KR100773659B1

KR100773659B1 - 플라즈마 ｃｖｄ 장치의 챔버 클리닝 방법 및 플라즈마ｃｖｄ 장치

Info

Publication number: KR100773659B1
Application number: KR1020000054773A
Authority: KR
Inventors: 히라세마사끼; 도미야마도모히꼬
Original assignee: 산요덴키가부시키가이샤
Priority date: 1999-12-08
Filing date: 2000-09-19
Publication date: 2007-11-05
Also published as: JP3084024B1; KR20010067192A; JP2001164368A

Abstract

본 발명은 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치의 챔버 클리닝에 있어서, 장치 내벽의 부착물을 플라즈마를 이용하여 클리닝을 행할 때 CVD 챔버 압력 제어 밸브의 개방도를 고정한 다음에, 고주파 전력의 반사 전력의 변화를 모니터함으로써 클리닝의 종점 검지를 행하고, 적절한 시간으로 클리닝을 실시함으로써, 반도체 제조 설비의 가동율과 작업 처리량을 높게 유지하고, 또한 반도체 장치의 수율 저하를 방지하는 것을 과제로 한다.

고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서, 챔버 내벽의 부착물을 플라즈마를 이용하여 클리닝할 때, CVD 챔버 압력 제어 밸브의 개방도를 고정한 다음에, 고주파 전력의 반사 전력을 모니터함으로써, 클리닝의 종점을 검출한다.

CVD 챔버, 기판, 서셉터, 가열 수단, 고주파 전극, 고주파 정합기, 가스 공급계, 배기계, 드로틀 밸브

Description

플라즈마 ＣＶＤ 장치의 챔버 클리닝 방법 및 플라즈마 ＣＶＤ 장치{PLASMA CVD APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING A CHAMBER OF THE PLASMA CVD APPARATUS}

도1은 본 발명에 의한 플라즈마 클리닝 방법을 적용하는 플라즈마 CVD 장치의 일예인 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치의 개략 구성도.

도2는 플라즈마 클리닝 시간과 CVD 챔버 압력과의 관계를 도시한 그래프.

도3은 실리콘 산화막 1000㎚ 퇴적 후의 플라즈마 클리닝 시간과 반사 전력 및 F 래디컬 발광 강도와의 관계를 도시한 그래프.

도4는 실리콘 산화막 2000㎚ 퇴적 후의 플라즈마 클리닝 시간과 반사 전력 및 F 래디컬 발광 강도와의 관계를 도시한 그래프.

도5는 플라즈마 CVD 챔버와 고주파 전력 제어 시스템의 일예를 도시한 블럭도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : CVD 챔버

2 : 기판

3 : 서셉터

4 : 가열 수단

5 : 고주파 전극

6 : 고주파 발진기

7 : 고주파 정합기

8 : 가스 공급계

9 : 배기계

10 : 드로틀 밸브(압력 제어 밸브)

11 : 압력계

본 발명은 플라즈마 CVD 장치의 챔버 클리닝 방법 및 이 방법을 실시하는 플라즈마 CVD 장치에 관한 것이다.

종래부터 각종 반도체 장치의 제조에서는 도전층, 절연층 등의 각종 성막(成膜) 공정에 있어서, 플라즈마 CVD 장치가 널리 이용되고 있다.

플라즈마 CVD 장치는 CVD 챔버 내의 서셉터 상에 반도체 등의 기판을 배치하고, 이 서셉터에 고주파 전극을 대향시켜 진공 펌프에 이어지는 CVD 챔버의 배기 라인에 설치한 드로틀 밸브 등의 압력 조정 밸브에 의해 압력을 일정하게 유지하면서 가스를 도입하고, 고주파 전극과 기판 사이에서 플라즈마 방전을 행하여 기판 상에 성막을 행한다.

플라즈마 CVD 장치에 있어서는 성막 작업을 반복 행함으로써, CVD 챔버 내의 내벽 등에 반응 생성물의 퇴적이 일어난다. CVD 챔버 내벽의 퇴적물이 증가하면, CVD 챔버 내의 임피던스가 변화하여 안정된 플라즈마의 발생이 저해되고, 성막된 막의 막 두께 분포, 막질 등이 열화한다. 또한, CVD 챔버 내벽으로의 퇴적물이 증가하면, 퇴적물이 박리하여 이물질 발생의 원인이 된다.

이로 인해, 플라즈마 CVD 장치에서는 일정 성막 시간 마다 CVD 챔버 내의 클리닝의 실시가 필요해진다. CVD 챔버 내의 클리닝에는 플라즈마를 이용한 드라이 에칭(플라즈마 클리닝)이 널리 이용되고 있다.

일반적으로 챔버 내의 클리닝은 챔버 내에 잔여막을 남기지 않도록 마진을 취해 길게 실시하지만, 이 마진을 지나치게 크게 취하면, 클리닝 시간이 길어짐으로써 설비의 작업 처리량 저하를 초래하고, 또한 오버 에칭은 챔버 내의 부재를 손상하여 챔버 구성재의 열화를 빠르게 해, 보수 사이클을 단축함으로써 설비의 가동율도 저하시키게 된다.

또한 과도한 에칭은 전술한 챔버 구성 부품의 열화나, 클리닝 가스에 의한 생성물의 침전에 의해 이물질을 발생시키고, 반도체 제품의 수율을 저하시키는 원인으로도 된다.

한편, 클리닝 시간이 지나치게 짧으면, 챔버 내에 형성된 막이 남아 버려, 처리를 계속하면 서서히 박막이 퇴적하고, 이것이 어느 정도 두꺼워지면 박리하여 이물질이 되어 웨이퍼에 부착하여, 반도체 제품의 수율을 저하시키게 된다. 따라서, 클리닝 시간은 적절하게 관리할 필요가 있다.

여기에서, 플라즈마 CVD 장치에서 일반적으로 이용되고 있는 고주파 전력 제어 시스템에 대해 도면을 이용하여 간단하게 언급한다. 도5는 플라즈마 CVD 챔버 와 고주파 전력 제어 시스템의 블럭도의 일예이다. 고주파 발진기(21)는 제어 회로(24)로부터의 전압 신호(25)에 의해 지정된 고주파 전력(순방향 전력)을, 정합기(22)를 거쳐서 CVD 챔버(23)에 공급한다. 고주파 발진기(21)는 발진하는 고주파의 순방향 전력과 반사 전력을 모니터하여 전압 신호(26)로서 출력하는 기능을 갖는다.

고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치는 제어 회로(24)로부터의 전압 신호(27)에 의해 정합기(22)의 임피던스를 일정하게 유지하고 있다. 또, 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에는 임피던스를 변화시키는 기능을 갖지 않은 정합기를 갖는 경우도 있다.

성막시나 플라즈마 클리닝시에는 CVD 챔버 내벽에 퇴적한 부착물의 양의 변화 등에 의해, CVD 챔버(23)의 임피던스가 변화한다. 정합기(22)의 임피던스를 고정한 경우, CVD 챔버(23)의 임피던스의 변화에 수반하여 반사 전력이 변화한다.

고주파 발진기(21)로부터 CVD 챔버(23)에 공급되는 고주파 전력은 순방향 전력과 반사 전력의 차(差)이다. 이로 인해, 고주파 발진기(21)로부터 출력되는 순방향 전력이 일정할 때, 반사 전력의 변화는 CVD 챔버(23)에 공급되는 고주파 전력의 변화가 되어 CVD 챔버(23)에서 행해지는 처리를 불안정하게 한다.

고정 정합 회로를 갖는 CVD 장치의 고주파 전력 제어에서는 반사 전력의 변화에 의해 CVD 챔버(23)에서 행해지는 처리가 불안정해지는 것을 방지하기 위해, CVD 챔버(23)에서 처리가 행해지고 있는 동안, 고주파 발진기로부터 순방향 전력과 반사 전력을 모니터하여, 순방향 전력과 반사 전력의 차가 일정해지도록 순방향 전 력을 제어하고 있다.

이와 같이, 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서, 반사 전력의 모니터는 표준적으로 구비되어 있는 기능이다.

다음에, 일반적인 플라즈마 CVD 장치에 있어서의 클리닝 중의 챔버 압력을 일정하게 유지하는 기구에 대해 간단하게 설명한다. 종래의 플라즈마 CVD 장치에서는 클리닝 중의 챔버 압력을 챔버에 부착된 압력계의 값에 의거하여 APC(Auto Pressure Controller) 밸브라 불리우는, 배기 배관의 컨덕턴스를 조정하기 위한 전용의 밸브에 대해 전압의 펄스 신호수를 적절히 변경하면서 공급함으로써, 항상 일정치가 되도록 조정하고 있다. APC 밸브를 구성하는 주요한 부품의 하나가 드로틀 밸브이며, APC 밸브 내부에 있어서 드로틀 밸브의 각도를 변화시킴으로써, 배관의 컨덕턴스를 변화시켜 챔버 압력을 제어한다.

그런데, 플라즈마 클리닝의 종점 검출 방법에는 예를 들어 일본 특허 공개 평9-82645호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 발광 재료의 발광 강도 변화로부터 검출하는 방법이 있다. 발광 강도 변화로부터 플라즈마 클리닝의 종점을 검출하는 경우, 플라즈마 CVD 장치에는 CVD 챔버의 측벽면에 플라즈마 발광을 관측하기 위한 관측 창을 부착하고, 이 창에 인접한 챔버 밖에 수광계를 설치하는 것이 일반적이다.

또한, 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에서는 예를 들어 일본 특허 공개 평8-236412호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 플라즈마 클리닝 중의 고주파 반사 전력이 안정된 레벨에 달하였는지의 여부를 감지함으로써, 클리닝 의 종점을 검출하는 방법이 있다.

그러나, 상기 발광 재료의 발광 강도 변화로부터 클리닝의 종점을 검출하는 방법에서는 성막시에 관찰 창의 내벽면에도 반응 생성물이 퇴적하므로, 플라즈마의 발광 강도의 변화를 장기간에 걸쳐 안정되게 검출할 수 없다. 또한, 발광 재료의 발광 강도를 측정하기 위한 수광계의 설치는 장치의 복잡화, 고비용화를 초래한다.

또한, 상기 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서, 고주파 반사 전력이 안정된 레벨에 달하였는지의 여부를 감지함으로써 클리닝의 종점을 검출하는 방법에 있어서는, 클리닝 중의 반사 전력의 변화량이 작거나 혹은 CVD 챔버 내벽의 퇴적물이 제거된 후도 반사 전력이 변화하는 등의 현상에 의해, 클리닝 종점의 규정을 결정하기가 곤란하다.

본 발명의 목적은 전술한 문제를 해결하여, 저비용으로 정확하게 종점을 검출할 수 있는 플라즈마 CVD 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것이다.

본 발명에 의한 플라즈마 CVD 장치의 챔버 클리닝 방법은 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서, 장치 내벽의 부착물을 플라즈마를 이용하여 클리닝할 때, CVD 챔버 압력 제어 밸브의 개방도를 고정한 다음, 고주파 전력의 반사 전력을 모니터함으로써, 반사 전력의 변동에 의해 클리닝의 종점을 검출한다.

또한, 본 발명의 플라즈마 CVD 장치는 상기 종점의 검출 시간으로부터, 설정 된 산정 방법에 의해 산출된 시간 후에 클리닝에 이용되는 가스 및 고주파의 정지등, 일련의 클리닝 처리의 종결 처리를 자동적으로 행하는 수단을 갖는다.

우선, 본 발명에 의한 플라즈마 CVD 장치의 챔버 클리닝 방법의 원리·작용에 대해 설명한다.

플라즈마 CVD 장치에 있어서 성막을 행하면, CVD 챔버 내에 반응 생성물이 부착하여 CVD 챔버 내의 임피던스가 변화한다. 이 상태로부터 플라즈마 클리닝을 행하면, CVD 챔버 내의 생성물이 제거되고, 점차로 임피던스는 성막 전의 값으로 복귀한다.

CVD 챔버 압력 제어 밸브의 개방도를 고정한 상태에서 플라즈마 클리닝을 행하면, CVD 챔버의 압력은 클리닝 개시, 고주파 인가와 동시에 커지고 CVD 챔버 내의 생성물 제거가 진행됨에 따라서 감소하여, 생성물의 제거가 완료한 후 일정치가 된다.

클리닝의 진행에 수반하는 CVD 챔버 압력의 변화는 클리닝 중의 CVD 챔버 압력을 일정하게 제어한 경우에 비해, 플라즈마 클리닝의 진행에 수반하는 CVD 챔버 내의 임피던스 변화량을 증폭한다. 이 임피던스의 변화를 고주파 반사 전력으로 포착해, 플라즈마 클리닝의 종점을 검출한다.

반사 전력의 모니터 기능 및 드로틀 밸브의 개방도를 고정하는 기능은 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서는 표준적으로 구비되어 있는 기능이다.

본 발명에서는 전술한 챔버 압력 제어 방법에 있어서 클리닝 처리 중 압력계 로부터의 피드백을 행하지 않고, 챔버 내부가 적당한 압력이 되는 설정치에 상기 APC 밸브의 개방도를 일정치로 정지시키도록, 상기 전압의 펄스 신호를 정지함으로써 드로틀 밸브의 개방도를 고정하는 것이 용이하게 실현 가능하다. 따라서, 본 발명은 플라즈마 CVD 장치에 플라즈마 클리닝의 종점을 검출하기 위한 특별한 기능을 추가하는 일 없이, 정확한 종점을 검출한다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.

도1은 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치를 도시하고 있다. 플라즈마 CVD 장치는 진공 상태를 유지하는 CVD 챔버(1) 내에, 성막 대상이 되는 기판(2)을 배치하는 서셉터(3)가 배치된다. 서셉터(3)에는 기판을 일정 온도로 유지하기 위한 가열 수단(4)이 설치된다.

서셉터(3)의 상부에는 대향한 고주파 전극(5)이 배치된다. 고주파 전극(5)에는 고주파 전력을 공급하는 고주파 발진기(6)가 고정 고주파 정합 회로를 갖는 정합기(7)를 거쳐서 접속된다. 또한, 고주파 전극(5)에는 성막시 및 플라즈마 클리닝시에 필요한 가스를 공급하기 위한 가스 공급계(8)가 설치되어 있다.

CVD 챔버에는 CVD 챔버 내의 가스를 배기하기 위한 진공 펌프 등의 배기계(9)가, CVD 챔버내 압력을 일정하게 유지하기 위한 드로틀 밸브(10)(압력 제어 밸브)를 거쳐서 접속된다. 또한, CVD 챔버 내에는 CVD 챔버 압력을 모니터하는 압력계(11)가 설치된다.

다음에, 도1의 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치를 이용한 경우의 챔버 클리닝의 종점 검출 방법에 대해 설명한다.

도2는 도1의 CVD 챔버에서 실리콘 산화막을 1000㎚ 및 20OOnm 성막한 후, 클리닝용 가스를 챔버에 도입하고, 또한 그 후에, 고주파 전력을 공급하여 플라즈마 클리닝을 행한 경우의 CVD 챔버 압력의 변화 상태를 도시한다.

CVD 챔버 압력은 도1에 도시한 압력계(11)에 의해 모니터하여, 플라즈마 클리닝 중에 CVD 챔버 압력이 변화하고 있는 것을 확인했다.

도2 중, 굵은 실선의 곡선이 실리콘 산화막을 1000㎚ 성막한 경우, 가는 실선의 곡선이 실리콘 산화막을 2000㎚ 성막한 경우의 CVD 챔버 압력의 변화 상태를 도시한다.

CVD 챔버에서 실리콘 산화막의 성막을 행한 후, C₂F₆ 유량 900sccm, NF₃ 유량 135sccm, 0₂ 유량 1250sccm, 서셉터 온도 400℃, 드로틀 밸브 개방도 60%의 조건으로 하면, CVD 챔버 내의 압력은 도2에 도시한 바와 같이 4Torr로 유지된다.

이 상태에서, 고주파 전력 4000W을 공급하여(도2의 시각 t1), 클리닝을 개시했다.

클리닝 개시후, CVD 챔버 압력은 도2에 도시한 바와 같이 시간의 경과와 함께 감소한다. 그 후, CVD 챔버 압력은 실리콘 산화막 1000㎚ 퇴적 후의 클리닝에 있어서는 클리닝 개시후 약 40초(도2의 시각 t2), 실리콘 산화막 2000㎚ 퇴적 후의 클리닝에 있어서는 클리닝 개시후 약 70초(도2의 시각 t3)에서, 각각 일정치가 된다. 이와 같이, 압력 제어 밸브의 개방도를 고정하여 플라즈마 클리닝을 행함으로써, 클리닝 중의 CVD 챔버 압력이 클리닝의 진행에 수반하여 변화한다.

도3은 실리콘 산화막을 1000㎚ 성막한 후의 플라즈마 클리닝에 있어서의 반사 전력의 변화 및 F 래디컬의 발광 강도의 변화를 도시한다. 또, 도4는 실리콘 산화막을 2000㎚ 성막한 후의 플라즈마 클리닝에 있어서의 반사 전력의 변화 및 SiF 래디컬의 발광 강도의 변화를 도시한다.

반사 전력의 모니터는 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서는 표준적으로 구비되어 있는 기능이므로, 이것을 이용했다.

F 래디컬의 발광 강도의 시간 변화는 CVD 챔버에 설치한 발광 관측 창으로부터 모니터했다. 플라즈마 클리닝 개시후, F 래디컬의 발광 강도의 증가가 정지해 일정치로 안정된 시점이 클리닝의 종점이다.

도3 및 도4에 도시한 바와 같이, 반사 전력은 플라즈마 클리닝 개시시(도3 및 도4의 시각 t1)에 극히 단시간 증가한 후 최소치를 취하며, 그 후는 시간의 경과와 함께 증가한다. 또한 그 후, 반사 전력은 실리콘 산화막 100Onm 퇴적 후의 클리닝에 있어서는 클리닝 개시후 약 40초(도3의 시각 t2), 실리콘 산화막 2000㎚ 퇴적 후의 클리닝에 있어서는 클리닝 개시후 약 70초(도4의 시각 t3)에서 각각 일정치가 된다.

F 래디컬의 발광 강도는 플라즈마 클리닝 개시후, 시간의 경과와 함께 증가한다. 그 후, F 래디컬의 발광 강도는 실리콘 산화막 1000㎚ 퇴적 후의 클리닝에 있어서는 클리닝 개시후 약 35초(도3의 시각 T2), 실리콘 산화막 2000㎚ 퇴적 후의 클리닝에 있어서는 클리닝 개시후 약 60초(도4의 시각 T3)에서 각각 일정치가 된다.

따라서, 실리콘 산화막 1OOOnm 퇴적 후의 클리닝에 있어서, 클리닝 중의 반사 전력의 증가가 정지하기까지의 시간(약 40초)은 F 래디컬의 발광 강도의 증가가 정지하기까지의 시간(약 35초)의 약 13% 증가하게 되어 있다.

또한, 실리콘 산화막 2000㎚ 퇴적 후의 클리닝에 있어서, 클리닝 중의 반사 전력의 증가가 정지하기까지의 시간(약 70초)은 F 래디컬의 발광 강도의 증가가 정지하기까지의 시간(약 60초)의 약 17% 증가하게 되어 있다.

이와 같이, 본 실시 형태에 있어서는 반사 전력의 변화로부터 플라즈마 클리닝의 종점을 검출할 수 있다는 것을, 종래부터 이용하고 있는 발광 재료의 발광 강도에 의해 검증했다.

따라서, 고주파 전력의 공급 정지, 즉 클리닝의 정지를 클리닝 중의 반사 전력의 증가가 정지하기까지의 시간으로 설정하면, 이것은 F 래디컬의 발광 강도의 증가가 정지하기까지의 시간의 약 13 내지 17% 증가하고, 평균적으로 약 15% 증가의 시간이 된다. 이와 같이 하면, 챔버 내를 양호한 상태로 유지할 수 있어 작업 처리량, 가동율을 높게 유지하면서, 반도체 기판으로의 미립자 부착을 낮게 억제하는 것이 가능해진다.

이상의 결과로부터, 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치의 플라즈마 클리닝에 있어서, 압력 제어 밸브의 개방도를 고정한 다음 반사 전력의 변화를 모니터함으로써, 플라즈마 클리닝의 종점을 정확하게 검출하는 것이 가능하다.

그리고, 이와 같이 클리닝의 종점을 검출함으로써, 적절한 타이밍으로 클리 닝에 이용되는 가스의 공급 정지 및 고주파 전력의 공급을 정지할 수 있다.

또한, 상기에 설명한 바와 같지만, 본 실시 형태에 따르면 CVD 챔버 클리닝의 종점을 검출하여, 적절한 타이밍으로 클리닝 처리의 종결 처리를 자동적으로 행할 수 있는 플라즈마 CVD 장치를 얻을 수 있다.

즉, 본 실시 형태에 따르면, 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서, CVD 챔버 압력 제어 밸브의 개방도를 고정하여 플라즈마를 이용하여 행하는 챔버 내벽 부착물의 클리닝 중에, 고주파 전력의 반사 전력의 변화를 모니터하여 클리닝의 종점을 검출하는 수단을 구비하고 있다. 또한, 마이크로 컴퓨터 등에 의해 상기 종점의 검출 시간으로부터, 설정된 산정 방법에 의해 산출된 시간 후에, 클리닝에 이용되는 가스 및 고주파의 정지를 포함하는 클리닝 처리의 종결 처리를 자동적으로 행하는 수단을 구비할 수 있다.

또, 본 발명은 상술한 바와 같은 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.

즉, 본 발명에 있어서는 상술한 피처리물의 예에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 실리콘 질화막이나 불화 탄소막 등의 각종 박막을 성막한 후의 플라즈마 클리닝으로의 적용이 가능하다.

또한, 본 발명은 상술한 클리닝시 공급 가스예에 한정되는 것은 아니며, NF₃ 단독이나 C₃F₈과 0₂의 혼합계 등의 각종 에칭 가스를 이용한 플라즈마 클리닝으로의 적용이 가능하다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서 플라즈마 클리닝을 행할 때, 반사 전력의 변화를 모니터함으로써, 플라즈마 클리닝의 종점을 장치의 복잡화, 고비용화를 초래하는 일 없이, 정확하게 검출할 수 있다.

Claims

고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에서, CVD 챔버 압력 제어 밸브의 개방도를 고정하여 챔버 내벽의 부착물을 플라즈마를 이용하여 클리닝을 행하고, 고주파 전력의 반사 전력의 변화를 모니터함으로써, 클리닝의 종점을 검출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치의 챔버 클리닝 방법.
제1항에 있어서, 상기 클리닝의 종점을 검출하여 고주파 전력의 공급을 정지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치의 챔버 클리닝 방법.
고정 고주파 정합 회로를 갖는 플라즈마 CVD 장치에 있어서, CVD 챔버 압력 제어 밸브의 개방도를 고정하여 플라즈마를 이용하여 행하는 챔버 내벽 부착물의 클리닝 중에, 고주파 전력의 반사 전력의 변화를 모니터하여 클리닝의 종점을 검출하는 수단과, 상기 종점의 검출 시간으로부터, 설정된 산정 방법에 의해 산출된 시간 후에 클리닝에 이용되는 가스 및 고주파의 정지를 포함하는 클리닝 처리의 종결 처리를 자동적으로 행하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 클리닝 종점을, 클리닝 중의 반사 전력의 증가가 정지할 때까지의 시간으로 설정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치의 챔버 클리닝 방법.