JPS62221116A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ処理装置、特にいわゆるプラズマＣ
ＶＤに適用して有効な技術に関する。

〔従来の技術〕

プラズマＣＶＤについては、株式会社工業調査会、昭和
５７年１１月１５日発行、「電子材料」１９８２年別冊
、Ｐ７５以下に記載されている。

その概要は、ホントウオール型装置についていえば、そ
の反応室は真空容器からなり、該反応室の一端には反応
ガスの給気部が設けられ、その他端には反応ガスの排気
部が設けられている。そして、半導体ウェハにたとえば
窒化ケイ素（Ｓ　ｉ　ｓ　Ｎａ）のプラズマＣＶＤを行
う場合には、複数の該ウェハをグラファイト製の平行平
板電極からなる支持電極に装着した後、該支持電極を前
記反応室のガス給気部と排気部との間に設置し、対向す
る上記平行平板電極に高周波電源を接続すると同時に、
上記ウェハを反応ガスの流れの中に置く。その後、所定
のガス圧の下で上記対向する平行平板電極の間に高周波
出力を印加することにより、装着されているウェハ表面
に所望の絶＆ｉ膜の被着を達成することができるもので
ある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記プラズマＣＶＤにおいては、処理時間とともにウェ
ハの支持電極の表面にも窒化ケイ素等の絶縁膜が堆積さ
れ、ひいてはそれが発ｍ源になり、その発塵に起因して
ウェハ上に均一なｗＡ縁膜の形成ができなくなる。

そこで、所定時間の処理を行った後、上記の堆積した絶
縁膜を除去するために支持電極の表面をエツチングする
必要がある。

上記エツチングは、ＣＶＤ用ガスの給気部と排気部とを
利用し、所定条件のもとてエツチング用ガスの給気と排
気とを行うことにより達成される。

しかし、この場合は、上記エツチング用ガスの流れ方向
が同じなので、前記支持電極上の絶縁膜はその設置場所
が給気部に近いもの程エツチングの速度が大きい、これ
は、給気部に近い程エツチング用ガスの濃度が高いから
である。したがって、平均にエツチングを行うためには
、一定の処理を行った後、上記支持電極の配列順序を逆
にする等の手当をする必要があり、作業性に問題がある
ことが本発明者により見い出された。

本発明の目的は、プラズマＣＶＤ装置について、支持電
極の表面に堆積された絶縁膜のエツチングによる除去を
効率よく行うことができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

反応室の離れた位置に、エツチング用ガスの複数の給気
部と複数の排気部とを個別的に選択使用が可能なように
設けたものである。

〔作用〕

上記手段により、給気部および排気部の組み合わせを変
えることにより、反応室の所望の方向へエツチング用ガ
スを流すことができるようになる。

したがって、反応室内の被処理物の配列を変えることな
く、該被処理物の全てに均等なエツチングを行うことが
できるので、エツチングの作業性の大巾な向上が達成さ
れるものである。

〔実施例〕

第１図は本発明による一実施例であるプラズマＣＶＤ装
置の概略を示す断面図である。

本実施例の装置は、筒状の反応室１を存し、その両端に
０リング２を介して蓋３および３ａが取付けられている
ものである。左側の蓋３には配線が埋設されており、そ
の配線は一端が高周波電源（ＲＦ）に、他端が反応室１
内に収容されたウェハ装着部４を存する支持電極５に接
続されている。

この支持電極５は被処理物であり、たとえばグラフ１イ
トからなる平板電極（図示せず）を並設してなるもので
ある。

本実施例においては、反応室ｌの両端近傍における壁面
のそれぞれに管からなるエツチング用ガスの給気部６お
よび６ａが設けられ、またその対向する壁面部に排気部
７および７ａが設けられている。そして、上記給気部６
および６ａは、バルブ８で切り換えることにより、いず
れか一方のみを選択して使用することができるものであ
る。同じく、排気部７および７ａもバルブ８ａにより一
方のみの使用が可能である。

次に、本実施例の作用について説明する。

まず、所定時間のプラズマＣＶＤを行い、その表面に絶
縁膜が堆積された支持電極５を、第１図のように反応室
１内に位置させ、該反応室１の内部を所定の真空度に減
圧する０次に、バルブ８および８ａを調整し、エツチン
グ用ガスを給気部６から反応室１の中に導入し、給気部
７から排出する。このように、反応室１の内部に図中左
から右へのエツチング用ガスの所定流量からなる流れを
形成し、その杖態で支持電極５の対向する平板電極の関
に高周波電力を印加する。

上記高周波電力の印加を所定時間行った後、前記バルブ
８および８ａを調整し、エツチング用ガスの導入と排出
とをそれぞれ給気部６ａと排気部７ａとに切り換える。

このようにエツチング用ガスの給気と排気の方向を切り
換えることにより、反応室ｌ内の該エツチングのガスの
流れを逆にし、この条件下でさらにエツチングを行うこ
とができるものである。

上記のように、反応室ｌ内におけるエツチング用ガスの
流れを逆にしエツチングを行うことにより、場所による
程度の偏りがないエツチングを行うことができるもので
ある。

なお、本実施例の装置を用いて、プラズマＣ■Ｄを行う
場合は、ＣＶＤ用ガスを前記給気部６゜６ａおよび排気
部７．７ａを利用して導入または排出を行うことができ
る。

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。

（１）、筒状の反応室ｌの両端近傍のそれぞれにその一
方のみを選択使用可能なエツチング用ガスの２つの給気
部６および６ａと、同じく選択使用可能な２つの排気部
７および７ａとを互いに雌花して設けることにより、エ
ツチング用ガスの反応室１内への導入・排出を給気部６
と排気部７との組み合わせおよび給気部６ａと排気部７
ａとの組み合わせで行うことができるので、反応室ｌ内
のエツチング用ガスの流れを左右両方向に形成でき、支
持電極に対するエツチングの程度が場所によって偏るこ
とを防止できる。

（２）、前記＋１１により、反応室１に設置した支持電
極の場所を変えることなく均一なエツチングが可能にな
るため、エツチングの作業性を大巾に向上することがで
きる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、実施例では筒状の反応室の両端近傍に、それ
ぞれ２つずつの給気部６および６ａと排気部７および７
ａとを設けたものについて説明したが、必ずしもこれに
限るものでなく、たとえば反応室のほぼ中間位置にさら
に各１つの給気部および排気部を設ける等により、その
数を増やしたものであってもよい、このようにすること
により、エツチングの偏りを一段と減少させることがで
きる。　また、反応室等の具体的構造は、前記実施例に
示したものに限るものでないことはいうまでもない。

なお、前記実施例ではＣＶＤ用ガスを反応室１内へ導入
・排出する方法としてエツチング用ガスの給気部６，６
ａおよび排気部７，７ａを利用する例を示したが、ＣＶ
Ｄ用ガス専用の給気部および排気部を別個に設けたもの
であってもよいことはいうまでもない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野であるプラズマＣＶＤに適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば、プラズマエツチング等のプラズマを形成し、そ
れを利用して行う処理に適用しても有効な技術である。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

反応室の離れた位置に、個別的に選択使用が可能なエツ
チング用ガスの複数の給気部と複数の排気部とを設ける
ことにより、給気部と排気部との組み合わせを変え、上
記反応室内のエツチング用ガスの流れを変えることがで
きることにより、支持電極表面に被着された絶縁膜をエ
ツチングする際、該支持電極の設置場所を変えることな
く全体的に均一なエツチングを行うことができる。した
かって、上記エツチングによる支持電極のクリーニング
作業を大巾に改善することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による一実施例であるプラズマＣＶＤ装
置の概略を示す断面図である。 １・・・反応室、２・・・０リング、３，３ａ・・・蓋
、４・・・ウェハ装着部、５・・・支持電極、６，６ａ
・・・給気部、７．７８・・・排気部、８，８ａ・・・
バルブ。 ＼、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、反応室の離れた位置に、エッチング用ガスの複数の
   給気部と複数の排気部とが個別的に選択使用が可能なよ
   うに設けられてなるプラズマ処理装置。 ２、反応室が筒状容器からなり、その長手方向の各端部
   近傍に２つの給気部と２つの排気部とが設けられている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
   処理装置。３、プラズマ処理装置がプラズマＣＶＤ装置
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
   ラズマ処理装置。