KR100255362B1

KR100255362B1 - 성막 장치

Info

Publication number: KR100255362B1
Application number: KR1019970065259A
Authority: KR
Inventors: 미야지마히데시
Original assignee: 니시무로 타이죠; 가부시끼가이샤 도시바
Priority date: 1996-12-03
Filing date: 1997-12-02
Publication date: 2000-05-01
Also published as: US5885352A; KR19980063695A; JPH10158842A

Abstract

성막 가스를 공급하는 가스 공급 구멍을 구비한 성막 장치에 있어서, 가스 공급 구멍의 상태를 정확하고 신속하게 파악함으로써 클리닝 등에 관한 정보를 적절히 파악하는 것이 가능한 장치를 제공한다. 성막실(11)과, 이 성막실(11) 내에 원료 가스를 공급하는 가스 공급 구멍(14a)을 구비한 분산 노즐(14)을 갖고, 분산 노즐(14)로부터 공급되는 원료 가스를 이용하여 CVD법에 의해 반도체 기판(13) 상에 성막을 행하는 성막 장치에 있어서, 분산 노즐(14)을 흐르는 가스의 유량을 노출시킴으로써 가스 공급 구멍(14a)의 구멍 막힘 상태를 검출하는 복수의 유량 센서(15)를 설치하였다.

Description

성막 장치

본 발명은 반도체 기판 상 등에 CVD법 등에 의해 성막을 행하는 성막 장치에 관한 것이다.

반도체 장치의 제조에 있어서의 도전성 또는 절연성의 박막을 형성하는 방법으로서 화학적 기상 성장법(CVD법)이 널리 이용되고 있다. 절연막으로서는 열산화 SiO₂막, 실란이나 테트라에톡시실란(TEOS) 등의 원료 가스를 이용하여 감압 또는 상압에서의 CVD법에 의해 형성된 SiO₂막이나 SiN막 등이 주로 이용되고 있다. 특히 플라즈마 CVD법은 비교적 저온으로 성막이 가능하기 때문에 널리 이용되고 있다.

최근, 반도체 장치의 기초가 되는 실리콘 웨이퍼가 대직경화하고 있지만, 이와 같은 대직경의 실리콘 웨이퍼 상에 균일하게 박막을 형성하기 위해, 복수의 가스 공급 구멍을 갖는 분산 노즐이라 불리는 가스 공급 부재를 이용한 CVD법이 이용되고 있다.

그러나, 분산 노즐에 설치된 가스 공급 구멍의 직경이 매우 작기(예를 들면 1㎜ 정도)때문에, 성막 공정을 거침에 따라 구멍의 내부의 퇴적물이 부착되어 구멍 막힘이 발생되기 쉽다. 구멍 막힘이 발생하면 웨이퍼 상에 공급되는 가스의 균형이 무너져 그 결과 웨이퍼 상에서의 성막 속도나 막 조성 등에 변동이 생긴다.

그 때문에 종래는 1장 또는 여러장의 반도체 기판 상에 원하는 박막을 형성한 후에 에칭성의 가스를 이용하여 반응실의 내벽이나 분산 노즐의 클리닝을 행하여 퇴적물의 제거를 행하고 있었다. 또한, 어느 정도 성막이 반복되면, 에칭성의 가스를 이용한 내부 클리닝으로는 충분한 효과를 얻을 수 없기 때문에, 이와 같은 경우에는 반응실을 개방하여 대기 중에서의 분해 세정 등을 행하고 있었다.

그러나, 종래는 어느 정도 성막한 후에 내부 클리닝을 행하면 좋은가(내부 클리닝을 행하여야 할 시기를 언제로 하면 좋은가), 내부 클리닝을 어느 정도의 시간 동안 행하면 좋은가(내부 클리닝을 종료하는 시기를 언제로 하면 좋은가), 어느 정도 성막한 후에 반응실을 개방하여 대기 중에서의 분해 세정 등을 행하면 좋은가(대기 중에서의 분해 세정 등을 행하여야 할 시기를 언제로 하면 좋은가)라고 한 점에 대한 정확한 파악이 충분히 할 수 없었다. 즉, 종래는 이들 사항에 대해 경험이나 반도체 기판 상에 성막한 막의 퇴적 속도의 면내 균일성 등에 기초하여 판단하였다. 따라서, 종래는 많은 시간을 소비함과 함께 에칭성의 가스를 이용한 내부 클리닝을 여유를 가지고 필요 이상의 시간을 행하기 때문에, 반응실 내부의 내구성이 약한 부분이 손상을 입기 쉬워 그 때문에 부품 교환을 행하거나 먼지가 발생하기 쉬워진다고 한 문제가 있었다.

본 발명의 목적은 원료 가스를 공급하는 가스 공급 구멍을 구비한 성막 장치에 있어서, 가스 공급 구멍의 상태를 정확하고 또한 신속하게 파악함으로써 클리닝 등에 관한 정보를 적절하게 파악하는 것이 가능한 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명은 성막실과 이 성막실 내에 원료 가스를 공급하는 가스 공급 구멍(통상 여러개 설치한다)을 구비한 가스 공급 수단을 포함하고, 이 가스 공급 수단으로부터 공급되는 원료 가스를 이용하여 기판(반도체 기판 등) 상에 성막을 행하는 성막 장치에 있어서 상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 검출 수단을 설치한 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 성막실과 이 성막실 내에 원료 가스를 공급하는 가스 공급 구멍(통상은 여러개 설치한다)을 구비한 가스 공급 수단을 포함하고, 이 가스 공급 수단으로부터 공급되는 원료 가스를 이용하여 CVD법에 의해 기판(반도체 기판 등) 상에 성막을 행하는 성막 장치에 있어서, 상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 검출 수단을 설치한 것을 특징으로 한다.

상기 발명에 의하면, 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 검출 수단을 설치함으로써 가스 공급 구멍의 상태를 정확하고 또한 신속하게 파악할 수 있고, 클리닝 등에 관한 정보(예를 들면 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부의 클리닝을 행하여야 할 시기, 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부의 클리닝을 종료하는 시기, 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부에 대한 대기 중에서의 클리닝을 행하여야 할 시기)를 적절하게 파악하는 것이 가능하게 된다.

상기 검출 수단으로는 예를 들면 상기 가스 공급 수단을 흐르는 가스의 유량을 검출하는 것을 이용할 수 있다. 이 경우, 가스의 유량(유속)을 상시 검출할 수 있음으로써, 구멍 막힘이 진행됨에 따라 가스의 유속이 변화하기 때문에 구멍 막힘의 정도를 파악할 수 있다.

또한, 상기 검출 수단으로는, 예를 들면, 상기 가스 공급 구멍을 통하여 관측되는 광의 강도를 검출하는 것을 이용할 수 있다. 이 경우, 광의 강도를 상시 검출함으로써, 구멍 막힘이 진행됨에 따라 관측되는 광의 강도가 변화하기 때문에 구멍 막힘의 정도를 파악할 수 있다. 성막 장치에 플라즈마 CVD 장치를 이용한 경우, 상기 가스 공급 구멍을 통해 관측되는 광으로는 상기 성막실 내에서 발생된 플라즈마로부터의 광을 이용할 수 있다.

또한, 상기 검출 수단을 여러개 설치함으로써, 어떤 부분의 구멍이 일부가 막혀 있는지 또는 완전히 막혀 있는지를 파악할 수 있다. 복수의 검출 수단은 동일한 검출 원리에 기초하여 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 것이어도 좋고, 복수의 다른 검출 원리에 기초하여 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 것이어도 좋다.

상기 성막 장치에 있어서, 상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부의 클리닝에 관한 판정을 행하는 판정 수단을 더 설치하여도 좋다. 검출 결과와 구멍 막힘 상태와의 관계를 미리 조사해 둠으로써, 예를 들면 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부의 클리닝을 행하여야 할 시기(A), 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부의 클리닝을 종료하는 시기(B), 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부에 대한 대기 중에서의 클리닝을 행하여야 할 시기(C)에 대해 판정 수단으로 판정을 행할 수 있다.

(A)의 시기를 최적화함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다. (B)의 시기를 최적화함으로써 생산성을 향상시킬 수 있고, 또한, 장치 내부의 손상이 감소함으로써 부품 교환의 시기가 연장되기 때문에 생산 코스트의 비용을 꾀할 수 있음과 함께 먼지의 저감을 꾀할 수 있다. (C)의 시기의 최적화를 꾀함으로써 기판 상에 형성된 박막의 막 두께의 면내 분포를 성막할 때마다 측정할 필요가 없어 생산성을 향상시킬 수가 있다.

도 1은 제1 실시 형태의 구성예를 도시한 도면.

도 2는 도 1에 있어서의 분산 노즐 등의 구성예를 도시한 도면.

도 3은 제1 실시 형태에 있어서의 성막 및 클리닝 공정의 일례를 도시한 도면.

도 4는 제2 실시 형태의 구성예를 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

11, 21 : 반응실(성막실)

12, 22 : 지지대

13, 23 : 반도체 기판

14, 24 : 분산 노즐(가스 공급 수단)

14a, 24a : 가스 공급 구멍

15 : 유량 센서(검출 수단)

25 : 광 센서(검출 수단)

16, 26 : 고주파 전원

17, 27 : 퍼스널 컴퓨터(판정 수단)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명하기로 한다.

우선 본 발명의 제1 실시 형태에 대해 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하기로 한다. 본 실시 형태는 본 발명을 플라즈마 CVD 장치에 적용한 경우의 예에 대해 도시한 것이다.

도 1에 있어서, 반응실(11)의 하부에는 반도체 기판(13: 실리콘 기판 등)을 탑재하는 지지대(12)가 설치되어 있고, 이 지지대(12) 내부에는 히터가 내장되어 반도체 기판(13)을 소정의 온도로 가열할 수 있게 되어 있다. 반응실(11)의 상부에는 상부 전극을 겸하는 분산 노즐(14)이 설치되어 도시하지 않은 배관으로부터 이 분산 노즐(14) 내에 원료 가스를 공급하도록 되어 있다. 분산 노즐(14)의 하면에는 가스 공급 구멍(14a)이 여러개 설치되어 있고, 분산 노즐(14) 내의 원료 가스를 분산시켜 플라즈마 영역 P에 공급하고 있다. 또한 분산 노즐(14)의 상면 내측에는 여러개의 유량 센서(15)가 배치되어 있고, 분산 노즐(14) 내를 흐르는 원료 가스 유량(유속)을 검출하도록 되어 있다.

도 2는 분산 노즐(14)에 설치된 가스 공급 구멍(14a) 및 유량 센서(15)의 배치를 도시한 것이다. 이 도면에 도시한 예에서는, 8개의 유량 센서(15)를 동심 원상으로 배치하고 있지만, 유량 센서(15)의 개수나 배치는 필요에 따라 적절하게 변경 가능하다.

또한, 분산 노즐(14)에는 고주파 전원(16)이 접속되어 있고, 상부 전극을 겸하는 분산 노즐(14)에 고주파 전력을 공급하고 있다. 각 유량 센서(15)에는 퍼스널 컴퓨터(17)가 접속되어 있고, 각 유량 센서(15)에 있어서의 검출 결과에 기초하여 소정의 처리가 행해진다.

다음에, 본 실시 형태의 동작을 설명하기로 한다.

지지대(12) 상에 반도체 기판(13)을 탑재하고, 지지대 내부에 설치한 히터에 의해 반도체 기판(13)을 350℃로 미리 가열해 둔다. 그리고, 도시하지 않은 배관으로부터 분산 노즐(14) 내로 원료 가스인 TEOS/O₂를 각각 50sccm, 200sccm 도입하고, 분산 노즐(14)에 설치한 가스 공급 구멍(14a)으로부터 플라즈마 영역 P에 원료 가스를 공급함과 동시에 고주파 전원(16)으로부터 상부 전극을 겸하는 분산 노즐(14)에 고주파 전력(13.56㎒, 850W)을 공급하여 플라즈마를 발생시켜, 반도체 기판(13) 상에 SiO₂막의 성막을 행한다. 성막과 병행하여 각 유량 센서(15)에 의해 분산 노즐(14) 내의 원료 가스의 유속의 검출이 행해지고, 그 검출 결과는 퍼스널 컴퓨터(17)에 의해 순시적으로 처리된다.

성막이 진행됨에 따라 분산 노즐(14)에 설치된 가스 공급 구멍(14a)에도 퇴적물이 부착하고, 원료 가스의 유속에 변화가 생기기 때문에, 각 유량 센서(15)에서의 검출 결과를 퍼스널 컴퓨터(17)에 의해 처리함으로써 어느 부분의 가스 공급 구멍(14a)이 어느 정도로 구멍이 막혀 있는가를 성막과 병행하여 판단하는 것이 가능하다. 예를 들면, 유량 센서(15)에서 검출된 유량이 일정값 이상으로 된 경우에는 내부 클리닝이 필요하다고 판단된다.

도 3은 유량 센서(15)에서의 검출 결과에 기초하여 클리닝을 행하는 경우의 상태를 나타낸 도면이다.

성막이 진행함에 따라 분산 노즐(14)에 설치된 가스 공급 구멍(14a)에도 퇴적물이 부착하기 때문에, 유량 센서(15)에서 검출되는 유량이 서서히 감소해 간다. 유량 센서(15)에서 검출되는 유량이 일정값 a 이하로 되면, 퍼스널 컴퓨터(17)에 의해 내부 클리닝이 필요하다고 판단되어, 반응실(11)을 개방하지 않고 폐쇄한 상태 그대로의 상태에서 내부 클리닝이 행해진다. 내부 클리닝은 CF₄/O₂등의 할로겐을 함유한 가스에 의한 플라즈마를 이용하거나, 또는 HF 등의 에칭성 가스를 이용하여 행한다.

내부 클리닝이 진행됨에 따라서 통상은 가스 공급 구멍(14a)의 퇴적물이 점차로 제거되어 가기 때문에, 유량 센서(15)에서 검출되는 유량이 점차적으로 증가해 간다. 그래서, 유량 센서(15)에서 검출되는 유량과 구멍 막힘과의 관계를 조사해 두고, 이 관계를 퍼스널 컴퓨터(17)에 미리 기억시켜 둠으로써 최적의 시점에서 클리닝을 종료시킬 수 있다.

그러나 내부 클리닝만으로는 가스 공급 구멍(14a)의 퇴적물을 완전하게 제거할 수 없는 경우도 있어 이와 같은 경우는 예를 들면 도 3에 도시한 바와 같이 유량의 최대값이 점차로 감소해 간다. 그리고, 유량의 최대값이 일정값 b 이하로 되면 퍼스널 컴퓨터(17)에 의해 내부 클리닝으로는 이미 불충분하여 분해 세정이나 반품 교환 등이 필요하다고 판단된다. 분해 세정은 반응량을 개방하여 대기에 노출시킴과 함께 반응실 내부의 부재를 분해 등을 행한다.

이와 같이 유량 센서(15)에서 검출되는 유량과 가스 공급 구멍(14a)의 구멍 막힘과의 관계를 조사해 두고, 이 관계를 퍼스널 컴퓨터(17)에 미리 기억시켜둠으로써 반응실의 내부 클리닝을 행하여야 할 시기(A), 반응실의 내부 클리닝을 종료하는 시기(B), 반응실 내부에 대한 대기 중에서의 분해 세정을 행하여야 할 시기(C)를 적절하게 파악하는 것이 가능하다.

(A)의 시기를 최적화함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다. (B)의 시기를 최적화함으로써, 생산성을 향상시킬 수 있고, 또한, 장치 내부의 손상이 감소함에 따라 부품 교환의 시기가 연장되기 때문에 생산 비용의 저감을 꾀할 수 있음과 함께 먼지의 저감을 꾀할 수 있다. 또한, (C)의 시기의 최적화를 꾀함으로써 기판 상에 형성한 박막의 막 두께의 면내 분포를 성막할 때마다 측정할 필요가 없어 생산성을 향상시킬 수 있다.

또, 본 실시 형태에서는 플라즈마 CVD 장치에 대해 설명하였지만 열 CVD나 광 CVD 장치에도 동일하게 적용 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는 SiO₂의 CVD 장치에 대해 설명하였지만 그 밖에 모든 CVD 장치에 적용 가능하다.

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해 도 4를 참조하여 설명하기로 한다. 본 실시 형태도 제1 실시 형태와 동일하게 본 발명을 플라즈마 CVD 장치에 적용한 경우의 예이다.

본 실시 형태는 분산 노즐(14)에 설치된 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 광 센서를 이용하여 검출하는 것으로, 그 밖의 점은 제1 실시 형태와 거의 동일하다. 따라서, 특별히 도시되지 않는 한, 제1 실시 형태와 동일 또는 제1 실시 형태로부터 용이하게 유추할 수 있는 사항에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.

도 2에 있어서, 참조 부호(21)는 반응실, 참조 부호(22)는 반도체 기판(23)을 탑재하는 지지대, 참조 부호(24)는 가스 공급 구멍(24a)을 여러개 설치한 분산 노즐, 참조 부호(26)는 고주파 전원, 참조 부호(27)는 퍼스널 컴퓨터이고, 이들의 기본적인 구성은 이미 설명한 제1 실시 형태와 동일하다. 참조 부호(25)는 분산 노즐(24)의 상면 내측에 여러개 설치된 광 센서로서, 가스 공급 구멍(24a)을 통하여 관측되는 플라즈마 영역 P로부터의 광 강도를 검출하는 것이다.

다음에, 본 실시 형태의 동작을 설명하기로 한다.

지지대(22) 상에 반도체 기판(23)을 탑재하고, 지지대 내부에 설치된 히터에 의해 반도체 기판(23)을 350℃로 미리 가열해 둔다. 그리고, 도시하지 않은 배관으로부터 분산 노즐(24) 내에 원료 가스인 TEOS/O₂를 각각 50sccm, 200sccm 도입하고, 분산 노즐(24)에 설치된 가스 공급 구멍(24a)으로부터 플라즈마 영역 P에 원료 가스를 공급함과 함께 고주파 전원(26)으로부터 상부 전극을 겸하는 분산 노즐(24)에 고주파 전력(13.56㎒, 850W)을 공급하여 플라즈마를 발생시켜, 반도체 기판(23) 상에 SiO₂막의 성막을 행한다. 성막과 병행하여, 가스 공급 구멍(24a)을 통해 관측되는 플라즈마 영역 P로부터의 광의 강도가 각 광 센서(25)에 의해 검출되고, 그 검출 결과는 퍼스널 컴퓨터(27)에 의해 순시적으로 처리된다.

성막이 진행됨에 따라 분산 노즐(24)에 설치된 가스 공급 구멍(24a)에도 퇴적물이 부착하여 각 광 센서(25)에 의해 검출되는 광 강도에 변화가 생기기 때문에 각 광 센서(25)에서의 검출 결과를 퍼스널 컴퓨터(27)에 의해 처리함으로써 어느 부분의 가스 공급 구멍(24a)이 어느 정도 막혀 있는가를 성막과 병행하여 판단할 수 있다. 예를 들면, 광 센서(25)에서 검출된 광의 강도가 일정값 이하로 된 경우에는 내부 클리닝이 필요하다고 판단된다.

이하, 제1 실시 형태에 있어서의 도 3의 공정과 동일하게 각 처리를 행한다. 즉, 광 센서(25)에서 검출되는 광 강도와 가스 공급 구멍(24a)의 구멍 막힘과의 관계를 조사해 두고, 이 관계를 퍼스널 컴퓨터(27)에 미리 기억시켜 둠으로써 반응실 내부의 클리닝을 행하여야 할 시기(A), 반응실 내부 클리닝을 종료하는 시기(B), 반응실 내부에 대한 대기 중에서의 분해 세정을 행하여야 할 시기 (C)를 적절하게 파악하는 것이 가능하다.

(A)의 시기를 최적화함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다. (B)의 시기를 최적화함으로써 생산성을 향상시킬 수 있고, 또한, 장치 내부의 손상이 감소함에 따라 부품 교환의 시기가 연장되기 때문에 생산 비용의 저감을 꾀할 수 있음과 함께 먼지의 저감을 꾀할 수 있다. 또한, (C)의 시기의 최적화를 꾀함으로써, 기판 상에 형성된 박막의 막 두께의 면내 분포를 성막할 때마다 측정할 필요가 없어 생산성을 향상시킬 수 있다.

또, 본 실시 형태에서는 플라즈마 CVD 장치에 대해 설명하였지만 열 CVD나 광 CVD 장치이라도 클리닝시에 플라즈마를 이용하는 것이면, 동일하게 적용 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는 SiO₂막의 CVD 장치에 대해 설명하였지만, 그 밖에 모든 CVD 장치에 적용 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는 플라즈마 방전에 의한 광을 이용하였지만, 기판 가열시에 이용하는 히터나 램프의 광, 광 CVD의 발광원의 광 등을 이용하여도 좋다.

또, 이상 설명한 바와 같이 제1 및 제2 실시 형태에 있어서, 분산 노즐(14) 형상은 원반 형상 이외에도, 예를 들면, 막대 형상, 원호 형상 등 여러가지 형상의 것을 이용할 수 있다. 또한, CVD 장치로서는 한장씩 이외에도 배치식의 것이어도 마찬가지로 적용 가능하다.

또한, 상기 제1 실시 형태에서는 유량 센서에 의해, 제2 실시 형태에서는 광 센서에 의해 구멍 막힘 상태의 검출을 행하였지만, 다른 검출 원리를 이용하여 구멍 막힘 상태의 검출을 행하여도 좋다. 또한, 상기 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는 동일한 검출 원리에 기초하는 센서를 여러개 설치하여 구멍 막힘 상태의 검출을 행하고 있었지만, 예를 들면 유량 센서와 광 센서를 조합시키는 등, 2종 이상의 검출 원리에 기초하는 센서에 의해 구멍 막힘 상태의 검출을 행하여도 좋다.

그 밖에 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러가지로 변형하여 실용 가능하다.

또한, 본원 청구범위 각 구성 요건에 병기한 도면 참조 부호는 본원 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로, 본원 발명의 기술적 범위를 도면에 도시한 실시예에만 한정할 의도로 병기한 것은 아닌 것에 주목할 필요가 있다.

본 발명에 의하면, 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 검출 수단을 설치한 것으로, 가스 공급 구멍의 상태를 정확하고 또한 신속하게 파악할 수 있고, 클리닝 등에 관한 정보(예를 들면 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부의 클리닝을 행하여야 할 시기, 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부의 클리닝을 종료하는 시기, 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 성막실 내부에 대한 대기 중에서의 클리닝을 행하여야 할 시기)를 적절하게 파악하는 것이 가능하다. 그 결과, 생산성의 향상, 생산 비용의 저감 등, 먼지의 저감 등을 꾀하는 것이 가능하게 된다.

Claims

성막 장치에 있어서,

성막실(21)과, 상기 성막실에 원료 가스를 공급하는 가스 공급 구멍(14a, 24a)을 구비한 가스 공급 수단(14, 24)을 포함하고, 상기 가스 공급 수단으로부터 공급되는 원료 가스를 이용하여 기판 상에 성막을 행하는 성막 장치에 있어서,

상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하기 위한 검출 수단(15, 25)을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
성막 장치에 있어서,

성막실(21)과, 상기 성막실 내에 원료 가스를 공급하는 가스 공급 구멍(14a, 24a)을 구비한 가스 공급 수단(14, 24)을 포함하고, 상기 가스 공급 수단으로부터 공급되는 원료 가스를 이용하여 CVD법에 의해 기판 상에 성막을 행하는 성막 장치에 있어서,

상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 검출 수단(15, 25)을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,

상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,

상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,

상기 가스 공급 구멍을 여러개 설치한 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,

상기 가스 공급 구멍을 여러개 설치한 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,

상기 검출 수단은 상기 가스 공급 수단을 흐르는 가스의 유량을 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,

상기 검출 수단은 상기 가스 공급 수단을 흐르는 가스의 유량을 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,

상기 검출 수단은 상기 가스 공급 구멍을 통하여 관측되는 광의 강도를 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,

상기 검출 수단은 상기 가스 공급 구멍을 통하여 관측되는 광의 강도를 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제9항에 있어서,

상기 가스 공급 구멍을 통해 관측되는 광은 상기 성막실 내에서 발생된 플라즈마의 광인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제10항에 있어서,

상기 가스 공급 구멍을 통해 관측되는 광은 상기 성막실 내에서 발생된 플라즈마의 광인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제5항에 있어서,

상기 검출 수단을 여러개 설치한 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제6항에 있어서,

상기 검출 수단을 여러개 설치한 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제13항에 있어서,

상기 복수의 검출 수단은 어느 것이나 동일한 검출 원리에 기초하여 상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제14항에 있어서,

상기 복수의 검출 수단은 어느 것이나 동일한 검출 원리에 기초하여 상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제13항에 있어서,

상기 복수의 검출 수단 중 적어도 하나는 다른 것과는 다른 검출 원리에 기초하여 상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제14항에 있어서,

상기 복수의 검출 수단 중 적어도 하나는 다른 것과는 다른 검출 원리에 기초하여 상기 가스 공급 구멍의 구멍 막힘 상태를 검출하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제1항에 있어서,

상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부의 클리닝에 관한 판정을 행하는 판정 수단(17, 27)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제2항에 있어서,

상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부의 클리닝에 관한 판정을 행하는 판정 수단(17, 27)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제19항에 있어서,

상기 판정 수단은 상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부의 클리닝을 행하여야 할 시기를 판정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제20항에 있어서,

상기 판정 수단은 상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부의 클리닝을 행하여야 할 시기를 판정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제19항에 있어서,

상기 판정 수단은 상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부의 클리닝을 종료하는 시기를 판정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제20항에 있어서,

상기 판정 수단은 상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부의 클리닝을 종료하는 시기를 판정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제19항에 있어서,

상기 판정 수단은 상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부에 대한 대기 중에서의 클리닝을 행하여야 할 시기를 판정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
제20항에 있어서,

상기 판정 수단은 상기 검출 수단에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 성막실 내부에 대한 대기 중에서의 클리닝을 행하여야 할 시기를 판정하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.