JPH07211693A - ドライエッチングの終点検知方法 - Google Patents

ドライエッチングの終点検知方法

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JPH07211693A
JPH07211693A JP180994A JP180994A JPH07211693A JP H07211693 A JPH07211693 A JP H07211693A JP 180994 A JP180994 A JP 180994A JP 180994 A JP180994 A JP 180994A JP H07211693 A JPH07211693 A JP H07211693A
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reactive gas
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暢 ▲梁▼瀬
Noboru Yanase
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Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 一定のエッチング圧で安定にドライエッチン
グすると共に、エッチングの終了時点を容易に検出する 【構成】 一定流量の反応性ガスをエッチングチャンバ
1内に導入、排気し、エッチングチャンバ1内に配置し
た被加工物7に高周波電源8により活性化した反応性ガ
スを接触させて、被加工物1を触刻するドライエッチン
グ方法に於いて、前記反応性ガスの接触により生じるエ
ッチングチャンバ1内の圧力変化を圧力検出手段9で検
出し、自動圧力制御装置10で排気系のバタフライバル
ブ4を開閉させて、エッチングチャンバ1内のガス圧を
一定に保持させると共に、エッチング終点検知器11で
前記自動圧力制御装置10より発せられるバタフライバ
ルブ開度信号の変化を検出してドライエッチングの終点
を検知する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体素子の微細加工
に用いるドライエッチング方法、特に被加工物に活性な
反応性ガスを接触させて被加工物を触刻するドライエッ
チング工程の完了時点を検出するドライエッチングの終
点検知方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年半導体素子の微細化、高集積度化の
ため、従来の湿式のエッチング方法から、高周波放電に
よるプラズマイオンをエッチング源に用いるドライエッ
チングが使われるようになった。このドライエッチング
技術によって、1μm程度のパターン形成が可能とな
り、超LSIなど回路パターンの微細化が図られてい
る。この回路パターンの微細化において、加工精度を高
め、被エッチング薄膜の残渣をなくし、また、被エッチ
ング薄膜下層の薄膜の損傷をできる限り小さくするため
には、ドライエッチングの終点を精度よく検出すること
が必要である。
【0003】従来上記ドライエッチングの終点検知に
は、被エッチング薄膜と同一材料のエッチング試料から
所要のエッチング時間を算出するパイロット法やエッチ
ング時発生する発光スペクトルの強度変化を検出する光
学検知法が主として利用されている。
【0004】しかしながら、前者のパイロット法は被エ
ッチング薄膜の露出面積の大きさでエッチング時間が異
なったり、被エッチング薄膜の表面の汚染状態などで、
ロット毎にエッチングスピードが異なるなどして、安定
な加工精度が得にくいものであった。また、後者の光学
検知法は被エッチング薄膜の加工毎に直接エッチング反
応を反映した発光スペクトルを検出するため、上記パイ
ロット法の欠点が補完できるが、発光スペクトルの検知
分析に用いるフィルタに汚れが生じ、装置の維持管理が
煩雑であった。また、エッチング反応で発光スペクトル
が変化しない素材もあり、エッチングの終了時点の検出
が不可能なものもあった。
【0005】このため、エッチングチャンバ内に一定量
の反応性ガスを流入して被エッチング薄膜をエッチング
するとき、被加工物が反応性ガスと反応してエッチング
チャンバ内の圧力が変化することに着目し、ガス圧変化
を検出してエッチングの終了時点を検出する方法が提案
されている。
【0006】例えば、エッチングの放電開始直後のエッ
チングチャンバのガス圧とエッチング途中の定常状態の
エッチングチャンバのガス圧からエッチング終了時のエ
ッチングチャンバのガス圧を予測する方法(特開昭58
−140123号公報)や、エッチングチャンバ内のガ
ス圧を圧力検出手段で観測し、エッチング中のガス圧変
化を検出する方法(特開平4−127428号公報)な
どが提案されている。
【発明が解決しようとする課題】
【0007】しかしながら、前者のエッチング終了時の
エッチングチャンバのガス圧を予測する方法は排気量を
調節するバタフライバルブの開度を固定させた状態で、
エッチング前後のエッチングチャンバ圧が一定になるよ
うに手動操作するもので、操作が厄介である上、エッチ
ング終了時の圧力を予測する演算回路が複雑となる問題
があった。また、後者のものはエッチングチャンバに供
給される反応ガスの流量やエッチングチャンバから排気
される排気速度が一定のものであり、エッチングチャン
バ内の圧力差は確実に検出されるものの、被加工物は上
記圧力変動の中でエッチングされる。このため、被加工
物のエッチング表面に影響をうけ、安定なドライエッチ
ングが出来ないといった問題があった。
【0008】従って、本発明は上記ドライエッチング方
法における被加工物と反応性ガスとの反応によるエッチ
ングチャンバ内の圧力変化を検出してエッチング終了時
点を検出するドライエッチングの終点検知方法の問題点
に鑑みなされたものであり、エッチング中はエッチング
チャンバ内の圧力を常に所定のエッチング圧に保持して
被加工物のエッチング表面の安定を得るとともに、エッ
チングの終了時点が容易に検出できるドライエッチング
の終点検知方法を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のドライエッチングの終点検知方法は一定流
量の反応性ガスをエッチングチャンバ内に導入、排気
し、前記エッチングチャンバ内に配置した被加工物に高
周波放電により生成した活性な反応性ガスを接触させて
前記被加工物を触刻するドライエッチング方法に於い
て、前記反応性ガスの接触によるエッチングチャンバ内
の圧力変化を圧力検出手段で検出させ、自動圧力制御装
置で排気系のバタフライバルブを開閉させて前記エッチ
ングチャンバ内のガス圧を一定に保持させると共に、前
記自動圧力制御装置より発せられるバタフライバルブ開
度信号の変化を検出して前記ドライエッチングの終点を
検出することを特徴としている。また、本発明のドライ
エッチの終点検知方法は前記バタフライバルブの近傍に
角度センサを配設し、この角度センサで前記バタフライ
バルブの開度信号の変化を検出することを特徴としてい
る。
【0010】
【作用】自動圧力制御装置は圧力検出手段の検出信号に
より排気系のバタフライバルブを開閉させてエッチング
チャンバ内の圧力を一定の圧力に保持させる。従って、
被加工物はエッチング中、一定のエッチング圧でドライ
エッチングされ安定なエッチングが得られる。また、エ
ッチング中の反応生成物のモル数の増減はエッチングチ
ャンバ内の圧力変化させることなく、自動圧力制御装置
で制御される排気系のバタフライバルブの開度で対応さ
れ、このバタフライバルブ開度信号の変化を検出するこ
とで、ドライエッチングの終点が即応して検出される。
従って、エッチング層と下地の素材の反応生成物のモル
数が異なる各種の被加工物に適用でき、そのドライエッ
チングの終点が容易に検出できる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳
述する。
【0012】図1は本発明に係るドライエッチング装置
の概略構成図である。
【0013】図において、1は真空容器からなるエッチ
ングチャンバ、2は反応性ガス供給手段、3はターボモ
レキュラポンプとロータリポンプを結合した排気手段、
4はエッチングチャンバ1の排気系に配設され、排気量
を制御するためのバタフライバルブ、5は反応性ガスの
噴射口を有する上部電極、6は被加工物7を載置支持す
る下部電極の支持台、8は上部電極5と支持台6との間
に高周波電力を印加して反応性ガス供給手段2から供給
された反応性ガスをプラズマ化する高周波電源、9はエ
ッチングチャンバ1内の圧力を検出する圧力検出手段
で、例えばキャパシタンスマノメータ、10は自動圧力
制御装置、11はエッチング終点検知器である。
【0014】図2は上記自動圧力制御装置10及びエッ
チング終点検知器11のブロック回路である。
【0015】自動圧力制御装置10は圧力検出手段9で
検出したエッチングチャンバ1の圧力信号を設定値と比
較してその差に応じた信号を発してバタフライバルブ4
を開閉させ、エッチングチャンバ1内の圧力を常に所定
の設定したエッチング圧に制御する装置であり、次のよ
うに構成される。
【0016】即ち、この制御装置10は圧力検出手段9
のキャパシタンスマノメータで検出したアナログ信号を
ディジタル信号に変換するA/D変換回路12、エッチ
ングチャンバ1内の圧力を所定圧に設定する設定回路1
3、A/D変換回路12の出力信号値と設定回路13の
設定値とを比較してその差に比例した信号を送出するす
る比較回路14、比較回路14より入力された信号を増
幅する増幅器15等から構成され、増幅器15の出力信
号でバタフライバルブ開閉回路16を駆動して、バタフ
ライバルブ4を所定量開閉する。尚、17はタイミング
回路であり、所定パルス周期で第1ゲート回路18を開
いて圧力検出手段9のアナログ信号をA/D変換回路1
2に取込んでディジタル信号に変換し、このディジタル
信号を第2ゲート回路19を開いて比較回路14に入力
し、エッチング作業中、所定のタイミング周期でエッチ
ングチャンバ1内の圧力を調整し、常時一定圧になるよ
うに構成している。
【0017】また、エッチング終点検知器11は自動圧
力制御装置10より出力されるバタフライバルブ開閉信
号の変化を検出してエッチングの終点を検出し、高周波
電源8を開閉する装置であり、増幅器15の出力を検出
し、単位時間当たりの出力変化が所定量以上の急激な変
化の場合これを検知してパルス信号を出力するバタフラ
イバルブの開度検出回路20と、前記開度検出回路20
の出力パルスをカウントし、所定カウント数の時にエッ
チングの終点として高周波電源を開放させるパルス信号
を出力するカウンタ21とから構成され、このカウンタ
21のパルス信号により高周波電源開閉回路22を駆動
してエッチングを終了させる。
【0018】かかる構成のドライエッチング装置のエッ
チング動作を図3の作動図を参照して説明する。
【0019】図3(a)及び(b)は上記ドライエッチ
ング装置のエッチング工程におけるエッチングチャンバ
1内の圧力状況及びバタフライバルブ4の開度状況の推
移を示す。
【0020】先ず、時刻t0において、被加工物7を支
持台6上に設置して、排気手段3によりエッチングチャ
ンバ1内を真空に排気する。次に、このように真空排気
した後、時刻t1において、自動圧力制御装置10を作
動させ、反応ガス供給手段2を開いて所定流量の反応ガ
スを流し、エッチングチャンバ1内を反応ガスに置換さ
せる。すると、バタフライバルブ4は上記反応ガスの流
量に対応して所定開度で開き、エッチングチャンバ1内
は設定回路13で設定された設定圧力を維持する。
【0021】上記時刻t1の反応ガスの供給に伴うバタ
フライバルブ4の動作時、自動圧力制御装置10はエッ
チングチャンバ1内の圧力が真空状態から反応ガスの流
入によりバタフライバルブ開閉信号を大きく変化させて
バタフライバルブ4を開く。このバタフライバルブ開閉
信号の変化は同時にエッチング終点検知器11の開度検
出回路20に付与され、その検知信号がカウンタ20で
カウントされる。しかし、このバタフライバルブ開度信
号変化の検知信号は1回目であり、エッチング終点検知
器11は終点検知信号は出力しない。
【0022】次いで、このようにエッチングチャンバ1
内に反応ガスが所定圧力で流入された段階の時刻t2
おいて、高周波電源8を駆動して高周波電力を支持台6
と上部電極5との間に印加して反応性ガスをプラズマ化
し、活性化された反応性ガスを被加工物7に接触させて
エッチングする。この時、被加工物7は反応性ガスと反
応して反応生成物のモル数が反応性ガスのモル数に比べ
て大きい場合、エッチングチャンバ1内の圧力を押し上
げるように作用するが、自動圧力制御装置10により排
気系のバタフライバルブ4の開度が大きくなって排気流
量が増加し、チャンバ1内の圧力は一定に保持され、こ
の圧力一定の状態で、被加工物7がエッチングされる。
尚、反応生成物のモル数が反応性ガスのモル数に比べて
小さい場合は、図示しないが、自動圧力制御装置10に
より排気系のバタフライバルブ4の開度が小さくなり、
同様に、チャンバ1内の圧力は圧力一定状態が保持され
る。
【0023】上記時刻t2のエッチング開始時の反応生
成物の発生に伴う上記バタフライバルブ4の開度動作は
上記時刻t1の反応ガスの供給時と同様に、バタフライ
バルブ開閉信号の大きい変化を生じ、このバタフライバ
ルブ開閉信号の変化がエッチング終点検知器11の開度
検出回路20に付与されてカウンタ21でカウントさ
れ、2回目のバタフライバルブ開度信号変化の検知信号
がカウントされる。しかし、この検知信号は2回目であ
り、エッチング終点検知器11はエッチングの終点検知
信号は出力しない。
【0024】次に、被加工物7のエッチングが進み、時
刻t3において、下地層に達すると、反応性ガスは下地
層と反応することとなる。この下地層との反応生成物の
モル数が上記エッチング層の反応生成物のモル数に比べ
て大きい場合、エッチングチャンバ1内の圧力は更に押
し上げられるように作用する。しかし、この場合も上記
エッチング層の場合と同様に、自動圧力制御装置10に
よりバタフライバルブ4の開度が大きくなって、排気流
量が増加し、エッチングチャンバ1内の圧力は一定に保
持される。尚、下地層との反応生成物のモル数がエッチ
ング層の反応生成物のモル数に比べて小さい場合も、同
様に一定圧に保持される。
【0025】この時刻t3の下地層との反応生成物によ
るバタフライバルブ4の開度信号の変化は、上記エッチ
ング層の場合と同様に大きい開度信号変化となって、
即、エッチング終点検知器11の開度検出回路20で検
出され、その検知信号がカウンタ21に送出される。そ
して、カウンタ21により3回目の検知信号がカウント
され、エッチングの終点検知信号が出力されて、高周波
電源開閉回22が駆動され、高周波電源8が停止されエ
ッチングを終了させる。後は反応ガス供給手段2、排気
手段3が止められ、エッチングチャンバ1内が空気に置
換された後、被加工物7がエッチングチャンバ1より取
出される。従って、被加工物7はエッチングチャンバ1
にセッティング後取出しまでのエッチング開始前の時刻
1〜t2及びエッチング中の時刻t2〜t3の間、一定の
圧力雰囲気にあり、安定なエッチングがなされる。ま
た、エッチング終了後の時刻t3の下地層のエッチング
はエッチング終点検知器11によりバタフライバルブ4
の開度信号の変化が即検出され、オーバエッチングが防
止でき、精度良く微細加工ができる。
【0026】尚、上記実施例において、エッチング終点
検出器21は自動圧力制御装置10の出力信号からバタ
フライバルブ開度信号の変化を直接検出するように構成
したが、これに限定されるものではない。例えば、バタ
フライバルブ4の近傍に磁気抵抗素子等の角度センサを
配設し、この角度センサでバタフライバルブの開度信号
の変化を検出することもでき、開度検出回路20の回路
構成を簡略化することも可能である。
【0027】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は反応性ガ
スをエッチングチャンバ内に導入、排気して、エッチン
グチャンバ内に配置した被加工物に活性な反応性ガスを
接触させて被加工物を触刻するドライエッチングに於い
て、自動圧力制御装置でバタフライバルブを開閉させて
エッチングチャンバ内のガス圧をエッチング前後で常に
一定に保持させてエッチングするように構成しているか
ら、被加工物が安定にエッチングされるともに、自動圧
力制御装置より発せられるバタフライバルブ開度信号の
変化を検出してドライエッチングの終点を検出するよう
に構成したから、種々のエッチング材料の被加工物に適
用でき、そのエッチング終了時点が容易に検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るドライエッチング装置の概略構成
図である。
【図2】図1の自動圧力制御装置及びエッチング終点検
出器の回路図である。
【図3】図1のドライエッチング装置の作動説明図で、
(a)はエッチングチャンバ内の圧力推移、(b)はバ
タフライバルブの開度推移を示す。
【符号の説明】
1 エッチングチャンバ 2 反応性ガス供給手段 3 排気手段 4 バタフライバルブ 5 上部電極 6 支持台 7 被加工物 8 高周波電源 9 圧力検出手段 10 自動圧力制御装置 11 エッチング終点検知器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一定流量の反応性ガスをエッチングチャ
    ンバ内に導入、排気し、前記エッチングチャンバ内に配
    置した被加工物に高周波放電により生成した活性な反応
    性ガスを接触させて前記被加工物を触刻するドライエッ
    チング方法に於いて、 前記反応性ガスの接触によるエッチングチャンバ内の圧
    力変化を圧力検出手段で検出させ、自動圧力制御装置で
    排気系のバタフライバルブを開閉させて前記エッチング
    チャンバ内のガス圧を一定に保持させると共に、前記自
    動圧力制御装置より発せられるバタフライバルブの開度
    信号変化を検出して前記ドライエッチングの終点を検出
    することを特徴とするドライエッチングの終点検知方
    法。
  2. 【請求項2】 前記バタフライバルブの近傍に角度セン
    サを配設し、この角度センサで前記バタフライバルブの
    開度信号変化を検出することを特徴とするドライエッチ
    ングの終点検知方法。
JP180994A 1994-01-13 1994-01-13 ドライエッチングの終点検知方法 Withdrawn JPH07211693A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09143742A (ja) * 1995-11-28 1997-06-03 Applied Materials Inc Cvd装置及びチャンバ内のクリーニングの方法
KR20010066345A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 구본준, 론 위라하디락사 압력 변화율을 이용한 에칭 종결시점 검출방법
JP2002518841A (ja) * 1998-06-15 2002-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 絞り弁位置を用いるクリーニング処理終点検出方法
CN102339773A (zh) * 2010-07-28 2012-02-01 沈阳拓荆科技有限公司 一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法
CN103021895A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 隆达电子股份有限公司 监测刻蚀工艺的方法
JP2014093497A (ja) * 2012-11-07 2014-05-19 Tokyo Electron Ltd 真空装置、その圧力制御方法及びエッチング方法
WO2020144823A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 Sppテクノロジーズ株式会社 エッチング終点検出装置、基板処理システム、エッチング終点検出方法及び分類器

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09143742A (ja) * 1995-11-28 1997-06-03 Applied Materials Inc Cvd装置及びチャンバ内のクリーニングの方法
JP2002518841A (ja) * 1998-06-15 2002-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 絞り弁位置を用いるクリーニング処理終点検出方法
KR20010066345A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 구본준, 론 위라하디락사 압력 변화율을 이용한 에칭 종결시점 검출방법
CN102339773A (zh) * 2010-07-28 2012-02-01 沈阳拓荆科技有限公司 一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法
CN103021895A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 隆达电子股份有限公司 监测刻蚀工艺的方法
JP2014093497A (ja) * 2012-11-07 2014-05-19 Tokyo Electron Ltd 真空装置、その圧力制御方法及びエッチング方法
CN103811300A (zh) * 2012-11-07 2014-05-21 东京毅力科创株式会社 真空装置、其压力控制方法和蚀刻方法
WO2020144823A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 Sppテクノロジーズ株式会社 エッチング終点検出装置、基板処理システム、エッチング終点検出方法及び分類器
JP6761910B1 (ja) * 2019-01-10 2020-09-30 Sppテクノロジーズ株式会社 エッチング終点検出装置、基板処理システム、エッチング終点検出方法及び分類器

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