JPH0448629A - 半導体ウェーハの液処理装置 - Google Patents

半導体ウェーハの液処理装置

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JPH0448629A
JPH0448629A JP15579790A JP15579790A JPH0448629A JP H0448629 A JPH0448629 A JP H0448629A JP 15579790 A JP15579790 A JP 15579790A JP 15579790 A JP15579790 A JP 15579790A JP H0448629 A JPH0448629 A JP H0448629A
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JP
Japan
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wafer
holes
tank
liquid
peripheral wall
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JP15579790A
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English (en)
Inventor
Utae Hidaka
日高 詩恵
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置製造工程におけるウェーハの液処理装置に関
し、 浮遊する微細な異物や塵埃(パーティクル)のウェーハ
への再付着を抑制することで生産性の向上を図ることを
目的とし、 下方から供給される処理液を複数の均等配置した貫通孔
を持つほぼ水平な整流板を通して横溢させる処理槽と、
該処理槽をその周囲で取り囲んで該処理槽からオーバフ
ローする処理液を集めて排出する外槽とで構成される半
導体ウェーハ〇液処理装置であって、整流板上にウェー
ハ保持具を介して立てた被処理のウェーハが浸漬できる
高さを少なくとも有する処理槽の周壁に、該ウェーハが
浸漬できる高さ近傍領域まで上記整流板の貫通孔より径
が小さい複数の貫通孔をほぼ均一に分散配置して構成す
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウェ
ーハの液処理装置の構成に係り、特に浮遊する微細な異
物や塵埃(パーティクル)の半導体ウェーハへの再付着
を抑制して生産性の向上を図った半導体ウェーハの液処
理装置に関する。
一般に半導体ウェーハの製造プロセスでは多数回の洗浄
や被膜形成等の液処理工程が必要であるが、集積度が向
上してウェーハ上のパターン微細化が進展するのに伴っ
てかかる液処理工程で該ウェーハ上に付着する異物や塵
埃(以下パーティクルとした)の許容し得る大きさが急
速に微細化している現状にあり、これら微細なパーティ
クルのウェーハ上への付着を如何に抑制するかが大きな
問題となっている。
〔従来の技術〕
第2図は従来のウェーハ液処理装置を説明する図であり
、(a)は構成例を示す図、(b)は液処理状況を示す
図である。
なお図では液処理が洗浄工程である場合を例として説明
する。
第2図(a)で、例えば石英やポリプロピレン樹脂の如
き耐腐食性ある材料からなるウェーハ液処理装置1は底
面に処理液(以下洗浄水とした)を供給する供給ボート
2aを具えた処理槽(以下洗浄槽とした)2と該洗浄槽
2からオーバフローする洗浄水を集める外槽3とで構成
されており、該外槽3の底面近傍には該オーバフローし
た洗浄水の排出ボート3aが設けられている。
そして特にこの場合の洗浄槽2には、上記供給ボー)2
aから供給される洗浄水を該洗浄槽2の内部に均一した
分布状態で供給するために例えば直径4〜51111の
複数の貫通孔2bが均一した分布で穿孔されている整流
板2cが底面の近傍に該底面に平行して装着されている
と共に、各周壁の上片は凹部を2dとした波形に形成さ
れている。
そこで上記供給ボー)2aから所定の洗浄液を供給する
と、該洗浄液は整流板2cの複数の貫通孔2bを通過し
て洗浄槽2内を均一分布でほぼ垂直に上昇しその上片に
設けた凹部2d部分からオーバフローして外槽3に集水
されて排出ボート3aから排出されるようになっている
一方被洗浄ウェーハとなるウェーハ4は、該ウェハ4を
立てた状態の最下点で該ウェハ4を位置決め保持する凹
凸を具えた主保持板5aと該ウェハ4の下側手内部分の
左右対称位置で該ウェハ4を位置決め保持する凹凸を具
えた2個の態保持板5b、および該主保持板5aと2個
の態保持板5bの相対的位置関係を保つために該主保持
板5aと態保持板5bの各長手方向両端部に設けたステ
イ5cとで一体化構成されているウェハ保持具5によっ
て等間隔平行に保持されるようになっている。
なお、上記主保持板5aとW1保持板5bおよびステイ
5c等はいずれもセラミックや弗素樹脂等の耐薬品性の
ある材料で形成されている。
そこで、上述した如く洗浄液がオーバフローしている洗
浄槽2に、複数の洗浄されるウェーハ4がオリエンテー
ション・フラット面4aが上方を向くようにセットされ
た上記ウェハ保持具5を矢印aのように挿入すると(b
)に示す状態となる。
特にこの場合には、整流板2cの複数の貫通孔2bを通
過して洗浄槽2内を上昇する洗浄液の一部は上述したウ
ェハ保持具5を構成する主保持板5aや2個の態保持板
5bおよびステイ5C等によって垂直方向の上昇流が阻
害されて例えば図示の■、■。
■のように該整流板2Cの近傍で乱流を起こした後に上
昇して該ウェーハ4を洗浄する。
この場合の洗浄では従来の許容範囲である約1μ閣程度
の大きさのパーティクルまでは充分に洗浄瞭去すること
ができるので、効率的、効果的に所要の洗浄作業を実施
することができる。
しかし最近のウェーハの技術分野では許容し得る付着パ
ーティクルの大きさを0.2μm程度まで微細化するこ
とが望まれているが、かかる微小なパーティクルは特に
浮遊性が大きい。
そのため浮遊する微細なパーティクルが、整流板2cの
近傍で発生する上述した乱流■、■、■等によって再度
ウェーハ4の表面に付着し易い欠点がある。
〔発明が解決しようとした課題〕
従来の構成になる半導体ウェーハの液処理装置では、従
来問題とならなかった微細なパーティクルがウェーハ表
面に多く付着することがあり、ウェハ表面に形成する微
細パターンの欠陥が多くなってデバイスとしての特性低
下に連なる不良が増大する等のことから生産性の向上が
期待できないと云う問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、下方から供給される処理液を複数の均等
配置した貫通孔を持つほぼ水平な整流板を通して横溢さ
せる処理槽と、該処理槽をその周囲で取り囲んで該処理
槽からオーバフローする処理液を集めて排出する外槽と
で構成される半導体ウェーハの液処理装置であって、整
流板上にウェーハ保持具を介して立てた被処理のウェー
ハが浸漬できる高さを少なくとも有する処理槽の周壁に
、該ウェーハが浸漬できる高さ近傍領域まで上記整流板
の貫通孔より径が小さい複数の貫通孔がほぼ均一に分散
して配置されている半導体ウェーハの液処理装置によっ
て解決される。
〔作 用〕
処理槽の整流板近傍で発生する処理液の乱流をなくせば
ウェーハに対する処理液の流れを一方向に限定させるこ
とができて微細パーティクルの該ウェーハへの再付着を
抑制することができる。
本発明では、処理槽の周壁に整流板同様の貫通孔を均等
配置することで処理液の乱流の発生を抑制するようにし
ている。
従って、処理液中に浮遊する微細なパーティクルは一方
向の処理液の流れにのって移動し排出されるため、該ウ
ェーハへの再付着を防止することができて生産性のよい
液処理作業を実現することができる。
[実施例] 第1図は本発明になる半導体ウェー/”tの液処理装置
の構成例を示す図であり、(A)は外観斜視図(B)は
液処理時の状態を矢印す方向から見て示した図である。
なお図では、第2図同様に処理工程が洗浄工程である場
合について説明する。
図(A) 、 (B)で、第2図同様の石英やポリプロ
ピレン樹脂等からなるウェーハ液処理装置11は底面に
処理液(洗浄水)を供給する供給ボート12aを具えた
処理槽(洗浄槽)12と該洗浄槽12からオーバフロー
する洗浄水を集める外槽13とで構成されている。
また洗浄槽12の底面近傍には第2図で説明した整流板
2cと同様に直径4〜5■lの複数の貫通孔12bが均
一分布で穿孔されている整流板12cが該底面に平行し
て装着されていると共に、上片が凹部を12eとした波
形に形成されている各周壁の少なくとも被洗浄ウェーハ
が浸漬できる高さ領域(図の領域A)には例えば直径が
0.8〜1.0++uw程度の貫通孔12dが整流板1
2cの貫通孔12bの分布密度とほぼ等しい均一な密度
で穿孔されている。
このことは、該整流板12cを通過する洗浄液の流量を
適当に設定すると、その一部は周壁に穿孔されている貫
通孔12dから外部に漏れて流出すると共に、残部は周
壁上片の凹部12eから第2図同様にオーバフローする
ことを意味する。
一方、該洗浄槽12を取り囲む上記外槽13は上記洗浄
槽12の貫通孔12dが形成されている領域Aのほぼ上
限位置に設けた中間底13aで上下に分割されており、
該中間底13aで分割された上下二つの領域の各底面近
傍には排出ポート13bと13cがそれぞれ形成されて
いる。
そこで上記供給ボート12aから洗浄液を所定流量で供
給して周壁上片の凹部12eから該洗浄液をオーバフロ
ーさせると、外槽13の各排出ポート13b 、 13
cのそれぞれから該洗浄液が排出されることになる。
一方被洗浄ウェーハとなるウェーハ4は、第2図で説明
したウェハ保持具5によって等間隔平行に保持されてい
る。
そこで、第2図同様に洗浄液がオーバフローしている洗
浄槽12に、ウェーハ4が保持されている上記ウェハ保
持具5を矢印Cのように挿入すると(B)に示す状態と
したことができる。
特にこの場合には、整流板12cの貫通孔12bを通過
して洗浄槽2内を上昇する洗浄液の一部は■。
■、■のようにそのまま近接する周壁の貫通孔12dか
ら漏れ出て排出ボート13bから排出されると同時に残
部は上昇して周壁上片の凹部12eからオーバフローし
て排出ポート13cから排出されるので、該洗浄槽2内
で乱流が発生することがない。
従って、洗浄液はウェーハ4に対して常時同一方向に流
れることから該液中に浮遊する微細なパーティクルが該
ウェーハ表面に付着することがな(、効果的且つ効率的
な洗浄作業を実施することができる。
なお、各貫通孔の分布密度を1個/cm”程度とし供給
ボートからの洗浄液供給量を101/分位にすると、良
好な結果が得られることを実験的に確認している。
〔発明の効果〕
上述の如く本発明により、浮遊する微細な異物や塵埃(
パーティクル)の半導体ウェーハへの再付着を抑制して
生産性の向上を図った半導体ウェーハの液処理装置を提
供することができる。
なお本発明の説明に当たっては液処理が洗浄工程である
場合について述べているが、被膜形成処理等信の液処理
工程であっても同等の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になる半導体ウェーハの液処理装置の構
成例を示す図、 第2図は従来のウェーハ液処理装置を説明する図、 である。図において、 4は半導体ウェーハ、 5はウェーハ保持具、11はウ
ェーハ液処理装置、 12は処理槽(洗浄槽)、12aは供給ボート、12b
、12dは貫通孔、   12cは整流板、12eは凹
部、      13は外槽、13aは中間底、   
L3b、 13Cは排出ポート、をそれぞれ表わしてい
る。 (A) 木楚明IZtL5千碑体ワエーハの液悲理投置刀横へ°
例Σ示T図第 1 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下方から供給される処理液を複数の均等配置した
    貫通孔(12b)を持つほぼ水平な整流板(12c)を
    通して横溢させる処理槽(12)と、該処理槽(12)
    をその周囲で取り囲んで該処理槽(12)からオーバフ
    ローする処理液を集めて排出する外槽(13)とで構成
    される半導体ウェーハの液処理装置であって、 整流板(12c)上にウェーハ保持具(5)を介して立
    てた被処理のウェーハ(4)が浸漬できる高さを少なく
    とも有する処理槽(12)の周壁に、該ウェーハ(4)
    が浸漬できる高さ近傍領域まで上記整流板(12c)の
    貫通孔(12b)より径が小さい複数の貫通孔(12d
    )がほぼ均一に分散して配置されていることを特徴とし
    た半導体ウェーハの液処理装置。
  2. (2)前項の処理槽(12)の周壁に均一に分散配置す
    る貫通孔(12d)の分布密度が、処理槽(12)の整
    流板(12c)に設けられている貫通孔(12b)の分
    布密度にほぼ合致していることを特徴とした請求項1記
    載の半導体ウェーハの液処理装置。
JP15579790A 1990-06-14 1990-06-14 半導体ウェーハの液処理装置 Pending JPH0448629A (ja)

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JP2020107744A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

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