JPS6059078A - ドライエツチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、平行平板電極型のドライエツチング装置に関
する。

半導体デバイスの製造工程におけるエツチング処理には
、いわゆる湿式のエツチング装置に代えて、排液処理の
問題が無く、かつ微細なパターンのエツチングも可能な
各種のドライエツチング装置が提供されている。その一
つのタイプとして、平板状の上部電極と下部電極とが互
いに平行に配設される。いわゆる平行平板電極型と呼ば
れるドライエツチング装置が用いられている。しかしな
がら、このタイプの装置には。

エンチングガスの注入方法あるいは排気方法によってク
エハ内でのエツチング速度のばらつきが大きくなるとい
う欠点がある。すなわち、エンチングガスを上部対向電
極から注木し、チャンバ内の下部から排気する方法であ
っても、ウェハ内でのガスの供給が不均一であるため、
エッチャントの偏りが生じ、エツチング速度のばらつき
が大きかったり２反応生成物等のデポジションが起った
りして、良好なエツチングを行うことが難しい。

本発明は、このような欠点に鑑み、ウェハ内でのエツチ
ング速度のばらつきが小さく、かつ高速でエツチングで
きるドライエンチング装置を提供することを目的とする
。

本発明は、上部電極にエツチングガス注入口と排気口と
を複数個設けて、上部電極を通してエツチングガス注入
と排気とを同時（−し力・もウェハに対して均一に行う
ことができるようにしたものである。

以下に９本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図は１本発明による平行平板電極型ドライエツチン
グ装置の一実施例を縦断面図で示す。

真空チャンバ１内の下部側にウエノ・４を載置する平板
状の下部電極６が設けられてｌｚＸる。下部電極乙に対
向させてその上方には上部電極２が設けられている。７
は下部電極ろ（＝接続した高周波電源である。

上部電極２は、ダクト状にして内部を仕切板２１により
２分し、一方をエツチングガス注入系８に、他方を排気
系９にそれぞれ連通させている。また、下部電極６と対
向している上部電極２の下面全面に、細長いエンチング
ガス注入口５と排気口６とを交互に設けている。そして
。

排気口６はすべて排気系９に連通させており。

注入口５は上部電極２の内壁に設けたダクト２２により
排気系９の空間から仕切り、しかもすべて注入系８に連
通ずるよう構成している。

以上のような構成により、エツチングガス注入と排気と
を同時かつ均一に行い、ウェハ４上でのガスの流れを最
小限におさえることができるので、ウェハ４には常に新
しいエッチャントが供給され、きわめて均一性の良い高
速のエツチングを行うことができる。本実施例では、ウ
ェハ４のエツチング速度は１５％以下となり。

エツチング速度も大きくなる。

なお、実施例では、カソードカップリング方式のりアク
ティブイオンエツチング装置について説明したが、アノ
ードカップリング方式のプラズマエツチング装置にも適
用できることは言うまでもない。また、電極間隔を５〜
２０ｗ程度に小さくすることで、１　ｐｍ／ｍｉｎ　（
例えば、Ａ１゜Ｐｏ１ｙ−８ｉ）以上のエツチング速度
を得ることも可能である。更に、上部電極２の形状につ
いても実施例の形状に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による平行平板電極型ドライエツチング
装置の縦断面図。 図中、１は真空チャンバ、２は上部電極、５は下部電極
、４はウェハ、５はエツチングガス注入口、６は排気１
］、７は高周波電源、８はエツチングガス注入系、９は
排気系。 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被エツチング基板を載置する平板状の下部電極と、
   該下部電極に平行に対向する平板状の上部電極とを内蔵
   する平行平板電極型のドライエツチング装置において、
   前記上部電極：ニエッチングガス注入口と、排気口とを
   複数個設け。 各注入口はエツチングガス注入系路へ、各排気口は排気
   系路へそれぞれ連通するよう構成したことを特徴とする
   ドライエツチング装置。