JPH03266431A - 基板の洗浄装置 - Google Patents
基板の洗浄装置Info
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- JPH03266431A JPH03266431A JP6513190A JP6513190A JPH03266431A JP H03266431 A JPH03266431 A JP H03266431A JP 6513190 A JP6513190 A JP 6513190A JP 6513190 A JP6513190 A JP 6513190A JP H03266431 A JPH03266431 A JP H03266431A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体ウェーハ等、円板状の基板の洗浄装置に関し、
洗浄液の使用量を削減することが可能な基板の洗浄装置
を提供することを目的とし、 円板状の基板を洗浄槽内にほぼ垂直に保持して液体洗浄
するための装置であって、洗浄槽の底部内面がほぼ半円
筒内面状をなすように構成する。
を提供することを目的とし、 円板状の基板を洗浄槽内にほぼ垂直に保持して液体洗浄
するための装置であって、洗浄槽の底部内面がほぼ半円
筒内面状をなすように構成する。
本発明は、半導体ウェーハ等、円板状の基板の洗浄装置
に関する。
に関する。
半導体装置の製造工程の内、特にウェーハエ程では薬液
や純水によるウェーハの洗浄を繰り返し行う必要がある
。
や純水によるウェーハの洗浄を繰り返し行う必要がある
。
近年、半導体装置の高集積化に伴ってチップの大型化が
進んでいるが、それによる生産効率の低下を避けるため
に、チップの大型化に対応してウェーハの大口径化も進
められている。現在、6インチ(約15cm)径のウェ
ーハは珍しくなくなり、一部には8インチ(約20c+
i)径のウェーハも実用に供されている。この大口径化
の傾向は今後も続くものと予測され、既に10インチや
12インチのウェーハの開発も行われつつある。
進んでいるが、それによる生産効率の低下を避けるため
に、チップの大型化に対応してウェーハの大口径化も進
められている。現在、6インチ(約15cm)径のウェ
ーハは珍しくなくなり、一部には8インチ(約20c+
i)径のウェーハも実用に供されている。この大口径化
の傾向は今後も続くものと予測され、既に10インチや
12インチのウェーハの開発も行われつつある。
このようにウェーハの径が大きくなれば、これを処理す
るための各種装置にも影響が及び、洗浄装置にあっては
洗浄槽の大型化に伴う薬液や純水の使用量の増加が一つ
の問題となっている。多くの場合、−度使用した洗浄液
はそのままでは使用しないため、これらの使用量の少な
い洗浄装置の開発が望まれている。
るための各種装置にも影響が及び、洗浄装置にあっては
洗浄槽の大型化に伴う薬液や純水の使用量の増加が一つ
の問題となっている。多くの場合、−度使用した洗浄液
はそのままでは使用しないため、これらの使用量の少な
い洗浄装置の開発が望まれている。
従来の基板の洗浄装置を第3図により説明する。
尚、洗浄はその目的等に応じて使用する洗浄液が異なり
、従って装置も種々のものがあるが、ここでは薬液洗浄
後の純水洗浄等で使用する代表的な装置について説明す
る。第3図(a)〜(c)は従来の洗浄装置を説明する
ための模式図であり、図の(a)は洗浄状態を示す断面
図、(b)は洗浄槽の斜視図、(c)は保持具の斜視図
である。図中、1は被洗浄物の基板であり、例えば半導
体ウェーハの如く円板状をなしている。31は洗浄槽で
あり、例えば石英ガラスの板を接合して作成され、上面
が開口している角形をなし、従って内部は側面・底部と
もに平面である。その底部には複数個の給液口31aが
設けられており、ここから洗浄液(薬液又は純水)が供
給される。32は保持具であり、例えば石英ガラスの棒
を接合して作成され、複数枚(例えば20〜30枚)の
基板1を略垂直に保持して一括処理するためのものであ
る。この保持具32にはスリット32aがあり、基板を
この部分で三点支持することにより、複数枚の基板1を
略一定間隔で安定に保持することが出来る。
、従って装置も種々のものがあるが、ここでは薬液洗浄
後の純水洗浄等で使用する代表的な装置について説明す
る。第3図(a)〜(c)は従来の洗浄装置を説明する
ための模式図であり、図の(a)は洗浄状態を示す断面
図、(b)は洗浄槽の斜視図、(c)は保持具の斜視図
である。図中、1は被洗浄物の基板であり、例えば半導
体ウェーハの如く円板状をなしている。31は洗浄槽で
あり、例えば石英ガラスの板を接合して作成され、上面
が開口している角形をなし、従って内部は側面・底部と
もに平面である。その底部には複数個の給液口31aが
設けられており、ここから洗浄液(薬液又は純水)が供
給される。32は保持具であり、例えば石英ガラスの棒
を接合して作成され、複数枚(例えば20〜30枚)の
基板1を略垂直に保持して一括処理するためのものであ
る。この保持具32にはスリット32aがあり、基板を
この部分で三点支持することにより、複数枚の基板1を
略一定間隔で安定に保持することが出来る。
この装置により基板1を洗浄するには、先ず洗浄槽31
内に給液口31aから洗浄液を供給してこれを満たし、
更に洗浄液を供給し続けてそれ洗浄槽31上部開口から
オーバーフローする状態で、保持具32に保持された複
数枚の基板1を洗浄液に浸漬する。基板1に付着してい
た微粒子や汚れはオーバーフローする洗浄液と共に次第
に洗浄槽31外に除去されて行く。洗浄が完了するまで
には長時間を要するが、この間、洗浄液は供給を継続し
、従ってオーバーフローが続く。オーバーフローした洗
浄液は循環再使用しない場合が多い(特に純水の場合)
。
内に給液口31aから洗浄液を供給してこれを満たし、
更に洗浄液を供給し続けてそれ洗浄槽31上部開口から
オーバーフローする状態で、保持具32に保持された複
数枚の基板1を洗浄液に浸漬する。基板1に付着してい
た微粒子や汚れはオーバーフローする洗浄液と共に次第
に洗浄槽31外に除去されて行く。洗浄が完了するまで
には長時間を要するが、この間、洗浄液は供給を継続し
、従ってオーバーフローが続く。オーバーフローした洗
浄液は循環再使用しない場合が多い(特に純水の場合)
。
ところがこのような従来の洗浄装置では、洗浄槽の内容
積が洗浄する基板のサイズの割りには大きいため、オー
バーフローした洗浄液を循環再使用しない場合にはその
使用量が必要以上に多くなるという問題があった。
積が洗浄する基板のサイズの割りには大きいため、オー
バーフローした洗浄液を循環再使用しない場合にはその
使用量が必要以上に多くなるという問題があった。
本発明は、このような問題を解決して、洗浄液の使用量
を節減することが可能な基板の洗浄装置を提供すること
を目的とする。
を節減することが可能な基板の洗浄装置を提供すること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段]
この目的は、本発明によれば、円板状の基板を洗浄槽内
にほぼ垂直に保持して液体洗浄するための装置であって
、洗浄槽の底部内面がほぼ半円筒内面状をなすことを特
徴とする装置とすることで、達成される。
にほぼ垂直に保持して液体洗浄するための装置であって
、洗浄槽の底部内面がほぼ半円筒内面状をなすことを特
徴とする装置とすることで、達成される。
洗浄槽の少なくとも下半部(底部側)を、洗浄する基板
の曲率に合わせて半円筒内面状とすることにより、洗浄
槽の内容積は大幅に減少し、洗浄液の供給流量を絞るこ
とが出来る。従ってオーバーフローした洗浄液を循環再
使用しない場合には、その使用量が減少する。
の曲率に合わせて半円筒内面状とすることにより、洗浄
槽の内容積は大幅に減少し、洗浄液の供給流量を絞るこ
とが出来る。従ってオーバーフローした洗浄液を循環再
使用しない場合には、その使用量が減少する。
本発明に基づく基板の洗浄装置の実施例を第1図及び第
2図により説明する。
2図により説明する。
第1図(a)〜(c)は本発明の第一の実施例を示す模
式図であり、図の(a)は洗浄状態を示す断面図、(b
)は洗浄槽の斜視図、(c)は保持具の斜視図である。
式図であり、図の(a)は洗浄状態を示す断面図、(b
)は洗浄槽の斜視図、(c)は保持具の斜視図である。
図中、1は被洗浄物の基板、即ち円板状の半導体ウェー
ハである。11は洗浄槽であり、石英ガラスの板を接合
して作成したものであり、下半部(底部側)は洗浄する
基板1の曲率に合わせて半円筒状をなし、上半部は前述
の第3図の装置同様、上面が開口している角形である。
ハである。11は洗浄槽であり、石英ガラスの板を接合
して作成したものであり、下半部(底部側)は洗浄する
基板1の曲率に合わせて半円筒状をなし、上半部は前述
の第3図の装置同様、上面が開口している角形である。
その底部には複数個の給液口11aが設けられており、
ここから洗浄液が供給される。12は保持具であり、石
英ガラスの棒を接合して作成したものであり、複数枚(
例えば20〜30枚)の基板1を略垂直に保持して一括
処理するためのものである。この保持具12にはスリッ
ト12aがあり、基板1をこの部分で三点支持すること
により、複数枚の基板1を略一定間隔で安定に保持する
ことが出来る。
ここから洗浄液が供給される。12は保持具であり、石
英ガラスの棒を接合して作成したものであり、複数枚(
例えば20〜30枚)の基板1を略垂直に保持して一括
処理するためのものである。この保持具12にはスリッ
ト12aがあり、基板1をこの部分で三点支持すること
により、複数枚の基板1を略一定間隔で安定に保持する
ことが出来る。
この装置により基板1を洗浄するには、先ず洗浄槽ll
内に給液口11aから洗浄液を供給してこれを満たし、
更に洗浄液を供給し続けてこれが洗浄槽11上部開口か
らオーバーフローする状態で、洗浄槽11内に保持具1
2を入れて保持された複数枚の基板1を洗浄液に浸漬す
る。基板1に付着していた微粒子や汚れはオーバーフロ
ーする洗浄液と共に次第に洗浄槽11外に除去されて行
く。洗浄が完了するまでには長時間を要しく例えば10
分)、この間、洗浄液の供給を継続し、従ってオーバー
フローが続く。オーバーフローした洗浄液は循環再使用
しない。
内に給液口11aから洗浄液を供給してこれを満たし、
更に洗浄液を供給し続けてこれが洗浄槽11上部開口か
らオーバーフローする状態で、洗浄槽11内に保持具1
2を入れて保持された複数枚の基板1を洗浄液に浸漬す
る。基板1に付着していた微粒子や汚れはオーバーフロ
ーする洗浄液と共に次第に洗浄槽11外に除去されて行
く。洗浄が完了するまでには長時間を要しく例えば10
分)、この間、洗浄液の供給を継続し、従ってオーバー
フローが続く。オーバーフローした洗浄液は循環再使用
しない。
この実施例において発明者は洗浄槽の内寸法を、幅−2
90mm、深さ= 300mn+、底部曲率半径=14
5mrrl、長さ=260 mmとした。従って洗浄槽
1の内容積は20.271であり、従来と同様に角型槽
とした場合の22.62fに比して約り0%少ない。従
ってこの分、洗浄液の供給流量を絞ることが出来た。
90mm、深さ= 300mn+、底部曲率半径=14
5mrrl、長さ=260 mmとした。従って洗浄槽
1の内容積は20.271であり、従来と同様に角型槽
とした場合の22.62fに比して約り0%少ない。従
ってこの分、洗浄液の供給流量を絞ることが出来た。
第2図(a)〜(c)は本発明の第二の実施例を示す模
式図であり、図の(a)は洗浄状態を示す断面図、(b
)は洗浄槽の斜視図、(c)はキャップの斜視図である
0図中、1は被洗浄物の基板、即ち円板状の半導体ウェ
ーハである。21は洗浄槽であり、石英ガラスの板を接
合して作成したものであり、前述の第1図における洗浄
槽11の下半部(底部側)に相当し、洗浄する基板1の
曲率に合わせて半円筒状をなしている。上面は開口して
いる。その底部には複数個の給液口21aが設けられて
おり、ここから洗浄液が供給される。23はキャップで
あり、石英ガラスの板を接合して作成したものであり、
洗浄する基板1の曲率に合わせて半円筒状をなしている
。これは洗浄槽21の上に載置して洗浄槽の上半部を形
成する。このキャップ23の頂部付近には複数個の排液
孔23aを有し、ここから洗浄液をオーバーフローさせ
る。12は保持具であり、前述の第1図における保持具
と同一である。
式図であり、図の(a)は洗浄状態を示す断面図、(b
)は洗浄槽の斜視図、(c)はキャップの斜視図である
0図中、1は被洗浄物の基板、即ち円板状の半導体ウェ
ーハである。21は洗浄槽であり、石英ガラスの板を接
合して作成したものであり、前述の第1図における洗浄
槽11の下半部(底部側)に相当し、洗浄する基板1の
曲率に合わせて半円筒状をなしている。上面は開口して
いる。その底部には複数個の給液口21aが設けられて
おり、ここから洗浄液が供給される。23はキャップで
あり、石英ガラスの板を接合して作成したものであり、
洗浄する基板1の曲率に合わせて半円筒状をなしている
。これは洗浄槽21の上に載置して洗浄槽の上半部を形
成する。このキャップ23の頂部付近には複数個の排液
孔23aを有し、ここから洗浄液をオーバーフローさせ
る。12は保持具であり、前述の第1図における保持具
と同一である。
この装置により基板1を洗浄するには、先ず洗浄槽21
内に給液口21aから洗浄液を供給してこれを満たし、
この中に複数枚の基板1を保持した保持具12を入れ、
次にキャップ23を洗浄槽21上に載置し、クランプ機
構(図示は省略)により両者をクランプする。給液口2
1aからの洗浄液の供給を続けてキャップ23内も洗浄
液で満たし、更に排液孔23aからオーバーフローさせ
る。洗浄が完了すればキャップ23を除去して複数枚の
基板1を保持した保持具12を取り出す。
内に給液口21aから洗浄液を供給してこれを満たし、
この中に複数枚の基板1を保持した保持具12を入れ、
次にキャップ23を洗浄槽21上に載置し、クランプ機
構(図示は省略)により両者をクランプする。給液口2
1aからの洗浄液の供給を続けてキャップ23内も洗浄
液で満たし、更に排液孔23aからオーバーフローさせ
る。洗浄が完了すればキャップ23を除去して複数枚の
基板1を保持した保持具12を取り出す。
この実施例において発明者は洗浄槽21の内寸法を、幅
=290 +11m、深さ=145 ways、曲率半
径=1451I1m、長さ−260mmとし、又キャッ
プ23の内寸法を、輻”’290 arm、高さ=14
5 mm、曲率半径=145 am、長さ−260mm
とした。従って洗浄槽21とキャップ23との内容積は
17.11!であり、従来と同様に角型槽とした場合の
22.621に比して約り4%少ない。
=290 +11m、深さ=145 ways、曲率半
径=1451I1m、長さ−260mmとし、又キャッ
プ23の内寸法を、輻”’290 arm、高さ=14
5 mm、曲率半径=145 am、長さ−260mm
とした。従って洗浄槽21とキャップ23との内容積は
17.11!であり、従来と同様に角型槽とした場合の
22.621に比して約り4%少ない。
但しキャップ23を除去する際に洗浄液が洗浄槽21開
口から大量にオーバーフローするため、洗浄液使用量の
節減率はこの値より少なくなるが、長時間を要する洗浄
の場合にはかなりの節減になる。
口から大量にオーバーフローするため、洗浄液使用量の
節減率はこの値より少なくなるが、長時間を要する洗浄
の場合にはかなりの節減になる。
更にこの実施例の装置では、給液口21aと排液孔23
aの数及び配置を変えることによって洗浄液の流れを制
御することが出来、洗浄効率向上による洗浄液使用量節
減が可能となる。
aの数及び配置を変えることによって洗浄液の流れを制
御することが出来、洗浄効率向上による洗浄液使用量節
減が可能となる。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば、洗浄液の種類等によって
は、洗浄槽、保持具、キャップの材質を石英ガラスでは
なく、プラスチック、ステンレス鋼等に変えることが出
来る。
変形して実施出来る。例えば、洗浄液の種類等によって
は、洗浄槽、保持具、キャップの材質を石英ガラスでは
なく、プラスチック、ステンレス鋼等に変えることが出
来る。
〔発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、洗浄液の使用量
を削減することが可能な基板の洗浄装置を提供すること
が出来るため、半導体装置の製造コストの低減等に寄与
するところが大である。
を削減することが可能な基板の洗浄装置を提供すること
が出来るため、半導体装置の製造コストの低減等に寄与
するところが大である。
第1図は本発明の第一の実施例を説明するための模式図
、 第2図は本発明の第二の実施例を説明するための模式図
、 第3図は従来の洗浄装置を説明するための模式図、 である。 図中、 は基板、 11.21.31 は洗浄槽、 11a、21a、31aは給液口、 12.32は保持具、 3 はキャップ、 23aは排液孔、 である。 (0):先浄状堆、Σ示す断面図 (b)シ兇;↑糟の奪1硯図 (0)キャップの糾視凹 本発明の第二の芙施イ列を説明するための榎式凹第2図 (θ)5尤矛1天仙3示T断面図 (b);光J争用引力4fAr享見図 (C)保−74其のF4硯図 本発明の第一の実施使臣説明するた話の模式図画 1
目 (α)S尤沖状本2示1r弗相図 (b);先;争1グ湧叫γ臥図 (C)保持具の惟持見図 4足来のJ5t′、争装賀′2:説明4ろにめの才莫式
図8 3 図
、 第2図は本発明の第二の実施例を説明するための模式図
、 第3図は従来の洗浄装置を説明するための模式図、 である。 図中、 は基板、 11.21.31 は洗浄槽、 11a、21a、31aは給液口、 12.32は保持具、 3 はキャップ、 23aは排液孔、 である。 (0):先浄状堆、Σ示す断面図 (b)シ兇;↑糟の奪1硯図 (0)キャップの糾視凹 本発明の第二の芙施イ列を説明するための榎式凹第2図 (θ)5尤矛1天仙3示T断面図 (b);光J争用引力4fAr享見図 (C)保−74其のF4硯図 本発明の第一の実施使臣説明するた話の模式図画 1
目 (α)S尤沖状本2示1r弗相図 (b);先;争1グ湧叫γ臥図 (C)保持具の惟持見図 4足来のJ5t′、争装賀′2:説明4ろにめの才莫式
図8 3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 円板状の基板を洗浄槽内にほぼ垂直に保持して液体洗
浄するための装置であって、 洗浄槽の底部内面がほぼ半円筒内面状をなしていること
を特徴とする基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6513190A JPH03266431A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6513190A JPH03266431A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 基板の洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03266431A true JPH03266431A (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=13278015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6513190A Pending JPH03266431A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 基板の洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03266431A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5503173A (en) * | 1993-12-14 | 1996-04-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer cleaning tank |
US5531236A (en) * | 1994-06-01 | 1996-07-02 | Kempka; Steven N. | Directed flow fluid rinse trough |
US5791358A (en) * | 1996-11-20 | 1998-08-11 | Sandia Corporation | Rinse trough with improved flow |
US6352084B1 (en) | 1996-10-24 | 2002-03-05 | Steag Microtech Gmbh | Substrate treatment device |
JP2010192679A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 石英ガラス製ウエハー処理槽及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6513190A patent/JPH03266431A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5503173A (en) * | 1993-12-14 | 1996-04-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer cleaning tank |
US5531236A (en) * | 1994-06-01 | 1996-07-02 | Kempka; Steven N. | Directed flow fluid rinse trough |
US6352084B1 (en) | 1996-10-24 | 2002-03-05 | Steag Microtech Gmbh | Substrate treatment device |
US5791358A (en) * | 1996-11-20 | 1998-08-11 | Sandia Corporation | Rinse trough with improved flow |
JP2010192679A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 石英ガラス製ウエハー処理槽及びその製造方法 |
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