JP7190912B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置に関する。
従来、処理液が貯留された処理槽に対し、複数の基板で形成したロットを浸漬させることにより、１ロット分の基板を一括して処理する基板処理装置が知られている。
この種の基板処理装置では、たとえば基板処理の均一化のために、窒素ガス等の気体を供給する気体供給部を処理槽内に設けて処理槽内に液流れを形成する場合がある（特許文献１参照）。
特開２０１８－１７４２５８号公報
本開示は、処理槽内に適切な液流れを形成することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、処理槽と、流体供給部とを備える。処理槽は、配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う。流体供給部は、処理槽の内部において複数の基板よりも下方に配置され、流体を吐出することによって処理槽の内部に処理液の液流れを発生させる。また、流体供給部は、複数の基板の配列方向における異なる領域に流体を吐出する複数の吐出経路を有する。
本開示によれば、処理槽内に適切な液流れを形成することができる。
図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。 図２は、第１の実施形態に係るエッチング用の処理槽の構成を示すブロック図である。 図３は、第１の実施形態に係る気体供給部の斜視図である。 図４は、第１の実施形態に係る気体供給部の断面図である。 図５は、第１の実施形態に係る気体供給部の側面図である。 図６は、第１の実施形態における第１の変形例に係る気体供給部の側面図である。 図７は、第１の実施形態における第２の変形例に係る気体供給部の側面図である。 図８は、第１の実施形態における第２の変形例に係る気体供給部の平面図である。 図９は、第２の実施形態に係る気体供給部の側面図である。 図１０は、第３の実施形態に係る気体供給部の斜視図である。 図１１は、第３の実施形態における第１の変形例に係る位置調整部の構成を示す斜視図である。 図１２は、第３の実施形態における第２の変形例に係る位置調整部の構成を示す斜視図である。 図１３は、第４の実施形態に係る気体供給部の断面図である。 図１４は、第５の実施形態に係る気体供給部を上方から見た斜視図である。 図１５は、第５の実施形態に係る気体供給部を下方から見た斜視図である。
以下に、本開示による基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。
処理液が貯留された処理槽に対し、複数の基板で形成したロットを浸漬させることにより、１ロット分の基板を一括して処理する基板処理装置が知られている。
この種の基板処理装置では、基板処理の均一化のために、窒素ガス等の気体を供給する気体供給部を処理槽内に設けて処理槽内に液流れを形成する場合がある。具体的には、従来の基板処理装置では、処理槽内に均一な液流れを形成するために、複数の基板の配列方向に沿って複数の吐出口が設けられた気体供給部を処理槽内の下部に配置して、各吐出口から気体を同一の流量で吐出していた。
しかしながら、上記のように気体を均一に吐出させたとしても、処理槽に形成される液流れには局所的な偏りが生じる場合があった。たとえば、１つのロットを形成する複数の基板は互いに隙間をあけて配列されるが、ある隙間には気体が多く入り込むことで十分な液流れが形成される一方、別の隙間には気体があまり入り込まず液流れの形成が不十分となるおそれがあった。そこで、処理槽内に適切な液流れを形成することができることが期待されている。
（第１の実施形態）
＜基板処理装置の構成＞
まず、実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置１の平面図である。
図１に示すように、実施形態に係る基板処理装置１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。
キャリア搬入出部２は、キャリアステージ２０と、キャリア搬送機構２１と、キャリアストック２２、２３と、キャリア載置台２４とを備える。
キャリアステージ２０は、外部から搬送された複数のキャリア９を載置する。キャリア９は、複数（たとえば、２５枚）のウェハＷを水平姿勢で上下に並べて収容する容器である。キャリア搬送機構２１は、キャリアステージ２０、キャリアストック２２、２３およびキャリア載置台２４間でキャリア９の搬送を行う。
キャリア載置台２４に載置されたキャリア９からは、処理される前の複数のウェハＷが後述する基板搬送機構３０によりロット処理部６に搬出される。また、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９には、処理された複数のウェハＷが基板搬送機構３０によりロット処理部６から搬入される。
ロット形成部３は、基板搬送機構３０を有し、ロットを形成する。ロットは、１または複数のキャリア９に収容されたウェハＷを組合せて同時に処理される複数（たとえば、５０枚）のウェハＷで構成される。１つのロットを形成する複数のウェハＷは、互いの板面を対向させた状態で一定の間隔をあけて配列される。
基板搬送機構３０は、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９とロット載置部４との間で複数のウェハＷを搬送する。
ロット載置部４は、ロット搬送台４０を有し、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットを一時的に載置（待機）する。ロット搬送台４０は、ロット形成部３で形成された処理される前のロットを載置する搬入側ロット載置台４１と、ロット処理部６で処理されたロットを載置する搬出側ロット載置台４２とを有する。搬入側ロット載置台４１および搬出側ロット載置台４２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで載置される。
ロット搬送部５は、ロット搬送機構５０を有し、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部でロットの搬送を行う。ロット搬送機構５０は、レール５１と、移動体５２と、基板保持体５３とを有する。
レール５１は、ロット載置部４およびロット処理部６に渡って、Ｘ軸方向に沿って配置される。移動体５２は、複数のウェハＷを保持しながらレール５１に沿って移動可能に構成される。基板保持体５３は、移動体５２に設けられ、起立姿勢で前後に並んだ複数のウェハＷを保持する。
ロット処理部６は、起立姿勢で前後に並んだ複数のウェハＷを１ロットとして、エッチング処理や洗浄処理、乾燥処理などを行う。ロット処理部６には、２台のエッチング処理装置６０と、洗浄処理装置７０と、基板保持体洗浄処理装置８０と、乾燥処理装置９０とが、レール５１に沿って並んで設けられる。
エッチング処理装置６０は、ロットのエッチング処理を行う。洗浄処理装置７０は、ロットの洗浄処理を行う。基板保持体洗浄処理装置８０は、基板保持体５３の洗浄処理を行う。乾燥処理装置９０は、ロットの乾燥処理を行う。なお、エッチング処理装置６０、洗浄処理装置７０、基板保持体洗浄処理装置８０および乾燥処理装置９０の台数は、図１の例に限られない。
エッチング処理装置６０は、エッチング用の処理槽６１と、リンス用の処理槽６２と、基板昇降機構６３，６４とを備える。
処理槽６１は、起立姿勢で配列された１ロット分のウェハＷを収容可能であり、エッチング用の処理液（以下、「エッチング液」とも呼称する。）が貯留される。処理槽６１の詳細については後述する。
処理槽６２には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。基板昇降機構６３，６４には、ロットを形成する複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。
エッチング処理装置６０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構６３で保持し、処理槽６１のエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行う。エッチング処理は、たとえば、１時間～３時間程度行われる。
処理槽６１においてエッチング処理されたロットは、ロット搬送部５によって処理槽６２に搬送される。そして、エッチング処理装置６０は、搬送されたロットを基板昇降機構６４にて保持し、処理槽６２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。処理槽６２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で洗浄処理装置７０の処理槽７１に搬送される。
洗浄処理装置７０は、洗浄用の処理槽７１と、リンス用の処理槽７２と、基板昇降機構７３，７４とを備える。洗浄用の処理槽７１には、洗浄用の処理液（たとえば、ＳＣ－１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）など）が貯留される。
リンス用の処理槽７２には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。基板昇降機構７３，７４には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。
洗浄処理装置７０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構７３にて保持し、処理槽７１の洗浄液に浸漬させることによって洗浄処理を行う。
処理槽７１において洗浄処理されたロットは、ロット搬送部５によって処理槽７２に搬送される。そして、洗浄処理装置７０は、搬送されたロットを基板昇降機構７４にて保持し、処理槽７２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。処理槽７２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で乾燥処理装置９０の処理槽９１に搬送される。
乾燥処理装置９０は、処理槽９１と、基板昇降機構９２とを有する。処理槽９１には、乾燥用の処理ガス（たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）など）が供給される。基板昇降機構９２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。
乾燥処理装置９０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構９２で保持し、処理槽９１内に供給される乾燥用の処理ガスを用いて乾燥処理を行う。処理槽９１で乾燥処理されたロットは、ロット搬送部５でロット載置部４に搬送される。
基板保持体洗浄処理装置８０は、ロット搬送機構５０の基板保持体５３に洗浄用の処理液を供給し、さらに乾燥ガスを供給することで、基板保持体５３の洗浄処理を行う。
制御部７は、基板処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。制御部７は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。
この制御部７は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体８を有する。記憶媒体８には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
制御部７は、記憶媒体８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体８にインストールされたものであってもよい。
コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜エッチング用の処理槽の構成＞
次に、エッチング用の処理槽６１について図２を参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係るエッチング用の処理槽６１の構成を示すブロック図である。
処理槽６１では、所定のエッチング液を用いて、ウェハＷ上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のうちシリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング処理が行われる。かかるエッチング処理では、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液にシリコン（Ｓｉ）含有化合物を添加してシリコン濃度を調整した溶液が、エッチング液として用いられる。
エッチング液中のシリコン濃度を調整する手法としては、リン酸水溶液にダミー基板を浸漬させてシリコンを溶解させる方法（シーズニング）や、コロイダルシリカなどのシリコン含有化合物をリン酸水溶液に溶解させる方法を用いることができる。また、リン酸水溶液にシリコン含有化合物水溶液を添加してシリコン濃度を調整してもよい。
図２に示すように、エッチング用の処理槽６１は、内槽１０１と、外槽１０２とを備える。内槽１０１は、上方が開放された箱形の槽であり、内部にエッチング液を貯留する。複数のウェハＷにより形成されるロットは、内槽１０１に浸漬される。外槽１０２は、上方が開放され、内槽１０１の上部周囲に配置される。外槽１０２には、内槽１０１からオーバーフローしたエッチング液が流入する。
また、処理槽６１は、リン酸水溶液供給部１０３と、シリコン供給部１０４と、ＤＩＷ供給部１０５とを備える。
リン酸水溶液供給部１０３は、リン酸水溶液供給源１３１と、リン酸水溶液供給ライン１３２と、流量調整器１３３とを有する。
リン酸水溶液供給源１３１は、リン酸濃度が所望の濃度に濃縮されたリン酸水溶液を供給する。リン酸水溶液供給ライン１３２は、リン酸水溶液供給源１３１と外槽１０２とを接続し、リン酸水溶液供給源１３１から外槽１０２にリン酸水溶液を供給する。
流量調整器１３３は、リン酸水溶液供給ライン１３２に設けられ、外槽１０２へ供給されるリン酸水溶液の供給量を調整する。流量調整器１３３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
シリコン供給部１０４は、シリコン供給源１４１と、シリコン供給ライン１４２と、流量調整器１４３とを有する。
シリコン供給源１４１は、シリコン含有化合物水溶液を貯留するタンクである。シリコン供給ライン１４２は、シリコン供給源１４１と外槽１０２とを接続し、シリコン供給源１４１から外槽１０２にシリコン含有化合物水溶液を供給する。
流量調整器１４３は、シリコン供給ライン１４２に設けられ、外槽１０２へ供給されるシリコン含有化合物水溶液の供給量を調整する。流量調整器１４３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器１４３によってシリコン含有化合物水溶液の供給量が調整されることで、エッチング液のシリコン濃度が調整される。
ＤＩＷ供給部１０５は、ＤＩＷ供給源１５１と、ＤＩＷ供給ライン１５２と、流量調整器１５３とを有する。ＤＩＷ供給部１０５は、エッチング液を加熱することで蒸発した水分を補給するため、外槽１０２にＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）を供給する。
ＤＩＷ供給ライン１５２は、ＤＩＷ供給源１５１と外槽１０２とを接続し、ＤＩＷ供給源１５１から外槽１０２に所定温度のＤＩＷを供給する。
流量調整器１５３は、ＤＩＷ供給ライン１５２に設けられ、外槽１０２へ供給されるＤＩＷの供給量を調整する。流量調整器１５３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器１５３によってＤＩＷの供給量が調整されることで、エッチング液の温度、リン酸濃度およびシリコン濃度が調整される。
また、処理槽６１は、循環部１０６と、気体供給部１０７とを備える。循環部１０６は、内槽１０１と外槽１０２との間でエッチング液を循環させる。循環部１０６は、循環ライン１６１と、複数の処理液供給ノズル１６２と、フィルタ１６３と、ヒータ１６４と、ポンプ１６５とを備える。
循環ライン１６１は、外槽１０２と内槽１０１とを接続する。循環ライン１６１の一端は、外槽１０２に接続され、循環ライン１６１の他端は、内槽１０１の内部に配置された複数の処理液供給ノズル１６２に接続される。
フィルタ１６３、ヒータ１６４およびポンプ１６５は、循環ライン１６１に設けられる。フィルタ１６３は、循環ライン１６１を流れるエッチング液から不純物を除去する。ヒータ１６４は、循環ライン１６１を流れるエッチング液を、エッチング処理に適した温度に加熱する。ポンプ１６５は、外槽１０２内のエッチング液を循環ライン１６１に送り出す。フィルタ１６３、ヒータ１６４およびポンプ１６５は、上流側からこの順番で設けられる。
循環部１０６は、エッチング液を外槽１０２から循環ライン１６１および複数の処理液供給ノズル１６２経由で内槽１０１内へ送る。内槽１０１内に送られたエッチング液は、内槽１０１からオーバーフローすることで、再び外槽１０２へと流出する。このようにして、エッチング液は、内槽１０１と外槽１０２との間を循環する。
なお、循環部１０６は、ヒータ１６４によってエッチング液を加熱することにより、エッチング液を沸騰状態としてもよい。
気体供給部１０７は、内槽１０１の内部に配置される。具体的には、気体供給部１０７は、複数のウェハＷおよび複数の処理液供給ノズル１６２よりも下方に配置される。かかる気体供給部１０７は、内槽１０１の内部に気体を吐出することによって内槽１０１の内部にエッチング液の液流れを発生させる。
＜気体供給部の構成＞
ここで、第１の実施形態に係る気体供給部１０７の構成について図３～図５を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る気体供給部１０７の斜視図である。図４は、第１の実施形態に係る気体供給部１０７の断面図である。図５は、第１の実施形態に係る気体供給部１０７の側面図である。なお、図４は、図５におけるＶＩ－ＶＩ線矢視における断面図である。また、図５は、気体供給部１０７における第３吐出経路１７３および第４吐出経路１７４をＸ軸正方向側からＸ軸負方向に見た側面図である。
図３に示すように、気体供給部１０７は、気体の吐出経路として複数（ここでは、８つ）の吐出経路を備える。具体的には、気体供給部１０７は、２つの第１吐出経路１７１と、２つの第２吐出経路１７２と、２つの第３吐出経路１７３と、２つの第４吐出経路１７４とを備える。
２つの第１吐出経路１７１は、ウェハＷと正対する方向（図２に示すＹ軸方向）から見た場合に、ウェハＷの中心を通る垂直な線に対して線対称に配置される。２つの第２吐出経路１７２、２つの第３吐出経路１７３および２つの第４吐出経路１７４も同様であり、ウェハＷの中心を通る垂直な線に対して線対称に配置される。
２つの第１吐出経路１７１の各々は、内槽１０１の後方側（Ｙ軸正方向側）に配置され、垂直に延在する部分を有する第１延在部７１１と、第１延在部７１１の下端部から内槽１０１の前方側（Ｙ軸負方向側）に向かって水平に延在する第２延在部７１２とを備える。第２延在部７１２は、複数のウェハＷの配列方向に沿って延在する。
２つの第１延在部７１１は、流量調整器７１３を介して気体供給源７００に接続される。ここでは、気体供給源７００から窒素が供給されるものとするが、気体供給源７００から供給される気体は、窒素以外の不活性ガス（たとえば、ヘリウム、アルゴンなど）であってもよいし、不活性ガス以外の気体であってもよい。流量調整器７１３は、第１吐出経路１７１へ供給される窒素の流量を調整する。流量調整器７１３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
２つの第２吐出経路１７２の各々は、内槽１０１の後方側に配置され、垂直に延在する部分を有する第１延在部７２１と、第１延在部７２１の下端部から内槽１０１の前方側に向かって水平に延在する第２延在部７２２とを備える。第２延在部７２２は、複数のウェハＷの配列方向に沿って延在する。また、第２延在部７２２は、第１吐出経路１７１の第２延在部７１２よりもウェハＷの径方向内側に配置される。
２つの第１延在部７２１は、流量調整器７２３を介して気体供給源７００に接続される。流量調整器７２３は、第２吐出経路１７２へ供給される窒素の流量を調整する。流量調整器７２３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
２つの第３吐出経路１７３の各々は、内槽１０１の後方側に配置され、垂直に延在する部分を有する第１延在部７３１と、第１延在部７３１の下端部から内槽１０１の前方側に向かって水平に延在する第２延在部７３２とを備える。第２延在部７３２は、複数のウェハＷの配列方向に沿って延在する。また、第２延在部７３２は、第２吐出経路１７２の第２延在部７２２よりもウェハＷの径方向内側に配置される。
２つの第１延在部７３１は、流量調整器７３３を介して気体供給源７００に接続される。流量調整器７３３は、第３吐出経路１７３へ供給される窒素の流量を調整する。流量調整器７３３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
２つの第４吐出経路１７４の各々は、内槽１０１の後方側に配置され、垂直に延在する部分を有する第１延在部７４１と、第１延在部７４１の下端部から内槽１０１の前方側に向かって水平に延在する第２延在部７４２とを備える。第２延在部７４２は、複数のウェハＷの配列方向に沿って延在する。また、第２延在部７４２は、第３吐出経路１７３の第２延在部７３２の上方に配置される。
２つの第１延在部７４１は、流量調整器７４３を介して気体供給源７００に接続される。流量調整器７４３は、第４吐出経路１７４へ供給される窒素の流量を調整する。流量調整器７４３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
図４に示すように、第１吐出経路１７１の第２延在部７１２には、第２延在部７１２の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って複数（ここでは１つのみ図示）の吐出口７１５が設けられる。複数の吐出口７１５は、気体供給源７００から供給される窒素がウェハＷとウェハＷとの間に入り込むように、複数のウェハＷの配列方向においてウェハＷとウェハＷとの間の位置に配置される。
第２吐出経路１７２の第２延在部７２２には、第２延在部７２２の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って複数（ここでは１つのみ図示）の吐出口７２５が設けられる。複数の吐出口７２５は、気体供給源７００から供給される窒素がウェハＷとウェハＷとの間に入り込むように、複数のウェハＷの配列方向においてウェハＷとウェハＷとの間の位置に配置される。
第３吐出経路１７３の第２延在部７３２には、第２延在部７３２の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って複数（ここでは１つのみ図示）の吐出口７３５が設けられる。複数の吐出口７３５は、気体供給源７００から供給される窒素がウェハＷとウェハＷとの間に入り込むように、複数のウェハＷの配列方向においてウェハＷとウェハＷとの間の位置に配置される。
第４吐出経路１７４の第２延在部７４２には、第２延在部７４２の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って複数（ここでは１つのみ図示）の吐出口７４５が設けられる。複数の吐出口７４５は、気体供給源７００から供給される窒素がウェハＷとウェハＷとの間に入り込むように、複数のウェハＷの配列方向においてウェハＷとウェハＷとの間の位置に配置される。
なお、複数の吐出口７１５，７２５，７３５，７４５は、円筒状の第２延在部７１２，７２２，７３２，７４２の下半分に設けられる。これにより、第２延在部７１２，７２２，７３２，７４２の内部へのエッチング液の浸入を抑制することができる。また、複数の吐出口７１５，７２５，７３５，７４５は、第２延在部７１２，７２２，７３２，７４２の側部よりも下方かつ第２延在部７１２，７２２，７３２，７４２の下部よりも上方に設けられる。これにより、吐出口７１５，７２５，７３５，７４５を第２延在部７１２，７２２，７３２，７４２の下部に設けた場合と比較して、窒素の吐出方向を揃えることができる。
第１吐出経路１７１に設けられた複数の吐出口７１５および第２吐出経路１７２に設けられた複数の吐出口７２５は、複数のウェハＷにおける全ての隙間に対応して配置される。すなわち、たとえば１つロットが５０枚のウェハＷで構成される場合、第１吐出経路１７１および第２吐出経路１７２には、それぞれ４９個の吐出口７１５，７２５が設けられる。
一方、図５に示すように、第３吐出経路１７３に設けられた複数の吐出口７３５は、複数のウェハＷのうち、処理槽６１の前方側に配置される半分のウェハＷの隙間に対応して配置される。また、第４吐出経路１７４に設けられた複数の吐出口７４５は、複数のウェハＷのうち、処理槽６１の後方側に配置される半分のウェハＷの隙間に対応して配置される。これにより、処理槽６１の前方側に配置される半分のウェハＷには、第３吐出経路１７３からの窒素が供給され、処理槽６１の後方側に配置される半分のウェハＷには、第４吐出経路１７４からの窒素が供給されることとなる。
このように、第１の実施形態に係る気体供給部１０７は、複数のウェハＷの配列方向における異なる領域に窒素を吐出する複数の吐出経路、ここでは、第３吐出経路１７３および第４吐出経路１７４を有する。第３吐出経路１７３および第４吐出経路１７４は、それぞれ異なる流量調整器７３３，７４３に接続されており、窒素の吐出時間や吐出流量を個別に制御可能である。したがって、たとえば処理槽６１の前方側と後方側とで液流れに偏りがある場合、制御部７は、流量調整器７３３，７４３を制御して第３吐出経路１７３と第４吐出経路１７４とで窒素の吐出時間や吐出流量を異ならせることで液流れの偏りを抑制することができる。このように、第１の実施形態に係る基板処理装置１によれば、複数のウェハＷの配列方向において窒素を均等な吐出時間や吐出流量で吐出する場合と比較して、より適切な液流れを処理槽６１内に形成することができる。
また、図４に示すように、第３、第４吐出経路１７３，１７４の第１延在部７３１，７４１および第２延在部７３２，７４２は、第１、第２吐出経路１７１，１７２の第１延在部７１１，７２１および第２延在部７１２，７２２と比較して内径（流路径）が小さい。これにより、第１延在部７３１，７４１および第２延在部７３２，７４２の圧力損失を、第１延在部７１１，７２１および第２延在部７１２，７２２の圧力損失よりも高くすることができる。このため、第３吐出経路１７３および第４吐出経路１７４からより低い流量で窒素を吐出させることができる。言い換えれば、第３吐出経路１７３および第４吐出経路１７４から吐出可能な窒素の最低流量を低くすることができる。したがって、エッチング液の液流れをより微細に制御することが可能となる。
＜気体供給部の変形例＞
次に、上述した第１の実施形態に係る気体供給部１０７の変形例について図６～図８を参照して説明する。図６は、第１の実施形態における第１の変形例に係る気体供給部の側面図である。図７は、第１の実施形態における第２の変形例に係る気体供給部の側面図である。図８は、第１の実施形態における第２の変形例に係る気体供給部の平面図である。
図６に示すように、第１の変形例に係る気体供給部１０７Ａは、第３吐出経路１７３Ａと、第３吐出経路１７３Ａの上方に配置された第４吐出経路１７４Ａとを備える。第３吐出経路１７３Ａの第２延在部７３２Ａには、複数のウェハＷの配列方向における中央の領域に複数の吐出口７３５Ａが設けられる。また、第４吐出経路１７４Ａの第２延在部７４２Ａには、複数のウェハＷの配列方向における前方の領域に複数の吐出口７４５Ａを有するとともに、複数のウェハＷの配列方向における後方の領域に複数の吐出口７４６Ａを有する。
このように構成することで、複数のＷの配列方向における前方および後方の領域と中央の領域とで窒素の吐出時間や吐出流量を異ならせることができる。
また、図７および図８に示すように、第２の変形例に係る気体供給部１０７Ｂは、第３吐出経路１７３Ｂ、第４吐出経路１７４Ｂおよび第５吐出経路１７５Ｂを備える。
第３吐出経路１７３Ｂは、第１延在部７３１Ｂと第２延在部７３２Ｂとを備え、第１延在部７３１Ｂには、流量調整器７３３Ｂを介して気体供給源７００が接続され、第２延在部７３２Ｂには、複数の吐出口７３５Ｂが設けられる。第４吐出経路１７４Ｂは、第１延在部７４１Ｂと第２延在部７４２Ｂとを備え、第１延在部７４１Ｂには、流量調整器７４３Ｂを介して気体供給源７００が接続され、第２延在部７４２Ｂには、複数の吐出口７４５Ｂが設けられる。第５吐出経路１７５Ｂは、第１延在部７５１Ｂと第２延在部７５２Ｂとを備え、第１延在部７５１Ｂには、流量調整器７５３Ｂを介して気体供給源７００が接続され、第２延在部７５２Ｂには、複数の吐出口７５５Ｂが設けられる。第３吐出経路１７３Ｂの第２延在部７３２Ｂ、第４吐出経路１７４Ｂの第２延在部７４２Ｂおよび第５吐出経路１７５Ｂの第２延在部７５２Ｂは、複数のウェハＷの配列方向に沿ってこの順番に並べられる。
このように構成することにより、複数のウェハＷの配列方向における前方の領域、中央の領域および後方の領域をそれぞれ個別に制御することが可能となる。
＜気体供給部のその他の変形例＞
第１の実施形態および第１および第２変形例では、複数のウェハＷの配列方向と直交する方向に配列された複数の吐出経路のうち、最も内側に配置される吐出経路を複数のウェハＷの配列方向に分割することとした。しかし、これに限らず、複数のウェハＷの配列方向に分割される吐出経路は、複数のウェハＷの配列方向と直交する方向に並べられた複数の吐出経路のうち、最も外側に配置される吐出経路であってもよいし、その他の吐出経路であってもよい。
また、第１の実施形態および第１および第２変形例では、複数のウェハＷの配列方向と直交する方向に配列された複数の吐出経路のうち、一部の吐出経路を複数のウェハＷの配列方向に分割することとした。しかし、これに限らず、複数のウェハＷの配列方向と直交する方向に配列された複数の吐出経路の全てが複数のウェハＷの配列方向に分割されてもよい。
また、第１の実施形態および第１および第２変形例では、複数のウェハＷの配列方向に分割される吐出経路が、２等分または３等分される場合の例について説明したが、分割の態様は、必ずしも等分であることを要しない。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る気体供給部の構成について図９を参照して説明する。図９は、第２の実施形態に係る気体供給部の側面図である。
図９に示すように、第２の実施形態に係る気体供給部１０７Ｃは、第３吐出経路１７３Ｃと、第３吐出経路１７３Ｃの上方に配置された第４吐出経路１７４Ｃとを備える。
第２の実施形態に係る第３吐出経路１７３Ｃの第２延在部７３２Ｃには、内槽１０１の内壁１１１に向かって窒素を吐出する吐出口７３６Ｃが設けられる。吐出口７３６Ｃは、複数のウェハＷの配列方向において内槽１０１の内壁１１１に対向する１枚目のウェハＷと内壁１１１との間に配置される。
同様に、第２の実施形態に係る第４吐出経路１７４Ｃの第２延在部７４２Ｃには、内槽１０１の内壁１１１に向かって窒素を吐出する吐出口７４６Ｃが設けられる。吐出口７４６Ｃは、複数のウェハＷの配列方向において内槽１０１の内壁１１１に対向する１枚目のウェハＷと内壁１１１との間に配置される。
内槽１０１の内部に形成される液流れは、内槽１０１の内壁１１１に対向する１枚目のウェハＷと内壁１１１との間と、ウェハＷとウェハＷとの間とで異なる場合がある。たとえば、ウェハＷとウェハＷとの間には、エッチング液の上昇流が形成されるのに対し、１枚目のウェハＷと内壁１１１との間には、エッチング液の下降流が形成されることがある。
これに対し、第２の実施形態に係る気体供給部１０７Ｃは、内槽１０１の内壁１１１に向けて窒素を吐出する吐出口７３６Ｃ，７４６Ｃを備えることにより、１枚目のウェハＷと内壁１１１との間に形成される下降流を抑制することができる。したがって、第２の実施形態に係る気体供給部１０７Ｃによれば、内槽１０１の内壁１１１に対向する１枚目のウェハＷと内壁１１１との間と、ウェハＷとウェハＷとの間とで液流れに偏りが生じることを抑制することができる。
ここでは、気体供給部１０７Ｃが、内槽１０１における前方の内壁１１１に向けて窒素を吐出する吐出口７３６Ｃ，７４６Ｃを備える場合の例について説明した。これに限らず、気体供給部１０７Ｃは、内槽１０１における後方の内壁または側方の内壁に向けて窒素を吐出する吐出口を備えていてもよい。
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る気体供給部の構成について図１０を参照して説明する。図１０は、第３の実施形態に係る気体供給部の斜視図である。
図１０に示すように、第３の実施形態に係る気体供給部１０７Ｄは、２つの第１吐出経路１７１Ｄと、２つの第２吐出経路１７２Ｄと、２つの第３吐出経路１７３Ｄと、２つの第４吐出経路１７４Ｄとを備える。第１吐出経路１７１Ｄ、第２吐出経路１７２Ｄ、第３吐出経路１７３Ｄおよび第４吐出経路１７４Ｄは、それぞれ、第１延在部７１１Ｄ，７２１Ｄ，７３１Ｄ，７４１Ｄと、第２延在部７１２Ｄ，７２２Ｄ，７３２Ｄ，７４２Ｄとを備える。第２延在部７１２Ｄ，７２２Ｄ，７３２Ｄ，７４２Ｄには、複数の吐出口（ここでは、図示せず）が設けられる。また、第２延在部７３２Ｄに設けられる複数の吐出口は、前方側に配置される半分のウェハＷの隙間に対応して配置され、第２延在部７４２Ｄに設けられる複数の吐出口は、後方側に配置される半分のウェハＷの隙間に対応して配置される。
また、第３の実施形態に係る気体供給部１０７Ｄは、第１吐出経路１７１Ｄ、第２吐出経路１７２Ｄ、第３吐出経路１７３Ｄおよび第４吐出経路１７４Ｄの位置を調整するための位置調整部１７６Ｄを備える。
第３の実施形態に係る位置調整部１７６Ｄは、取付プレート７６１を備える。取付プレート７６１には、複数の取付穴７６２が形成される。複数の取付穴７６２は、たとえば、複数のウェハＷの配列方向および同配列方向に直交する方向に沿って配列される。各取付穴７６２は、第１延在部７１１Ｄ，７２１Ｄ，７３１Ｄ，７４１Ｄが挿通可能な大きさに形成される。したがって、取付プレート７６１は、第１～第４吐出経路１７１Ｄ～１７４Ｄを任意の位置に取り付け可能である。なお、各取付穴７６２は、第３吐出経路１７３Ｄの第１延在部７３１Ｄおよび第４吐出経路１７４Ｄの第１延在部７４１Ｄをまとめて挿通可能であるものとする。
また、位置調整部１７６Ｄは、第１延在部７１１Ｄ，７２１Ｄ，７３１Ｄ，７４１Ｄを取付穴７６２に固定するための固定部７６３を備える。
このように、第３の実施形態に係る気体供給部１０７Ｄによれば、位置調整部１７６Ｄを備えるため、第１吐出経路１７１Ｄ、第２吐出経路１７２Ｄ、第３吐出経路１７３Ｄおよび第４吐出経路１７４Ｄの位置を調整することができる。したがって、たとえば、予め取得しておいた複数のウェハＷのエッチング処理の結果に基づいて、第１吐出経路１７１Ｄ、第２吐出経路１７２Ｄ、第３吐出経路１７３Ｄおよび第４吐出経路１７４Ｄの配置を最適化することができる。これにより、複数のウェハＷのエッチング処理がより均一化されるようなエッチング液の液流れを処理槽６１の内部に形成することが可能となる。
なお、固定部７６３は、第１延在部７１１Ｄ，７２１Ｄ，７３１Ｄ，７４１Ｄを鉛直方向における複数の固定位置にて固定可能に構成されてもよい。このように構成することで、第１吐出経路１７１Ｄ、第２吐出経路１７２Ｄ、第３吐出経路１７３Ｄおよび第４吐出経路１７４Ｄの高さ位置も調整することができる。
＜位置調整部の変形例＞
次に、上述した位置調整部１７６Ｄの変形例について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、第３の実施形態における第１の変形例に係る位置調整部の構成を示す斜視図である。また、図１２は、第３の実施形態における第２の変形例に係る位置調整部の構成を示す斜視図である。
図１１に示すように、第３の実施形態における第１の変形例に係る気体供給部１０７Ｅは、位置調整部１７６Ｅを備える。位置調整部１７６Ｅは、ねじ軸７６４と、保持部７６５と、駆動部７６６とを備える。保持部７６５は、２つの第１吐出経路１７１Ｅ、２つの第２吐出経路１７２Ｅ、２つの第３吐出経路１７３Ｅおよび２つの第４吐出経路１７４Ｅを保持する。
ねじ軸７６４および駆動部７６６は、保持部７６５を移動させる移動機構の一例である。ねじ軸７６４は、複数のウェハＷの配列方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する。駆動部７６６は、ねじ軸７６４を軸まわりに回転させることによって保持部７６５を複数のウェハＷの配列方向に沿って移動させる。
なお、ここでは図示を省略するが、ねじ軸７６４および駆動部７６６を含む移動機構は、ねじ軸７６４を軸支する軸受、保持部７６５を複数のウェハＷの配列方向に移動可能に支持するガイドレールなどを含んで構成される。
第１の変形例に係る位置調整部１７６Ｅは、ねじ軸７６４および駆動部７６６を用いて保持部７６５を移動させる。これにより、２つの第１吐出経路１７１Ｅ、２つの第２吐出経路１７２Ｅ、２つの第３吐出経路１７３Ｅおよび２つの第４吐出経路１７４Ｅを複数のウェハＷの配列方向に沿って移動させることができる。
これにより、第１の変形例に係る気体供給部１０７Ｅは、複数のウェハＷの配列方向における２つの第１吐出経路１７１Ｅ、２つの第２吐出経路１７２Ｅ、２つの第３吐出経路１７３Ｅおよび２つの第４吐出経路１７４Ｅの位置を最適化することができる。位置の最適化は、たとえば、予め取得しておいた複数のウェハＷのエッチング処理の結果に基づいて事前に行うことができる。すなわち、複数のウェハＷのエッチング量が均等になるように、複数のウェハＷの配列方向における２つの第１吐出経路１７１Ｅ、２つの第２吐出経路１７２Ｅ、２つの第３吐出経路１７３Ｅおよび２つの第４吐出経路１７４Ｅの位置を調整すればよい。
また、位置調整部１７６Ｅによる位置調整は、エッチング処理中に行われてもよい。たとえば、制御部７は、複数のウェハＷを内槽１０１に浸漬させ、第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅから窒素を吐出させた状態で、位置調整部１７６Ｅを制御して第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅの吐出位置を変更させてもよい。この場合、制御部７は、たとえば、複数のウェハＷ間の距離未満のストローク（たとえば、複数のウェハＷ間の距離の半分のストローク）で第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅの吐出位置を変更させる。第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅの位置変更の態様は、２つの地点を往復させるものであってもよいし、その他の態様であってもよい。
このように、制御部７は、エッチング処理中に複数のウェハＷの配列方向に沿って第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅの吐出位置を変更してもよい。これにより、複数のウェハＷ間の隙間のうち、一部の隙間に窒素が多く入り込み、他の一部の隙間には窒素があまり入り込まないといった窒素の供給量の偏りを抑制することができる。したがって、複数のウェハＷ間におけるエッチング量の均一化を図ることができる。
図１２に示すように、第３の実施形態における第２の変形例に係る気体供給部１０７Ｆは、位置調整部１７６Ｆを備える。位置調整部１７６Ｆは、ねじ軸７６７と、複数の保持部７６８と、駆動部７６９とを備える。複数（ここでは６つ）の保持部７６８は、それぞれ第１吐出経路１７１Ｆ、第２吐出経路１７２Ｆ、第３吐出経路１７３Ｆおよび第４吐出経路１７４Ｆ、第３吐出経路１７３Ｆおよび第４吐出経路１７４Ｆ、第２吐出経路１７２Ｆ、第１吐出経路１７１Ｆを保持する。なお、位置調整部１７６Ｆは、第１～第４吐出経路１７１Ｆ～１７４Ｆの全てを保持する１つの保持部を備えていてもよい。
ねじ軸７６７および駆動部７６９は、複数の保持部７６８を移動させる移動機構の一例である。ねじ軸７６７は、複数のウェハＷの配列方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する。駆動部７６９は、ねじ軸７６７を軸まわりに回転させることによって複数の保持部７６８を複数のウェハＷの配列方向に沿ってまとめて移動させる。
第２の変形例に係る位置調整部１７６Ｆは、ねじ軸７６７および駆動部７６９を用いて複数の保持部７６８を移動させる。これにより、２つの第１吐出経路１７１Ｆ、２つの第２吐出経路１７２Ｆ、２つの第３吐出経路１７３Ｆおよび２つの第４吐出経路１７４Ｆを複数のウェハＷの配列方向と直交する方向に沿って移動させることができる。
これにより、第２の変形例に係る気体供給部１０７Ｆは、複数のウェハＷの配列方向と直交する方向における第１～第４吐出経路１７１Ｆ～１７４Ｆの位置を最適化することができる。
位置調整部１７６Ｆによる位置調整は、予め取得しておいた複数のウェハＷのエッチング処理の結果に基づいて事前に行われてもよいし、エッチング中に行われてもよい。エッチング中に行う場合、制御部７は、複数のウェハＷを内槽１０１に浸漬させ、第１～第４吐出経路１７１Ｆ～１７４Ｆから窒素を吐出させた状態で、位置調整部１７６Ｆを制御して第１～第４吐出経路１７１Ｆ～１７４Ｆの吐出位置を変更させてもよい。
このように、制御部７は、エッチング処理中に複数のウェハＷの配列方向と直交する方向に沿って第１～第４吐出経路１７１Ｆ～１７４Ｆの吐出位置を変更してもよい。これにより、１枚のウェハＷの面内おける窒素の供給量の偏りを抑制することができる。したがって、ウェハＷの面内におけるエッチング量の均一化を図ることができる。
第１の変形例では、位置調整部１７６Ｅが第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅを一体的に移動させる場合の例について説明したが、位置調整部１７６Ｅは、第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅを個別に移動させる構成であってもよい。この場合、気体供給部１０７Ｅは、第１吐出経路１７１Ｅを保持して移動させる移動機構、第２吐出経路１７２Ｅを保持して移動させる移動機構、第３吐出経路１７３Ｅおよび第４吐出経路１７４Ｅを保持して移動させる移動機構を備えていればよい。第２の変形例についても同様である。すなわち、気体供給部１０７Ｆは、第１吐出経路１７１Ｆを保持して移動させる移動機構、第２吐出経路１７２Ｆを保持して移動させる移動機構、第３吐出経路１７３Ｆおよび第４吐出経路１７４Ｆを保持して移動させる移動機構を備えていればよい。
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る気体供給部の構成について図１３を参照して説明する。図１３は、第４の実施形態に係る気体供給部の断面図である。なお、図１３に示す気体供給部１０７Ｇは、第１の実施形態に係る第１～第４第１吐出経路１７１～１７４と同様の第１～第４第１吐出経路１７１Ｇ～１７４Ｇを備えるものとするが、他の実施形態と同様の第１～第４第１吐出経路を備えていてもよい。
図１３に示すように、制御部７は、流量調整器７１３～７４３（図３参照）を制御して、図１３における上図に示す第１吐出状態と、図１３における下図に示す第２吐出状態とを切り替えてもよい。第１吐出状態は、第１～第４第１吐出経路１７１Ｇ～１７４Ｇのうち一部の吐出経路、ここでは、２つの第１吐出経路１７１Ｇ、２つの第３吐出経路１７３Ｇおよび２つの第４吐出経路１７４Ｇから窒素が吐出される状態である。また、第２吐出状態は、２つの第２吐出経路１７２Ｇから窒素が吐出される状態である。
このように、制御部７は、第１～第４第１吐出経路１７１Ｇ～１７４Ｇのうち一部の吐出経路から窒素が吐出される第１吐出状態と、他の一部の吐出経路から窒素が吐出される第２吐出状態とを切り替えてもよい。これにより、ウェハＷの面内におけるエッチング量の均一化を図ることができる。なお、第１吐出状態および第２吐出状態の切り替えは、１回のエッチング処理中に１回だけ行われてもよし、複数回行われてもよい。
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る気体供給部の構成について図１４および図１５を参照して説明する。図１４は、第５の実施形態に係る気体供給部を上方から見た斜視図である。また、図１５は、第５の実施形態に係る気体供給部を下方から見た斜視図である。
図１４および図１５に示すように、第５の実施形態に係る気体供給部１０７Ｈは、第１～第９吐出経路１７１Ｈ～１７９Ｈと、吐出プレート１７７とを備える。吐出プレート１７７には、互いに区画された複数（ここでは、９つ）の吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９が設けられている。
吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９には、それぞれ第１～第９吐出経路１７１Ｈ～１７９Ｈが接続される。吐出領域１７８Ｈ１の上面には複数の吐出口７１５Ｈが形成され、吐出領域１７８Ｈ２の上面には複数の吐出口７２５Ｈが形成され、吐出領域１７８Ｈ３の上面には複数の吐出口７３５Ｈが形成される。また、吐出領域１７８Ｈ４の上面には複数の吐出口７４５Ｈが形成され、吐出領域１７８Ｈ５の上面には複数の吐出口７５５Ｈが形成され、吐出領域１７８Ｈ６の上面には複数の吐出口７６５Ｈが形成される。また、吐出領域１７８Ｈ７の上面には複数の吐出口７７５Ｈが形成され、吐出領域１７８Ｈ８の上面には複数の吐出口７８５Ｈが形成され、吐出領域１７８Ｈ９の上面には複数の吐出口７９５Ｈが形成される。
吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９は、吐出プレート１７７に対し、たとえば３×３の行列状に配置される。具体的には、吐出領域１７８Ｈ１，１７８Ｈ２，１７８Ｈ３が複数のウェハＷの配列方向に沿って並べて配置され、吐出領域１７８Ｈ８，１７８Ｈ４，１７８Ｈ９が複数のウェハＷの配列方向に沿って並べて配置される。また、吐出領域１７８Ｈ７，１７８Ｈ６，１７８Ｈ５が複数のウェハＷの配列方向に沿って並べて配置される。
このように、第５の実施形態に係る気体供給部１０７Ｈは、複数のウェハＷの下方の領域を複数（ここでは、９つ）の吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９に分割することで、吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９ごとに窒素の吐出時間、吐出流量を制御することができる。たとえば、制御部７は、予め取得しておいた複数のウェハＷのエッチング処理の結果に基づいて、吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９における窒素の吐出時間および吐出流量の少なくとも１つを制御することができる。
また、吐出プレート１７７は、第１～第９吐出経路１７１Ｈ～１７９Ｈに対して着脱可能である。したがって、たとえば、予め取得しておいた複数のウェハＷのエッチング処理の結果に応じて、吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９の配置や形状が異なる複数の吐出プレート１７７の中から最適な吐出プレート１７７を選択することが可能である。これにより、複数のウェハＷ間におけるエッチング処理のさらなる均一化を図ることができる。
なお、第５の実施形態に係る吐出プレート１７７には、第２の実施形態に係る気体供給部１０７Ｃのように、内槽１０１の内壁１１１に向かって窒素を吐出する吐出口が設けられてもよい。この場合、内壁１１１に向かって窒素を吐出する吐出口は、たとえば、吐出領域１７８Ｈ１，１７８Ｈ７，１７８Ｈ８に設けられる。また、第５の実施形態に係る気体供給部１０７Ｈは、第３の実施形態に係る気体供給部１０７Ｅ，１０７Ｆと同様、第１～第９吐出経路１７１Ｈ～１７９Ｈを移動させる移動機構を備えていてもよい。
（その他の実施形態）
上述してきた各実施形態では、気体供給部１０７，１０７Ａ～１０７Ｈが窒素等の気体を吐出する場合の例について説明したが、気体供給部１０７，１０７Ａ～１０７Ｈは、気体に限らず、液体を吐出してもよい。
上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置１は、処理槽６１と、流体供給部（一例として、気体供給部１０７，１０７Ａ～１０７Ｈ）とを備える。処理槽６１は、配列された複数の基板（一例として、ウェハＷ）を処理液（一例として、エッチング液）に浸漬させて処理（一例として、エッチング処理）を行う。流体供給部は、処理槽６１の内部において複数の基板よりも下方に配置され、流体（一例として、窒素）を吐出することによって処理槽６１の内部に処理液の液流れを発生させる。また、流体供給部は、複数の基板の配列方向における異なる領域に流体を吐出する複数の吐出経路（一例として、第３吐出経路１７３，１７３Ａ～１７３Ｇ、第３吐出経路１７４，１７４Ａ～１７４Ｇ、第１～第９吐出経路１７１Ｈ～１７９Ｈ）を有する。
このように、複数の基板の配列方向における異なる領域に流体を吐出する複数の吐出経路を設けることで、複数の基板の配列方向において流体を均等な吐出時間、吐出流量で吐出する場合と比較して、より適切な液流れを処理槽６１内に形成することができる。
流体供給部（一例として、気体供給部１０７，１０７Ａ～１０７Ｈ）は、流体として気体を供給してもよい。流体としての気体を処理槽６１の内部に供給することで、処理槽６１の内部に処理液の液流れを形成することができる。これにより、基板間における処理の均一化、基板の面内における処理の均一化を図ることができる。また、処理液の温度の均一化を図ることができる。
流体供給部（一例として、気体供給部１０７，１０７Ａ～１０７Ｈ）は、他の吐出経路（一例として、第１吐出経路１７１，１７１Ａ～１７１Ｈ、第２吐出経路１７２，１７２Ａ～１７２Ｈ）を備えていてもよい。他の吐出経路は、複数の基板の配列方向と直交する方向に複数の吐出経路と並べて配置され、流体を吐出する。この場合、複数の吐出経路は、他の吐出経路と比べて内径が小さくてもよい。
これにより、複数の吐出経路の圧力損失を、他の吐出経路の圧力損失よりも高くすることができる。このため、複数の吐出経路からより低い流量で流体を吐出させることができる。言い換えれば、複数の吐出経路から吐出可能な流体の最低流量を低くすることができる。したがって、処理液の液流れをより微細に制御することが可能となる。
流体供給部（一例として、気体供給部１０７Ｈ）は、吐出プレート１７７を備えていてもよい。吐出プレート１７７は、互いに区画された複数の吐出領域（一例として、吐出領域１７８Ｈ１～１７８Ｈ９）を備える。また、複数の吐出領域のそれぞれは、複数の吐出口（一例として、吐出口７１５Ｈ，７２５Ｈ，７３５Ｈ，７４５Ｈ，７５５Ｈ，７６５Ｈ，７７５Ｈ，７８５Ｈ，７９５Ｈ）を有しており、複数の吐出経路のうち対応する吐出経路に接続される。これにより、吐出領域ごとに流体の吐出時間、吐出流量を制御することができる。また、たとえば、予め取得しておいた複数の基板の処理結果に応じて、吐出領域の配置や形状が異なる複数の吐出プレートの中から最適な吐出プレートを選択することで、基板処理のさらなる均一化を図ることができる。
実施形態に係る基板処理装置１は、複数の吐出経路（一例として、第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅ、第１～第４吐出経路１７１Ｆ～１７４Ｆ）を移動させる移動機構（一例として、位置調整部１７６Ｅ，１７６Ｆ）を備えていてもよい。
これにより、複数の基板の配列方向における複数の吐出経路の位置を最適化することができる。たとえば、複数の基板の処理が均等になるように、複数の基板の配列方向における複数の吐出経路の位置を調整することができる。
流体供給部（一例として、気体供給部１０７Ｃ）は、処理槽６１の内壁１１１に向かって流体を吐出する吐出口（一例として、吐出口７３６Ｃ，７４６Ｃ）を備えていてもよい。これにより、１枚目の基板と内壁１１１との間に形成される下降流を抑制することができる。したがって、内壁１１１に対向する１枚目の基板と内壁１１１との間と、基板と基板との間とで液流れに偏りが生じることを抑制することができる。
流体供給部（一例として、気体供給部１０７Ｄ）は、吐出経路を取り付ける取付プレート７６１を備えていてもよい。取付プレート７６１は、複数の取付穴７６２を有し、複数の取付穴７６２のうち任意の取付穴７６２に対して吐出経路を取り付け可能である。したがって、たとえば、予め取得しておいた複数の基板の処理結果に基づいて、複数の吐出経路の配置を最適化することができる。これにより、複数の基板の処理がより均一化されるような処理液の液流れを処理槽６１の内部に形成することが可能となる。
実施形態に係る基板処理装置は、処理槽６１と、流体供給部（一例として、気体供給部１０７，１０７Ａ～１０７Ｈ）と、制御部７とを備える。処理槽６１は、配列された複数の基板（一例として、ウェハＷ）を処理液（一例として、エッチング液）に浸漬させて処理（一例として、エッチング処理）を行う。流体供給部は、処理槽６１の内部において複数の基板よりも下方に配置され、流体（一例として、窒素）を吐出することによって処理槽６１の内部に処理液の液流れを発生させる。制御部７は、流体供給部から吐出される流体の吐出時間および吐出流量の少なくとも１つを制御する。また、流体供給部は、複数の基板の配列方向における異なる領域に流体を吐出する複数の吐出経路（一例として、第３吐出経路１７３，１７３Ａ～１７３Ｇ、第３吐出経路１７４，１７４Ａ～１７４Ｇ、第１～第９吐出経路１７１Ｈ～１７９Ｈ）を有する。
このように、複数の基板の配列方向における異なる領域に流体を吐出する複数の吐出経路を設けることで、複数の基板の配列方向において流体を均等な吐出時間、吐出流量で吐出する場合と比較して、より適切な液流れを処理槽６１内に形成することができる。また、制御部が、複数の吐出経路から吐出される流体の吐出時間、吐出流量を個別に制御することで、処理槽６１内の液流れをより適切に制御することができる。
実施形態に係る基板処理装置１は、複数の吐出経路（一例として、第１～第４吐出経路１７１Ｅ～１７４Ｅ、第１～第４吐出経路１７１Ｆ～１７４Ｆ）を移動させる移動機構（一例として、位置調整部１７６Ｅ，１７６Ｆ）を備えていてもよい。この場合、制御部７は、複数の基板を処理槽６１に浸漬させ、複数の吐出経路から流体を吐出させた状態で、移動機構を制御して複数の吐出経路を移動させることにより、複数の吐出経路の吐出位置を変更させるようにしてもよい。
このように、複数の基板の処理中に複数の吐出経路を移動機構を用いて移動させることにより、複数の基板間または基板の面内における処理の均一化を図ることができる。
移動機構（一例として、位置調整部１７６Ｅ）は、複数の吐出経路（一例として、気体供給部１０７Ｅ）を複数の基板の配列方向に沿って移動させてもよい。
これにより、複数の基板間の隙間のうち、一部の隙間に流体が多く入り込み、他の一部の隙間には流体があまり入り込まないといった流体の供給量の偏りを抑制することができる。したがって、複数の基板間における処理の均一化を図ることができる。
制御部７は、複数の基板間の距離未満のストロークで複数の吐出経路を移動させてもよい。これにより、複数の基板間における流体の供給量の偏りを適切に抑制することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウェハ
１ 基板処理装置
６１ 処理槽
１０１ 内槽
１０７ 気体供給部
１７１ 第１吐出経路
１７２ 第２吐出経路
１７３ 第３吐出経路
１７４ 第４吐出経路
７１５，７２５，７３５，７４５ 吐出口

Claims (7)

  1. 配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、
    前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、流体を吐出することによって前記処理槽の内部に前記処理液の液流れを発生させる流体供給部と
    を備え、
    前記流体供給部は、
    前記複数の基板の配列方向における異なる領域に前記流体を吐出する複数の吐出経路と、
    前記複数の基板の配列方向と直交する方向に前記複数の吐出経路と並べて配置され、前記流体を吐出する他の吐出経路と
    を備え、
    前記複数の吐出経路は、前記他の吐出経路と比べて内径が小さい、基板処理装置。
  2. 前記流体供給部は、
    前記流体として気体を供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記複数の吐出経路を移動させる移動機構
    を備える、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、
    前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、流体を吐出することによって前記処理槽の内部に前記処理液の液流れを発生させる流体供給部と
    を備え、
    前記流体供給部は、
    前記複数の基板の配列方向における異なる領域に前記流体を吐出する複数の吐出経路と、
    前記吐出経路を取り付ける取付プレートと
    を備え、
    前記取付プレートは、
    複数の取付穴を有し、前記複数の取付穴のうち任意の取付穴に対して前記吐出経路を取り付け可能である、基板処理装置。
  5. 前記流体供給部は、
    互いに区画された複数の吐出領域が設けられた吐出プレート
    を備え、
    前記複数の吐出領域のそれぞれは、複数の吐出口を有しており、前記複数の吐出経路のうち対応する吐出経路に接続される、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記流体供給部は、
    前記処理槽の内壁に向かって前記流体を吐出する吐出口
    を備える、請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、
    前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記複数の基板の配列方向における異なる領域に流体を吐出する複数の吐出経路を有し、前記流体を吐出することによって前記処理槽の内部に前記処理液の液流れを発生させる流体供給部と、
    前記複数の吐出経路を前記複数の基板の配列方向に沿って移動させる移動機構と、
    前記流体供給部から吐出される前記流体の吐出時間および吐出流量の少なくとも１つを制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記複数の基板を前記処理槽に浸漬させ、前記複数の吐出経路から前記流体を吐出させた状態で、前記移動機構を制御して前記複数の基板間の距離未満のストロークで前記複数の吐出経路を移動させることにより、前記複数の吐出経路の吐出位置を変更させる、基板処理装置。
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