JP2020107744A - 基板液処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、基板液処理時における基板面内の処理の均一性に有効な基板液処理装置を提供する。【解決手段】本開示の一側面に係る基板液処理装置は、複数の基板に液処理を施すための処理液を貯留する処理槽と、処理槽内において、複数の基板のそれぞれの主面が鉛直方向に沿うように複数の基板を支持する基板支持部と、基板支持部により支持されている複数の基板よりも下方に設けられ、処理槽内に処理液を吐出することで上昇流を生成する処理液吐出部と、処理槽の第１側壁と、複数の基板のうち第１側壁に対向する主面を有する第１基板と、の間に形成される側方空間において、処理液の流れを調節する整流部と、を備える。【選択図】図４

Description

本開示は、基板液処理装置に関する。

特許文献１には、薬液を収容する処理槽中に基板を支持することにより、当該基板に薬液処理を施す基板液処理装置が開示されている。この基板液処理装置では、処理槽が樹脂材で形成されている。

特開平９−１０７０９号公報

本開示は、基板液処理時における基板面内の処理の均一性に有効な基板液処理装置を提供する。

本開示の一側面に係る基板液処理装置は、複数の基板に液処理を施すための処理液を貯留する処理槽と、処理槽内において、複数の基板のそれぞれの主面が鉛直方向に沿うように複数の基板を支持する基板支持部と、基板支持部により支持されている複数の基板よりも下方に設けられ、処理槽内に処理液を吐出することで上昇流を生成する処理液吐出部と、処理槽の第１側壁と、複数の基板のうち第１側壁に対向する主面を有する第１基板と、の間に形成される側方空間において、処理液の流れを調節する整流部と、を備える。

本開示によれば、基板液処理時における基板面内の処理の均一性に有効な基板液処理装置が提供される。

図１は、第１実施形態に係る基板液処理システムを模式的に例示する平面図である。 図２は、基板液処理装置を例示する模式図である。 図３は、基板液処理装置の構成を例示する模式的な斜視図である。 図４は、基板液処理装置の構成を例示する模式的な側面図である。 図５は、基板液処理装置の構成を例示する模式的な正面図である。 図６は、第２実施形態に係る基板液処理システムの基板液処理装置の構成を例示する模式的な側面図である。 図７は、基板液処理装置の構成を例示する模式的な正面図である。 図８は、基板液処理装置の構成を例示する模式的な平面図である。 図９は、基板液処理装置の構成の別の例を示す模式的な側面図である。 図１０は、基板液処理装置の構成のさらに別の例を示す模式的な正面図である。 図１１は、第３実施形態に係る基板液処理システムの基板液処理装置の構成を例示する模式的な側面図である。 図１２は、基板液処理装置の構成を例示する模式的な平面図である。 図１３は、基板液処理装置の構成の別の例を示す模式的な正面図である。 図１４は、基板液処理装置の構成のさらに別の例を示す模式的な側面図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

本開示の一側面に係る基板液処理装置は、複数の基板に液処理を施すための処理液を貯留する処理槽と、処理槽内において、複数の基板のそれぞれの主面が鉛直方向に沿うように複数の基板を支持する基板支持部と、基板支持部により支持されている複数の基板よりも下方に設けられ、処理槽内に処理液を吐出することで上昇流を生成する処理液吐出部と、処理槽の第１側壁と、複数の基板のうち第１側壁に対向する主面を有する第１基板と、の間に形成される側方空間において、処理液の流れを調節する整流部と、を備える。

この基板液処理装置では、側方空間において処理液の流れを調節する整流部が備えられる。側方空間における処理液の上昇流が乱されると、第１基板の主面のうち第１側壁と対向する主面における処理が不均一となるおそれがある。上記構成では、整流部により側方空間における処理液の流れが調節されることで、側方空間における処理液の上昇流の乱れが抑制される。このため、上昇流の乱れによる基板液処理への影響が低減されるので、基板面内の処理の均一性を向上させることが可能となる。

整流部は、第１側壁に設けられ、処理槽内の処理液を排出する第１排出孔を有してもよい。この場合、処理槽内を上昇した処理液について、第１排出孔を介して処理槽外に排出させることができるため、側方空間において処理液が下降する下降流の形成を防ぐことができる。このため、側方空間における処理液の上昇流の乱れが抑制される。その結果、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

第１排出孔は、第１基板の上端部に対向するように設けられていてもよい。この場合、側方空間における上述の下降流の形成をより好適に防ぐことができる。そのため、下降流に起因する上昇流の乱れがより確実に抑制されるので、基板面内の液処理の均一性がより確実に図られる。

基板液処理装置は、処理槽の第１側壁に接続されている第２側壁に設けられ、処理槽内の処理液を排出する第２排出孔を有する第２整流部を更に備えていてもよい。この場合、第２排出孔も利用して、処理槽内を上昇した処理液について、処理槽外に排出させることができる。このため、側方空間における処理液の上昇流の乱れがより抑制されるので、基板面内の液処理の均一性をより向上させることが可能となる。

整流部は、側方空間に配置される板状部材を有してもよい。板状部材は、第１基板及び第１側壁から離間していてもよい。板状部材の一方の主面は、第１基板に対向する対向面であってもよい。この場合、処理槽内を上昇した処理液の一部が、側方空間のうちの板状部材と第１側壁との間に形成される空間において下降流を形成し得る。このように、下降流が形成され得る空間を形成することで、当該空間とは異なる空間における下降流の形成を防ぐことができ、第１基板の主面に沿う上昇流の乱れが抑制される。その結果、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

第１基板と板状部材との間隔は、板状部材と第１側壁との間隔よりも小さくてもよい。この場合、第１基板と板状部材との間の空間よりも、板状部材と第１側壁との間の空間に下降流が形成されやすい。このため、第１基板の主面に沿う上昇流の乱れをさらに抑制することができ、基板面内の液処理の均一性がより確実に図られる。

整流部は、板状部材を処理槽に固定する固定部を有してもよい。この場合、板状部材が処理槽に対して固定部により固定されるので、例えば基板支持部を処理槽外に移動させ、複数の基板の受け渡しを行う場合に、板状部材が基板の受け渡しに影響しない。その結果、基板の容易な受け渡しと基板面内の処理の均一性向上との両立が図られる。

基板支持部は、鉛直方向及び第１基板の主面に対して交差する方向に沿って延びて複数の基板を下方から支持してもよい。板状部材は、基板支持部に対して固定されていてもよい。この場合、板状部材を第１基板により近付けることができる。その場合、板状部材と第１側壁との間での下降流の形成をより促進することができる。その結果、第１基板の主面に沿う上昇流の乱れをさらに抑制することができ、基板面内の液処理の均一性がより確実に図られる。

基板支持部は、鉛直方向及び第１基板の主面に対して交差する方向に沿って延びて複数の基板を下方から支持してもよい。整流部は、板状部材を固定するための固定部を有してもよい。板状部材は、処理槽に固定部を介して固定されている第１仕切部材と、基板支持部に対して固定されている第２仕切部材とを有してもよい。第１仕切部材は、対向面の一部を構成していてもよい。第２仕切部材は、対向面の他の部分を構成していてもよい。この場合、例えば基板支持部を処理槽外に移動させ、複数の基板の受け渡しを行う場合に、基板支持部には第２仕切部材の分のスペースが生じている。このため、当該スペースに受け渡し用の部材を通して複数の基板の受け渡しを行うことができるので、板状部材が基板の受け渡しに影響し難い。その結果、基板の容易な受け渡しと基板面内の処理の均一性向上との両立が図られる。

整流部は、第１側壁の内面から内側へ突出すると共に第１側壁に沿って鉛直方向と交差する方向に延びる突出部材を有してもよい。この場合、突出部材により処理槽内を上昇した処理液の側方空間へ向かう流れが遮られる。その結果、側方空間での上昇流の乱れが抑制されるので、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

突出部材と第１基板との間隔である第１間隔は、複数の基板のうち第１基板と隣り合う第２基板と第１基板との間隔である第２間隔に略一致するか、又は第２間隔よりも小さくてもよい。この場合、突出部材と第１基板との間隔が十分に小さくされるため、突出部材と第１基板との間を通る処理液の流れの形成が遮られる。その結果、側方空間での上昇流の乱れがより確実に抑制されるので、基板面内の液処理の均一性がより確実に図られる。

突出部材は、第１基板の上端に対応する中央位置から両外側に向けて下方に傾斜して延びていてもよい。この場合、処理槽内を上昇した処理液は突出部材の傾斜により第１基板の外側に回避するように流れる。このため、側方空間での上昇流の乱れがより確実に抑制されるので、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

突出部材のうち第１基板と対向する側面は、下方に向かうにつれて第１側壁に近づくように傾斜していてもよい。この場合、側方空間において上昇してきた処理液の流れが突出部材により阻害され難い。その結果、液処理の確実な実行と面内均一性の向上との両立が図られる。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。なお以降では、説明のために互いに直交するＸＹＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直方向上向きとする。

［第１実施形態］
まず、図１〜図５を参照して第１実施形態に係る基板液処理システムを説明する。

［基板液処理システム］
図１に示すように、基板液処理システム１Ａは、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。

このうちキャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。ここで、キャリアストック１２は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック１３は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。

そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２やキャリア載置台１４に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３やキャリアステージ１０に搬送する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。

ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板８の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板８の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。なお、基板搬送機構１５は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。

そして、ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板８をロット載置部４に載置する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構１５は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。

ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台１６で一時的に載置（待機）する。このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられている。搬入側ロット載置台１７及び搬出側ロット載置台１８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。

そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台１８に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。

ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０と、複数枚の基板８を保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とで構成する。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体２２が進退自在に設けられている。

そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットをロット処理部６に受け渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台１８に受け渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構１９を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。

ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置２３と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２４と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置２５と、基板８のエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置２６とが並べて設けられている。

乾燥処理装置２３は、処理槽２７と、処理槽２７に昇降自在に設けられた基板昇降機構２８とを備える。処理槽２７には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることで、処理槽２７に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。

基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９を有し、この処理槽２９に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。

洗浄処理装置２５は、洗浄用の処理槽３０とリンス用の処理槽３１とを有し、各処理槽３０，３１に基板昇降機構３２，３３を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽３０には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽３１には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。

エッチング処理装置２６は、エッチング用の処理槽３４とリンス用の処理槽３５とを有し、各処理槽３４，３５に基板昇降機構３６，３７が昇降自在に設けられている。エッチング用の処理槽３４には、エッチング用の処理液（燐酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽３５には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。

これら洗浄処理装置２５とエッチング処理装置２６は、同様の構成となっている。エッチング処理装置２６について説明すると、基板昇降機構３６には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後（Ｘ軸方向）に並べて保持される。エッチング処理装置２６において、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、基板昇降機構３６でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３４のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置２６は、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。また、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３７で受取り、基板昇降機構３７でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３５のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、基板昇降機構３７からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。

制御部７は、基板液処理システム１Ａの各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６）の動作を制御する。この制御部７は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体１３８を備える。記憶媒体１３８には、基板液処理システム１Ａにおいて実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体１３８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理システム１Ａの動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体１３８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体１３８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体１３８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

［基板液処理装置］
続いて、図２を参照して、基板液処理システム１Ａが含む基板液処理装置Ａ１について詳細に説明する。図２に示すように、基板液処理装置Ａ１は、エッチング処理装置２６を含んで構成されている。

エッチング処理装置２６は、所定濃度の薬剤（燐酸）の水溶液（燐酸水溶液）をエッチング用の処理液として用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。なお、燐酸水溶液の濃度は適宜変更してもよい。エッチング処理装置２６は、図２に示すように、処理液貯留部３８と、処理液供給部３９と、処理液循環部４０と、処理液排出部４１と、ガス供給部５５とを備える。

処理液貯留部３８は、処理液を貯留し当該処理液により基板８を処理する。処理液貯留部３８は、処理槽３４と、外槽４２とを有する。処理液貯留部３８は、上部を開放させた処理槽３４の周囲に、上部を開放させた外槽４２を形成し、処理槽３４と外槽４２に処理液を貯留する。処理槽３４は、基板８を基板昇降機構３６によって浸漬させることにより液処理する処理液を貯留する。外槽４２は、処理槽３４からオーバーフローした処理液を貯留する。外槽４２に貯留された処理液は、処理液循環部４０によって処理槽３４に供給される。外槽４２には、液面センサー８０が設けられている。液面センサー８０は、処理液貯留部３８の外槽４２における液面高さを検出するセンサーである。液面センサー８０としては、液面高さを検出することが可能な各種センサーを用いることができる。液面センサー８０は、検出した液面高さを示す情報を制御部７に出力する。

処理液供給部３９は、処理液貯留部３８に処理液を供給する。処理液供給部３９は、水溶液供給部４３と、水供給部４４（純水供給部）とを備える。水溶液供給部４３は、水溶液供給源４５と、流量調整器４６とを有する。

水溶液供給源４５は、処理液貯留部３８に対して燐酸水溶液を供給する。水溶液供給源４５から供給される燐酸水溶液は、流路４３ａを介して処理液貯留部３８に供給される。流量調整器４６は、流路４３ａにおける水溶液供給源４５の下流側に設けられている。流量調整器４６は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御及び流量制御される。

水供給部４４は、処理液貯留部３８に水（純水）を供給する。水供給部４４は、所定温度（例えば、２５℃）の純水を供給するための水供給源４７を、処理液貯留部３８の外槽４２に流量調整器４８を介して接続する。流量調整器４８は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御及び流量制御される。

処理液循環部４０は、外槽４２内の処理液を処理槽３４に送る。処理液循環部４０は、循環流路４９と、ポンプ５０と、ヒーター５１と、フィルター５２と、濃度計５３と、を備える。循環流路４９は、処理液貯留部３８の外槽４２の底部から処理槽３４の底部に延びた流路である。循環流路４９の処理槽３４内の端部には、処理液を処理槽３４内に供給するための処理液吐出部材６０が設けられる。循環流路４９には、ポンプ５０、ヒーター５１、フィルター５２、及び濃度計５３が上流側（外槽４２側）から下流側（処理槽３４側）に順に設けられている。ポンプ５０及びヒーター５１は制御部７に接続されており制御部７により駆動制御される。ポンプ５０は、処理液を上流側から下流側に圧送する。ヒーター５１は、処理液を設定温度（例えば１６５℃）まで加熱する。フィルター５２は、処理液中に混入したパーティクルを除去する。濃度計５３は、循環流路４９における処理液中の所定成分（例えば、燐酸等）の濃度を計測する。濃度計５３は、計測した濃度に係る情報を制御部７に出力する。なお、濃度計５３は設けられていなくてもよい。

処理液排出部４１は、処理槽３４内から処理液を排出する。処理液排出部４１は、例えば、排液流路４１Ａと、バルブ４１Ｂとを有する。排液流路４１Ａは、処理槽３４内の処理液を導出する。排液流路４１Ａの一端部は処理槽３４の底部に接続されており、排液流路４１Ａの他端部は基板液処理システム１Ａの排液管（不図示）に接続されている。バルブ４１Ｂは、排液流路４１Ａに設けられている。バルブ４１Ｂは、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御される。

ガス供給部５５は、処理槽３４内に不活性ガスを供給する。ガス供給部５５は、ガス供給源５６と、流量調整器５７とを有する。ガス供給源５６は、処理液貯留部３８に対して不活性ガスとして例えば窒素ガスを供給する。ガス供給源５６から供給される窒素ガスは、流量調整器５７を介して処理槽３４内に供給される。ガス供給部５５の処理槽３４内の端部には、窒素ガスを処理槽３４内に供給するためのガス吐出部材６５が設けられる。流量調整器５７は、ガス供給源５６の下流側に設けられている。流量調整器５７は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御及び流量制御される。

（エッチング処理装置）
続いて、図３〜図５を参照してエッチング処理装置２６の構成の一例を具体的に説明する。図３〜図５では、エッチング処理装置２６のうち、処理液貯留部３８近傍を示している。

図３に示されるように、エッチング処理装置２６の処理槽３４は、上部が開放された収容容器である。処理槽３４は、直方体状を呈している。具体的には、処理槽３４は、それぞれＹＺ平面に沿って延びる一対の側壁３４ａ（第１側壁）及び側壁３４ｂと、それぞれＸＺ平面に沿って延びる一対の側壁３４ｃ（第２側壁）及び側壁３４ｄ（第２側壁）とを有する。また、処理槽３４は、側壁３４ａ〜３４ｄそれぞれの下端に接続されてＸＹ平面に沿って延びる底壁３４ｅを有する。側壁３４ａ及び側壁３４ｂは、Ｘ軸方向において互いに対向している。側壁３４ｃ及び側壁３４ｄは、Ｙ軸方向において互いに対向している。側壁３４ａ〜３４ｄ、底壁３４ｅ及び側壁３４ａ〜３４ｄの上端を含む仮想面で区間される空間（以下、「処理槽３４内の貯留空間」という。）に、複数の基板８及び複数の基板８をエッチング処理するための処理液が収容される。

外槽４２は、処理槽３４を収容するように形成されている。外槽４２は、直方体状を呈している。外槽４２は、上部が開放された収容容器である。具体的には、外槽４２は、処理槽３４の側壁３４ａ〜３４ｄ及び底壁３４ｅを覆っている。外槽４２は、それぞれＹＺ平面に沿って延びる一対の側壁４２ａ及び側壁４２ｂと、それぞれＸＺ平面に沿って延びる一対の側壁４２ｃ及び側壁４２ｄとを有する。また、外槽４２は、側壁４２ａ〜４２ｄそれぞれの下端に接続されてＸＹ平面に沿って延びる底壁４２ｅを有する。側壁４２ａは、処理槽３４の側壁３４ａと対向しており、側壁４２ｂは、処理槽３４の側壁３４ｂと対向している。側壁４２ｃは、処理槽３４の側壁３４ｃと対向しており、側壁４２ｄは、処理槽３４の側壁３４ｄと対向している。すなわち、処理槽３４の側壁３４ａ〜３４ｄの外側にそれぞれ外槽４２の側壁４２ａ〜４２ｄが設けられている。また、底壁４２ｅは、処理槽３４の底壁３４ｅと対向し、底壁３４ｅの下方（Ｚ軸負側）に設けられている。

外槽４２の側壁４２ａ〜４２ｄの内面及び底壁４２ｅの内面と、処理槽３４の側壁３４ａ〜３４ｄの外面及び底壁３４ｅの外面とにより、処理槽３４からオーバーフローした処理液を貯留するための空間（以下、「外槽４２内の貯留空間」という。）が形成されている。処理槽３４内の貯留空間に供給された処理液が処理槽３４の容積を越えた場合に、処理液が側壁３４ａ〜３４ｄの上端をそれぞれ越えて（溢れて）、外槽４２内の貯留空間に流れる（オーバーフローする）。なお、処理槽３４及び外槽４２の上部開口は、不図示の蓋体により閉鎖されてもよい。

基板昇降機構３６は、エッチング処理を行う際にロットを構成する複数の基板８を処理槽３４内に支持し、エッチング処理の前後において複数の基板８を昇降させる。図４に示されるように、基板昇降機構３６は、水平方向（Ｘ軸方向）に沿って配列された複数の基板８を支持する。基板昇降機構３６により支持されている複数の基板８それぞれの主面は、ＹＺ平面に沿って延びている。すなわち、複数の基板８は、それぞれ垂直方向（鉛直方向：Ｚ軸方向）に主面が延びるように、基板昇降機構３６により垂直姿勢で支持される。基板昇降機構３６は、処理液貯留部３８の外側に設けられた昇降駆動部（不図示）を備えており、昇降駆動部の駆動により鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動可能とされている。基板昇降機構３６は、支持板７１と、ガイド板７２と、複数（例えば４つ）の基板支持部材７３ａ〜７３ｄ（基板支持部）とを有する。

支持板７１は、昇降駆動部（不図示）に対して接続されるとともに、ガイド板７２及び複数の基板支持部材７３ａ〜７３ｄを支持する。支持板７１は、板状であって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って延びている。すなわち、支持板７１は、一対の主面がそれぞれＹＺ平面に延在するように配置されている。支持板７１は、Ｘ軸方向において、側壁３４ｂ寄りに配置されている。支持板７１の下端は、複数の基板８よりも下方に位置している。支持板７１の一方の主面（側壁３４ａと対向する主面）には、ガイド板７２が設けられている。ガイド板７２は、基板８に対応した大きさの円板状を呈している（図４も参照）。

複数の基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、複数の基板８を垂直姿勢で支持する。基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、それぞれ、断面形状が長方形状の部材であり、支持板７１のガイド板７２が設けられている側の主面（側壁３４ａと対向する主面）の下方に固定され、当該主面から側壁３４ａに向かう方向（Ｘ軸方向）に延びる。基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、処理槽３４内に収容した状態での基板８の外形に対応した配置とされている。具体的には、Ｘ軸方向から見て、基板支持部材７３ａ，７３ｂは、側方（側壁３４ｃ，３４ｄに近い側）に配置されており、基板支持部材７３ｃ，７３ｄは、中央（側壁３４ｃ，３４ｄから遠い側）に配置されている。また、基板支持部材７３ａ，７３ｂは、基板支持部材７３ｃ，７３ｄよりも上方に配置されている。基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、上面に複数（例えば５０〜５２個）の基板支持溝を含んでいる。この基板支持溝に基板８の周縁部を挿入することで、基板昇降機構３６（基板支持部材７３ａ〜７３ｄ）は、複数の基板８を保持することができる。

以降では、基板昇降機構３６により支持されている複数の基板８のうちのＸ軸負側から数えてｎ番目（ｎは１〜Ｎの整数）に配置された基板を「基板Ｗｎ」として説明する場合がある。例えば、最も側壁３４ａに近い位置に配置された基板を「基板Ｗ１」、最も側壁３４ａから離間した位置に配置された基板を「基板ＷＮ」とする。また、複数の基板８それぞれにおける一対の主面のうち、側壁３４ａに近い主面を「主面Ｗａ」とし、側壁３４ｂに近い主面を「主面Ｗｂ」とする。さらに、処理槽３４内において基板昇降機構３６（基板支持部材７３ａ〜７３ｄ）に支持されている状態の基板８（基板Ｗｎ）を単に「基板８（基板Ｗｎ）」として説明する。

処理槽３４の底壁３４ｅ近傍には、循環流路４９（図２参照）の一端に接続される複数（例えば３つ）の処理液吐出部材６０（処理液吐出部）と、接続部材６３とが設けられる。複数の処理液吐出部材６０の上流側には、循環流路４９から連続する複数（例えば２つ）の供給管６１が配置される。複数の供給管６１は、支持板７１と側壁３４ｂとの間に配置されて、鉛直方向に延びている。供給管６１の下端には、処理液を分岐させる分岐部（不図示）を介して複数の処理液吐出部材６０が接続されている。

複数の処理液吐出部材６０は、処理液を処理槽３４内に吐出する。複数の処理液吐出部材６０は、それぞれ、Ｘ軸方向に沿って延びている筒状の部材であり、供給管６１側の端部では分岐部に対して連通するとともに、供給管６１側と逆側の端部は閉じている。複数の処理液吐出部材６０は、Ｙ軸方向において互いに略同じ間隔で並んで配置されている。複数の処理液吐出部材６０は、Ｘ軸方向から見て、基板８（基板Ｗ１）の横幅の範囲内に配置されている。この例では、複数の処理液吐出部材６０は、Ｙ軸方向において、基板支持部材７３ａ，７３ｃの間、基板支持部材７３ｃ，７３ｄの間、及び基板支持部材７３ｄ，７３ｂの間にそれぞれ配置されている。

複数の処理液吐出部材６０は、複数の基板８（の下端）よりも下方において、互いに略同じ高さ位置に配置されている。図５に示される例では、複数の処理液吐出部材６０の上端は、基板支持部材７３ｃ，７３ｄの上端（及び高さ方向中央）よりも低い。各処理液吐出部材６０は、複数の吐出孔（不図示）を有する。複数の吐出孔は、各処理液吐出部材６０の周面に分散して配置されている。複数の吐出孔を介して処理液が処理槽３４内の貯留空間に吐出されることで、処理液吐出部材６０は処理液の上昇流Ｆｕ（図４参照）を生成する。なお、処理液の上昇流とは、処理槽３４内に貯留されている処理液の内部において鉛直方向に沿って下から上に向って流れる処理液の流れである。

接続部材６３は、複数の処理液吐出部材６０の端部同士を物理的に接続する。接続部材６３は、Ｙ軸方向に延びる棒状の部材であり、複数の処理液吐出部材６０の先端（側壁３４ａに近い他端）に設けられている。図４に示される例では、接続部材６３は、Ｘ軸方向において基板Ｗ１（第１基板）と側壁３４ａとの間に配置されている。なお、図５では、接続部材６３の図示は省略されている。

処理槽３４内の底壁３４ｅ近傍には、ガス供給部５５の供給路の一端に接続される複数（例えば６つ）のガス吐出部材６５と、接続部材６８とが設けられる。複数のガス吐出部材６５の上流側には、ガス供給部５５の供給路から連続する複数（例えば２つ）の供給管６６が配置される。複数の供給管６６は、支持板７１と側壁３４ｂとの間に、供給管６１と干渉しないように配置されて、鉛直方向に延びている。供給管６６の下端には、ガスを分岐させる分岐部（不図示）を介して複数のガス吐出部材６５が接続されている。

複数のガス吐出部材６５は、不活性ガスを処理槽３４内に吐出し、窒素ガスからなる気泡により処理液の上昇流Ｆｕの形成を促進する。この窒素ガスの供給により、上昇流Ｆｕの状態が均一に保たれやすくなる。複数のガス吐出部材６５は、それぞれ、Ｘ軸方向に沿って延びている筒状の部材であり、供給管６６側の端部では分岐部に対して連通するとともに、供給管６６側と逆側の端部は閉じている。複数のガス吐出部材６５は、Ｙ軸方向に沿って並んで配置されている。複数のガス吐出部材６５は、Ｘ軸方向から見て、基板８（基板Ｗ１）の横幅の範囲内に配置されている。図５に示される例では、基板支持部材７３ａ，７３ｃの間、基板支持部材７３ｃ，７３ｄの間、及び基板支持部材７３ｄ，７３ｂの間のそれぞれにおいて、１つの処理液吐出部材６０を間に挟むように２つのガス吐出部材６５が配置されている。

複数のガス吐出部材６５は、複数の処理液吐出部材６０（の中心）よりも下方に配置されている。各ガス吐出部材６５は、複数の吐出孔（不図示）を有する。複数の吐出孔は、各ガス吐出部材６５の周面に分散して配置されている。複数の吐出孔を介して不活性ガスが処理槽３４内に吐出されることで、処理液の上昇流Ｆｕの形成が促進される。

接続部材６８は、複数のガス吐出部材６５の端部同士を物理的に接続する。接続部材６８は、Ｙ軸方向に沿って延びる棒状の部材であり、複数のガス吐出部材６５の先端（側壁３４ａに近い他端）に設けられている。図４に示される例では、接続部材６８は、基板Ｗ１と側壁３４ａとの間に配置されている。接続部材６８は、Ｘ軸方向において接続部材６３と略同じ位置に配置されており、接続部材６３よりも下方に配置されている。なお、図５では、接続部材６８の図示は省略されている。

処理槽３４内において基板支持部材７３ａ〜７３ｄにより支持されている複数の基板８は、Ｘ軸方向において互いに略等しい間隔で配置されている。一例として、基板Ｗ１と基板Ｗ２との間隔Ｄ１は、４ｍｍ〜６ｍｍ程度である。なお、間隔Ｄ１は、基板Ｗ１の主面Ｗｂと基板Ｗ２の主面Ｗａとの間の最短距離である。基板Ｗ１と側壁３４ａとの間隔Ｄ２は、間隔Ｄ１の３倍〜５倍程度である。一例として、間隔Ｄ２は１２ｍｍ〜３０ｍｍ程度である。なお、間隔Ｄ２は、基板Ｗ１の主面Ｗａと側壁３４ａの内面との間の最短距離である。基板ＷＮとガイド板７２との間隔は、間隔Ｄ１の２倍〜３倍程度である。一例として、基板ＷＮとガイド板７２との間隔は、８ｍｍ〜１８ｍｍ程度である。

基板８に係る液処理を行う際、エッチング処理装置２６の処理液貯留部３８では、循環流路４９を流れる処理液が供給管６１を経て処理液吐出部材６０に設けられた吐出孔から処理槽３４内に供給される。複数の処理液吐出部材６０から吐出された処理液は、上昇流Ｆｕとして複数の基板８同士の間を流れる。また、複数の処理液吐出部材６０から吐出された処理液により、基板Ｗ１と側壁３４ａとの間の側方空間Ｖａ及び基板ＷＮとガイド板７２との間の側方空間Ｖｂにもそれぞれ上昇流Ｆｕが形成される。さらに、複数の処理液吐出部材６０から吐出された処理液によって、複数の基板８（基板支持部材７３ａ）と側壁３４ｃとの間の側方空間Ｖｃ、及び複数の基板８（基板支持部材７３ｂ）と側壁３４ｄとの間の側方空間Ｖｄにおいてもそれぞれ上昇流Ｆｕが形成される。

上昇流Ｆｕとして処理槽３４内を上方へ移動して上端近傍に達した処理液は、処理槽３４の側壁３４ａ〜３４ｄを越流し、流れＦｏとして外槽４２内の貯留空間に流れ込む（外槽４２へオーバーフローする）。外槽４２内の貯留空間の処理液は、再度、循環流路４９を経由して処理槽３４内に供給される。以降、処理槽３４内への処理液の吐出、上昇流の形成、外槽４２への越流、及び循環流路４９を経由した処理槽３４内への供給が繰り返される。この際、制御部７は、外槽４２内の貯留空間の処理液の液面高さが所定の範囲に維持されるように、処理液循環部４０（ポンプ５０）及び処理液排出部４１（バルブ４１Ｂ）を制御してもよい。このような処理液の循環が繰り返されている処理槽３４内に、複数の基板８が所定時間浸漬されることで、基板８それぞれの主面Ｗａ及び主面Ｗｂの少なくとも一方に対して液処理（エッチング処理）が施される。このエッチング処理では、主面Ｗａ，Ｗｂにおけるエッチング量が、主面Ｗａ，Ｗｂに沿って流れる上昇流Ｆｕの強さ又は向きに応じて変化し得る。

ここで、エッチング処理装置２６は、処理液の流れを調節する整流部９８及び整流部９９（第２整流部）を備えている。整流部９８は、側方空間Ｖａ，Ｖｂにおいて処理液の流れを調節する。具体的には、整流部９８は、側方空間Ｖａ，Ｖｂにおいて、後述する下降流による液処理への影響を抑制するように、処理液の流れを調節する。整流部９８は、複数（例えば１１個）の排出孔７５ａ（第１排出孔）と、複数（例えば１１個）の排出孔７５ｂと、複数（例えば１１個）の排出孔７５ｃとを有する。

複数の排出孔７５ａは、処理槽３４内の処理液を排出する機能を有する。複数の排出孔７５ａは、側壁３４ａに設けられていて、それぞれＸ軸方向において側壁３４ａを貫通している。したがって、複数の排出孔７５ａは、処理槽３４内の貯留空間（側方空間Ｖａ）と外槽４２内の貯留空間とを接続する。Ｘ軸方向から見て、各排出孔７５ａの形状（輪郭）は、長方形であってもよく、円形又は楕円形であってもよい。あるいは、各排出孔７５ａの形状は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向のいずれか一方に延びるようなスリット状であってもよい。

複数の排出孔７５ａは、基板８（基板Ｗ１）の上端部と対向するように配置されている。なお、複数の排出孔７５ａが基板Ｗ１の上端部と対向しているとは、排出孔７５ａの少なくとも一部が、基板Ｗ１の上端（基板Ｗ１の最も高い点）から基板Ｗ１の３／４の高さまでの範囲内に位置していることである。図５に例示されるように、複数の排出孔７５ａは、基板Ｗ１の上端部における上方寄りに配置されていてもよい。例えば、排出孔７５ａの少なくとも一部が、基板Ｗ１の上端から基板Ｗ１の７／８の高さまでの範囲内に位置していてもよい。あるいは、複数の排出孔７５ａは、基板Ｗ１の上端に対向するように配置されていてもよい。この場合、排出孔７５ａの少なくとも一部が、基板Ｗ１の上端と略等しい高さ位置に配置されていればよい。

複数の排出孔７５ａは、水平方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで配置されている。例えば複数の排出孔７５ａは、Ｙ軸方向において、隣り合う排出孔７５ａ同士の間隔が略等しくなるように配置されている。図５に示される例では、複数の排出孔７５ａは、基板Ｗ１の横幅と略等しい範囲内において一列に並んで配置されている。なお、複数の排出孔７５ａは、基板Ｗ１の横方向（Ｙ軸方向）における中央領域に配置され、中央領域よりも外側には配置されていなくてもよい。基板Ｗ１の横方向における中央領域とは、例えば、基板Ｗ１の横幅の１／３の範囲を含む領域である。このように形成された複数の排出孔７５ａは、側方空間Ｖａにおいて、処理槽３４内に貯留されている処理液を外槽４２内の貯留空間に排出する。

複数の排出孔７５ｂ及び複数の排出孔７５ｃは、処理槽３４内の処理液を排出する機能を有する。複数の排出孔７５ｂは、側壁３４ｂに設けられていて、それぞれ、Ｘ軸方向において側壁３４ｂを貫通している。複数の排出孔７５ｃは、支持板７１及びガイド板７２に設けられている。複数の排出孔７５ｃは、Ｘ軸方向において支持板７１及びガイド板７２を貫通している。なお、図４では、複数の排出孔７５ｂ，７５ｃのうちの１つの排出孔が示されており、図５では、複数の排出孔７５ｂ，７５ｃの図示は省略されている。複数の排出孔７５ｂと複数の排出孔７５ｃとは、Ｘ軸方向から見て互いに対応する位置に配置されている。具体的には、Ｘ軸方向から見て、複数の排出孔７５ｂのそれぞれの少なくとも一部が、複数の排出孔７５ｃとそれぞれ重なっている。

複数の排出孔７５ｂ，７５ｃは、複数の排出孔７５ａに対応するように配置されている。高さ方向における基板ＷＮに対する複数の排出孔７５ｂ，７５ｃの位置関係は、基板Ｗ１に対する複数の排出孔７５ａの位置関係と同様とされている。排出孔７５ｂ，７５ｃは、水平方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで配置されている。例えば、複数の排出孔７５ｂ，７５ｃは、Ｙ軸方向において、隣り合う排出孔７５ｂ，７５ｃ同士の間隔が略等しくなるように配置されている。Ｙ軸方向における基板ＷＮに対する複数の排出孔７５ｂ，７５ｃの位置関係は、基板Ｗ１に対する複数の排出孔７５ａの位置関係と同様である。このように形成された複数の排出孔７５ｂ，７５ｃは、側方空間Ｖｂにおいて、処理槽３４内に貯留されている処理液を外槽４２内の貯留空間に排出する。

整流部９９は、側方空間Ｖｃ，Ｖｄにおいて処理液の流れを調節する。具体的には、整流部９９は、側方空間Ｖｃ，Ｖｄにおいて下降流による液処理への影響を抑制するように、処理液の流れを調節する。整流部９９は、複数（例えば９個）の排出孔７６ａ（第２排出孔）と、複数（例えば９個）の排出孔７６ｂ（第２排出孔）とを有する。

複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、それぞれ、処理槽３４内の処理液を排出する機能を有する。複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、側壁３４ａに接続されている側壁３４ｃ，３４ｄにそれぞれ設けられている。複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、Ｙ軸方向において側壁３４ｃ，３４ｄを貫通している。なお、図４では、複数の排出孔７６ａの図示は省略されており、図５では、複数の排出孔７６ａ，７６ｂのうちの１つの排出孔が示されている。複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、複数の排出孔７５ａに対応する高さ位置に配置されている。複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、Ｘ軸方向に沿って並んで配置されている。例えば複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、Ｘ軸方向において、隣り合う排出孔７６ａ，７６ｂ同士の間隔が略等しくなるように配置されている。複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、Ｘ軸方向において、基板Ｗ１よりも側壁３４ａに近い位置から、基板ＷＮよりも側壁３４ｂに近い位置までの範囲内に並んで配置されている。複数の排出孔７６ａの配置位置は、複数の排出孔７６ｂの配置位置に対応している。換言すると、Ｙ軸方向から見て、複数の排出孔７６ａは、複数の排出孔７６ｂと重なっている。このように形成された複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、側方空間Ｖｃ，Ｖｄにおいて、処理槽３４内に貯留されている処理液を外槽４２内の貯留空間に排出する。

複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃ及び複数の排出孔７６ａ，７６ｂの高さ位置（以下、「排出孔高さ」という。）は、外槽４２内に貯留されている処理液の液面高さよりも高い。具体的には、排出孔高さは、制御部７により所定の高さ位置に維持される外槽４２内の処理液の液面高さよりも高くてもよい。排出孔高さが、外槽４２内の処理液の液面高さよりも高いことにより、処理槽３４内の処理液が排出孔を介して外槽４２内の貯留空間に排出されやすい。

［作用］
上記実施形態で説明したエッチング処理装置２６では、側方空間Ｖａにおいて処理液の流れを調節する整流部９８が備えられる。基板Ｗ１の側壁３４ａと対向する主面Ｗａに沿って流れる上昇流が乱されると、基板Ｗ１の主面Ｗａにおける処理が不均一となるおそれがある。上記構成では、整流部９８により側方空間Ｖａにおいて処理液の流れが調節されることで、基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って流れる上昇流の乱れが抑制される。このため、上昇流の乱れによる基板液処理への影響が低減されるので、基板面内の処理の均一性を向上させることが可能となる。

処理槽３４内では、基板８に係る液処理が行われる間、上述のように処理液吐出部材６０により上昇流Ｆｕが形成される。このとき、処理液の多くは処理槽３４から外槽４２へ越流するが、処理液の一部は処理槽３４内を循環する流れを形成する場合がある。具体的には、処理槽３４内の側方空間Ｖａに下降流Ｆｄを形成することで、処理槽３４内を循環する処理液の流れが形成されることがある。処理槽３４の複数の基板８の間には上昇流Ｆｕが形成されているため、下降流Ｆｄが形成される場合、基板８と処理槽３４の側壁３４ａ〜３４ｄとの間の空間に形成されると考えられる。特に、基板Ｗ１の主面Ｗａと側壁３４ａとの間の側方空間Ｖａは、基板８同士の間隔Ｄ１よりも大きな間隔Ｄ２を有している場合が多いため、下降流Ｆｄが形成されやすい。下降流Ｆｄが形成されると、処理液の上昇流Ｆｕが乱される。上昇流Ｆｕの乱れは、基板８におけるエッチング処理に影響を与える。上述したように、エッチング処理では、基板８の主面に沿って流れる上昇流Ｆｕの強さ又は向きに応じてエッチング量が変化し得る。したがって、下降流Ｆｄが基板８の主面の近傍に形成されると、上昇流Ｆｕの乱れが生じ、当該基板８の主面におけるエッチング処理に影響を与え、基板面内の液処理の均一性に影響を与える可能性がある。

これに対して、エッチング処理装置２６では、側方空間Ｖａにおいて処理液の流れを調節する整流部９８が設けられる。そのため、整流部９８によって、側方空間Ｖａにおける処理液の上昇流Ｆｕの乱れが抑制される。そのため、側方空間Ｖａ近傍に配置される基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って流れる上昇流Ｆｕの乱れが抑制されて、基板面内の液処理の均一性を向上させることができる。

エッチング処理装置２６において、整流部９８は、側壁３４ａに設けられ、処理槽３４内の処理液を排出する排出孔７５ａを有する。この場合、排出孔７５ａが側壁３４ａに設けられることにより、処理槽３４の上端近傍まで上昇した処理液は、排出孔７５ａを介して処理槽３４外（外槽４２内の貯留空間）に排出される。このため、側方空間Ｖａにおける下降流Ｆｄの形成を防ぐことが可能となるため、下降流Ｆｄに起因して発生する基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って流れる上昇流Ｆｕの乱れが抑制される。その結果、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

エッチング処理装置２６において、排出孔７５ａは、基板Ｗ１の上端部に対向するように設けられている。この場合、排出孔７５ａによって、基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って下降流Ｆｄが形成されることをより効果的に防ぐことができる。また、排出孔７５ａが基板Ｗ１の上端部に対向して設けられる場合、側方空間Ｖａにおける上昇流Ｆｕが排出孔７５ａによって乱されることを防ぐことができる。排出孔７５ａが設けられる高さ位置によっては、側方空間Ｖａにおける上昇流Ｆｕが排出孔７５ａからの処理液の排出による影響を受けることが考えられる。これに対して、排出孔７５ａが基板Ｗ１の上端部に対向している場合、側方空間Ｖａでの上昇流Ｆｕの乱れの発生を抑制することができる。

エッチング処理装置２６は、処理槽３４の側壁３４ａに接続されている側壁３４ｂ，３４ｄに設けられ、処理槽３４内の処理液を排出する排出孔７６ａ，７６ｂを有する整流部９９を更に備えている。この場合、排出孔７６ａ，７６ｂによる処理液の排出によって、側壁３４ｃ，３４ｄと基板Ｗ１の周面との間の側方空間Ｖｃ，Ｖｄにおける下降流Ｆｄの形成が防がれる。そのため、側方空間Ｖｃ，Ｖｄにおいて形成される下降流Ｆｄの影響を受けて基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って流れる上昇流Ｆｕが乱れることが防がれるため、基板面内の液処理の均一性をより向上させることが可能となる。

なお、複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、上述の構成に限られない。複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、処理槽３４内の処理液を外槽４２内の貯留空間に排出できれば、どのような構成であってもよい。整流部９８は、複数の排出孔７５ａに代えて、水平方向（Ｙ軸方向）に沿って延びるように形成されたスリット状の１つの排出孔を有していてもよい。整流部９８は、複数の排出孔７５ｂ，７５ｃに代えて、水平方向（Ｙ軸方向）に沿って延びるように形成されたスリット状の１つの排出孔を有していてもよい。排出孔７５ａの個数と排出孔７５ｂ（排出孔７５ｃ）の個数とは、互いに異なっていてもよい。複数の排出孔７５ａの配置位置と複数の排出孔７５ｂの配置位置とは互いに異なっていてもよい（Ｘ軸方向から見て互いに重なっていなくてもよい）。

複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃのそれぞれの高さ位置は、互いに異なっていてもよい。例えば、Ｘ軸方向から見て、複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、基板Ｗ１又は基板ＷＮの上端部周縁に沿うように配置されていてもよい。複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、Ｙ軸方向において、隣り合う排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃ同士の間隔が異なるように配置されていてもよい。複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃの形状（輪郭）及び大きさの少なくとも一方が、互いに異なっていてもよい。複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、基板Ｗ１又は基板ＷＮの上端部以外の領域と対向していてもよい。例えば、複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、基板Ｗ１又は基板ＷＮの高さ方向における中央領域に対向していてもよい。

複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、処理槽３４内の処理液を外槽４２内の貯留空間に排出できれば、どのような構成であってもよい。整流部９９は、複数の排出孔７６ａ，７６ｂに代えて、Ｘ軸方向に沿って延びるように形成されたスリット状の１つの排出孔を有していてもよい。排出孔７６ａの個数と排出孔７６ｂの個数とは、互いに異なっていてもよい。複数の排出孔７６ａの配置位置と複数の排出孔７６ｂの配置位置とは互いに異なっていてもよい（Ｙ軸方向から見て互いに重なっていなくてもよい）。

複数の排出孔７６ａ，７６ｂのそれぞれの高さ位置は、互いに異なっていてもよい。複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、Ｘ軸方向において、隣り合う排出孔７６ａ，７６ｂ同士の間隔が異なるように配置されていてもよい。複数の排出孔７６ａ，７６ｂの形状（輪郭）及び大きさの少なくとも一方が、互いに異なっていてもよい。複数の排出孔７６ａ，７６ｂは、基板８の高さ方向における中央領域の高さ位置に配置されていてもよく、基板Ｗ１の下端部の高さ位置に配置されていてもよい。複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃの高さ位置と、複数の排出孔７６ａ，７６ｂの高さ位置とは互いに異なっていてもよい。

なお、上記実施形態では、複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７６ａ，７６ｂが設けられている場合について説明したが、整流部９８として少なくとも側壁３４ａにおいて複数の排出孔７５ａが設けられていればよい。側壁３４ａにおいて複数の排出孔７５ａが設けられていることにより、少なくとも側方空間Ｖａにおける上昇流Ｆｕの乱れを抑制することができ、基板Ｗ１の主面Ｗａにおけるエッチング処理が上昇流Ｆｕの乱れの影響を受けることを防ぐことができる。

［第２実施形態］
続いて、図６〜図８を参照して第２実施形態に係る基板液処理システムを説明する。第２実施形態に係る基板液処理システムが備えるエッチング処理装置２６Ａは、整流部の構造が第１実施形態で説明したエッチング処理装置２６と異なる。エッチング処理装置２６Ａにおける整流部９８Ａは、複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃに代えて板状部材８１と複数の固定部材８２とを有する。また、エッチング処理装置２６Ａにおける整流部９９Ａは、複数の排出孔７６ａ，７６ｂに代えて板状部材８３ａ，８３ｂと複数の固定部材８４ａ，８４ｂとを有する。

図６及び図７に示されるように、側方空間Ｖａに設けられる整流部９８Ａとしての板状部材８１は、側方空間Ｖａを２つの領域に仕切る。板状部材８１は、板状を呈しており、主面がＹＺ平面に沿って延びる。換言すると、板状部材８１の一対の主面は、それぞれ基板８の主面Ｗａ，Ｗｂと略平行であると共に、側壁３４ａと略平行である。板状部材８１は、基板Ｗ１及び側壁３４ａのそれぞれに対向するように、基板Ｗ１と側壁３４ａとの間に配置されている。図６及び図７に示される例では、Ｘ軸方向から見て、板状部材８１は基板Ｗ１の全域を覆っている。すなわち、Ｘ軸方向から見て、板状部材８１の大きさ（面積）は、基板Ｗ１の大きさよりも大きい。つまり、板状部材８１の横幅（Ｙ軸方向の長さ）は、基板Ｗ１の横幅よりも長く、板状部材８１の縦幅（Ｚ軸方向の長さ）は、基板Ｗ１の縦幅よりも長い。板状部材８１の下端は、基板Ｗ１の下端よりも低い。なお、図７では、板状部材８１の下端が、処理液吐出部材６０よりも低い状態を示しているが、板状部材８１の下端の位置は適宜変更することができる。なお、板状部材８１が側方空間Ｖａに配置されることにより、基板Ｗ１と側壁３４ａとは、板状部材８１を介して互いに対向する。

Ｘ軸方向において、板状部材８１は、基板Ｗ１及び側壁３４ａと離間している。板状部材８１は、基板Ｗ１と対向する対向面８１ａと、対向面８１ａとは反対側の接続面８１ｂとを有する。すなわち、対向面８１ａは板状部材８１の一方の主面に相当し、接続面８１ｂは板状部材８１の他方の主面に相当する。板状部材８１と基板Ｗ１との間隔Ｄ３は、板状部材８１と側壁３４ａとの間隔Ｄ４に略一致してもよく、間隔Ｄ４よりも小さくてもよい。間隔Ｄ３は、対向面８１ａと基板Ｗ１の主面Ｗａとの間の最短距離である。間隔Ｄ４は、接続面８１ｂと側壁３４ａの内面との間の最短距離である。間隔Ｄ３は、間隔Ｄ１に略一致してもよく、間隔Ｄ１よりも小さくてもよい。なお、間隔Ｄ３及び間隔Ｄ４の関係、及び間隔Ｄ３及び間隔Ｄ１の関係は上記に限定されない。

複数（例えば４つ）の固定部材８２（固定部）は、板状部材８１を処理槽３４（側壁３４ａ）に固定する。複数の固定部材８２は、例えば直方体状を呈している。各固定部材８２の一端が側壁３４ａに接続され、固定部材８２の他端が板状部材８１（接続面８１ｂ）に接続されることで、板状部材８１は、複数の固定部材８２を介して処理槽３４に接続される（固定される）。複数の固定部材８２は、側方空間Ｖａにおいて処理液の流れを大きく阻害しなければ、どのような大きさ及び形状を有していてもよく、どのように配置されていてもよい。

基板Ｗ１と側壁３４ａとの間に板状部材８１が配置されることで、側方空間Ｖａが２つの空間に仕切られる。具体的には、板状部材８１は、側方空間Ｖａを空間Ｖａ１と空間Ｖａ２との２つに区画する。空間Ｖａ１は、基板Ｗ１と板状部材８１との間の空間であり、空間Ｖａ２は側壁３４ａと板状部材８１との間の空間である。空間Ｖａ１及び空間Ｖａ２は、それぞれ鉛直方向に延びる空間である。空間Ｖａ１及び空間Ｖａ２の大きさ（体積）の大小関係は、間隔Ｄ３及び間隔Ｄ４の大小関係に依存しており、空間Ｖａ１の大きさは、空間Ｖａ２の大きさに略一致してもよく、空間Ｖａ２よりも小さくてもよい。

図７に示されるように、側方空間Ｖｃには、整流部９９Ａとしての板状部材８３ａ及び複数（例えば４つ）の固定部材８４ａが配置されており、側方空間Ｖｄには、整流部９９Ａとしての板状部材８３ｂ及び複数の固定部材８４ｂが配置されている。板状部材８３ａ，８３ｂは、板状部材８１と同様に構成されており、Ｙ軸方向から見て複数の基板８（基板Ｗ１〜ＷＮ）を覆っている。板状部材８３ａは、基板８（Ｗｎ）の周面及び側壁３４ｃと離間している。また、板状部材８３ｂは、基板８（Ｗｎ）の周面及び側壁３４ｄと離間している。この結果、板状部材８３ａ，８３ｄは、それぞれ側方空間Ｖｃ，Ｖｄを２つの空間に仕切る。具体的には、板状部材８３ａは、側方空間Ｖｃを、基板８の周面と板状部材８３ａとの間の空間、及び板状部材８３ａと側壁３４ｃとの間の空間の２つに区画する。同様に、板状部材８３ｂは、側方空間Ｖｄを、基板８の周面と板状部材８３ｂとの間の空間、及び板状部材８３ｂと側壁３４ｄとの間の空間の２つに区画する。なお、固定部材８４ａ，８４ｂは、固定部材８２と同様に構成されており、板状部材８３ａ，８３ｂを側壁３４ｃ，３４ｄ（処理槽３４）に固定している。換言すると、板状部材８３ａ，８３ｂは、固定部材８４ａ，８４ｂを介して処理槽３４に固定されている。

第２実施形態に係るエッチング処理装置２６Ａにおいて、整流部９８Ａは、側方空間Ｖａに配置される板状部材８１を有する。板状部材８１は、基板Ｗ１から離間していると共に側壁３４ａから離間している。板状部材８１の一方の主面は、基板Ｗ１に対向する対向面８１ａである。この構成では、処理槽３４の上端近傍まで上昇した処理液の一部が側方空間Ｖａのうちの板状部材８１と側壁３４ａとの空間Ｖａ２において下降流Ｆｄを形成し得る。すなわち、空間Ｖａ２が、下降流Ｆｄが形成され得る空間となる。このような空間Ｖａ２を形成することで、当該空間とは異なる空間における下降流Ｆｄの形成を防ぐことができる。したがって、空間Ｖａ１に配置される基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って下降流Ｆｄが形成されることを防ぐことができ、基板Ｗ１の主面Ｗａに沿う上昇流Ｆｕの乱れが抑制される。その結果、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

エッチング処理装置２６Ａにおいて、基板Ｗ１と板状部材８１との間隔Ｄ３は、板状部材８１と側壁３４ａとの間隔Ｄ４よりも小さい。この場合、基板Ｗ１と板状部材８１との間の空間Ｖａ１よりも、板状部材８１と側壁３４ａとの間のＶａ２に下降流Ｆｄが形成されやすい。このため、基板Ｗ１の主面Ｗａに沿う上昇流Ｆｕの乱れをさらに抑制することができるため、基板面内の液処理の均一性がより確実に図られる。

エッチング処理装置２６Ａにおいて、整流部９８Ａは、板状部材８１を処理槽３４に固定する固定部材８２を有する。この場合、固定部材８２によって板状部材８１が処理槽３４に固定されるので、例えば基板支持部材７３ａ〜７３ｄを処理槽３４外に移動させ、複数の基板８の受け渡しを行う場合に、板状部材８１が基板８の受け渡しに影響しない。その結果、基板支持部材７３ａ〜７３ｄへの基板の容易な受け渡しと基板面内の処理の均一性向上との両立が図られる。

なお、板状部材８１は、上記の構成に限られない。板状部材８１は、主面（対向面８１ａ）と直交する方向から見て、基板Ｗ１の全域と重なる位置に設けられていなくてもよい。例えば、板状部材８１は、基板Ｗ１の一部と重なる位置に設けられていてもよい。また、例えば、基板Ｗ１の横幅の１／３程度の幅を有する板状部材８１が、主面（対向面８１ａ）と直交する方向から見て、基板Ｗ１の一部と重なるように設けられてもよい。あるいは、基板Ｗ１の縦幅の１／３程度を有する板状部材８１が、基板Ｗ１の上端部と重なるように設けられてもよい。板状部材８１は、主面（対向面８１ａ）と直交する方向から見て、基板Ｗ１に対応した形状を呈していてもよい。あるいは、板状部材８１が基板Ｗ１の上端部を覆う場合に、板状部材８１が基板Ｗ１の上端部に対応した形状を呈していてもよい。

上記のように、板状部材８１の形状は適宜変更することができるが、空間Ｖａ２での下降流Ｆｄの形成を促進する観点からは、主面（対向面８１ａ）と直交する方向から見て、板状部材８１と基板Ｗ１と重なる領域を大きくし、且つ、板状部材８１が占める面積を大きくすることが考えられる。このような構成とすることで、空間Ｖａ１と空間Ｖａ２とをより明確に区画することができ、空間Ｖａ２における下降流Ｆｄの形成を促進することができると考えられる。なお、板状部材８１は、固定部材８２を介して処理槽３４の側壁３４ａ以外の部分（例えば底壁３４ｅ）に固定されていてもよい。

板状部材８１は、処理槽３４とは異なる部材に固定されていてもよい。図９には、板状部材８１が基板昇降機構３６の基板支持部材７３ａ〜７３ｄに設けられる場合のエッチング処理装置２６Ａの構成が例示されている。図９に示されるように、板状部材８１は、基板支持部材７３ａ〜７３ｄの先端部（支持板７１に固定されている端部とは逆の端部）に固定されていてもよい。例えば、基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、板状部材８１を支持するための支持溝を有していてもよい。なお、この場合でも、基板Ｗ１と板状部材８１との間隔Ｄ３は、板状部材８１と側壁３４ａとの間隔Ｄ４に略一致するか、間隔Ｄ４よりも小さい構成とすることができる。このように板状部材８１を処理槽３４ではなく基板昇降機構３６に対して固定した場合でも、側方空間Ｖａは、基板Ｗ１と板状部材８１との間の空間、及び板状部材８１と側壁３４ａとの間の空間に板状部材８１により区画される。また、板状部材８１によって側方空間Ｖａを２つの空間に区画することにより、下降流Ｆｄが形成され得る空間以外の空間において、上昇流Ｆｕの乱れを防ぐことができる。

図９に例示されるエッチング処理装置２６Ａにおいて、基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、鉛直方向及び基板Ｗ１の主面Ｗａに交差する方向に沿って延びている。特に、基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、鉛直方向及び基板Ｗ１の主面Ｗａに直交する方向（Ｘ軸方向）に沿って延びている。また、板状部材８１は、基板支持部材７３ａ〜７３ｄのうち基板Ｗ１が配置されている先端部に設けられている。この場合、板状部材８１が処理槽３４に対して固定されている場合と比較して板状部材８１を基板Ｗ１に近づけることができる。このため、板状部材８１と基板Ｗ１との間の空間が小さくなり、板状部材８１と側壁３４ａとの間に下降流Ｆｄがより確実に流れる。その結果、基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って下降流Ｆｄが形成されることがより確実に防がれるので、基板面内の液処理の均一性の向上がより確実に図られる。

なお、板状部材８１は、分離した複数の板状の部材（仕切部材）で構成されてもよい。図１０には、側方空間Ｖａに配置される整流部９８Ａとしての板状部材が、基板支持部材７３ａ〜７３ｄ及び処理槽３４のそれぞれに設けられる場合のエッチング処理装置２６Ａの構成が例示されている。図１０に示される例では、板状部材８１に対応する部材として、仕切部材８５（第１仕切部材）と、仕切部材８７ａ，８７ｂ（第２仕切部材）とによって板状部材が構成されている。仕切部材８５は、固定部材８６（固定部）を介して処理槽３４（側壁３４ａ）に固定されており、基板Ｗ１の横方向（Ｙ軸方向）における中央領域に対向するように配置されている。仕切部材８７ｂは、基板支持部材７３ａ，７３ｃの先端部に固定されており、仕切部材８７ａは、基板支持部材７３ｂ，７３ｄの先端部に固定されている。仕切部材８７ａ，８７ｂは、基板Ｗ１の横方向における中央領域の側方の領域に対向するようにそれぞれ配置されている。仕切部材８５の主面と直交する方向（Ｘ軸方向）から見て、仕切部材８５は、仕切部材８７ａ，８７ｂの双方と重なっていない。換言すると、仕切部材８５は、側方空間Ｖａに配置される板状部材の対向面の一部を構成しており、仕切部材８７ａ，８７ｂは、当該対向面の他の部分を構成している。

図１０に例示されるエッチング処理装置２６Ａにおいて、基板支持部材７３ａ〜７３ｄは、鉛直方向及び基板Ｗ１の主面Ｗａの双方に直交する方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる。整流部９８Ａは、板状部材を処理槽３４に接続するための固定部材８６を有する。当該板状部材は、処理槽３４に固定部材８６を介して接続されている仕切部材８５と、基板支持部材７３ａ〜７３ｄの基板Ｗ１が配置されている端部に設けられている仕切部材８７ａ，８７ｂとを有する。仕切部材８５は、板状部材の基板Ｗ１に対向する対向面の一部を構成している。仕切部材８７ａ，８７ｂは、当該対向面の他の部分を構成している。このような構成を有していることで、例えば基板支持部材７３ａ〜７３ｄを処理槽３４外に移動させ、複数の基板８の受け渡しを行う場合に、板状部材が受け渡し作業に干渉することを防ぐことができる。具体的には、図９で示した構成に比較して、基板支持部材７３ａ〜７３ｄの先端部には少なくとも仕切部材８５の分のスペースが生じている。このため、当該スペースに、基板８の受け渡しに利用する部材を通して複数の基板８の受け渡しを行うことができるので、板状部材が基板８の受け渡しに影響し難い。その結果、基板の容易な受け渡しと基板面内の処理の均一性向上との両立が図られる。

［第３実施形態］
続いて、図１１及び図１２を参照して第３実施形態に係る基板液処理システムを説明する。第３実施形態に係る基板液処理システムが備えるエッチング処理装置２６Ｂは、整流部９８Ｂが複数の排出孔７５ａ，７５ｂ，７５ｃに代えて突出部材９１と突出部材９２とを有する点、整流部９９Ｂを備えない点においてエッチング処理装置２６と相違する。

図１１及び図１２に示される突出部材９１は、側壁３４ａの内面に沿って（側壁３４ｃから側壁３４ｄに向う方向に沿って）延びる棒状の部材である。図１１に示される例では、突出部材９１の断面形状（長手方向に対して直交する面における断面形状）は四角形である。突出部材９１は、側方空間Ｖａにおいて側壁３４ａの内面に固定されており、基板Ｗ１に向かって突出している。突出部材９１は、基板Ｗ１と対向する対向面９１ａを有する。対向面９１ａは、基板Ｗ１の上端部（上端）と対向している。突出部材９１と基板Ｗ１との間隔Ｄ５（第１間隔）は、基板Ｗ１と基板Ｗ２との間隔Ｄ１（第２間隔）に略一致するか、間隔Ｄ１よりも小さくすることができる。なお、間隔Ｄ５は、突出部材９１の対向面９１ａと基板Ｗ１の主面Ｗａとの間の最短距離である。間隔Ｄ５が間隔Ｄ１に略一致するとは、間隔Ｄ５が間隔Ｄ１と完全に一致する場合だけなく、間隔Ｄ５が間隔Ｄ１の０．９５倍〜１．０５倍の範囲内に収まる場合も含まれる。なお、間隔Ｄ５が間隔Ｄ１よりも大きくてもよい。

突出部材９１は、側壁３４ａの上端に設けられている。例えば突出部材９１の上面の高さ位置は、側壁３４ａの上面の高さ位置に略一致する。図１２に示されるように、突出部材９１の横幅（Ｙ軸方向における長さ）は、基板Ｗ１の横幅よりも長くすることができる。例えば、突出部材９１の横幅は、側壁３４ｃと側壁３４ｄとの間の距離と略同じである。

突出部材９２は、支持板７１の基板ＷＮに近い主面に沿って（側壁３４ｃから側壁３４ｄに向う方向に沿って）延びる棒状の部材である。図１１に示される例では、突出部材９２の断面形状（長手方向に対して直交する面における断面形状）は四角形であり、突出部材９２の断面の大きさは、突出部材９１の断面の大きさと略同じである。突出部材９２は、側方空間Ｖｂにおいて、基板昇降機構３６の支持板７１に固定されており、基板ＷＮに向かって突出している。突出部材９２は、基板ＷＮと対向する対向面９２ａを有する。対向面９２ａと基板ＷＮとの間隔は、間隔Ｄ１に略一致するか、間隔Ｄ１よりも小さくすることができる。

図１１に示されるように、突出部材９２は、ガイド板７２の上方に配置されている。突出部材９２は、高さ方向において突出部材９１に対応するように設けられている。例えば突出部材９２の上面の高さ位置は、側壁３４ｂの上面の高さ位置に略一致する。図１２に示されるように、突出部材９２の横幅は、基板ＷＮの横幅よりも長く、側壁３４ｃと側壁３４ｄとの間の距離よりも小さい。つまり、突出部材９２は、側壁３４ｃ及び側壁３４ｄの双方に離間している。

第３実施形態に係るエッチング処理装置２６Ｂにおいて、整流部９８Ｂは、側壁３４ａの内面から処理槽３４の内側、すなわち、基板Ｗ１に向けて突出する突出部材９１を有する。突出部材９１は、側壁３４ａに沿って鉛直方向と交差する方向に延びている。この構成では、下降流Ｆｄが基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って流れようとしても、突出部材９２によって流れが遮られる。その結果、下降流に起因する上昇流の乱れが抑制されるので、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

エッチング処理装置２６Ｂにおいて、整流部９８Ｂが突出部材９１，９２を有することで、側方空間Ｖａ，Ｖｂにおいて処理槽３４の上端付近まで上昇した処理液は、越流する流れＦｏとして外槽４２内の貯留空間に流れやすくなる。また、突出部材９１が側壁３４ａの上端に設けられることで、突出部材９１の上面及び側壁３４ａを越えるような流れＦｏが生じやすくなる。突出部材９２が、支持板７１に設けられることで、突出部材９２を避けて側壁３４ｃ，３４ｄを越えるような流れＦｏが生じやすくなる。

エッチング処理装置２６Ｂにおいて、突出部材９１と基板Ｗ１との間隔Ｄ５は、複数の基板８のうちの基板Ｗ１と隣り合う基板Ｗ２と、基板Ｗ１との間隔Ｄ１に略一致するか、又は間隔Ｄ１よりも小さい。この場合、下降流Ｆｄが側方空間Ｖａに流れようとしても、側方空間Ｖａの流路が狭いので側方空間Ｖａにおいて下降流Ｆｄが形成され難い。その結果、下降流Ｆｄに起因する上昇流Ｆｕの乱れがより確実に抑制されるので、基板面内の液処理の均一性がより確実に図られる。

なお、突出部材９１，９２は、上述の構成に限定されない。突出部材９１，９２の横幅（Ｙ軸方向における長さ）は、基板Ｗ１の横幅と略同じであってもよく、基板Ｗ１の横幅よりも狭くてもよい。例えば突出部材９１，９２の横幅は、基板Ｗ１の横幅の１／３程度であってもよく、当該突出部材９１，９２が、基板Ｗ１の幅方向における中央領域に対応して設けられてもよい。突出部材９１，９２は、互いに分離した複数の柱状体により構成されており、当該複数の柱状体全体として、Ｙ軸方向に沿って延びていればよい。突出部材９１，９２は、基板Ｗ１の上端部以外の領域に対応するように配置されていてもよい。突出部材９１，９２の上面は、側壁３４ａ，３４ｂの上面よりも低くてもよい。

図１３には、基板Ｗ１の主面と直交する方向から見て、突出部材９１が基板Ｗ１の上端部の周縁に沿うように配置されている場合のエッチング処理装置２６Ｂの構成が例示されている。この場合、整流部９８Ｂは、突出部材９１に代えて突出部材９３を有する。図１３に示される突出部材９３は、側壁３４ａに沿って、基板Ｗ１の上端に対応する突出部材９３の中央位置から両外側に向けて下方に傾斜して延びている。すなわち、基板Ｗ１の主面Ｗａと直交する方向から見て、突出部材９３の中央位置から両外側の端部に向かうにつれて、上面の高さ位置は徐々に低くなっている。なお、突出部材９３の基板Ｗ１の上端に対応する頂点は、側壁３４ｃ，３４ｄの上面よりも低くされている。

図１３に例示されるエッチング処理装置２６Ｂにおいて、突出部材９３は、基板Ｗ１の上端に対応する中央位置から両外側に向けて下方に傾斜して延びている。この場合、突出部材９３に向って流れようとする下降流Ｆｄが、突出部材９３の傾斜により基板Ｗ１の外側（側方空間Ｖｃ，Ｖｄ）に回避するように流れる。このため、基板Ｗ１の主面Ｗａに沿って流れる下降流Ｆｄの形成が防がれるので、基板面内の液処理の均一性を向上させることが可能となる。

突出部材９１のＸＺ平面における断面形状は、長方形に限られない。図１４には、突出部材の延在方向に直交する平面における断面形状が三角形である場合のエッチング処理装置２６Ｂの構成が例示されている。この場合、整流部９８Ｂは、突出部材９１，９２に代えて突出部材９１Ｘ，９２Ｘを有する。突出部材９１Ｘは、基板Ｗ１と対向する対向面９１ａ（側面）を有する。対向面９１ａは、下方に向かうにつれて側壁３４ａに近づくように（基板Ｗ１から離れるように）傾斜している。突出部材９２Ｘは、基板ＷＮと対向する対向面９２ａ（側面）を有する。対向面９２ａは、下方に向かうにつれて側壁３４ｂに近づくように（基板ＷＮから離れるように）傾斜している。突出部材９１Ｘ，９２Ｘの上面は、側壁３４ａ，３４ｂの上面よりも低くてもよい。なお、突出部材９１Ｘ，９２Ｘの上面の高さ位置は、側壁３４ａ，３４ｂの上面の高さ位置と略同じであってもよい。

図１４に例示されるエッチング処理装置２６Ｂにおいて、突出部材９１Ｘの基板Ｗ１と対向する対向面９１ａは、下方に向かうにつれて側壁３４ａに近づくように傾斜している。突出部材９２Ｘの基板ＷＮと対向する対向面９２ａは、下方に向かうにつれて側壁３４ｂに近づくように傾斜している。この場合、側方空間Ｖａ，Ｖｂにおいて上昇してきた処理液の流れ（上昇流Ｆｕ）が突出部材９１Ｘ，９２Ｘにより阻害され難い。その結果、液処理の確実な実行と面内均一性の向上との両立が図られる。

上記で開示された種々の実施形態は全ての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

整流部９８は、第１実施形態に係る排出孔７５ａ、第２実施形態に係る板状部材８１、及び第３実施形態に係る突出部材９１のうちの２つ以上の要素を組み合わせることで、側方空間Ｖａにおいて処理液の流れを調節してもよい。

複数の基板８（基板Ｗ１〜ＷＮ）の全ての主面Ｗａ，Ｗｂが、ＹＺ平面に沿って延びていなくてもよい。複数の基板８のうちの少なくとも基板Ｗ１の主面Ｗａ，Ｗｂが、ＹＺ平面に沿って延びていればよい。

Ａ１…基板液処理装置、８，Ｗ１，Ｗ２…基板、３４…処理槽、３４ａ〜３４ｄ…側壁、６０…処理液吐出部材、７３ａ〜７３ｄ…基板支持部材、７５ａ…排出孔、７６ａ，７６ｂ…排出孔、８１…板状部材、８２…固定部材、９１…突出部材、９８，９９…整流部、Ｖａ〜Ｖｄ…側方空間。

Claims (13)

1. 複数の基板に液処理を施すための処理液を貯留する処理槽と、
   前記処理槽内において、前記複数の基板のそれぞれの主面が鉛直方向に沿うように前記複数の基板を支持する基板支持部と、
   前記基板支持部により支持されている前記複数の基板よりも下方に設けられ、前記処理槽内に前記処理液を吐出することで上昇流を生成する処理液吐出部と、
   前記処理槽の第１側壁と、前記複数の基板のうち前記第１側壁に対向する主面を有する第１基板と、の間に形成される側方空間において、前記処理液の流れを調節する整流部と、
   を備える基板液処理装置。
2. 前記整流部は、前記第１側壁に設けられ、前記処理槽内の前記処理液を排出する第１排出孔を有する、請求項１に記載の基板液処理装置。
3. 前記第１排出孔は、前記第１基板の上端部に対向するように設けられている、請求項２に記載の基板液処理装置。
4. 前記処理槽の前記第１側壁に接続されている第２側壁に設けられ、前記処理槽内の前記処理液を排出する第２排出孔を有する第２整流部を更に備える、請求項２又は３に記載の基板液処理装置。
5. 前記整流部は、前記側方空間に配置される板状部材を有し、
   前記板状部材は、前記第１基板及び前記第１側壁から離間しており、
   前記板状部材の一方の主面は、前記第１基板に対向する対向面である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
6. 前記第１基板と前記板状部材との間隔は、前記板状部材と前記第１側壁との間隔よりも小さい、請求項５に記載の基板液処理装置。
7. 前記整流部は、前記板状部材を前記処理槽に固定する固定部を有する、請求項５又は６に記載の基板液処理装置。
8. 前記基板支持部は、前記鉛直方向及び前記第１基板の主面に対して交差する方向に沿って延びて前記複数の基板を下方から支持し、
   前記板状部材は、前記基板支持部に対して固定されている、請求項５又は６に記載の基板液処理装置。
9. 前記基板支持部は、前記鉛直方向及び前記第１基板の主面に対して交差する方向に沿って延びて前記複数の基板を下方から支持し、
   前記整流部は、前記板状部材を固定するための固定部を有し、
   前記板状部材は、前記処理槽に前記固定部を介して固定されている第１仕切部材と、前記基板支持部に対して固定されている第２仕切部材とを有し、
   前記第１仕切部材は、前記対向面の一部を構成しており、
   前記第２仕切部材は、前記対向面の他の部分を構成している、請求項５又は６に記載の基板液処理装置。
10. 前記整流部は、前記第１側壁の内面から内側へ突出すると共に前記第１側壁に沿って前記鉛直方向と交差する方向に延びる突出部材を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
11. 前記突出部材と前記第１基板との間隔である第１間隔は、前記複数の基板のうち前記第１基板と隣り合う第２基板と前記第１基板との間隔である第２間隔に略一致するか、又は前記第２間隔よりも小さい、請求項１０に記載の基板液処理装置。
12. 前記突出部材は、前記第１基板の上端に対応する中央位置から両外側に向けて下方に傾斜して延びている、請求項１０又は１１に記載の基板液処理装置。
13. 前記突出部材のうち前記第１基板と対向する側面は、下方に向かうにつれて前記第１側壁に近づくように傾斜している、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の基板液処理装置。

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