるもので、ピーク位置で
真空容器１内に付着したタングステンシリサイド膜がな
くなり、クリーニングが終了したことを意味している。
ニング開始時にはほとんど検出されず、ある時間に達す
ると増加し始め、その後一定になっていることがわか
る。これは、クリーニング初期はＣｌＦ3ガスが堆積付
着物との反応によりほとんど消費されており、すべての
堆積付着物のエッチングが終了すると共に、ＣｌＦ3ガ
スが反応を起こさず、消費されなくなったことを示して
いると考えられる。すなわち、このＣｌＦ3ガス濃度が
一定になった時点で、真空容器１内に付着したタングス
テンシリサイド膜がなくなり、クリーニングが終了した
ことを意味している。また、質量数７０の信号強度は、
クリーンニング時間の増加とともに増加し、ある時間で
ピークに達した後減少していることがわかる。質量数７
０の信号はＣｌＦ3ガスがタングステンシリサイド膜と
反応して生成されるＣｌ2によるもので、ピーク位置で
真空容器１内に付着したタングステンシリサイド膜がな
くなり、クリーニングが終了したことを意味している。
【００３０】このようにすでに述べた、被クリーニング
物の元素を含む物質の質量スペクトル変化だけでなく、
クリーニングガス起源の元素だけを含む反応生成物の質
量スペクトルによってもクリーニング終点検出をするこ
とができる。図４において質量数７０を用いる場合は信
号ピーク出現後、その約６０〜７０％の強度になった時
点でクリーニングを終了し、質量数７３を用いる場合は
信号強度が一定になってから適当な時間をおいてクリー
ニングを終了した。クリーニング終点検出は質量数７
０，７３の１種類を使用しても可能であるが、両方を用
いる方が正確であって望ましいし、さらに実施の形態１
で用いた質量数の信号変化を合わせて用いれば一層確実
に終点を検出できる。このことはタングステンシリサイ
ドに限らず、アモルファスシリコン膜や複合膜でも同様
である。
物の元素を含む物質の質量スペクトル変化だけでなく、
クリーニングガス起源の元素だけを含む反応生成物の質
量スペクトルによってもクリーニング終点検出をするこ
とができる。図４において質量数７０を用いる場合は信
号ピーク出現後、その約６０〜７０％の強度になった時
点でクリーニングを終了し、質量数７３を用いる場合は
信号強度が一定になってから適当な時間をおいてクリー
ニングを終了した。クリーニング終点検出は質量数７
０，７３の１種類を使用しても可能であるが、両方を用
いる方が正確であって望ましいし、さらに実施の形態１
で用いた質量数の信号変化を合わせて用いれば一層確実
に終点を検出できる。このことはタングステンシリサイ
ドに限らず、アモルファスシリコン膜や複合膜でも同様
である。
【００３１】以上のように、実施の形態２ないし５によ
れば、ＣｌＦ3ガスを用いるクリーニングの終点検出が
正確にでき、クリーニング時間の最適化ができるので、
付着堆積物のエッチングが完全に終了した時点でただち
にクリーニング動作を停止させることが可能となり、ク
リーニングによる生産時間のタイムロスを最小にするこ
とで高い生産性が実現できる。
れば、ＣｌＦ3ガスを用いるクリーニングの終点検出が
正確にでき、クリーニング時間の最適化ができるので、
付着堆積物のエッチングが完全に終了した時点でただち
にクリーニング動作を停止させることが可能となり、ク
リーニングによる生産時間のタイムロスを最小にするこ
とで高い生産性が実現できる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、付着堆積
物のエッチングが完全に終了した時点で直ちにクリーニ
ング動作を停止させることができるので、クリーニング
による生産時間のタイムロスは最小に抑えられ、高い生
産性が実現できるという有利な効果が得られる。
物のエッチングが完全に終了した時点で直ちにクリーニ
ング動作を停止させることができるので、クリーニング
による生産時間のタイムロスは最小に抑えられ、高い生
産性が実現できるという有利な効果が得られる。
【図１】本発明のＣＶＤ装置の実施の形態１における構
成を示す断面概略図
成を示す断面概略図
【図２】本発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法の実施
の形態２におけるクリーニング時間と信号強度の関係を
示す曲線図
の形態２におけるクリーニング時間と信号強度の関係を
示す曲線図
【図３】本発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法の実施
の形態３におけるクリーニング時間と信号強度の関係を
示す曲線図
の形態３におけるクリーニング時間と信号強度の関係を
示す曲線図
【図４】本発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法の実施
の形態５におけるクリーニング時間と信号強度の関係を
示す曲線図
の形態５におけるクリーニング時間と信号強度の関係を
示す曲線図
１ 真空容器 ２ サセプタ ３ 半導体基板 ４ 多孔板 ５ ガス導入管 ６ 材料ガス供給系 ７ クリーニングガス供給系 ８ 排気口 ９ 真空排気装置 １０ 質量分析器 １１ 真空ポンプ １２ コントローラ １３ クリーニングガス供給停止機構
Claims (9)
- 【請求項１】 内部で物質堆積処理がなされる容器と、
前記容器内部に堆積した前記物質の成分をエッチングす
るエッチングガスを導入する手段と、前記エッチング中
の前記容器内に存在するガスを分析する質量分析器と、
前記質量分析器からの質量スペクトル信号強度に基づい
て前記エッチングガスの導入を停止する手段を備えたこ
とを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 物質を堆積するＣＶＤ装置の容器内に前
記物質の成分をエッチングするエッチングガスを導入す
る工程と、前記エッチングガスを用いて前記物質の成分
を除去する工程と、前記物質の成分を除去する工程中の
前記容器内に存在するガスを質量分析し、その質量スペ
クトル信号強度を測定する工程と、前記質量スペクトル
信号強度に基づいて前記エッチングガスの導入を停止す
る工程を含むことを特徴とするＣＶＤ装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項３】 容器内に存在するガスは、前記物質の成
分を除去する際に生成された少なくとも前記物質の成分
を含むガスであり、前記質量スペクトル信号強度に基づ
いて前記エッチングガスの導入を停止する工程は、前記
質量スペクトル信号強度が最大に達した後、前記エッチ
ングガスの導入を停止する工程であることを特徴とする
請求項２記載のＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】 容器内に存在するガスは、前記物質の成
分を除去する際に生成され、少なくとも前記エッチング
ガスの成分を含むガスであり、前記質量スペクトル信号
強度に基づいて前記エッチングガスの導入を停止する工
程は、前記質量スペクトル信号強度が最大に達した後、
前記エッチングガスの導入を停止する工程であることを
特徴とする請求項２記載のＣＶＤ装置のクリーニング方
法。 - 【請求項５】 容器内に存在するガスはエッチングガス
であり、前記質量スペクトル信号強度に基づいて前記エ
ッチングガスの導入を停止する工程は、前記質量スペク
トル信号強度が最大かつ一定になった後、前記エッチン
グガスの導入を停止する工程であることを特徴とする請
求項２記載のＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項６】 エッチングガスはＣｌＦ3であり、物質
はタングステンシリサイド系物質を含む物質であり、前
記質量スペクトル信号は質量数２７９または２５７を有
する信号であることを特徴とする請求項２または請求項
３に記載のＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項７】 エッチングガスがＣｌＦ3であり、物質
がアモルファスシリコン系物質を含む物質であり、前記
質量スペクトル信号は質量数８５を有する信号であるこ
とを特徴とする請求項２または請求項３に記載のＣＶＤ
装置のクリーニング方法。 - 【請求項８】 エッチングガスはＣｌＦ3であり、前記
質量スペクトル信号は質量数７０を有する信号であるこ
とを特徴とする請求項２または請求項４記載のＣＶＤ装
置のクリーニング方法。 - 【請求項９】 エッチングガスがＣｌＦ3であり、前記
質量スペクトル信号は質量数７３を有する信号であるこ
とを特徴とする請求項５記載のＣＶＤ装置のクリーニン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036396A JP2000235955A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036396A JP2000235955A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235955A true JP2000235955A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12468704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11036396A Pending JP2000235955A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000235955A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082009A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Ｃｖｄ装置のクリーニング装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| WO2014123028A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法 |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP11036396A patent/JP2000235955A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082009A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Ｃｖｄ装置のクリーニング装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| US8043438B2 (en) | 2003-03-14 | 2011-10-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Device for cleaning CVD device and method of cleaning CVD device |
| WO2014123028A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法 |
| JPWO2014123028A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2017-02-02 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法 |
| US10724137B2 (en) | 2013-02-05 | 2020-07-28 | Kokusai Eletric Corporation | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, recording medium, and cleaning completion determining method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102158307B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스 | |
| US8366953B2 (en) | Plasma cleaning method and plasma CVD method | |
| KR100189219B1 (ko) | 현장 클리닝의 후처리방법 | |
| KR0132375B1 (ko) | 박막형성방법 | |
| WO2005104186A2 (en) | Method and processing system for plasma-enhanced cleaning of system components | |
| KR101149097B1 (ko) | 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법 | |
| JPH09143742A (ja) | Ｃｖｄ装置及びチャンバ内のクリーニングの方法 | |
| JP2004228591A (ja) | 自動清浄シーケンスにより薄膜形成装置内部を清浄化するための方法 | |
| EP0666339A1 (en) | Method and apparatus for cleaning a throttle valve | |
| KR0181728B1 (ko) | 화학 증착장치의 서셉터에서 적층물을 제거하기 위한 개선된 세정공정 | |
| EP1154036A1 (en) | Gas reactions to eliminate contaminates in a CVD chamber | |
| KR100255362B1 (ko) | 성막 장치 | |
| JP2000235955A (ja) | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| US6545245B2 (en) | Method for dry cleaning metal etching chamber | |
| JP2002110642A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3084024B1 (ja) | プラズマｃｖｄ装置のチャンバークリーニング方法およびプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2002167673A (ja) | Ｃｖｄ成膜方法および付着物の除去方法 | |
| JPH0637074A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| US20040007248A1 (en) | Method for improving reliability of reaction apparatus | |
| JP2004137556A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002069648A (ja) | 成膜装置の内壁堆積物検出方法及び監視装置付き成膜装置 | |
| EP1154037A1 (en) | Methods for improving chemical vapor deposition processing | |
| US6585830B2 (en) | Method for cleaning tungsten from deposition wall chambers | |
| JPH09129709A (ja) | プロセス装置 | |
| JPH0855838A (ja) | 微細加工装置のクリーニング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040715 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040806 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040809 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110820 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120820 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |