KR20190045858A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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다카시 이케다
히로유키 마스토미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판을 균일하게 에칭하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리조와, 처리액 공급 노즐과, 조압 플레이트를 구비한다. 처리액 공급 노즐은, 기판 처리조 내의 아래쪽에 마련되고, 처리액을 복수의 토출구로부터 토출한다. 조압 플레이트는, 처리액 공급 노즐과 기판 처리조 내의 기판과의 사이에 마련되고, 처리액을 통류시키는 복수의 구멍을 가지며, 처리액 공급 노즐로부터 토출된 처리액의 유입 압력을 조정한다. 또한, 조압 플레이트는, 처리액 공급 노즐측 면으로부터 돌출되고, 처리액 공급 노즐측 면을 복수의 구획 영역으로 구획하는 리브를 구비한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시된 실시형태는, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 예컨대, 질소 가스 등을 기포로서 혼합시킨 처리액을 처리조에 공급하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2017-69529호 공보
그러나, 상기 기판 처리 장치에서는, 기포를 혼합시킨 처리액에 의해 기판에 균일한 처리를 행한다는 점에서 개선의 여지가 있다.
실시형태의 일 양태는, 기판을 균일하게 에칭하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리조와, 처리액 공급 노즐과, 조압(調壓) 플레이트를 구비한다. 처리액 공급 노즐은, 기판 처리조 내의 아래쪽에 마련되고, 처리액을 복수의 토출구로부터 토출한다. 조압 플레이트는, 처리액 공급 노즐과 기판 처리조 내의 기판과의 사이에 마련되고, 처리액을 통류시키는 복수의 구멍을 가지며, 처리액 공급 노즐로부터 토출된 처리액의 유입 압력을 조정한다. 또한, 조압 플레이트는, 처리액 공급 노즐측 면으로부터 돌출되고, 처리액 공급 노즐측 면을 복수의 구획 영역으로 구획하는 리브를 구비한다.
실시형태의 일 양태에 따르면, 기판을 균일하게 에칭할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 에칭용 처리조의 공급계의 구성을 나타낸 개략 블록도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 조압 플레이트의 개략 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV 개략 단면도이다.
도 5는 처리액 공급 노즐로부터 토출된 에칭액에 포함되는 기포의 상태를 나타낸 개략 모식도이다.
도 6은 제1 실시형태에 따른 정류 플레이트의 개략 평면도이다.
도 7은 변형예에 따른 정류 플레이트의 개략 평면도이다.
도 8은 제1 실시형태에 따른 기포 발생부의 개략 구성도이다.
도 9는 제2 실시형태에 따른 조압 플레이트의 개략 평면도이다.
도 10은 제3 실시형태에 따른 조압 플레이트의 개략 평면도이다.
도 11은 제4 실시형태에 따른 에칭용 처리조의 구성을 나타낸 개략 블록도이다.
도 12는 제4 실시형태에 따른 기포 발생부의 구성을 나타낸 개략 구성도이다.
도 13은 제5 실시형태에 따른 기포 발생부를 에칭액의 흐름 방향에서 본 개략 정면도이다.
도 14는 도 13의 XIV-XIV 개략 단면도이다.
도 15는 도 13에 도시된 상태로부터, 혼입부를 90° 회전시킨 기포 발생부를 나타낸 도면이다.
도 16은 도 15의 XVI-XVI 개략 단면도이다.
도 17은 변형예에 따른 기포 발생부를 에칭액의 흐름 방향에서 본 개략 정면도이다.
도 18은 도 17의 XVIII-XVIII 개략 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원의 개시된 기판 처리 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
(제1 실시형태)
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 캐리어 반입출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(100)를 갖는다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 평면도이다. 여기서는, 수평 방향에 직교하는 방향을 상하 방향으로 하여 설명한다.
캐리어 반입출부(2)는, 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입, 및 반출을 행한다.
캐리어 반입출부(2)에는, 복수 장의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다.
캐리어 반입출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나, 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 즉, 캐리어 반입출부(2)는, 로트 처리부(6)로부터 처리하기 전의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 캐리어 스톡(12)이나, 캐리어 배치대(14)에 반송한다.
캐리어 스톡(12)은, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 일시적으로 보관한다.
캐리어 배치대(14)에 반송되고, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)로부터는, 후술하는 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 장의 기판(8)이 반출된다.
또한, 캐리어 배치대(14)에 배치되고, 기판(8)을 수용하지 않는 캐리어(9)에는, 기판 반송 기구(15)로부터, 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수 장의 기판(8)이 반입된다.
캐리어 반입출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치되고, 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나, 캐리어 스테이지(10)에 반송한다.
캐리어 스톡(13)은, 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수 장의 기판(8)을 일시적으로 보관한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)에는, 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 로트 형성부(3)는, 기판 반송 기구(15)에 의한 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(8)의 반송을 2회 행하고, 복수 장(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어진 로트를 형성한다.
로트 형성부(3)는, 기판 반송 기구(15)를 이용하여, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 로트 배치부(4)로 복수 장의 기판(8)을 반송하고, 복수 장의 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치함으로써, 로트를 형성한다.
로트를 형성하는 복수 장의 기판(8)은, 로트 처리부(6)에 의해 동시에 처리된다. 로트를 형성할 때에는, 복수 장의 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성하여도 좋고, 또한, 복수 장의 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 전부 한쪽을 향하도록 로트를 형성하여도 좋다.
또한, 로트 형성부(3)는, 로트 처리부(6)에서 처리가 행해지고, 로트 배치부(4)에 배치된 로트로부터, 기판 반송 기구(15)를 이용하여 복수 장의 기판(8)을 캐리어(9)로 반송한다.
기판 반송 기구(15)는, 복수 장의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전의 복수 장의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부(도시되지 않음)와, 처리 후의 복수 장의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부(도시되지 않음)의 2종류를 갖고 있다. 이에 따라, 처리 전의 복수 장의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 복수 장의 기판(8) 등에 전착되는 것을 방지할 수 있다.
기판 반송 기구(15)는, 복수 장의 기판(8)의 반송 도중에, 복수 장의 기판(8)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세, 및 수직 자세에서 수평 자세로 변경한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치부(16)에서 일시적으로 배치(대기)한다.
로트 배치부(4)에는, 반입측 로트 배치대(17)와, 반출측 로트 배치대(18)가 마련되어 있다.
반입측 로트 배치대(17)에는, 처리 전의 로트가 배치된다. 반출측 로트 배치대(18)에는, 처리 후의 로트가 배치된다.
반입측 로트 배치대(17), 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1로트 분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 배치된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나, 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 배치한 레일(20)과, 로트를 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)를 갖는다.
이동체(21)에는, 수직 자세로 전후로 나란한 복수 장의 기판(8)으로 형성되는 로트를 유지하는 기판 유지체(22)가 마련되어 있다.
로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 수취한 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다.
또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 수취한 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다.
또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 전후로 나란한 복수 장의 기판(8)으로 형성된 로트에 에칭이나, 세정이나, 건조 등의 처리를 행한다.
로트 처리부(6)에는, 로트에 에칭 처리를 행하는 2대의 에칭 처리 장치(23)와, 로트의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(24)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(25)와, 로트의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(26)가 나란히 마련되어 있다. 또한, 에칭 처리 장치(23)의 대수는, 2대로 한정되지 않고, 1대여도 좋고, 3대 이상이어도 좋다.
에칭 처리 장치(23)는, 에칭용 처리조(27)와, 린스용 처리조(28)와, 기판 승강 기구(29, 30)를 갖는다.
에칭용 처리조(27)에는, 에칭용 처리액(이하, 「에칭액」이라고 함)이 저류된다. 린스용 처리조(28)에는, 린스용 처리액(순수 등)이 저류된다. 또한, 에칭용 처리조(27)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
기판 승강 기구(29, 30)에는 로트를 형성하는 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 유지된다.
에칭 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(29)로 수취하고, 수취한 로트를 기판 승강 기구(29)로 강하시킴으로써 로트를 처리조(27)의 에칭액에 침지시켜 에칭 처리를 행한다.
그 후, 에칭 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(29)를 상승시킴으로써 로트를 처리조(27)로부터 꺼내고, 기판 승강 기구(29)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
그리고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(30)로 수취하고, 수취한 로트를 기판 승강 기구(30)로 강하시킴으로써 로트를 처리조(28)의 린스용 처리액에 침지시켜 린스 처리를 행한다.
그 후, 에칭 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(30)를 상승시킴으로써 로트를 처리조(28)로부터 꺼내고, 기판 승강 기구(30)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
세정 처리 장치(24)는, 세정용 처리조(31)와, 린스용 처리조(32)와, 기판 승강 기구(33, 34)를 갖는다.
세정용 처리조(31)에는, 세정용 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용 처리조(32)에는, 린스용 처리액(순수 등)이 저류된다. 기판 승강 기구(33, 34)에는, 1로트분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 유지된다.
건조 처리 장치(26)는, 처리조(35)와, 처리조(35)에 대하여 승강하는 기판 승강 기구(36)를 갖는다.
처리조(35)에는, 건조용 처리 가스(IPA(이소프로필알코올) 등)가 공급된다. 기판 승강 기구(36)에는, 1로트분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 유지된다.
건조 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 수취한 로트를 기판 승강 기구(36)로 강하시켜 처리조(35)에 반입하며, 처리조(35)에 공급한 건조용 처리 가스로 로트의 건조 처리를 행한다. 그리고, 건조 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로 로트를 상승시키고, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에, 건조 처리를 행한 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(25)는, 처리조(37)를 가지며, 처리조(37)에 세정용 처리액, 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
제어부(100)는, 기판 처리 장치(1)의 각부(캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6))의 동작을 제어한다. 제어부(100)는, 스위치 등으로부터의 신호에 기초하여, 기판 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어한다.
제어부(100)는, 예컨대 컴퓨터로 이루어지고, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(38)를 갖는다. 기억 매체(38)에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다.
제어부(100)는, 기억 매체(38)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)에 기억되어 있던 것으로서, 다른 기억 매체로부터 제어부(100)의 기억 매체(38)에 인스톨된 것이어도 좋다.
컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)로는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
다음에, 에칭용 처리조(27)에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 에칭용 처리조(27)의 구성을 나타낸 개략 블록도이다. 여기서는, 수평 방향 중, 처리조(27)에 있어서 복수의 기판(8)이 배치되는 방향, 즉, 기판(8)에 대하여 수직인 방향을 전후 방향으로 하고, 수평 방향 중, 전후 방향에 직교하는 방향을 좌우 방향으로 하여 설명한다.
본 실시형태에서는, 에칭액으로서, 소정 농도의 약제(인산(H3PO4))의 수용액(이하, 「인산 수용액」이라고 함)에 실리콘 용액이 혼합된 액이 사용된다. 또한, 에칭액은, 인산 처리액으로 한정되는 일은 없다.
에칭용 처리조(27)는, 인산 수용액 공급부(40)와, 인산 수용액 배출부(41)와, 순수 공급부(42)와, 실리콘 공급부(43)와, 질소 공급부(44)와, 내부조(45)와, 외부조(46)와, 조압 플레이트(47)와, 정류 플레이트(48)를 갖는다.
인산 수용액 공급부(40)는, 인산 수용액 공급원(40A)과, 인산 수용액 공급 라인(40B)과, 제1 유량 조정기(40C)를 갖는다.
인산 수용액 공급원(40A)은, 인산 수용액을 저류하는 탱크이다. 인산 수용액 공급 라인(40B)은, 인산 수용액 공급원(40A)과 외부조(46)를 접속하고, 인산 수용액 공급원(40A)으로부터 외부조(46)에 인산 수용액을 공급한다.
제1 유량 조정기(40C)는, 인산 수용액 공급 라인(40B)에 마련되고, 외부조(46)로 공급되는 인산 수용액의 유량을 조정한다. 제1 유량 조정기(40C)는, 개폐 밸브나, 유량 제어 밸브나, 유량계 등으로 구성된다.
순수 공급부(42)는, 순수 공급원(42A)과, 순수 공급 라인(42B)과, 제2 유량 조정기(42C)를 갖는다. 순수 공급부(42)는, 에칭액을 가열함으로써 증발한 수분을 보급하기 위해서 외부조(46)에 순수(DIW)를 공급한다.
순수 공급 라인(42B)은, 순수 공급원(42A)과 외부조(46)를 접속하고, 순수 공급원(42A)으로부터 외부조(46)에 소정 온도의 순수를 공급한다.
제2 유량 조정기(42C)는, 순수 공급 라인(42B)에 마련되고, 외부조(46)로 공급되는 순수의 유량을 조정한다. 제2 유량 조정기(42C)는, 개폐 밸브, 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다.
실리콘 공급부(43)는, 실리콘 공급원(43A)과, 실리콘 공급 라인(43B)과, 제3 유량 조정기(43C)를 갖는다.
실리콘 공급원(43A)은, 실리콘 용액, 예컨대 콜로이달 실리콘을 분산시킨 실리콘 용액을 저류하는 탱크이다. 실리콘 공급 라인(43B)은, 실리콘 공급원(43A)과 외부조(46)를 접속하고, 실리콘 공급원(43A)으로부터 외부조(46)에 실리콘 용액을 공급한다.
제3 유량 조정기(43C)는, 실리콘 공급 라인(43B)에 마련되고, 외부조(46)로 공급되는 실리콘 용액의 유량을 조정한다. 제3 유량 조정기(43C)는, 개폐 밸브나, 유량 제어 밸브나, 유량계 등으로 구성된다.
질소 공급부(44)는, 질소 공급원(44A)과, 질소 공급 라인(44B)과, 제4 유량 조정기(44C)를 갖는다. 질소 공급부(44)는, 에칭액에 불활성 가스인 질소를 공급한다.
질소 공급원(44A)은, 질소(N2)를 저류하는 탱크이다. 질소 공급 라인(44B)은, 질소 공급원(44A)과 후술하는 순환 라인(50)을 접속하고, 질소 공급원(44A)으로부터 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액에 질소를 공급한다.
제4 유량 조정기(44C)는, 질소 공급 라인(44B)에 마련되고, 순환 라인(50)으로 공급하는 질소의 유량을 조정한다. 제4 유량 조정기(44C)는, 개폐 밸브나, 유량 제어 밸브나, 유량계 등으로 구성된다.
내부조(45)는, 상부가 개방되고, 에칭액이 상부 부근까지 공급된다. 내부조(45)에서는, 기판 승강 기구(29)에 의해 로트(복수 장의 기판(8))가 에칭액에 침지되고, 기판(8)에 에칭 처리가 행해진다. 내부조(45)는, 기판 처리조를 구성한다.
내부조(45)의 아래쪽에는, 전후 방향을 따라 처리액 공급 노즐(49)이 마련된다. 처리액 공급 노즐(49)은, 좌우 방향으로 2개 마련된다. 또한, 처리액 공급 노즐(49)의 수는, 이것에 한정되지 않고, 1개여도 좋고, 3개 이상이어도 좋다.
처리액 공급 노즐(49)에는, 좌측 방향 및 우측 방향을 향해 기포를 포함하는 에칭액을 토출하는 토출구(49A)가 복수 형성된다. 토출구(49A)는, 전후 방향을 따라 복수 형성된다. 또한, 토출구(49A)는, 예컨대, 좌측으로 비스듬하게 위쪽 및 우측으로 비스듬하게 위쪽을 향해 에칭액을 토출하여도 좋다.
또한, 내부조(45)에는, 처리액 공급 노즐(49)과 기판(8) 사이에, 조압 플레이트(47) 및 정류 플레이트(48)가 마련된다. 조압 플레이트(47)는, 정류 플레이트(48)보다도 하방측에 마련된다. 즉, 조압 플레이트(47)는, 정류 플레이트(48)와 처리액 공급 노즐(49) 사이에 마련된다.
조압 플레이트(47) 및 정류 플레이트(48)는, 석영이나, 비정질 카본 등의 내약품성 부재로 구성된다.
여기서, 조압 플레이트(47)에 대해서, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은, 제1 실시형태에 따른 조압 플레이트(47)의 개략 평면도이다. 도 4는 도 3의 IV-IV 개략 단면도이다.
조압 플레이트(47)에는, 상하 방향을 따라 구멍(47A)이 형성된다. 구멍(47A)은, 좌우 방향 및 전후 방향으로 복수 형성되고, 에칭액을 통류시킨다. 조압 플레이트(47)는, 처리액 공급 노즐(49)(도 2 참조)로부터 토출된 에칭액의 유입 압력을 조정하고, 수평 방향(전후 방향 및 좌우 방향)에 있어서의 에칭액의 유입 압력을 조정한다. 즉, 조압 플레이트(47)는, 구멍(47A)으로부터 위쪽으로 유출되는 에칭액의 유입 압력을 균일화할 수 있다. 또한, 구멍(47A)의 형상은, 원형이지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 타원형이나 직사각형이어도 좋다.
조압 플레이트(47)는, 처리액 공급 노즐(49)측 면(이하, 「이면」이라고 함)으로부터 처리액 공급 노즐(49)을 향해 돌출되는 리브(47B)를 갖는다.
리브(47B)는, 조압 플레이트(47)의 이면의 주연부를 따라 형성되는 제1 리브(47C)와, 전후 방향을 따라 형성되는 제2 리브(47D)를 갖는다. 제1 리브(47C)는, 조압 플레이트(47)의 이면 전체 둘레에 형성된다.
제2 리브(47D)는, 좌우 방향으로 나란히 복수 형성되고, 조압 플레이트(47)의 이면을 복수의 영역으로 구획한다. 즉, 조압 플레이트(47)의 이면은, 리브(47B)에 의해, 복수의 영역(이하, 「구획 영역」이라고 함)으로 구획된다. 복수의 구획 영역은, 좌우 방향으로 나란히 형성된다.
조압 플레이트(47)의 이면을 리브(47B)(제1 리브(47C) 및 제2 리브(47D)에 의해 복수의 구획 영역으로 구획함으로써, 도 5에 도시된 바와 같이, 구획 영역에 들어간 기포(도 5 중, 「B」로 나타냄)가, 다른 구획 영역으로 이동하는 것이 억제된다. 도 5는 처리액 공급 노즐(49)로부터 토출된 에칭액에 포함되는 기포(B)의 상태를 나타낸 개략 모식도이다.
각 구획 영역은, 복수의 구멍(47A)을 포함하도록 형성된다. 구멍(47A)에는, 처리액 공급 노즐(49)측의 개구부에 모따기부(47E)가 형성된다. 모따기부(47E)는, 처리액 공급 노즐(49)측의 개구부의 전체 둘레에 형성된다. 이에 따라, 에칭액에 포함되는 기포가, 조압 플레이트(47)의 이면측의 개구부 부근에 머무는 것을 억제하고, 구멍(47A)에 있어서의 에칭액의 유통성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 정류 플레이트(48)에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 제1 실시형태에 따른 정류 플레이트(48)의 개략 평면도이다.
정류 플레이트(48)에는, 좌우 방향을 따라 슬릿(48A)이 형성된다. 슬릿(48A)은, 조압 플레이트(47)의 구멍(47A)과는 상이한 형상으로 형성된다. 슬릿(48A)은, 전후 방향으로 나란히 복수 형성된다. 슬릿(48A)은, 내부조(45) 내의 기판(8)에 대하여 균일한 에칭액의 평행류를 발생시킨다. 즉, 정류 플레이트(48)는, 에칭액의 흐름을 정류한다.
처리액 공급 노즐(49)측의 슬릿(48A)의 개구부에는, 조압 플레이트(47)와 마찬가지로, 모따기부(도시되지 않음)가 형성된다. 모따기부, 처리액 공급 노즐(49)측의 개구부의 전체 둘레에 형성된다. 이에 따라, 에칭액에 포함되는 기포가, 처리액 공급 노즐(49)측의 슬릿(48A)의 개구부 부근에 머무는 것을 억제하고, 슬릿(48A)에 있어서의 에칭액의 유통성을 향상시킬 수 있다.
또한, 정류 플레이트(48)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 인접한 슬릿(48A) 사이를 구획하는 칸막이부(48B)가, 에칭액의 흐름에 따라 휘는 것을 억제하기 위해서, 전후 방향을 따라 형성되는 보강부(48C)를 마련하여도 좋다. 도 7은 변형예에 따른 정류 플레이트(48)의 개략 평면도이다.
도 2로 되돌아가, 외부조(46)는, 내부조(45)의 상부 주위에 마련됨과 더불어 상부가 개방된다. 외부조(46)에는, 내부조(45)로부터 오버 플로우한 에칭액이 유입된다. 또한, 외부조(46)에는, 순수 공급부(42)로부터 순수가 공급된다. 또한, 외부조(46)에는, 실리콘 공급부(43)로부터 실리콘 용액이 공급된다.
외부조(46)에는, 보온 플레이트(46A)가 마련된다. 보온 플레이트(46A)는, 외부조(46)의 외측의 측벽에 탈착 가능하게 마련된다. 보온 플레이트(46A)는, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 내약품성 부재에 의해 구성된다. 보온 플레이트(46A)는, 외부조(46) 내의 에칭액을 보온한다.
또한, 보온 플레이트(46A)는, 외부조(46)의 용적을 변경하는 조정 플레이트로서도 기능한다. 예컨대, 보온 플레이트(46A)를 부착함으로써, 보온 플레이트(46A)를 부착하지 않는 경우와 비교하여, 외부조(46)의 용적을 작게 하고, 에칭 처리에서 사용하는 에칭액을 적게 할 수 있다. 또한, 두께가 다른 보온 플레이트(46A)를 외부조(46)에 탈착함으로써, 외부조(46)의 용적을 조정할 수 있어, 에칭 처리에서 사용하는 에칭액의 양을 조정할 수 있다.
외부조(46)와 내부조(45)는 순환 라인(50)에 의해 접속된다. 순환 라인(50)의 일단은, 외부조(46)에 접속되고, 순환 라인(50)의 타단은, 내부조(45) 내에 설치된 처리액 공급 노즐(49)에 접속된다. 순환 라인(50)은, 처리액 공급로를 구성한다.
순환 라인(50)에는, 외부조(46) 측에서부터 차례로, 펌프(51), 히터(52), 필터(53), 기포 발생부(54)가 마련된다. 외부조(46) 내의 에칭액은 히터(52)에 의해 가온되어 처리액 공급 노즐(49)로부터 내부조(45) 내에 유입된다. 히터(52)는, 내부조(45)에 공급되는 에칭액을, 에칭 처리에 알맞은 소정 온도로 가온한다.
펌프(51)를 구동시킴으로써, 에칭액은, 외부조(46)로부터 순환 라인(50)을 거쳐 내부조(45) 내로 보내진다. 또한, 에칭액은, 내부조(45)로부터 오버 플로함으로써, 다시 외부조(46)로 유출된다. 이와 같이 하여, 에칭액의 순환로(55)가 형성된다. 즉, 순환로(55)는, 외부조(46), 순환 라인(50), 내부조(45)에 의해 형성된다. 순환로(55)에서는, 내부조(45)를 기준으로 하여 외부조(46)가 히터(52)보다도 상류측에 마련된다.
또한, 필터(53)와 기포 발생부(54) 사이의 순환 라인(50)에는, 질소 공급 라인(44B)이 접속되고, 순환 라인(50)을 흐르는 에칭액에 질소가 혼입된다.
기포 발생부(54)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 스태틱 믹서이며, 질소 공급 라인(44B)으로부터 에칭액에 혼입된 질소를 복수의 엘리먼트(54A)를 회전시킴으로써 미세화하고, 직경을 작게 한 기포를 순환 라인(50) 내에서 발생시킨다. 도 8은 제1 실시형태에 따른 기포 발생부(54)의 개략 구성도이다.
도 2로 되돌아가, 인산 수용액 배출부(41)는, 에칭 처리에서 사용된 에칭액의 전부, 또는 일부를 교체할 때에 에칭액을 배출한다. 인산 수용액 배출부(41)는, 배출 라인(41A)과, 제5 유량 조정기(41B)와, 냉각 탱크(41C)를 갖는다.
배출 라인(41A)은, 순환 라인(50)에 접속된다. 제5 유량 조정기(41B)는, 배출 라인(41A)에 마련되고, 배출되는 에칭액의 배출량을 조정한다. 제5 유량 조정기(41B)는, 개폐 밸브나, 유량 제어 밸브나, 유량계 등으로 구성된다. 냉각 탱크(41C)는, 배출 라인(41A)을 흘러온 에칭액을 일시적으로 저류함과 더불어 냉각시킨다.
또한, 제1 유량 조정기(40C)∼제5 유량 조정기(41B)를 구성하는 개폐 밸브의 개폐나, 유량 제어 밸브의 개방도는, 제어부(100)로부터의 신호에 기초하여 액츄에이터(도시하지 않음)가 동작함으로써, 변경된다. 즉, 제1 유량 조정기(40C)∼제5 유량 조정기(41B)를 구성하는 개폐 밸브나, 유량 제어 밸브는, 제어부(100)에 의해 제어된다.
기판 처리 장치(1)에서는, 리브(47B)에 의해 조압 플레이트(47)의 이면이 복수의 구획 영역으로 구획된다. 이에 따라, 구획 영역 사이에 있어서의 기포의 이동을 억제할 수 있어, 조압 플레이트(47)의 구멍(47A)을 지나 위쪽으로 흐르는 기포에 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 예컨대, 조압 플레이트(47)가 좌우 방향으로 기울어 부착된 경우여도, 구획 영역 사이에 있어서의 기포의 이동이 리브(47B)에 의해 억제되고, 각 구획 영역에 포함되는 구멍(47A)으로부터 유출되는 에칭액의 흐름을 균일화할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)의 표면을 균일하게 에칭할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)에서는, 기포 발생부(54)에 의해 질소 기포가 미세화되고, 미세화된 기포를 포함하는 에칭액이 처리액 공급 노즐(49)로부터 내부조(45)로 토출된다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 미세화된 기포를 포함하는 에칭액으로 에칭 처리를 행할 수 있어, 기판(8)에 형성되는 패턴을 균일하게 에칭할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)에서는, 조압 플레이트(47)에 형성된 구멍(47A)의 이면측의 개구부에 모따기부(47E)가 형성된다. 이에 따라, 에칭액에 포함되는 기포가, 조압 플레이트(47)의 이면측의 개구부 부근에 머무는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 구멍(47A)에 있어서의 에칭액의 유통성을 향상시킬 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)에서는, 기판(8)과 조압 플레이트(47)와의 사이에 정류 플레이트(48)가 마련되고, 정류 플레이트(48)에 형성된 슬릿(48A)에 의해 에칭액의 흐름을 정류한다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 정류된 에칭액에 의해 에칭 처리를 행할 수 있다.
(제2 실시형태)
다음에, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는 제2 실시형태에 따른 조압 플레이트(47)의 개략 평면도이다. 여기서는, 제1 실시형태와 상이한 개소를 중심으로 설명하고, 제1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙여 상세한 설명은 생략한다.
조압 플레이트(47)에서는, 좌우 방향의 중심측으로부터, 좌우 방향의 양단측이 됨에 따라 구획 영역의 면적이 작아진다. 즉, 좌우 방향의 양단에 형성되는 구획 영역의 면적은, 다른 구획 영역의 면적보다도 작다.
구체적으로는, 좌우 방향에 있어서의 리브(47B)(제1 리브(47C) 및 제2 리브(47D)) 사이의 거리가 균일하지 않고, 좌우 방향의 양단의 구획 영역을 형성하는 제1 리브(47C)와 제2 리브(47D)와의 길이 L1이, 다른 구획 영역을 형성하는 제2 리브(47D) 사이의 길이 L2, L3보다도 짧다.
좌우 방향의 양단에 형성되는 구획 영역에는, 처리액 공급 노즐(49)의 토출구(49A)(도 2 참조)로부터 토출된 에칭액이 직접 유입되는 것에 덧붙여, 내부조(45)의 좌우 방향의 측벽에 닿은 에칭액도 유입된다.
그 때문에, 예컨대, 좌우 방향의 양단에 형성된 구획 영역과, 다른 구획 영역을 동일한 면적으로 하면, 좌우 방향의 양단에 형성된 구획 영역에 유입되는 기포가 많아져, 각 구획 영역으로 유입되는 기포에 불균일이 생길 우려가 있다.
기판 처리 장치(1)에서는, 조압 플레이트(47)에 있어서, 좌우 방향의 양단에 형성되는 구획 영역의 면적을, 다른 구획 영역의 면적보다도 작게 한다. 이에 따라, 각 구획 영역에 유입되는 기포에 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있어, 조압 플레이트(47)의 구멍(47A)을 지나 위쪽으로 흐르는 기포에 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)의 표면을 균일하게 에칭할 수 있다. 또한, 기포의 불균일은, 처리액 공급 노즐(49)의 배치나 내부조(45)의 형상에 따라 상이하다. 따라서, 상기 면적의 대소는 일례이며, 구획 영역의 면적을 각각 설정함으로써, 기포의 불균일을 억제할 수 있다. 예컨대, 각각의 구획 영역의 면적을 상이하게 설정할 수도 있고, 일부의 구획 영역과 그 밖의 구획 영역의 면적을 상이하게 설정할 수도 있다.
(제3 실시형태)
다음에, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 제3 실시형태에 따른 조압 플레이트(47)의 개략 평면도이다. 여기서는, 제1 실시형태와 상이한 개소를 중심으로 설명하고, 제1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙여 상세한 설명은 생략한다.
조압 플레이트(47)는, 리브(47B)로서, 제1 리브(47C)와, 전후 방향을 따라 형성되는 제2 리브(47D)와, 좌우 방향을 따라 형성되는 제3 리브(47F)를 갖는다. 제2 리브(47D) 및 제3 리브(47F)는, 서로 교차하도록 형성된다. 즉, 리브(47B)는 격자형으로 형성된다.
이에 따라, 조압 플레이트(47)의 이면에는, 리브(47B)에 의해 좌우 방향 및 전후 방향으로 구획된 구획 영역이 형성된다.
또한, 리브(47B)는, 예컨대, 제3 리브(47F)를 좌우 방향으로부터 경사진 방향을 따라 형성하여도 좋다. 즉, 격자형의 구획 영역이 형성되면 좋고, 구획 영역의 형상은 한정되지 않는다. 예컨대, 구획 영역의 형상은, 정사각형이나, 직사각형이나, 평행사변형 등이어도 좋고, 또한, 상이한 형상이 조합되어도 좋다.
기판 처리 장치(1)에서는, 조압 플레이트(47)의 이면에 격자형의 리브(47B)가 형성된다. 이에 따라, 각 구획 영역에서는, 좌우 방향 및 전후 방향에 있어서의 기포의 이동이 억제된다. 이에 따라, 조압 플레이트(47)의 구멍(47A)을 지나 위쪽으로 흐르는 기포에 불균일이 발생하는 것을 더욱더 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)의 표면을 보다 균일하게 에칭할 수 있다.
(제4 실시형태)
다음에, 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 제4 실시형태에 따른 에칭용 처리조(27)의 구성을 나타낸 개략 블록도이다. 여기서는, 제1 실시형태와 상이한 개소를 중심으로 설명하고, 제1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙여 상세한 설명은 생략한다.
제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 기포 발생부(60)로서 벤투리관이 이용된다. 질소 공급 라인(44B)은, 질소 공급원(44A)과 기포 발생부(60)를 접속한다.
기포 발생부(60)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 직경 축소부(61)와, 혼입부(62)와, 직경 확장부(63)를 갖는다. 도 12는 제4 실시형태에 따른 기포 발생부(60)의 구성을 나타낸 개략 구성도이다. 기포 발생부(60)에서는, 에칭액의 흐름 방향을 따라 차례로, 직경 축소부(61), 혼입부(62), 직경 확장부(63)가 마련된다.
직경 축소부(61)는, 순환 라인(50)에 접속되고, 하류측이 됨에 따라 관내의 직경이 작아지도록 형성된다. 혼입부(62)는, 직경 축소부(61)와 직경 확장부(63) 사이에 마련되고, 질소 공급 라인(44B)(도 11 참조)에 접속된다. 혼입부(62)에는, 질소 공급 라인(44B)으로부터 공급된 질소가 흐르는 구멍(62A)이 형성된다. 혼입부(62)를 통해 공급된 질소는, 에칭액에 혼입된다. 직경 확장부(63)는, 하류측이 됨에 따라 관내의 직경이 커지도록 형성된다.
기포 발생부(60)는, 직경 확장부(63)에 있어서 압력이 증가할 때에, 혼입부(62)에 의해 에칭액에 혼입된 질소의 기포를 붕괴시켜 기포를 미세화한다.
기판 처리 장치(1)에서는, 기포 발생부(60)로서 벤투리관이 이용됨으로써, 에칭액에 혼입된 질소의 기포가 미세화된다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 기판(8)에 형성되는 패턴을 균일하게 에칭할 수 있다.
(제5 실시형태)
다음에, 제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 도 13 및 도 14를 참조하여 설명한다. 도 13은 제5 실시형태에 따른 기포 발생부(70)를 에칭액의 흐름 방향에서 본 개략 정면도이다. 도 14는 도 13의 XIV-XIV 개략 단면도이다. 여기서는, 제4 실시형태와 상이한 개소를 중심으로 설명하고, 제4 실시형태와 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙여 상세한 설명은 생략한다.
제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 기포 발생부(70)로서, 유로 면적을 변경 가능한 벤투리관이 이용된다. 유로 면적은, 에칭액의 흐름 방향에 대하여 수직인 면의 면적이다.
기포 발생부(70)는, 지지부(71)와, 혼입부(72)를 갖는다. 지지부(71)는, 관 형상으로 형성되고, 순환 라인(50)에 접속된다. 지지부(71)에는, 혼입부(72)의 일부가 삽입되는 삽입 구멍(71A)이 형성된다. 지지부(71)는, 혼입부(72)를 회동 가능하게 지지한다. 지지부(71)는, 에칭액이 흐르는 유로를 형성함과 더불어, 혼입부(72)를 회동 가능하게 지지한다.
혼입부(72)는, 질소 공급 라인(44B)(도 11 참조)에 접속된다. 혼입부(72)에는, 질소 공급 라인(44B)으로부터 공급된 질소가 흐르는 구멍(72A)이 형성된다. 혼입부(72)는, 에칭액이 흐르는 유로를 형성하는 지지부(71) 내에 돌출되는 판 형상의 스로틀부(72B)를 갖는다. 스로틀부(72B)는, 조정부를 구성한다.
스로틀부(72B)는, 혼입부(72)가 회동하면, 혼입부(72)와 함께 회동하고, 도 13∼도 16에 도시된 바와 같이, 회동에 따라 유로 면적을 변경한다. 도 13 및 도 14의 기포 발생부(70)는, 스로틀부(72B)에 의해 유로 면적을 작게 한 상태이다. 도 15는 도 13에 도시된 상태로부터, 혼입부(72)를 90° 회전시킨 기포 발생부(70)를 나타낸 도면이다. 도 16은 도 15의 XVI-XVI 개략 단면도이다.
스로틀부(72B)를 도 13에 도시된 상태로부터 90° 회전시킴으로써, 도 15에 도시된 바와 같이 유로 면적은 커진다.
기포 발생부(70)는, 스로틀부(72B)에 의해 유로 면적을 변경함으로써, 발생시키는 기포의 직경을 변경할 수 있다. 예컨대, 도 13 및 도 14에 도시된 유로 면적이 작은 상태에서는, 도 15 및 도 16에 도시된 유로 면적이 큰 상태보다도, 기포가 보다 미세화되고, 기포의 직경이 작아진다.
혼입부(72)는, 모터 등의 액츄에이터에 의해 회동되어도 좋고, 수동에 의해 회동되어도 좋다. 또한, 혼입부(72)의 회동 위치, 즉 스로틀부(72B)에 의한 유로 면적은, 발생시키는 기포의 직경에 따라 적절하게 설정할 수 있다.
기판 처리 장치(1)에서는, 스로틀부(72B)를 회동시킴으로써 유로 면적을 변경하고, 기포 발생부(70)에 의해 발생시키는 기포의 직경을 변경할 수 있다. 이에 따라, 에칭 처리의 내용(기판(8)에 형성되는 패턴이나, 에칭액의 종류 등)에 따라 에칭액에 포함되는 기포의 직경을 변경할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 에칭 처리에 알맞은 직경의 기포를 포함하는 에칭액에 의해 에칭 처리를 행할 수 있다. 또한, 혼입부(72)를 회동함으로써, 기포의 직경을 변경할 수 있으므로, 기판 처리 장치(1)는, 기포의 직경의 조정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 기포 발생부(70)는, 질소가 흐르는 구멍(75A)이 형성된 막대 형상의 혼입부(75)를 유로 내에 돌출시키고, 유로 내에 돌출된 혼입부(75)의 돌출량을 변경함으로써, 유로 면적을 변경하여도 좋다. 도 17은 변형예에 따른 기포 발생부(70)를 에칭액의 흐름 방향에서 본 개략 정면도이다. 도 18은 도 17의 XVIII-XVIII 개략 단면도이다. 예컨대, 기포 발생부(70)는, 혼입부(75)를 상하 방향으로 이동시킴으로써, 유로 면적을 변경한다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 에칭액에 포함되는 기포의 직경을 변경할 수 있다. 혼입부(75)는, 모터 등의 액츄에이터에 의해 돌출량이 변경되어도 좋고, 수동에 의해 변경되어도 좋다. 혼입부(75)는, 조정부를 구성한다.
또한, 변형예에 따른 기포 발생부(70)에서는, 길이가 상이한 혼입부(75)를 교환함으로써, 돌출량을 변경하고, 유로 면적을 변경하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태를 적절하게 조합하여 적용하여도 좋다. 예컨대, 기판 처리 장치(1)는, 도 9에 도시된 조압 플레이트(47)와, 도 13 및 도 14에 도시된 기포 발생부(70)를 가져도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 순환 라인(50)에, 기포 발생부(54, 60, 70)를 마련하고, 기포를 포함한 에칭액을 처리액 공급 노즐(49)로부터 토출시켰지만, 이것에 한정되는 일은 없다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(49)과는 별도로 기포 발생 노즐을 내부조(45)에 마련하여, 질소 공급부(44)로부터 기포 발생 노즐을 통해 내부조(45)에 질소를 공급하고, 내부조(45) 내에서 기포를 발생시켜도 좋다.
더 나은 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부된 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 벗어나지 않게, 여러 가지 변경이 가능하다.
1 : 기판 처리 장치
6 : 로트 처리부
8 : 기판
23 : 에칭 처리 장치
27 : 에칭용 처리조
44 : 질소 공급부
45 : 내부조(기판 처리조)
47 : 조압 플레이트
47A : 구멍
47B : 리브
47C : 제1 리브
47D : 제2 리브
47E : 모따기부
47F : 제3 리브
48 : 정류 플레이트
48A : 슬릿
49 : 처리액 공급 노즐
50 : 순환 라인(처리액 공급로)
54 : 기포 발생부
60 : 기포 발생부
70 : 기포 발생부
72 : 혼입부
72B : 스로틀부(조정부)
75 : 혼입부(조정부)

Claims (10)

  1. 기판 처리조와,
    상기 기판 처리조 내의 아래쪽에 마련되고, 처리액을 복수의 토출구로부터 토출하는 처리액 공급 노즐과,
    상기 처리액 공급 노즐과 상기 기판 처리조 내의 기판과의 사이에 마련되고, 상기 처리액을 통류시키는 복수의 구멍을 가지며, 상기 처리액 공급 노즐로부터 토출된 상기 처리액의 유입 압력을 조정하는 조압(調壓) 플레이트
    를 구비하고,
    상기 조압 플레이트는,
    상기 처리액 공급 노즐측 면으로부터 돌출되고, 상기 처리액 공급 노즐측 면을 복수의 구획 영역으로 구획하는 리브를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조압 플레이트는, 격자형의 상기 리브를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 구획 영역은, 일부의 구획 영역의 면적과, 그 밖의 구획 영역의 면적에서 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 구획 영역은, 각각 면적이 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 구획 영역 중, 상기 기판 처리조의 측벽측의 구획 영역은, 다른 구획 영역보다 면적이 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조압 플레이트는, 상기 처리액 공급 노즐측의 구멍의 단부에 모따기부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조압 플레이트와 상기 기판과의 사이에 마련되고, 슬릿을 가지며, 상기 기판에의 상기 처리액의 흐름을 정류하는 정류 플레이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액을 상기 처리액 공급 노즐에 공급하는 처리액 공급로에 있어서 기포를 발생시키는 기포 발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기포 발생부는, 상기 기포의 직경을 조정하는 조정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 조정부는, 유로 면적을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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