JPH09143742A - Cvd装置及びチャンバ内のクリーニングの方法 - Google Patents
Cvd装置及びチャンバ内のクリーニングの方法Info
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Abstract
できる具体的な装置及び方法を提供する。 【解決手段】 本発明のCVD装置は、内部に一対の電
極を有し、電極間にプラズマを発生させて、内部に収容
された基板上に化学気相堆積法により堆積を行うため
の、圧力調整可能なCVDプロセスチャンバと、電極に
電気的に接続されて、CVDプロセスチャンバ内にプラ
ズマを発生させるために電極間に電力を印加する電力供
給手段と、CVDプロセスチャンバに接続され、クリー
ニング用ガスを供給するガス供給ラインと、第1の端部
と第2の端部を有し、第1の端部がCVDプロセスチャ
ンバに接続され、第2の端部が排気手段に接続され、第
1の端部と第2の端部の間に可変バルブを有する排気ラ
インと、排気ラインの、可変バルブよりも第2の端部に
近い側で、排気ラインに接続されて、排気ラインの圧力
を検出する第1の圧力検出手段と、第1の圧力検出手段
により検出された圧力の変化をモニタしてクリーニング
の終点を検出する制御手段とを備えることを特徴とす
る。
Description
いてCVDプロセスチャンバ等の真空容器のクリーン化
のために行われるクリーニングのための装置及び方法に
関する。
的とする物質を生成する化学反応を、密閉のプロセスチ
ャンバ内で生じさせる。目的とする化学物質を堆積する
ための基板は、プロセスチャンバ内部のサセプタ等の基
板支持体上で載置されるが、化学物質は基板上のみなら
ず、プロセスチャンバの壁面にも成膜されて残留する。
この残留物は、処理枚数に応じて堆積され、プロセスの
不安定化やチャンバ内の異物発生を引き起こす。そのた
め、定期的にプロセスチャンバ内をプラズマ放電によ
り、クリーニング(ドライクリーニング)する必要があ
る。
が停止し、生産性を低下させるため、生産性を高くする
ためには、クリーニング完了後できるだけ速やかにクリ
ーニングを終了して生産を再開する必要がある。チャン
バ内から完全に残留物を除去したタイミングでクリーニ
ングを停止させるために、従来は、プラズマ中の特定の
光の波長の変化をモニタして、クリーニングの完了時
(クリーニングの終点)を検出する方法がとられてい
た。
加熱方式のプロセスチャンバにおいては、ランプから放
出される光にモニタが反応してしまうので、正確な終点
検出を行う事は困難である。
特開平6−224163号公報には、セルフクリーニン
グ時の終点検出を、質量分析計により行う方法及び、真
空計又は圧力計による圧力測定による方法が記載されて
いる。この特許公報では、セルフクリーニング時の圧力
容器内の変化を測定の直接の対象とし、例えば、圧力計
による方法の場合は、反応生成物の発生に伴う真空容器
内の圧力変化を、ダイヤフラムゲージ等を用いて測定す
ることにより、セルフクリーニングの終点検出を行う事
ができる旨が記載されている。
24163号公報において質量分析計を用いた場合は、
測定系が過大なものとなり、実際の製造工程においてセ
ルフクリーニングの終点検出だけのために質量分析計を
設置する事は現実的とはいえない。また、特開平6−2
24163号公報において真空容器内の圧力測定を行う
場合に関しても、真空容器内部の圧力の降下を単に実験
的に測定してそのデータをそのまま提示しただけに止ま
っており、実際の製造工程における諸問題を解決して終
点検出を行うための現実的な手段を提供したものとは言
い難い。
のであり、現実の半導体製造工程において、クリーニン
グの終点を正確に検出することができる具体的な装置及
び方法を提供する事を目的とする。
程において、クリーニング完了から堆積プロセス開始の
間のタイムラグを最小にすることにより、高い生産性を
実現することにある。
圧力調整可能なCVDプロセスチャンバを有し、CVD
プロセスチャンバ内部で基板上に堆積を行い、且つ、汚
染されたCVDプロセスチャンバの内部にプラズマを発
生してCVDプロセスチャンバの内部をクリーニングす
る機能を備えるCVD装置であって、内部に一対の電極
を有し、電極間にプラズマを発生させることができる、
圧力調整可能なCVDプロセスチャンバと、電極に電気
的に接続されて、CVDプロセスチャンバ内にプラズマ
を発生させるために電極間に電力を印加する電力供給手
段と、CVDプロセスチャンバに接続され、クリーニン
グ用ガスを供給するガス供給ラインと、第1の端部と第
2の端部を有し、第1の端部がCVDプロセスチャンバ
に接続され、第2の端部が排気手段に接続され、第1の
端部と第2の端部の間に可変バルブを有する排気ライン
と、排気ラインの、可変バルブよりも第2の端部に近い
側で、排気ラインに接続されて、排気ラインの圧力を検
出する第1の圧力検出手段と、第1の圧力検出手段によ
り検出された圧力の変化をモニタしてクリーニングの終
点を検出する制御手段とを備えることを特徴とする。
段により検出された圧力を制御手段でモニタすることに
より、クリーニングの終了時に生じるCVDプロセスチ
ャンバ内の圧力の変化を検知する事ができる。
セスチャンバの内部の圧力を検出する第2の圧力検出手
段がプロセスチャンバに接続され、制御手段は更に、第
2の圧力検出手段により検出された圧力の変化をモニタ
してCVDプロセスチャンバ内の圧力を制御することを
特徴としてもよい。
れているため、CVDプロセスチャンバの圧力を第2の
圧力検出手段で別個にモニタしてCVDプロセスチャン
バ圧力を制御し補正しつつも、CVDプロセスチャンバ
内に生じる圧力変化を、係る圧力の補正に影響されるこ
となく正確に検知する事ができる。
ニングの方法は、内部に1対の電極を有するCVDプロ
セスチャンバと、第1の端部と第2の端部を有し、第1
の端部がCVDプロセスチャンバに接続され、第2の端
部が排気手段に接続され、第1の端部と第2の端部の間
にCVDプロセスチャンバ内の圧力を調整する可変バル
ブを有する排気ラインとを有するCVD装置において、
CVDプロセスチャンバ内の電極の間に電力を印加しプ
ラズマを発生させてクリーニングする方法であって、C
VDプロセスチャンバ内部の電極に電力を印加し、且
つ、CVDプロセスチャンバ内部にクリーニングガスを
導入して、CVDプロセスチャンバ内部のクリーニング
工程を開始する第1のステップと、第1のステップによ
って開始されたクリーニング工程を継続し、且つ、CV
Dプロセスチャンバに接続された排気ラインの、可変バ
ルブよりも第2の端部に近い側で、排気ラインに接続さ
れて、排気ラインの圧力を検出する第1の圧力検出手段
により測定される圧力の変化を、第1の圧力検出手段に
より検出された圧力の変化をモニタしてクリーニングの
終点を検出する制御手段により、モニタし、所定の圧力
変化が検出された時点をもって、クリーニングの終点と
して制御手段が検知する第2のステップとを備えること
を特徴とする。
段により検出された圧力を制御手段でモニタすることに
より、クリーニングの終了時に生じるCVDプロセスチ
ャンバ内の圧力の変化を検知する事ができる。
クリーニングの方法は、第2のステップにおいて、制御
手段が更に、CVDプロセスチャンバに接続され、CV
Dプロセスチャンバの内部の圧力を検出する第2の圧力
検出手段により検出された圧力の変化をモニタしてCV
Dプロセスチャンバ内の圧力を制御することを特徴とし
てもよい。
れているため、CVDプロセスチャンバの圧力を第2の
圧力検出手段で別個にモニタしてCVDプロセスチャン
バ圧力を制御し補正しつつも、CVDプロセスチャンバ
内に生じる圧力変化を、係る圧力の補正に影響されるこ
となく正確に検知する事ができる。
クリーニングの方法は、第2のステップにおいて、クリ
ーニングの終点が検知された直後に、電極への電力の供
給を停止する操作を更に含むことを特徴としてもよい。
グの操作を終了させて、クリーニングによるタイムロス
を最小にする事が可能となる。
クリーニングの方法は、クリーニングガスが弗素含有ガ
スを含み、第2のステップでは、所定の圧力変化が、圧
力の一時的な上昇であることを特徴としてもよい。
ガスを用いたクリーニングに対して、好ましく適用され
る。
発明を詳細に説明する。尚、添付の図面において、同一
の要素には同一の符号を付し重複説明を省略する。
を表す構成図である。図2は、図1に示されるCVD装
置のプロセスチャンバ10の断面図である。図1に示さ
れるように、本発明のCVD装置1は、CVDプロセス
を行うための真空容器であるプロセスチャンバ10を有
している。プロセスチャンバ10には、流量調節可能な
ガスソース41a〜c及び44から成るガスソース系4
0から、CVDの堆積のためのプロセスガスとキャリア
ガスをチャンバ10へ供給するプロセスガスライン4
2、46の、2つのガス供給ラインが、チャンバ10の
ガス流入ポート20に接続されている。ガスソース系4
0には、クリーニングのためのクリーニングガスを供給
するクリーニングガスソースが含まれる。堆積とクリー
ニングのため、弗素系ガス、シラン系ガス共にプロセス
チャンバ内に供給できる必要があるため、安全面のため
に、これらを別々のガスラインで供給するために、ガス
ラインは2系統具備されている。
スチャンバ10内のガスを排出して脱気するための排気
ライン48の一端が、チャンバ10の排出口24に接続
されている。排気ライン48の他方の一端は、メカニカ
ルポンプ(図示されず)に接続されている。排気ライン
48には、排気流量調節のためのスロットルバルブ50
が具備される。以下説明の便宜上、排気ライン48をス
ロットルバルブ50の上下で分け、スロットルバルブ5
0よりも上流を48a、下流を48bと称する。
ためのランプ30と、プラズマ発生のための電極14及
び18とを備え、電極14及び18には、RFソース6
0が接続されている。ランプ30とプロセスチャンバの
間には、ランプ30からの光をプロセスチャンバ10内
部へ効果的に透過させてプロセスチャンバ10内部を加
熱するための、クオーツウィンドウ32が配置されて、
チャンバ10とランプ30の間を仕切っている。
ャンバ内の圧力を検出するための圧力計であるキャパシ
タンスマノメータ52がチャンバ10の壁面に接続され
る。他方、排気ラインのスロットルバルブ50の下流側
48bには、排気ライン内の圧力を検出するキャパシタ
ンスマノメータ54が接続されている。
メータ52及び54はいずれも、印加されたDC電圧
を、測定圧力の変化に応じて変換されたDC電圧として
出力する。例えば、日本エムケーエス社の127型1T
orr用絶対圧型圧力変換器を好ましく用いる事が可能
である。
パシタンスマノメータ52及び排気ラインのキャパシタ
ンスマノメータ54は、アナログ信号をデジタル信号に
変換するA/Iボード56を介して、システムコントロ
ーラ58へと電気的に接続される。システムコントロー
ラ58はまた、図1に示されるように、ランプ30、ガ
スソース系40、スロットルバルブ50、RFソース6
0にそれぞれ、電気的に接続され、これらに制御のため
の信号を伝達させる。
ングの終点検出を行うための装置は、排気ラインのバル
ブ下流48bに設置された圧力測定器(キャパシタンス
マノメータ)54と、キャパシタンスマノメータ54か
らのアナログ信号をデジタル信号に変換するA/Iボー
ドと、A/Iボード56からの信号を処理して、ガスソ
ース系40とランプ30とRFソースとを制御するシス
テムコントローラ58とから構成される。ここで、シス
テムコントローラ58のソフトウエアは、従来からのチ
ャンバ内の光学変化による終点検出に用いる事が可能な
ものであれば、バルブ下流48bの圧力変化の測定によ
る終点検出に用いる事が可能である。
10の内部を詳細に説明する。図2に示されるように、
プロセスチャンバ10は、金属製のチャンバ壁11に囲
まれた内部に、基板12を支持する円板状のサセプタ1
4を有している。サセプタ14は、自ら上下に運動して
サセプタ14を上下に運動させるサセプタ組立体15の
上に支持され、更にサセプタ14は、サセプタ組立体1
5を介してチャンバ壁11に電気的に接続されている
(図示されず)。また、サセプタ14の下方には、サセ
プタ14上に載置された基板12を搬入出字に昇降させ
るためのリフトピンを具備するウエハリフト組立体17
が配置される。ウエハリフト組立体17は、サセプタ組
立体15とは機械的な接触を有しておらず、サセプタ組
立体15とは独立して運動をする。ウエハリフト組立体
17が上下に運動することにより、ウエハリフト組立体
17に具備されるリフトピンが、サセプタ14に開けら
れた開口を介して、基板12を昇降させる。
めのマニホールド18が更に具備され、マニホールド1
8の上方には、ガスソース系40に接続されているガス
流入口20が形成されている。マニホールド18はRF
ソース60に接続され、チャンバ壁11は接地されてお
り、従って、サセプタ14とマニホールド18は一対の
電極として機能し、マニホールド18とサセプタ14の
間の空間が、プラズマが発生するプラズマ領域となる。
ガス流入口20の下には、ガス流入口20からマニホー
ルド18を介してチャンバ10内に導入されるガスをサ
セプタ14全面にわたって分散させるための、シャワー
ヘッド型のディストリビュータ16が配置される。サセ
プタ14の外側には、排気の流れを制御してサセプタ上
の真空度を均一にするためのポンピングプレート22
が、サセプタ14の外縁を覆うように配置されている。
ポンピングプレート22の下側には、脱気用の環状の真
空チャンネル24が具備される。ポンピングプレート2
2には、プロセスチャンバ10から真空チャンネル24
へ流通をさせるための開口221が形成されている。開
口221は図示の都合で2つしか示されていないが、充
分な流通状態を与えるため、環状に沿って4個〜32個
程度形成されていることが好ましい。真空チャンネル2
4に接続されて排気ライン48に通じる排気ポート(図
示されず)はチャンバの側面に形成されており、排気流
れが排気ポートの方向に偏り易いが、適切なポンピング
プレートを与えることにより、排気の流れが制御され
る。
フクリーニング時の動作に関して、図1及び図2を参照
しつつ説明する。
て説明する。例えば、タングステンCVDのクリーニン
グ工程においては、三弗化窒素(NF3 )がプロセスガ
スライン42から一定流量で供給され、電極14及び1
8の間にRF電力が印加されてNF3 プラズマを発生さ
せてクリーニングが行われる。この際、プロセスチャン
バ10内に残留するタングステン(W)と弗素(F)が
反応して、六弗化タングステン(WF6 )が生じてチャ
ンバ10内雰囲気の体積が減少して、チャンバ10内の
圧力は低下する。この反応が進み、残留タングステンが
全て弗素と反応してクリーニングが完結した時には、弗
素と反応する物質(W)は全て消費されているが、NF
3 は一定流量で供給され続けプラズマ形成が継続される
ため、プロセスチャンバ10内は弗素過剰な状態とな
り、チャンバ10内部の圧力が一時的に上昇する。即
ち、クリーニングの終点ではプロセスチャンバ10内の
圧力が一時的に上昇するため、このチャンバ10内の圧
力上昇を検出してモニタすることにより、クリーニング
の終点を検出する事ができることになる。
のため、プロセスチャンバ内の圧力は常に最適値となる
ように制御されている。プロセスチャンバ10内の圧力
の調整はスロットルバルブ50の開閉により行われ、プ
ロセスチャンバ10内の圧力の制御は具体的には次のよ
うに行われる。即ち、プロセスチャンバ10内部の圧力
をモニタするキャパシタンスマノメータ52から出力さ
れたチャンバ10内圧力に対応したアナログDC信号が
A/Iボード56によりデジタル信号に変換されてシス
テムコントローラ58へと入力される。そして、システ
ムントローラ58がスロットルバルブ50の開閉を制御
し、チャンバ10内の圧力は最適な状態へと制御され
る。従って、操作中はチャンバ10内の圧力は常に制御
されており、クリーニング中もプラズマの安定化等のた
めに一定となるように制御されなければならない。この
ため、チャンバ10内部の圧力の経時変化を圧力計測装
置52によって直接測定しても、同時にシステムコント
ローラ58がスロットルバルブ50の開閉状態を制御し
て圧力変化を補正してしまうため、正確な終点検出を行
い得なかった。
スチャンバ10内の圧力モニタ用の圧力計52とは別
に、終点検出用の圧力計(キャパシタンスマノメータ)
54が、排気ライン48の、スロットルバルブ50より
も下流の部分48bに配置されている。スロットルバル
ブ50の開閉により圧力が制御されるため、スロットル
バルブ50の上流では、生じた圧力変化が補正されてし
まう。一方、スロットルバルブ50よりも下流では、圧
力の補正がなされないため、終点検出用のキャパシタン
スマノメータ54をスロットルバルブ50よりも下流の
部分48bに配置して、その部分の圧力をモニタするこ
とにより、プロセスチャンバ10内部で生じた圧力変化
を正確に検出する事が可能となる。従って、クリーニン
グの終点を正確に検出する事が可能となる。
場合は、クリーニングの完結時にチャンバ内の圧力が一
時的に上昇するが、クリーニングガス種によっては、ク
リーニングの完結時にチャンバ内の圧力が一時的に降下
することもある。本発明に従ったクリーニング終点検出
の機能を有するCVD装置を用いた場合は、このような
圧力の一時的な降下の場合にも、排気ラインのスロット
ルバルブ50より下流の部分48bに設けられたキャパ
シタンスマノメータ54により圧力をモニタすることに
より、正確な終点検出が可能となる。
1では、プロセスチャンバ10内の圧力は、スロットル
バルブ50よりも下流の部分48bにおいて、キャパシ
タンスマノメータ54によってモニタされて、A/Iボ
ード56を介してシステムコントローラ58へと入力さ
れる。クリーニングの終結に伴ってチャンバ10内に生
じた圧力変化も、システムコントローラ58により直ち
に検知され、システムコントローラ58ではクリーニン
グの終点であることが認知されて、クリーニングの終了
と次の成膜の準備を行うべく、ランプ30、ガスソース
40、スロットルバルブ50及びRFソース60を制御
して、温度、ガス流量、圧力及び印加電力を所定の値に
設定する。
えたCVD装置を用いて、クリーニングの終点検出を行
った例を説明する。また、比較のため、本発明の構成に
よらず、チャンバ内の圧力を直接測定して終点検出を行
った例と、従来の光学的検出を行った例を、それぞれ示
す。
て、タングステンで汚染されたプロセスチャンバ10内
部のクリーニングを行い、終点を検出した。クリーニン
グのプロセスは、以下の表1に示されるステップの手順
にて行われた。クリーニングの一連のステップにおいて
は、チャンバ内の温度は一定に保たれた。
セスチャンバ10内の雰囲気を完全に排出するため、パ
ージガス、Ar及びN2 を流通させるパージのステップ
に続いて、ガスの供給なしにスロットルバルブ50を全
開とする排気のステップを行った。次に、クリーニング
のためのNF3 をチャンバ10内に導入し、チャンバ内
の圧力を制御しつつ、RF電力を電極14及び18の間
に印加し、NF3 プラズマを発生させてクリーニングを
行った。この間、キャパシタンスマノメータ52により
検出されたチャンバ内圧力に基づいて、システムコント
ローラ58がスロットルバルブ50を制御することによ
り、チャンバ内の圧力は制御された。
に、スロットルバルブ50よりも下流の排気ライン48
bの圧力をキャパシタンスマノメータ54によりモニタ
することにより行われた。システムコントローラ58に
は、キャパシタンスマノメータ54からの信号がある所
定の値を越えたときをクリーニングの終点であると認識
するソフトウエアが搭載されていた。
ャンバ10内の雰囲気が排気され、ここに、クリーニン
グの一連のステップが終了した。
能を有するCVD装置によって、クリーニングの終点を
検出した例を、図3に示す。
較のため、クリーニング完結時に残留物が完全に除去さ
れたタイミングでの光の波長変化を測定して終点検出と
した光学的検出法の例と、従来型のチャンバ内の圧力を
直接測定する方法により終点検出を行ったチャンバ内圧
力測定法の例を、それぞれ比較例1、2として、その結
果を図3に示した。以下、従来技術によるクリーニング
の終点検出の結果(比較例1、2)と本発明に従ったク
リーニングの終点検出(実施例)との比較を行う。比較
例1では、図4を参照して、終点測定がランプからのノ
イズに影響を受けていることを明らかにした後、従来技
術の光学的検出法と本発明の検出法を比較して、双方が
同じ時点をクリーニングの終点とするか否かを調べた。
比較例2では、チャンバ内の圧力を直接モニタする方法
と、排気ラインのバルブ下流の圧力をモニタする方法と
の比較を行った。
は、チャンバ内に光学センサを設置し、チャンバ内の光
の波長の変化を測定した。前述の通り、加熱のためのラ
ンプ30から放出される光にセンサが反応してしまい、
検出される波長の変化は、図4(a)のごとく、ノイズ
を多く含んでおり、これでは正確な終点の検出ができな
い。ここでは、本発明の終点検出法により検出された終
点が、従来から行われている光学的検出法と同じ時点と
して得られるか否かをまず明らかにする。実際の製造工
程に対して現実的ではないが、本発明との比較のため、
クリーニングの終点と予想される時点の前後150秒間
にわたって、加熱用のランプ30の電源を切ってノイズ
を除去した状態で、測定を行った。その結果、図4
(a)と比較して、図4(b)に示されるようにノイズ
を含まない波長変化が記録された。但し、サセプタ温度
がこの150秒間に33℃も降下し、温度の安定化が必
要である実際のクリーニングの工程に使用できる条件で
はない。また、このようにサセプタ温度が降下した後、
次の堆積の工程に必要な温度までサセプタを加熱しサセ
プタ温度を安定させるためには、非常に時間がかかり、
現実的ではない。
れる。図3に示されるように、実施例と比較例1とは、
ほぼ同じ時点をクリーニングの終点としたことが判明し
た。従って、本発明に従って、プロセスチャンバ内の圧
力の変化を、排気ラインでモニタする検出方法では、従
来からの光学的終点検出法と同じ結果が得られる事が明
らかになった。
を直接モニタし、チャンバ内の圧力変化を検知してクリ
ーニングの終点を検出した。図5は、チャンバ内の圧力
を直接測定して終点検出を行うCVD装置100の構成
図である。比較例2に用いられたCVD装置100と、
図1に示される本発明のCVD装置1との相違点は、本
発明のCVD装置1に設置されている終点検出のための
圧力測定用のキャパシタンスマノメータ54が、従来か
らのCVD装置100にはなく、CVD装置100で
は、もっぱらキャパシタンスマノメータ52によるチャ
ンバ10内部の圧力の直接測定だけである。その他は、
本発明に従ったCVD装置1によるクリーニングと同様
にクリーニングを行い、チャンバ10内部の圧力をキャ
パシタンスマノメータ52により直接モニタしてクリー
ニングの終点の検出を行った。その結果を、比較例2と
して図3に示した。図3に示されるように、比較例2で
は、チャンバ圧力の制御により、圧力上昇が直ちに補正
され、終点検出を困難にしている事が明らかである。こ
れに対して、本発明に従って、排気ラインのバルブ下流
48bに設置された圧力計54により圧力をモニタして
終点検出を行った場合は、チャンバ内の圧力を制御しつ
つ、チャンバ内の圧力の変化を敏感に感知する事ができ
るので、正確に終点検出を行う事ができることを示して
いる。
における具体例に限定されるものではなく、種々の変形
が可能である。例えば、クリーニング用のガスには、N
F3の他にも、CF4 、SF6 、ClF3 、C2 F6 等
の弗素含有ガスを同様に用いる事ができる。
CVD装置及びクリーニング方法では、排気ラインの、
可変バルブよりも第2の端部に近い側で、排気ラインに
接続されて、排気ラインの圧力を検出する第1の圧力検
出手段が具備され、この第1の圧力検出手段によって、
チャンバ内の圧力の制御を行いつつも、チャンバ内の圧
力の変化を正確に検出する事が可能となる結果、クリー
ニングの終点を正確に検出することができる具体的な装
置及び方法が提供される。
クリーニング完了から堆積プロセス開始の間のタイムラ
グを最小にでき、高い生産性を実現することが可能とな
る。
図である。
1、2とを比較した、クリーニングの終点検出結果を表
すチャートである。
果を表すグラフである。
力検出による終点検出のための装置を備えたCVD装置
の構成図である。
ンバ壁、12…基板、14…サセプタ、16…ディスト
リビュータ、18…マニホールド、20…ガス流入口、
22…ポンピングプレート、24…真空チャンネル、3
0…ランプ、32…クオーツウィンドウ、40…ガスソ
ース系、41a〜c…プロセスガスソース、42…プロ
セスガスライン、44…キャリアガスソース、46…キ
ャリアガスライン、48a…スロットルバルブよりも上
流の排気ライン、48b…スロットルバルブよりも下流
の排気ライン、50…スロットルバルブ、52…チャン
バ内用キャパシタンスマノメータ、54…終点検出用キ
ャパシタンスマノメータ、56…A/Iボード、58…
システムコントローラ、60…RFソース、100…C
VD装置。
Claims (6)
- 【請求項1】 圧力調整可能なCVDプロセスチャンバ
を有し、前記CVDプロセスチャンバ内部で基板上に堆
積を行い、且つ、汚染された前記CVDプロセスチャン
バの内部にプラズマを発生して前記CVDプロセスチャ
ンバの内部をクリーニングする機能を備えるCVD装置
であって、 内部に一対の電極を有し、前記電極間にプラズマを発生
させることができる、圧力調整可能なCVDプロセスチ
ャンバと、 前記電極に電気的に接続されて、前記CVDプロセスチ
ャンバ内にプラズマを発生させるために前記電極間に電
力を印加する電力供給手段と、 前記CVDプロセスチャンバに接続され、クリーニング
用ガスを供給するガス供給ラインと、 第1の端部と第2の端部を有し、前記第1の端部が前記
CVDプロセスチャンバに接続され、前記第2の端部が
排気手段に接続され、前記第1の端部と前記第2の端部
の間に前記CVDプロセスチャンバ内の圧力を調整する
可変バルブを有する排気ラインと、 前記排気ラインの、前記可変バルブよりも前記第2の端
部に近い側で、前記排気ラインに接続されて、前記排気
ラインの圧力を検出する第1の圧力検出手段と、 前記第1の圧力検出手段により検出された圧力の変化を
モニタしてクリーニングの終点を検出する制御手段とを
備えることを特徴とするCVD装置。 - 【請求項2】 前記CVDプロセスチャンバの内部の圧
力を検出する第2の圧力検出手段が前記CVDプロセス
チャンバに接続され、前記制御手段は更に、前記第2の
圧力検出手段により検出された圧力の変化をモニタして
前記CVDプロセスチャンバ内の圧力を制御することを
特徴とする請求項1に記載のCVD装置。 - 【請求項3】 内部に1対の電極を有するCVDプロセ
スチャンバと、 第1の端部と第2の端部を有し、前記第1の端部がCV
Dプロセスチャンバに接続され、前記第2の端部が排気
手段に接続され、前記第1の端部と前記第2の端部の間
に前記CVDプロセスチャンバ内の圧力を調整する可変
バルブを有する排気ラインとを有するCVD装置におい
て、前記CVDプロセスチャンバ内の前記電極の間に電
力を印加しプラズマを発生させて前記CVDプロセスチ
ャンバ内部をクリーニングする方法であって、 前記CVDプロセスチャンバ内部の前記電極に電力を印
加し、且つ、前記CVDプロセスチャンバ内部にクリー
ニングガスを導入して、前記CVDプロセスチャンバ内
部のクリーニング工程を開始する第1のステップと、 前記第1のステップによって開始されたクリーニング工
程を継続し、且つ、前記CVDプロセスチャンバに接続
された前記排気ラインの、前記可変バルブよりも前記第
2の端部に近い側で、前記排気ラインに接続されて、前
記排気ラインの圧力を検出する第1の圧力検出手段によ
り測定される圧力の変化を、前記第1の圧力検出手段に
より検出された圧力の変化をモニタしてクリーニングの
終点を検出する1つ以上の制御手段によりモニタし、所
定の圧力変化が検出された時点をもって、クリーニング
の終点として前記制御手段が検知する第2のステップと
を備えることを特徴とするCVDプロセスチャンバのク
リーニングの方法。 - 【請求項4】 前記第2のステップにおいて、前記制御
手段が更に、前記CVDプロセスチャンバに接続され、
前記CVDプロセスチャンバの内部の圧力を検出する第
2の圧力検出手段により検出された圧力の変化をモニタ
して前記CVDプロセスチャンバ内の圧力を制御するこ
とを特徴とする請求項3に記載のCVDプロセスチャン
バのクリーニングの方法。 - 【請求項5】 前記第2のステップにおいて、前記クリ
ーニングの終点が検知された直後に、前記電極への電力
の供給を停止する操作を更に含むことを特徴とする請求
項3又は4のいずれかに記載のCVDプロセスチャンバ
のクリーニングの方法。 - 【請求項6】 前記クリーニングガスが弗素含有ガスを
含み、前記第2のステップでは、前記所定の圧力変化
が、圧力の一時的な上昇であることを特徴とする請求項
3〜5のいずれかに記載のCVDプロセスチャンバのク
リーニングの方法。
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