JPS63166235A - 平行平板型プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
平行平板型プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS63166235A JPS63166235A JP30903086A JP30903086A JPS63166235A JP S63166235 A JPS63166235 A JP S63166235A JP 30903086 A JP30903086 A JP 30903086A JP 30903086 A JP30903086 A JP 30903086A JP S63166235 A JPS63166235 A JP S63166235A
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- Japan
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- gas
- plasma cvd
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- plasma
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は平行平板型プラズマＣＶＤ （化学気相成長）
装置に関し、特にその電極構造を改善したプラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
装置に関し、特にその電極構造を改善したプラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
従来、半導体素子の製造においては、堆積速度が大きい
という理由からプラズマＣＶＤ装置が使用されている。
という理由からプラズマＣＶＤ装置が使用されている。
この種の装置において、特に平行平板型プラズマＣＶＤ
装置は、円形の平板からなる電極を２枚対向配置したダ
イオード構成をしており、これら２枚の平板電極に高周
波を導入してチャンバ内のガスを励起し、膜堆積に寄与
する活性種を形成してプラズマＣＶＤ反応を生起させて
いる。
装置は、円形の平板からなる電極を２枚対向配置したダ
イオード構成をしており、これら２枚の平板電極に高周
波を導入してチャンバ内のガスを励起し、膜堆積に寄与
する活性種を形成してプラズマＣＶＤ反応を生起させて
いる。
上述した従来の平行平板型プラズマＣＶＤ装置では、他
の構成のＣＶＤ装置に比較して堆積速度は改善されるも
のの、プラズマ密度を期待する程に増大させることが難
しく、満足できる堆積速度が得られていないのが実情で
ある。特に、ウェハの大口径化に伴って益々大きな堆積
速度が要求されてきており、これに対応させることがで
きないという問題がある。
の構成のＣＶＤ装置に比較して堆積速度は改善されるも
のの、プラズマ密度を期待する程に増大させることが難
しく、満足できる堆積速度が得られていないのが実情で
ある。特に、ウェハの大口径化に伴って益々大きな堆積
速度が要求されてきており、これに対応させることがで
きないという問題がある。
また、この従来装置では堆積速度の均一性を確保するこ
とが難しく、この均一性を操作しようとした場合には、
堆積条件を変化させる必要がある等制御が複雑になると
いう問題もある。
とが難しく、この均一性を操作しようとした場合には、
堆積条件を変化させる必要がある等制御が複雑になると
いう問題もある。
本発明は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、活
性種の密度を増加させることにより堆積速度を増大させ
、かつ電極構造を改善することにより均一性の向上を可
能としたプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とし
ている。
性種の密度を増加させることにより堆積速度を増大させ
、かつ電極構造を改善することにより均一性の向上を可
能としたプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とし
ている。
本発明の平行平板型プラズマＣＶＤ装置は、上部電極及
び下部電極の対向間位置に電極に開設した柱状又は鐘状
の孔からなる反応ガスのガス溜を形成し、このガス溜の
作用によりプラズマ密度の増大を図る構成としている。
び下部電極の対向間位置に電極に開設した柱状又は鐘状
の孔からなる反応ガスのガス溜を形成し、このガス溜の
作用によりプラズマ密度の増大を図る構成としている。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
（第１実施例）
第１図は本発明の一実施例を示しており、同図（ａ）は
縦断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡＡ線矢視
断面図である。
縦断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡＡ線矢視
断面図である。
図において、チャンバは上部電極１．下部電極２及びこ
れら両電極１．２間に介装して両者の電気的絶縁をとり
かつチャンバ内を気密に保持するシールの役目をする絶
縁体３で画成され、このチャンバには排気口４及びガス
供給口５が開設されており、内部を所要の圧力のガス雰
囲気に設定できる。そして、前記上部電極１及び下部電
極２間には高周波電力が印加され、下部電極２上に載置
したウェハＷ表面への膜堆積が行われる。
れら両電極１．２間に介装して両者の電気的絶縁をとり
かつチャンバ内を気密に保持するシールの役目をする絶
縁体３で画成され、このチャンバには排気口４及びガス
供給口５が開設されており、内部を所要の圧力のガス雰
囲気に設定できる。そして、前記上部電極１及び下部電
極２間には高周波電力が印加され、下部電極２上に載置
したウェハＷ表面への膜堆積が行われる。
前記上部電極１は下部電極２との対向面に円形もしくは
角形の柱状をした複数個の孔を開設しており、これをガ
ス溜６として構成している。このガス溜６は連通路７を
通して前記ガス供給口５に連接され、チャンバ内へ供給
されるガスを通流させかつこのガスを滞留させてプラズ
マの生成領域を構成する。
角形の柱状をした複数個の孔を開設しており、これをガ
ス溜６として構成している。このガス溜６は連通路７を
通して前記ガス供給口５に連接され、チャンバ内へ供給
されるガスを通流させかつこのガスを滞留させてプラズ
マの生成領域を構成する。
この電極構造のプラズマＣＶＤ装置によれば、チャンバ
内へ供給されるガスはガス溜６に滞留してこの領域での
ガス濃度を高め、これによりプラズマの密度を増大でき
る。したがって、ウェハＷへの堆積速度を向上できる。
内へ供給されるガスはガス溜６に滞留してこの領域での
ガス濃度を高め、これによりプラズマの密度を増大でき
る。したがって、ウェハＷへの堆積速度を向上できる。
また、ガス溜６を上部電極ｌの下面に均等に配設するこ
とにより、プラズマ密度の均一化を図り、均一な堆積を
実現できる。例えば、シラン、アンモニアガスをもちい
るプラズマ窒化膜の成長において、本例の電極構造を用
いることにより、略同−の成長条件においてこれまでの
２倍程度の成長速度が得られる。
とにより、プラズマ密度の均一化を図り、均一な堆積を
実現できる。例えば、シラン、アンモニアガスをもちい
るプラズマ窒化膜の成長において、本例の電極構造を用
いることにより、略同−の成長条件においてこれまでの
２倍程度の成長速度が得られる。
（第２実施例）
第２図は本発明の第２の実施例を示し、同図（ａ）は縦
断面図、同図（ｂ）は同図（ｂ）におけるＢＢ線断面図
である。
断面図、同図（ｂ）は同図（ｂ）におけるＢＢ線断面図
である。
この実施例はトライオード方式プラズマＣＶＤ装置に本
発明を適用した例であり、チャンバは上部電極１１．下
部電極１２．これら上部電極１１と下部電極１２との間
に配置した第３電極１３及びこれら３つの電極間に介装
した絶縁膜兼真空シールとしての絶縁体１４．１５で画
成される。また、チャンバには排気口１６及びガス供給
口１７を開設してチャンバ内を所要圧力のガス雰囲気に
設定できる。
発明を適用した例であり、チャンバは上部電極１１．下
部電極１２．これら上部電極１１と下部電極１２との間
に配置した第３電極１３及びこれら３つの電極間に介装
した絶縁膜兼真空シールとしての絶縁体１４．１５で画
成される。また、チャンバには排気口１６及びガス供給
口１７を開設してチャンバ内を所要圧力のガス雰囲気に
設定できる。
前記第３電極１３は比較的厚い板状に形成し、これには
円形又は多角形の柱状をした複数個の孔を蜂の巣状に形
成してガス溜１８を構成し、このガス溜１８により上部
電極１１と下部電極１２の各対向面部を連通させている
。
円形又は多角形の柱状をした複数個の孔を蜂の巣状に形
成してガス溜１８を構成し、このガス溜１８により上部
電極１１と下部電極１２の各対向面部を連通させている
。
なお、ウェハは前記下部電極１２上に載置され、上部電
極１１と下部電極１２間には高周波電力が印加される。
極１１と下部電極１２間には高周波電力が印加される。
第３電極１３には所要のバイアスを印加している。
この電極構造を用いることにより、グリッド型のトライ
オードや側壁を電極に使用したトライオード装置と同様
にプラズマＣＶＤを実行できるが、第３電極１３に形成
したガス溜１８の作用により、これまでよりも高密度の
プラズマを得ることができ、堆積速度の向上及び堆積の
均一化を達成できる。
オードや側壁を電極に使用したトライオード装置と同様
にプラズマＣＶＤを実行できるが、第３電極１３に形成
したガス溜１８の作用により、これまでよりも高密度の
プラズマを得ることができ、堆積速度の向上及び堆積の
均一化を達成できる。
なお、ガス溜としての孔は円形または角形をした鐘状に
形成してもよい。
形成してもよい。
以上説明したように本発明は、上部電極及び下部電極の
対向間位置に電極に開設した柱状又は鐘状の孔からなる
反応ガスのガス溜を形成しているので、このガス溜によ
りプラズマの密度が増大し、より高い堆積速度が実現さ
れる。また、ガス溜の大きさ１位置、数及び形状を変化
させることにより、堆積パラメータ（ガス圧力、入力電
力、ガス流量、排気速度）を変えることなく堆積速度の
バッチ内均−性もしくはウェハ面内均一性の制御を行う
ことができる。
対向間位置に電極に開設した柱状又は鐘状の孔からなる
反応ガスのガス溜を形成しているので、このガス溜によ
りプラズマの密度が増大し、より高い堆積速度が実現さ
れる。また、ガス溜の大きさ１位置、数及び形状を変化
させることにより、堆積パラメータ（ガス圧力、入力電
力、ガス流量、排気速度）を変えることなく堆積速度の
バッチ内均−性もしくはウェハ面内均一性の制御を行う
ことができる。
第１図は本発明の第１実施例を示し、同図（ａ）は縦断
面図、同図（ｂ）はそのＡＡ線矢視断面図、第２図は本
発明の第２実施例を示し、同図（ａ）は縦断面図、同図
（ｂ）はそのＢＢ線矢視断面図である。 ■・・・上部電極、２・・・下部電極、３・・・絶縁体
、４・・・排気口、５・・・ガス供給口、６・・・ガス
溜、７・・・連通路、１１・・・上部電極、１２・・・
下部電極、１３・・・第３電極、１４．１５・・・絶縁
体、１６・・・排気口、１７・・・ガス供給口、１８・
・・ガス溜、Ｗ・・・ウェハ。 代理人 弁理士 鈴 木 章 夫−。 第１図 第２図
面図、同図（ｂ）はそのＡＡ線矢視断面図、第２図は本
発明の第２実施例を示し、同図（ａ）は縦断面図、同図
（ｂ）はそのＢＢ線矢視断面図である。 ■・・・上部電極、２・・・下部電極、３・・・絶縁体
、４・・・排気口、５・・・ガス供給口、６・・・ガス
溜、７・・・連通路、１１・・・上部電極、１２・・・
下部電極、１３・・・第３電極、１４．１５・・・絶縁
体、１６・・・排気口、１７・・・ガス供給口、１８・
・・ガス溜、Ｗ・・・ウェハ。 代理人 弁理士 鈴 木 章 夫−。 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）少なくとも平行に対向する平板状の上部電極と下
部電極を有するプラズマＣＶＤ装置において、前記上部
電極及び下部電極の対向間位置に、電極に開設した孔で
構成した反応ガスのガス溜を形成したことを特徴とする
平行平板型プラズマＣＶＤ装置。 - （２）上部電極にガス供給口に連通する孔を開設してガ
ス溜を形成してなる特許請求の範囲第１項記載の平行平
板型プラズマＣＶＤ装置。 - （３）上部電極と下部電極との間に第３電極を配設し、
この第３電極に貫通孔を開設してガス溜を形成してなる
特許請求の範囲第１項記載の平行平板型プラズマＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30903086A JPS63166235A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30903086A JPS63166235A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166235A true JPS63166235A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=17988035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30903086A Pending JPS63166235A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166235A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237460A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2002237459A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| KR100515262B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2005-09-15 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 기체분위기에서 폭로처리를 수행하는 기판처리장치 및 방법 |
| KR100981098B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2010-09-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치의 벤트 결합구조 |
| JP2011071499A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP30903086A patent/JPS63166235A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237460A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2002237459A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP4578693B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2010-11-10 | 株式会社カネカ | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ装置を用いたシリコン系膜の製造方法 |
| JP4578694B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2010-11-10 | 株式会社カネカ | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ装置を用いたシリコン系膜の製造方法 |
| KR100515262B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2005-09-15 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 기체분위기에서 폭로처리를 수행하는 기판처리장치 및 방법 |
| KR100981098B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2010-09-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치의 벤트 결합구조 |
| JP2011071499A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
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