KR20030078550A - 반응기의 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반응기체의 잔류효과를 방지하는데 적합한 반응기의 세정 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명의 반응기의 세정 방법은 반응기내에서 화학기상증착법으로 박막을 증착하는 단계, 및 상기 반응기의 내부 및 내벽을 플라즈마로 세정하는 단계를 포함하여 이루어고, 박막의 증착은 콜드월 시스템에서 이루어지며, 플라즈마로 세정하는 단계는 박막의 증착속도를 조절하도록 주기적으로 진행된다.

Description

반응기의 세정 방법{Method for cleaning of chamber}
본 발명은 반도체장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 반응기의 세정 방법에 관한 것이다
반도체장치의 제조공정 중에서 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정은 많은 종류의 반응기체들을 사용한다. 반응기체들은 각기 상이한 물리적/화학적 특성을 갖고 있는데, 동일한 진공펌프를 사용해도 다른 기체들에 비해펌핑이 잘 되지 않는 기체들이 있다. 염소(Cl2), 포스핀(PH3) 등의 기체들이 그 대표적 예인데, 이러한 기체들은 펌핑효율이 떨어지므로 소정의 화학기상증착공정이 끝나도 즉시 반응기에서 제거되지 않고 미량 잔류하면서 후속 공정에 영향을 주게 된다.
이와 같이 반응기체의 잔류에 의하여 후속 공정이 영향받는 현상을 잔류효과(memory effect)라고 일컫는다. 잔류효과에 의해 후속 공정이 영향받는 정도는 특정 화학기상증착공정의 공정조건에 크게 의존하게 된다. 예를 들어 고온에서 많은 양의 반응기체를 사용하면서 상대적으로 높은 압력에서 진행하는 화학기상증착공정에서는 미량의 잔류기체에 의한 영향이 무시할 수 있는 정도이지만, 낮은 증착온도에서 매우 적은 양의 반응기체를 사용하면서 낮은 압력에서 공정을 진행할 경우 잔류효과에 의한 영향은 무시할 수 없는 정도가 된다. 게다가, 로(furnace)를 사용하는 상압/저압 화학기상증착법과 같이 반응기 내벽이 가열되는 핫월(hot wall) 시스템에 비해, 반응기 내벽을 냉각수 등으로 냉각하여 화학반응이 반응기 내벽에서 일어나지 못하도록 하는 콜드월(cold wall) 시스템을 사용할 경우 반응기체의 잔류효과가 훨씬 심각해지는데, 그 이유는 반응기체가 반응기 내벽에 흡착된 후 오랜 시간에 걸쳐서 조금씩 방출되는 아웃개싱(outgassing) 현상이 발생하기 때문이다.
따라서 저온에서 펌핑효율이 떨어지는 반응기체를 적은 양만큼 사용하는 콜드월시스템의 경우 이와 같은 잔류효과 때문에 실제적으로 증착공정의 재현성을 확보하기가 매우 어렵다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 반응기체의 잔류효과를 방지하는데 적합한 반응기의 세정 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 플라즈마세정없이 폴리실리콘박막의 공정시간에 따른 증착속도를 도시한 도면,
도 2는 반응기체의 잔류효과를 설명하기 위한 도면이다
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반응기의 세정방법을 도시한 공정 흐름도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마세정이 삽입된 폴리실리콘박막의 공정시간에 따른 증착속도를 도시한 도면.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반응기의 세정 방법은 반응기내에서 화학기상증착법으로 박막을 증착하는 단계, 및 상기 반응기의 내부 및 내벽을 플라즈마로 세정하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하고, 박막의 증착은 콜드월 시스템에서 이루어지며, 상기 플라즈마로 세정하는 단계는 상기 박막의 증착속도를 조절하도록 주기적으로 진행됨을 특징으로 하고, 상기 플라즈마로 세정하는 단계에서, 상기 플라즈마는, DC 플라즈마, RF 플라즈마, 마이크로웨이브 플라즈마, TCP 및 ICP 플라즈마로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나의 방법으로 발생되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명에서는 핫월시스템과 콜드월시스템을 이용하는 화학기상증착장치 중에서 많은 양의 반응기체를 사용하는 핫월시스템의 경우에는 열에너지에 의해 반응기 내벽에 흡착되어 있던 반응기체 분자들이 쉽게 탈착하여 제거되므로 다루지 않고 적은 양의 반응기체를 사용하는 콜드월시스템에 대해 설명한다.
콜드월시스템은 통상적으로 냉각수 등을 사용하여 반응기 내벽을 화학반응이 일어나지 못할 정도로 낮게 유지하는데 상대적으로 적은 양의 반응기체를 사용하는 경우에는 내벽에 흡착되어 있는 반응기체분자가 탈착될만큼 충분한 열에너지를 공급받지 못하므로 잔류효과(memory effect)에 의해 후속 공정이 심각하게 영향받을 수 있다.
도 1은 폴리실리콘박막의 공정시간에 따른 증착속도를 도시한 도면이다.
도 1은 콜드월 시스템에서 폴리실리콘 박막을 성장하면서 공정의 재현성을 측정한 결과로서, 반응기 내벽을 냉각수로 냉각하여 차갑게 유지한 콜드월 시스템에서 폴리실리콘 박막을 성장하면서 공정의 재현성을 점검한 것이다.
도 1의 결과를 얻기 위해 반응기체로는 디실란(Si2H6)과 염소(Cl2)를 사용하고, 증착온도는 750℃, 증착압력은 대략 1×10-4torr로 하였다. 증착압력이 1×10-4torr로 낮은 조건에서 알 수 있듯이, 증착에 사용한 반응기체의 유량은 디실란 10sccm, 염소 1sccm이다. 이때 동일한 공정을 연속하여 반복진행함에 따라 도 1에서 보는 바와 같이 폴리실리콘 박막의 성장속도가 점차적으로 저하되는 현상이 관찰된다.
도 2는 반응기체의 잔류효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 염소(Cl2), 아르곤(Ar), 수소(H2)를 각각 반응기로 흘리다가 가스밸브를 닫아서 기체의 유입을 차단한 후 30초 후에 잔류하는 기체의 분압이 차단전 분압에 비해 각각 1/180000, 1/467000에 불과하다. 하지만 염소(Cl2)의 경우는 유입을 차단한 후 30초 뒤에 잔류하는 기체의 분압이 차단전에 비해 75%에 이르고, 50%에 도달하기 위해 필요한 시간이 90초 정도가 소요된다.
낱장 단위로 웨이퍼를 가공하는 일반적인 반도체 공정에서 1장당 공정시간이 수분에 불과하고, 곧이어 다음 웨이퍼가 반응기에 투입됨을 고려할 때 이와 같은 잔류기체에 의한 누적효과는 매우 클것으로 예상할 수 있다.
특히 염소와 같이 낮은 분압으로도 박막의 성장속도에 큰 영향을 줄 수 있고 낮은 공정온도에서 탈착이 잘 안되는 것으로 알려진 기체를 사용하는 경우 잔류효과는 더 심각해진다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반응기의 세정방법을 도시한 공정 흐름도로서, 반응기내에서 화학기상증착법으로 박막을 증착한 후, 반응기의 내부 및 내벽을 플라즈마로 세정한다.
여기서, 플라즈마 세정시 사용되는 플라즈마는 DC 플라즈마, RF 플라즈마, 마이크로웨이브(Microwave) 플라즈마, TCP/ICP 플라즈마 등 다양한 방법으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 또한 플라즈마 세정시 사용하는 기체는 아르곤, 수소, 헬륨, 질소, 산소 등의 일반적인 기체들 이외에도 플라즈마 상태에서 식각성이 있는 SF6, NF3, CCl2F2, CHF3, CF4등을 고려할 수 있을 것이며, 열거한 기체들을 한가지 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 폴리실리콘박막의 공정시간에 따른 증착속도를 도시한 도면으로서, 도 1의 실험을 하고 난 직후 SF6플라즈마를 사용하여 반응기 내벽을 세정한 후에 폴리실리콘 박막 성장실험을 반복한 결과이다.
도 4를 참조하면, 플라즈마 세정전후로 증착속도가 크게 증가하여 박막의 증착속도가 최초의 값과 거의 비슷하게 얻어지고 있음을 알 수 있다.
이것은 플라즈마를 사용할 경우 기체분자로부터 생성된 이온 및 전자들이 반응기 내벽에 흡착되어 있던 염소 기체분자와 물리적으로 충돌하여 탈착이 촉진되는 한편, 화학적 활성이 강한 라디칼(radical)이 다량으로 발생함에 따라 화학반응이 촉진되어 염소 기체분자의 탈착을 도왔음을 의미한다.
그러나 플라즈마 세정후에도 증착공정이 반복됨에 따라 증착속도가 다시 저하되는 현상이 관찰되며, 이를 제거하기 위해서는 플라즈마 세정을 적절한 주기마다 시행하여 증착속도의 하락폭을 일정 범위내에서 통제하여야 한다.
한편, 반응기를 플라즈마로 세정하는 방법은, 플라즈마를 발생시키는 방식 및 사용 기체 등에 따라 여러 가지로 서로 다른 방법이 있을 수 있다. 예를 들어 DC 플라즈마, RF 플라즈마, 마이크로웨이브(Microwave) 플라즈마, TCP/ICP 플라즈마 등 다양한 방법으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 또한 플라즈마 세정시 사용하는 기체는 아르곤, 수소, 헬륨, 질소, 산소 등의 일반적인 기체들 이외에도 플라즈마 상태에서 식각성이 있는 SF6, NF3, CCl2F2, CHF3, CF4등을 고려할 수 있을 것이며, 열거한 기체들을 한가지 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명은 콜드월 시스템에서 염소, 포스핀 등의 기체를 사용하는 화학기상증착 공정에서 나타날 수 있는 잔류효과를 제거하여 공정의 재현성과 신뢰성을 확보할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 반응기내에서 화학기상증착법으로 박막을 증착하는 단계; 및
    상기 반응기의 내부 및 내벽을 플라즈마로 세정하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반응기의 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 박막을 증착하는 단계는,
    콜드월 시스템에서 이루어짐을 특징으로 하는 반응기의 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 세정하는 단계는,
    상기 박막의 증착속도를 조절하도록 주기적으로 진행됨을 특징으로 하는 반응기의 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마로 세정하는 단계에서,
    상기 플라즈마는, DC 플라즈마, RF 플라즈마, 마이크로웨이브 플라즈마, TCP 및 ICP 플라즈마로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나의 방법으로 발생되는 것을 특징으로 하는 반응기의 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마로 세정하는 단계에서,
    아르곤, 수소, 헬륨, 질소, 산소, SF6, NF3, CCl2F2, CHF3및 CF4로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나의 가스 또는 이들중 하나 이상을 혼합한 가스를 세정가스로 이용함을 특징으로 하는 반응기의 세정 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100672696B1 (ko) * 2004-12-23 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마를 이용한 반도체 소자의 세정장치 및 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5491112A (en) * 1989-06-30 1996-02-13 Im Institutet For Mikroelektronik Method and arrangement for treating silicon plates
KR19980026836A (ko) * 1996-10-11 1998-07-15 김광호 건식 식각 장치의 챔버 세정 방법
KR19980026102A (ko) * 1996-10-07 1998-07-15 김광호 플라즈마 장비의 챔버 벽 세정방법
JP2001164368A (ja) * 1999-12-08 2001-06-19 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc プラズマｃｖｄ装置のチャンバークリーニング方法およびプラズマｃｖｄ装置
WO2001046490A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lam Research Corporation Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5491112A (en) * 1989-06-30 1996-02-13 Im Institutet For Mikroelektronik Method and arrangement for treating silicon plates
KR19980026102A (ko) * 1996-10-07 1998-07-15 김광호 플라즈마 장비의 챔버 벽 세정방법
KR19980026836A (ko) * 1996-10-11 1998-07-15 김광호 건식 식각 장치의 챔버 세정 방법
JP2001164368A (ja) * 1999-12-08 2001-06-19 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc プラズマｃｖｄ装置のチャンバークリーニング方法およびプラズマｃｖｄ装置
WO2001046490A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lam Research Corporation Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100672696B1 (ko) * 2004-12-23 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마를 이용한 반도체 소자의 세정장치 및 방법

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