JPH07297164A - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
- Publication number
- JPH07297164A JPH07297164A JP10782794A JP10782794A JPH07297164A JP H07297164 A JPH07297164 A JP H07297164A JP 10782794 A JP10782794 A JP 10782794A JP 10782794 A JP10782794 A JP 10782794A JP H07297164 A JPH07297164 A JP H07297164A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型化するウェーハに対応して洗浄効率を向
上することのできるウェーハ洗浄装置を提供する。 【構成】 洗浄液の供給口２を底部近傍に備え、かつ上
面が開放された液槽１内にウェーハ４を略垂直状態で収
容し、供給口から連続的に供給される洗浄液を液槽の上
面からオーバーフローさせてウェーハを洗浄する装置の
構成を、ウェーハの収容部と供給口との間に、複数の整
流板５ａ・５ｂ・５ｃが上下に間隔をおいて水平配置さ
れているものとする。
上することのできるウェーハ洗浄装置を提供する。 【構成】 洗浄液の供給口２を底部近傍に備え、かつ上
面が開放された液槽１内にウェーハ４を略垂直状態で収
容し、供給口から連続的に供給される洗浄液を液槽の上
面からオーバーフローさせてウェーハを洗浄する装置の
構成を、ウェーハの収容部と供給口との間に、複数の整
流板５ａ・５ｂ・５ｃが上下に間隔をおいて水平配置さ
れているものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの基板と
なるウェーハ等の表面を洗浄するための半導体基板洗浄
装置に関するものである。
なるウェーハ等の表面を洗浄するための半導体基板洗浄
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの基板となるウェーハの製
造工程のうち、特に、薬液や純水によるウェーハ表面の
洗浄が重要である。この洗浄が不完全であると、表面に
汚れや微粒子が付着した部分が残るため、ウェーハの歩
留まりが低下する。
造工程のうち、特に、薬液や純水によるウェーハ表面の
洗浄が重要である。この洗浄が不完全であると、表面に
汚れや微粒子が付着した部分が残るため、ウェーハの歩
留まりが低下する。
【０００３】従来、底部に洗浄液供給口が設けられた液
槽内にウェーハを浸漬し、底部の供給口から流し込んだ
洗浄液を液槽の上部開口からオーバーフローさせること
により、ウェーハの表面を流過する洗浄液で汚れや微粒
子を落とす洗浄方法が採られている（特開平３−２６６
４３１号公報参照）。
槽内にウェーハを浸漬し、底部の供給口から流し込んだ
洗浄液を液槽の上部開口からオーバーフローさせること
により、ウェーハの表面を流過する洗浄液で汚れや微粒
子を落とす洗浄方法が採られている（特開平３−２６６
４３１号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、半導体装置の高
集積度化、高密度化が近年著しく、それに伴い、半導体
チップの大型化が進んでいるが、これに対応してウェー
ハの大型化も進んでいる。ウェーハが大型化すると、そ
の表面積が増大するため、従来の洗浄装置の構成による
と、洗浄液の一部が液槽内で澱んだり、また液流が液槽
内で旋回したりして、ウェーハの表面から除去された汚
れや微粒子がオーバーフローする洗浄液と共に円滑に流
出しないため、洗浄時間や洗浄液の消費量が格段に増大
するといった不都合が生じている。
集積度化、高密度化が近年著しく、それに伴い、半導体
チップの大型化が進んでいるが、これに対応してウェー
ハの大型化も進んでいる。ウェーハが大型化すると、そ
の表面積が増大するため、従来の洗浄装置の構成による
と、洗浄液の一部が液槽内で澱んだり、また液流が液槽
内で旋回したりして、ウェーハの表面から除去された汚
れや微粒子がオーバーフローする洗浄液と共に円滑に流
出しないため、洗浄時間や洗浄液の消費量が格段に増大
するといった不都合が生じている。
【０００５】本発明は、このような従来技術の不都合を
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
大型化するウェーハに対応して洗浄効率を向上すること
のできる半導体基板洗浄装置を提供することにある。
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
大型化するウェーハに対応して洗浄効率を向上すること
のできる半導体基板洗浄装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、洗浄液の供給口を底部近傍に備え、かつ上
面が開放された液槽内にウェーハを垂直状態で収容し、
供給口から連続的に供給される洗浄液を液槽の上面から
オーバーフローさせてウェーハを洗浄する装置の構成
を、ウェーハの収容部と供給口との間に、複数の整流板
が上下に間隔をおいて水平配置されているものとするこ
とによって達成される。
明によれば、洗浄液の供給口を底部近傍に備え、かつ上
面が開放された液槽内にウェーハを垂直状態で収容し、
供給口から連続的に供給される洗浄液を液槽の上面から
オーバーフローさせてウェーハを洗浄する装置の構成
を、ウェーハの収容部と供給口との間に、複数の整流板
が上下に間隔をおいて水平配置されているものとするこ
とによって達成される。
【０００７】
【作用】このような構成によれば、洗浄液の流れが層流
化されるため、ウェーハ表面に沿って洗浄液が円滑に流
れるようになり、汚損した洗浄液が澱んだり旋回流とな
ったりする不都合が解消される。
化されるため、ウェーハ表面に沿って洗浄液が円滑に流
れるようになり、汚損した洗浄液が澱んだり旋回流とな
ったりする不都合が解消される。
【０００８】
【実施例】以下に添付の図面に示された具体的な実施例
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
【０００９】図１は、本発明に基づき構成されたウェー
ハ洗浄装置を示している。この洗浄装置の液槽１は、例
えば石英ガラスの板を接合して構成され、上面が開口し
た箱形をなしている。そしてその底部には、洗浄液の供
給口２が設けられている。
ハ洗浄装置を示している。この洗浄装置の液槽１は、例
えば石英ガラスの板を接合して構成され、上面が開口し
た箱形をなしている。そしてその底部には、洗浄液の供
給口２が設けられている。
【００１０】液槽１の上部には、洗浄するべきウェーハ
を収容する空間が画定されており、例えば石英ガラスを
加工して形成された保持具３にて垂直状態で適宜な一定
の間隔をおいて並列に保持された複数枚（例えば２０〜
３０枚）のウェーハ４を、一括処理し得るようになって
いる。
を収容する空間が画定されており、例えば石英ガラスを
加工して形成された保持具３にて垂直状態で適宜な一定
の間隔をおいて並列に保持された複数枚（例えば２０〜
３０枚）のウェーハ４を、一括処理し得るようになって
いる。
【００１１】ウェーハ４の収容空間と洗浄液供給口２と
の間には、複数の（例えば３枚）の整流板５ａ・５ｂ・
５ｃが、所定の間隔をおいて略水平に延設されている。
これらの整流板５ａ・５ｂ・５ｃは、例えば多数の孔を
規則的に穿設したパンチングメタル状のもの（図２参
照）や、多数のスリットを平行に設けたグレーチング状
のもの（図３参照）である。そしてその互いの間隔は、
液槽１の底から第１段５ａまでの間隔（ａ）が５０〜１
５０mmの範囲で１００mmが最適であり、第１段５ａと第
２段５ｂの間隔（ｂ）、並びに第２段５ｂと第３段５ｃ
の間隔（ｃ）は、共に１５〜４５mmの範囲で３０mmが最
適である。
の間には、複数の（例えば３枚）の整流板５ａ・５ｂ・
５ｃが、所定の間隔をおいて略水平に延設されている。
これらの整流板５ａ・５ｂ・５ｃは、例えば多数の孔を
規則的に穿設したパンチングメタル状のもの（図２参
照）や、多数のスリットを平行に設けたグレーチング状
のもの（図３参照）である。そしてその互いの間隔は、
液槽１の底から第１段５ａまでの間隔（ａ）が５０〜１
５０mmの範囲で１００mmが最適であり、第１段５ａと第
２段５ｂの間隔（ｂ）、並びに第２段５ｂと第３段５ｃ
の間隔（ｃ）は、共に１５〜４５mmの範囲で３０mmが最
適である。
【００１２】また開孔率は、第１段５ａが０．５〜３．
５％の範囲で２％が最適であり、第２段５ｂは、３〜１
３％の範囲で８％が最適であり、第３段５ｃは、１５〜
４５％の範囲で３０％が最適である。つまり下段から上
へ行くに従って順に孔の総面積が大きくなっている。
５％の範囲で２％が最適であり、第２段５ｂは、３〜１
３％の範囲で８％が最適であり、第３段５ｃは、１５〜
４５％の範囲で３０％が最適である。つまり下段から上
へ行くに従って順に孔の総面積が大きくなっている。
【００１３】この洗浄装置にてウェーハ４を洗浄するに
は、洗浄液供給口２から純水あるいは適宜な薬液からな
る洗浄液を供給して液槽１内を洗浄液で満たし、さらに
供給を継続して液槽１の上部開口から洗浄液をオーバー
フローさせる。
は、洗浄液供給口２から純水あるいは適宜な薬液からな
る洗浄液を供給して液槽１内を洗浄液で満たし、さらに
供給を継続して液槽１の上部開口から洗浄液をオーバー
フローさせる。
【００１４】このようにして連続的に洗浄液を液槽１の
底部から供給することにより、複数段の整流板５ａ・５
ｂ・５ｃを通過するうちに一定の方向性が洗浄液に与え
られ、液槽１内には、下から上への層状の流れが形成さ
れる。そしてウェーハ４の表面に付着した汚れや微粒子
は、このウェーハ４の表面に沿って流れる洗浄液によっ
て落とされ、オーバーフローする洗浄液と共に外部に流
出する。
底部から供給することにより、複数段の整流板５ａ・５
ｂ・５ｃを通過するうちに一定の方向性が洗浄液に与え
られ、液槽１内には、下から上への層状の流れが形成さ
れる。そしてウェーハ４の表面に付着した汚れや微粒子
は、このウェーハ４の表面に沿って流れる洗浄液によっ
て落とされ、オーバーフローする洗浄液と共に外部に流
出する。
【００１５】
【発明の効果】このように本発明によれば、洗浄液の流
れがウェーハ表面に沿う層流となるため、その流れが円
滑化され、汚損した洗浄液が澱んだり旋回流となったり
することが、ほぼ完全に解消される。そしてウェーハの
表面に沿って流れる洗浄液によって落とされた汚れや微
粒子は、オーバーフローする洗浄液と共に外部に完全に
流出するため、汚れや微粒子のウェーハへの再付着が防
止される。以上のようにして本発明により、洗浄効率を
向上する上に多大な効果がもたらされる。
れがウェーハ表面に沿う層流となるため、その流れが円
滑化され、汚損した洗浄液が澱んだり旋回流となったり
することが、ほぼ完全に解消される。そしてウェーハの
表面に沿って流れる洗浄液によって落とされた汚れや微
粒子は、オーバーフローする洗浄液と共に外部に完全に
流出するため、汚れや微粒子のウェーハへの再付着が防
止される。以上のようにして本発明により、洗浄効率を
向上する上に多大な効果がもたらされる。
【図１】本発明装置の模式的な構成図。
【図２】整流板の第１実施例の斜視図。
【図３】整流板の第２実施例の斜視図。
１ 液槽 ２ 洗浄液供給口 ３ 保持具 ４ ウェーハ ５ 整流板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渥美 純 相模原市淵野辺５−10−１ 新日本製鐵株 式会社エレクトロニクス研究所内 (72)発明者 佐近 正 川崎市中原区井田1618番地 新日本製鐵株 式会社先端技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 洗浄液の供給口を底部近傍に備え、かつ
上面が開放された液槽内に半導体基板を垂直状態で収容
し、前記供給口から連続的に供給される洗浄液を前記液
槽の上面からオーバーフローさせて半導体基板を洗浄す
る装置であって、 前記半導体基板の収容部と前記供給口との間に、複数の
整流板を上下に間隔をおいて水平配置したことを特徴と
する半導体基板洗浄装置。 - 【請求項２】 前記整流板が、多数の孔を規則的に穿設
したパンチングメタル状のもの、あるいは多数のスリッ
トを平行に設けたグレーチング状のものからなり、液槽
の底から第１段までの間隔を５０〜１５０mmの範囲と
し、第１段と第２段との間隔、並びに第２段と第３段と
の間隔を１５〜４５mmの範囲としたことを特徴とする請
求項１に記載の半導体基板洗浄装置。 - 【請求項３】 前記整流板の開孔率は、第１段が０．５
〜３．５％の範囲であり、第２段が３〜１３％の範囲で
あり、第３段が１５〜４５％の範囲であることを特徴と
する請求項１または２に記載の半導体基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782794A JPH07297164A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782794A JPH07297164A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297164A true JPH07297164A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14469050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10782794A Pending JPH07297164A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297164A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7524396B2 (en) | 2004-02-12 | 2009-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Object processing apparatus and processing method |
| JP2014189811A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Kyocera Corp | 無電解メッキ装置 |
| JP2021532266A (ja) * | 2018-07-30 | 2021-11-25 | レナ テクノロジー ゲーエムベーハーRENA Technologies GmbH | フロー発生器、成膜装置及び材料の成膜方法 |
| JP2022026224A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | 株式会社Sumco | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP10782794A patent/JPH07297164A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7524396B2 (en) | 2004-02-12 | 2009-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Object processing apparatus and processing method |
| JP2014189811A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Kyocera Corp | 無電解メッキ装置 |
| JP2021532266A (ja) * | 2018-07-30 | 2021-11-25 | レナ テクノロジー ゲーエムベーハーRENA Technologies GmbH | フロー発生器、成膜装置及び材料の成膜方法 |
| JP2022026224A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | 株式会社Sumco | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム |
| US20230271229A1 (en) * | 2020-07-30 | 2023-08-31 | Sumco Corporation | Method of cleaning work and cleaning system for work |
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