JPH02122626A - ドライエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はドライエツチング装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のドライエツチング装置は、処理室内に上
部電極と下部電極とを有し、下部電極上に置かれた半導
体基板等の被処理物を反応ガスによりエツチングするよ
うに構成されており、処理室の内壁面へのエツチング残
渣の堆積防止として、内壁面より内側に保護カバーを収
り付けていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のドライエツチング装置は、処理室の内壁
面に設けた保護カバーにエツチング残渣を堆積させる構
造となっているので、定期的に保護カバーを洗浄しなけ
ればならず、そのため工数が増大し、装置の稼働率が低
下するという欠点がある。

（課題を解決するための手段〕 本発明のドライエツチング装置は、エツチング処理室内
に上部電極と下部電極とを有し、該下部電極上に置かれ
た被処理物を反応ガスによりエツチングするドライエツ
チング装置において、前記エツチング処理室の内壁面に
複数個のクリーニングガス吹出し口を設けたものである
。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。

第１図において、エツチング処理室５の内壁面には、ガ
ス導入管８に接続する複数のクリーニングガス吹出し穴
９が形成されている。そして、エツチング処理室らの内
部には処理カスを流す事のできる上部電極１と、ウェハ
ー２を置く事のできろ下部電極３が配置され、それぞれ
高周波電源４へ接続されている。

上部電極１より流された処理ガスは、上部電極１とｒ部
電極３間で高周波電圧により励起され、下部電極３上に
置かれたウェハー２のエツチング処理を行ない、エツチ
ング処理室５の内壁面に沿って下方にある排気口６へ排
出される。この時、ガス導入管８より導入され、エツチ
ング処理室５の内壁面の複数の小孔より吹き出す０２等
のクリニングガスにより、エツチング後のガスに含まれ
るエツチング残渣は、エツチング処理室５の内壁面に付
着し堆積する事なく、排気口６より排出される。このた
め従来のように保護カバーを用いる必要がないため、エ
ツチング装置の稼働率は向上する。

第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。

本箱２の実施例では、エツチング処置室５の内壁部より
内側に、複数個のクリーニングガス吹出し穴９を有する
側面バ、ネル７を設けたものである。

このように構成された第２の実施例においても反応ガス
に含まれるエツチング残渣は排気口６より排出される。

そして、第１の実施例のように、エツチング処置室らへ
小孔を開口する必要がないため、低価格で装置を作製で
きる利点かある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ドライエツチング装置の
エツチング処理室の内壁部に複数個のクリーニングガス
吹出し口を設けることにより、エツチング処理中に発生
する残渣が内壁面に付着するのを抑制できるので、定期
的な清掃も不用となり、装置の稼働率を向上させること
ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図である。 １・・・上部電極、２・・・ウェハー、３・・・下部電
極、１１・・・高周波電源、５・・・エツチング処理室
、６・・・排気口、７・・・側面パネル、８・・・ガス
導入管、９・・・クリーニングガス吹出し穴。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　エッチング処理室内に上部電極と下部電極とを有し、
   該下部電極上に置かれた被処理物を反応ガスによりエッ
   チングするドライエッチング装置において、前記エッチ
   ング処理室の内壁面に複数個のクリーニングガス吹出し
   口を設けたことを特徴とするドライエッチング装置。