JPS60234324A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS60234324A JPS60234324A JP9038884A JP9038884A JPS60234324A JP S60234324 A JPS60234324 A JP S60234324A JP 9038884 A JP9038884 A JP 9038884A JP 9038884 A JP9038884 A JP 9038884A JP S60234324 A JPS60234324 A JP S60234324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- gas
- etching
- internal wall
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はドライエツチング装置に関する。
半導体装置の高集積化とその製造プロセスのドライ化の
要求に伴い、従来用いられていた湿式のケミカルエツチ
ングに代るものとして、イオンピームエ、チング、プラ
ズマエツチング、リアクティブイオンエツチング（以下
ＲＩＥという）等の各種のドライエツチング技術が開発
され実用化されてきている。
要求に伴い、従来用いられていた湿式のケミカルエツチ
ングに代るものとして、イオンピームエ、チング、プラ
ズマエツチング、リアクティブイオンエツチング（以下
ＲＩＥという）等の各種のドライエツチング技術が開発
され実用化されてきている。
特に平行平板型電極を肩するＲＩＦ３装置では、イオン
化、ラジカル化されたガスが被エツチング面に対して垂
直に衝突してエツチングを行うため、アンダーカットエ
ツチングが生ぜず、微細加工に適しているため使用範囲
が拡大してきている。り下ＲＩＥ装＠を用いて説明する
。
化、ラジカル化されたガスが被エツチング面に対して垂
直に衝突してエツチングを行うため、アンダーカットエ
ツチングが生ぜず、微細加工に適しているため使用範囲
が拡大してきている。り下ＲＩＥ装＠を用いて説明する
。
第１図は従来のＲＩＢ装置の概略構成図である。
図において、気密保持可能な反応室ｌの内部には円板状
の上部電極２および下部電極３が設けられ、この電極３
には高周波電源４が接続されている。そして下部電極３
上には半導体基板等の被エツチ試料５が載象される。
の上部電極２および下部電極３が設けられ、この電極３
には高周波電源４が接続されている。そして下部電極３
上には半導体基板等の被エツチ試料５が載象される。
反応室１には、室内の気体を排気する排気口６およびエ
ツチングガスを導入するガス導入ロアが設けられており
、それぞれ図示してない真空排気装置およびガス供給源
に連結している。
ツチングガスを導入するガス導入ロアが設けられており
、それぞれ図示してない真空排気装置およびガス供給源
に連結している。
次に、このように構成されたＲＩＢ装激の動作について
説明する。
説明する。
まず、下部゛電極３に試料５を載値し、排気口６から反
応室１内の気体を排気し反応室１内を所定の真空度にす
る。次に、排気された反応室１内にガス導入ロアよりエ
ツチングガス、例工はｃＦ４゜ＣＣ＆停を供給する。
応室１内の気体を排気し反応室１内を所定の真空度にす
る。次に、排気された反応室１内にガス導入ロアよりエ
ツチングガス、例工はｃＦ４゜ＣＣ＆停を供給する。
次に、この状態で上部、下部の両電極（（筒周波電圧を
印加し導入したエツチングガスをプラズマとする。エツ
チングガスは高周波電解により、イオンやラジカルとな
り、試料５に衝突し試料５をエツチングする。試料５の
エツチングの兄了時点は、反応室１の側壁に設けられた
信号検出窓８から取出したプラズマがらの信号を図示し
てい７２１ハ終止信号検出器により測定し決定される。
印加し導入したエツチングガスをプラズマとする。エツ
チングガスは高周波電解により、イオンやラジカルとな
り、試料５に衝突し試料５をエツチングする。試料５の
エツチングの兄了時点は、反応室１の側壁に設けられた
信号検出窓８から取出したプラズマがらの信号を図示し
てい７２１ハ終止信号検出器により測定し決定される。
このような従来のＲＩＩ！３％置においては、エツチン
グ中に発生したイオン等による反応生成物や残留ガスが
反応室内、特にその内壁に付着しエツチングに種々の悪
影響を及ぼす。
グ中に発生したイオン等による反応生成物や残留ガスが
反応室内、特にその内壁に付着しエツチングに種々の悪
影響を及ぼす。
すなわち１反応室１内に蓄積した反応生成物からのガス
放出のために、所定の真空度を得る迄の時間が長くなシ
装置の稼動能率を低下させると共に、エツチングの再現
性を悪化させる。特に排気時間が長くなるととは最産工
場にとっては致命的な欠点となる。
放出のために、所定の真空度を得る迄の時間が長くなシ
装置の稼動能率を低下させると共に、エツチングの再現
性を悪化させる。特に排気時間が長くなるととは最産工
場にとっては致命的な欠点となる。
また反応生成物ｌ−１：信号検出窓をくもらせ、エツチ
ングの終点検出の’ＤＩＭを悪化させエツチングの信頼
性を低下させる欠点も有する。
ングの終点検出の’ＤＩＭを悪化させエツチングの信頼
性を低下させる欠点も有する。
この対策としては反応生成物を除去する方法か用いられ
１いるが１反応室１を一旦大気圧に戻し。
１いるが１反応室１を一旦大気圧に戻し。
有機溶剤等によル拭き取る手作業を頻繁に行なわなけれ
ばならず、製造能率を低下させるという欠点があシ、安
全衛生上にも問題がある。
ばならず、製造能率を低下させるという欠点があシ、安
全衛生上にも問題がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し１反応室の内壁にそ
って不活性ガスを流すことによシ反応生成物の付着を少
くシ、工、チング特性を改善すると共に製造能率を向上
させたドライエツチング装置を提供することにある。
って不活性ガスを流すことによシ反応生成物の付着を少
くシ、工、チング特性を改善すると共に製造能率を向上
させたドライエツチング装置を提供することにある。
本発明のドライエツチング装置は、反応室と、該反応室
内にエツチングガスを導入する手段と。
内にエツチングガスを導入する手段と。
前記反応室を排気する手段と、前記反応案内に設けられ
た対向する電極と％該電極間に高周波電力を印加しプラ
ズマを発生させる手段とｆ、肩するドライエツチング装
置であって、前記反応室はその内壁部に不活性ガス導入
手段を備えたものとなっている。
た対向する電極と％該電極間に高周波電力を印加しプラ
ズマを発生させる手段とｆ、肩するドライエツチング装
置であって、前記反応室はその内壁部に不活性ガス導入
手段を備えたものとなっている。
次に、本発明の実施例を図面を用い′Ｃ説明する。
第２図は本発明の一実施例の概略構成図である。
図において、反応室ｌの内部には上部電極２および被エ
ツチング試料５が載置される下部電極３が設けられ、下
部％ｇａには高周波電源４が（ｄ続されている。また、
反応室１にはその内部を排気するための排気口６と、反
応麓１内にエツチングガスを導入するガス導入ロアとが
設けられており、それぞれ図示していない真空排気装置
およびガス供給源に連結されている。そして、上部電極
２より少し高い位置の反応室１の内壁部には不活性ガス
を噴出させる複数の細孔を有するリンク状のガス噴出管
９が設けられ′Ｃいる。そし′〔反応室１の壁を貫通し
て設けられた不活性ガス導入１′１０よシネ活性カス例
えば、 Ａｒ ＋Ｎ２ ガスが導入されるようになって
いる８ 反応室１の（Ｍ号検出窓８の上部には１里３図に示すよ
うに信号検出窓８専用のガス噴出管９′が設けられてお
り、その先端部にあけられた約１罷φの細孔１１から信
号検出窓８にそって不活性ガスが点線のようにシャワー
状に流れるように在−１ている。
ツチング試料５が載置される下部電極３が設けられ、下
部％ｇａには高周波電源４が（ｄ続されている。また、
反応室１にはその内部を排気するための排気口６と、反
応麓１内にエツチングガスを導入するガス導入ロアとが
設けられており、それぞれ図示していない真空排気装置
およびガス供給源に連結されている。そして、上部電極
２より少し高い位置の反応室１の内壁部には不活性ガス
を噴出させる複数の細孔を有するリンク状のガス噴出管
９が設けられ′Ｃいる。そし′〔反応室１の壁を貫通し
て設けられた不活性ガス導入１′１０よシネ活性カス例
えば、 Ａｒ ＋Ｎ２ ガスが導入されるようになって
いる８ 反応室１の（Ｍ号検出窓８の上部には１里３図に示すよ
うに信号検出窓８専用のガス噴出管９′が設けられてお
り、その先端部にあけられた約１罷φの細孔１１から信
号検出窓８にそって不活性ガスが点線のようにシャワー
状に流れるように在−１ている。
第４図は第３図におけるＡ部の拡大図である。
ガス噴出管９に設けられ九細孔］１は５〜１０ｃｍ間隔
でかつ肉塊方向に向けて設けしれており、導入された不
活性ガスは反応室１の内壁にそって点線のように流れる
。
でかつ肉塊方向に向けて設けしれており、導入された不
活性ガスは反応室１の内壁にそって点線のように流れる
。
不活性ガス導入管１０より導入される不活性ガスの量は
エツチングガスのｌ／１０以下でよく、特に真空排気装
置の能力を上ける必要はない。
エツチングガスのｌ／１０以下でよく、特に真空排気装
置の能力を上ける必要はない。
このように１反応室１の内壁に不活性ガスが吹き付けら
れるように流されると、工、チングによる反応生成物の
内壁への付着は極めて少ないものとな−）九。従って１
反応生成物からのガスの発生も少ないため、排気時間が
長くなることもなく。
れるように流されると、工、チングによる反応生成物の
内壁への付着は極めて少ないものとな−）九。従って１
反応生成物からのガスの発生も少ないため、排気時間が
長くなることもなく。
また工、チングの再現性も良好なものとなった。
また、信号検出窓８のくもシもなくなったため。
工、チングの終点検出の精度も良くなシエ、チングの信
頼性が向上した。
頼性が向上した。
更に、従来は反応生成物の除去を行うために毎日１回以
上反応室１内の清掃が必要であったが、本実施例を用い
た場合は１０日に一回程度でよくなシ製造能率は大幅に
向上した。
上反応室１内の清掃が必要であったが、本実施例を用い
た場合は１０日に一回程度でよくなシ製造能率は大幅に
向上した。
第５図は本発明の他の実施例の概略構成図であシ、第２
図におけるガス噴出管９の代シに複数本 。
図におけるガス噴出管９の代シに複数本 。
のガス導入細管１２を反応室１の内壁に設けたものであ
る。
る。
第６図は＠５図におけるＢ部の拡大図である。
ガス導入細管１２の先端のガス吹出し口１３は反応室１
の内壁方向に向けられており、導入された不活性ガスは
内壁にそって流れ、エツチングガスとの混合が少くなる
ようにしである。
の内壁方向に向けられており、導入された不活性ガスは
内壁にそって流れ、エツチングガスとの混合が少くなる
ようにしである。
なお、上記説明ではＲＩＥ装置について述べたが本発明
はこれに限定されるものではなく、プラズマエツチング
装置等、エツチング中に反応生成物の付着を生ずる他の
ドライエツチング装置が含まれる。
はこれに限定されるものではなく、プラズマエツチング
装置等、エツチング中に反応生成物の付着を生ずる他の
ドライエツチング装置が含まれる。
以上詳細に説明したように１本発明によれば、反応室の
内壁にそって不活性ガスを流すことにより反応生成物の
付着を少くシ、エツチング特性を改善すると共に製造能
率の向上したドライエツチング装置が得られるのでその
効果は大きい。
内壁にそって不活性ガスを流すことにより反応生成物の
付着を少くシ、エツチング特性を改善すると共に製造能
率の向上したドライエツチング装置が得られるのでその
効果は大きい。
第１図は従来のＲＩＥ装置の概略構成図、第２図は本発
明の一実施例の概略構成図、第３図および第４図は第２
図における信号検出窓の矢視図およびＡ部拡大図、第５
図は本発明の他の実施例の概略構成図、第６図は第５図
のＢ部拡大図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・上部電極、３・
・・・・・下部電極、４・・・・・・高周波電源、５・
・・・・・被エツチング試料。 ６・・・・・・排気口、７・・・・・・ガス導入口、８
・・・・・・信号検出窓、９，９’・・・・・・ガス噴
出管、１０・・・・・・不活性ガス導入管、１１・・・
・・・細孔、１２・・・・・・ガス導入細管、１３・・
・・・・ガス吹出し口。 華 ／ 図
明の一実施例の概略構成図、第３図および第４図は第２
図における信号検出窓の矢視図およびＡ部拡大図、第５
図は本発明の他の実施例の概略構成図、第６図は第５図
のＢ部拡大図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・上部電極、３・
・・・・・下部電極、４・・・・・・高周波電源、５・
・・・・・被エツチング試料。 ６・・・・・・排気口、７・・・・・・ガス導入口、８
・・・・・・信号検出窓、９，９’・・・・・・ガス噴
出管、１０・・・・・・不活性ガス導入管、１１・・・
・・・細孔、１２・・・・・・ガス導入細管、１３・・
・・・・ガス吹出し口。 華 ／ 図
Claims (1)
- 反応室と、該反応案内にエツチングガスを導入する手段
と、前記反応室を排気する手段と、前記反応室内に設け
られた対向する電極と％該電極間に高周波電力を印加し
プラズマを発生させる手段とを有するドライエツチング
装置において、前記反応室はその内壁部に不活性ガス導
入手段を備えていることを特徴とするドライエツチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038884A JPS60234324A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038884A JPS60234324A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234324A true JPS60234324A (ja) | 1985-11-21 |
Family
ID=13997192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9038884A Pending JPS60234324A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234324A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196538A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
| JPS6345386A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JPH02122626A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-10 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH0395559A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP9038884A patent/JPS60234324A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196538A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
| JPH0476492B2 (ja) * | 1985-02-27 | 1992-12-03 | Hitachi Ltd | |
| JPS6345386A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JPH02122626A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-10 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH0395559A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0308516B1 (en) | Method of determining end point of cleaning in an apparatus for manufacturing semiconductor devices | |
| US4190488A (en) | Etching method using noble gas halides | |
| JP2830978B2 (ja) | リアクティブイオンエッチング装置及びプラズマプロセス装置 | |
| JPH0722151B2 (ja) | エツチングモニタ−方法 | |
| JPS6079726A (ja) | プラズマリアクタ装置及びプラズマエッチング方法 | |
| JPS6240728A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS57201016A (en) | Cleaning method for semiconductor manufacturing apparatus | |
| JPS60234324A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0555184A (ja) | クリーニング方法 | |
| JPS61196538A (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JPH09209179A (ja) | ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 | |
| JPH0343772B2 (ja) | ||
| JPS62136579A (ja) | エツチング方法 | |
| JPH06224183A (ja) | プラズマ利用装置 | |
| KR19980048686A (ko) | 폴리머 흡착을 방지하기 위한 진공 배기 장치 | |
| JP3609241B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPH04291719A (ja) | ウエーハ処理終点判定方法 | |
| JPH07221071A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS6366394B2 (ja) | ||
| JPH0382758A (ja) | 多孔質基板上への膜材料形成装置 | |
| JPH0799186A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH04199708A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP3694834B2 (ja) | ドライエッチング装置およびその反応ガス供給方法 | |
| JPH0626460A (ja) | 真空製造装置の排気用真空ポンプ | |
| KR950009251Y1 (ko) | 스퍼터 장비의 웨이퍼 척 |