JP2012507881A - 対象物の湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレル - Google Patents

対象物の湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレル Download PDF

Info

Publication number
JP2012507881A
JP2012507881A JP2011535506A JP2011535506A JP2012507881A JP 2012507881 A JP2012507881 A JP 2012507881A JP 2011535506 A JP2011535506 A JP 2011535506A JP 2011535506 A JP2011535506 A JP 2011535506A JP 2012507881 A JP2012507881 A JP 2012507881A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
wafer
processing fluid
fluid
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011535506A
Other languages
English (en)
Inventor
オンソック チェ
ゼファン イ
ボンウ キム
ファンス ユ
ジンウ アン
Original Assignee
シルトロン インク
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シルトロン インク filed Critical シルトロン インク
Publication of JP2012507881A publication Critical patent/JP2012507881A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Abstract

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。
【選択図】 図7

Description

本発明は、ウエハーのような対象物を洗浄するか又は食刻するなどの湿式処理する装置及び方法に関する。
一般に、半導体素子製造用ウエハーは、切断(slicing)工程、研削(grinding)工程、ラッピング(lapping)工程、食刻(etching)工程、研磨(polishing)工程などの一連の工程を経て生産される。工程が行われる過程で、ウエハーは各種汚染物によって表面が汚染される。代表的な汚染物としては、微細パーチクル、金属汚染物、有機汚染物などが挙げられる。このような汚染物は、ウエハーの品質を低下させるだけでなく、半導体素子の物理的欠陥及び特性低下を引き起こす原因として働き、結局半導体素子の生産歩留まりを低下させる原因になる。したがって、このような汚染物を除去するために、酸またはアルカリなどの食刻液や純水(Deionized water)を用いる湿式洗浄工程が一般に行われる。また、ウエハー及び半導体素子の製造工程には、ウエハーを食刻槽に入れて食刻液を用いて湿式食刻するなど多様な食刻工程が含まれる。
近年、デザインルールが厳しくなり、ウエハーの全面に対してより高い清浄度及び平坦度が求められている。また、1枚のウエハー内における均一な清浄度及び平坦度はもとより、通常洗浄槽または食刻槽に多数のウエハーを入れて処理するバッチ(batch)式処理の場合は、ウエハー間の清浄度や平坦度の均一性も求められている。これに関し、特許文献1及び特許文献2などには、バー状の支持台にウエハーを支持し、支持台を回転することでウエハーを回転させながら洗浄または食刻する方法が開示されている。また、特許文献3には、別途の超純水噴射管を設けてウエハーを洗浄する方法が開示されている。また、特許文献4には、多数のウエハーが垂直に支持されるキャリアの下部に気体排出口が設けられたパイプを配置し、気体を供給しながらウエハーを食刻する食刻装置が開示され、特許文献5には気体供給管と、処理槽内部の底側から供給される食刻液を処理槽の全体に拡散させるため、それぞれ多数の孔が設けられ且つ相互間隔を置いて上下に配置される多数の拡散板とを備える食刻装置が開示されている。
しかし、従来の方法によれば、処理槽内に洗浄液や食刻液の流れが円滑でないか又は停止する領域であるデッドゾーン(deadzone)が生じ得る。デッドゾーンには、洗浄または食刻過程で発生した不純物や副産物が残存することがあり、このような不純物や副産物はウエハーに再吸着してウエハーを汚染させる汚染源になる恐れがある。特に、食刻速度が非常に速い工程では、均一でないウエハーが量産される主な原因となり得る。これは、近年デザインルールが厳しくなるにつれて一層深刻な問題になっている。
特に、ウエハー周辺に超純水噴射管を設ける場合は、超純水が片方のみに噴射されるので、噴射の反対方向にデッドゾーンが生じ得る。また、多数の噴射管を洗浄槽内に設けなければならず、装置が複雑且つ巨大になるなどの問題がある。また、多数の噴射管のような多くの装置を洗浄槽内に設けることで、このような装置がさらなる汚染源として働くという問題も生じ得る。
また、キャリア下部に気体供給用パイプまたは気体供給管を設ける場合は、パイプから遠い部分には気体が十分供給されず、特に大口径ウエハーを処理するときに洗浄や食刻の均一度が低下するという問題がある。さらに、多数の拡散板を設ける場合は、装置が嵩張り、食刻液と気体との流れが相互干渉して円滑且つ均一に流れないこともある。
韓国特許公開第2005−0002532号公報 特許公開第2006−032640号公報 韓国特許公開第2005−0059895号公報 韓国特許公開第2003−0054732号公報 韓国特許公開第2003−0056702号公報
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の流れを円滑且つ均一にして処理効率及び均一度を向上させた流体拡散板及びバレル、並びにそれを用いた対象物の湿式処理装置及び方法を提供することを目的とする。
上記の課題を達成するため、本発明の一態様による流体拡散板は、上面、下面及び側面によって規定される内部空間と、前記内部空間に処理流体を供給する流体供給部と、を有し、前記上面と下面とを貫通する多数の通孔が形成され、前記通孔は隔壁によって前記内部空間と分離されており、前記上面で前記通孔が形成されていない部分に前記上面を貫通して前記内部空間と連通する多数の流体噴出口が形成されている。
また、上記の課題を達成するため、本発明の他の態様によるバレルは、それぞれ長さ方向の垂直方向に平板状の処理対象物を立設する複数のスロットが表面に形成され、相互平行に配置された複数の対象物支持棒と、前記複数の対象物支持棒の両端部をそれぞれ回転可能に固定する両側板と、前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。
また、上記の課題を達成するため、本発明のさらに他の態様による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理対象物を収納して支持する対象物支持手段と、前記処理槽の下部で処理液を供給する処理液供給手段と、前記対象物支持手段と処理液供給手段との間に配置される前述した流体拡散板と、を含む。
また、上記の課題を達成するため、本発明のさらに他の態様による対象物の湿式処理装置は、平板状の処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理対象物を収納して支持する対象物支持手段としての前述したバレルと、前記処理槽の下部で処理液を供給する処理液供給手段と、を含む。
また、上記の課題を達成するため、本発明のさらに他の態様によるウエハーの湿式処理装置は、処理対象であるウエハーが収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面にはウエハーを前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状のウエハー支持棒と、前記ウエハー支持棒に連結されて前記ウエハー支持棒を回転させることで前記ウエハーを円周方向に回転させる回転手段と、を備え、前記ウエハー支持棒には、前記ウエハーに処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。
また、上記の課題を達成するため、本発明のさらに他の態様による対象物の湿式処理方法は、処理槽内の処理対象物下部で処理液と処理流体とを拡散させて供給し、拡散する前記処理液の流れと処理流体の流れとが相互干渉しないように供給する。
また、上記の課題を達成するため、本発明のさらに他の態様によるウエハーの湿式処理方法は、それぞれ回転可能であって処理槽内に相互平行に配置される複数のウエハー支持棒に、複数のウエハーを前記ウエハー支持棒の長さ方向に沿って相互平行に装着する段階と、前記ウエハー支持棒を回転させることで前記ウエハーを円周方向に回転させながら、ウエハーに処理流体を噴射してウエハーを処理する段階と、を含み、前記ウエハーを処理する段階では、前記ウエハー支持棒の内部に形成された処理流体流路を通じて処理流体を供給し、前記ウエハー支持棒の表面に形成された処理流体噴射口を通じて前記処理流体を前記ウエハーに噴射することを特徴とする。
本発明によれば、処理槽内の処理対象物の下部で処理液と処理流体とを相互干渉しないように拡散させて供給することができる。これにより、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の流れを均一にすることで、不純物や食刻副産物などが処理対象物上に再吸着することを防止して均一な処理が可能になる。また、本発明によれば、1つの拡散板で処理液と処理流体とを同時に拡散供給できるため、コンパクトな処理装置を構成することができる。
本発明の一実施例によるウエハー処理装置を示した概略図である。 図1に示した装置のうち、ウエハーが装着されたウエハー支持棒を示した構成図である。 図2の一部分を示した部分拡大図である。 図2のA−A’線に沿った断面図の一例である。 図2のA−A’線に沿った断面図の他の例である。 図5の一部分に対する部分拡大図である。 本発明の一実施例によるウエハー処理装置によって処理流体を噴射しながらウエハーを処理する状態を示した図である。 本発明の他の実施例によるウエハー処理装置を示した概略図である。 図8に示した装置のうち、ウエハーが装着されたバレルの構成を示した図である。 図9に示したバレルの左側面図である。 図8に示した装置のうち、拡散板の構成を示した斜視図である。 図11のB−B’、C−C’及びD−D’線に沿った断面図である。
本明細書に添付される図面は、本発明の望ましい実施例を例示するものであり、発明の詳細な説明とともに本発明の技術的な思想をさらに理解させる役割をするため、本発明は図面に記載された事項だけに限定されて解釈されてはならない。
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。これに先立ち、本明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者自らは発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に則して本発明の技術的な思想に応ずる意味及び概念で解釈されねばならない。したがって、本明細書に記載された実施例及び図面に示された構成は、本発明のもっとも望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的な思想のすべてを代弁するものではないため、本出願の時点においてこれらに代替できる多様な均等物及び変形例があり得ることを理解せねばならない。
また、以下の説明では、処理対象物としては半導体ウエハーを、湿式処理としては洗浄と食刻を中心に説明するが、本発明はこれに限定されることなく、ガラス基板のような平板状の物や任意の対象物の湿式処理にも適用可能である。
図1は、本発明の一実施例によるウエハー洗浄装置を示した概略図である。
図1を参照すれば、本実施例によるウエハー洗浄装置は、洗浄液と洗浄対象であるウエハー110が収容される洗浄槽、ウエハー110を支持するウエハー支持棒120、循環ポンプ191及びフィルター192を含む。
洗浄槽は洗浄液とウエハー110が収容される内槽111、及び内槽111からオーバーフローした洗浄液を循環させる外槽112で構成される。内槽111には超純水やオゾン水のような洗浄液が満たされる。外槽112は内槽111の上半部の外側に設けられ、内槽111の両側壁からオーバーフローする洗浄液を受け取るように構成される。オーバーフローした洗浄液は循環ポンプ191によって循環配管190を通って内槽111に再び供給され、このとき、フィルター192を通じて汚染物などを除去することができる。勿論、オーバーフローした洗浄液を再循環させずに排水するか、さらには別の外槽112を設けない、すなわち内槽111のみで構成した洗浄槽を採択することもできる。
また、本発明の一実施例によるウエハー洗浄装置は、メガソニックオシレーター193をさらに含むことが望ましい。メガソニックオシレーター193は洗浄効率を高めるために洗浄工程が行われる間にウエハー110の表面にメガソニックエネルギーを印加する。このようにメガソニックエネルギーを印加することで、低い周波数領域ではキャビテーション(cavitation)効果が得られ、高い周波数領域では粒子加速(acoustic streaming)による効果が得られる。
ウエハー支持棒120は、洗浄槽の内部に相互平行に複数本が設けられ、ウエハー110を洗浄槽の底面と垂直方向に立てて支持する。図2はウエハー110が装着されたウエハー支持棒120の構成を示す部分図であり、図3は図2の一部分150に対する部分拡大図である。図面を参照すれば、回転手段(図示せず)に連結されたウエハー支持棒120には、洗浄液噴射口及び洗浄液流路123が形成されている。
回転手段はウエハー110を円周方向に回転させる手段であって、ウエハー支持棒120に連結された駆動軸のような形態であり得るが、本発明がこれに限定されることはない。回転手段がウエハー支持棒120に連結された駆動軸である場合、ウエハー支持棒120は外部の駆動軸と連結されて時計回り方向あるいは反時計回り方向に回転することで、スロット124に装着されたウエハー110を回転させることができる。このように、本発明によれば、ウエハー支持棒120に連結された回転手段を通じてウエハー110を回転させて洗浄できるため、均一に洗浄することができる。
洗浄液噴射口は洗浄槽に洗浄液を噴射する通路であって、1つ以上の噴射口で構成される。望ましくは、洗浄液噴射口はウエハー支持棒120の隣接した2つのスロット124の間に形成された第1洗浄液噴射口121を含む。ここで、ウエハー支持棒120のスロット124とは、図3に示したように、ウエハー支持棒120でウエハー110が直接装着される部分を言う。ウエハー支持棒120に連結された回転手段によってウエハー110を回転させながら、第1洗浄液噴射口121を通じて洗浄液を噴射すれば、ウエハー110間の流速を加速して洗浄効果を向上させることができる。また、洗浄効率が高くなるにつれて結果的に洗浄時間も短縮することができる。図3を参照すれば、第1洗浄液噴射口121は両側のウエハー110に同時に洗浄液を噴射できるように、隣接した2つのスロットの間に2つの噴射口を設けることができる。しかし、本発明はこれに限定されず、第1洗浄液噴射口121は隣接した2つのスロットの間に1つまたは3つ以上の噴射口を有し得る。
より望ましくは、洗浄液噴射口はウエハー支持棒のスロット124に形成された第2洗浄液噴射口122をさらに含む。図面を参照すれば、第2洗浄液噴射口122は1つのスロット124当り1つの噴射口を有するが、複数の噴射口を有し得る。
洗浄液流路123は、洗浄液を洗浄液噴射口に供給する移動通路である。望ましくは、洗浄液流路123はウエハー支持棒120の内部に形成される。
図4は、図2のA−A’線に沿った断面図である。図面を参照すれば、本発明の一実施例によるウエハー支持棒120の内部には、洗浄液流路123及び洗浄液を噴射できる複数の洗浄液噴射口121が形成されている。図示したように、洗浄液噴射口121は洗浄液流路123を中心に放射状に形成され、洗浄液流路123の洗浄液を放射状に噴射することができる。このとき、洗浄液噴射口121の個数は必要に応じて増減することができる。
図5は図2のA−A’線に沿った断面図の他の例であり、図6は図5の一部分170に対する部分拡大図である。図面を参照すれば、洗浄液流路123は一部分が開放された洗浄液流路外壁125を含む。洗浄液流路外壁125は固定されており、ウエハー支持棒120のうち洗浄液噴射口121を含め、洗浄液流路外壁125以外の部分が回転する。勿論、逆に、洗浄液流路外壁125が回転し、洗浄液流路外壁125以外の部分が固定されることもできる。すると、洗浄液流路外壁125は部分的に開放されているため、洗浄液噴射口121が洗浄液流路外壁125の開放された部分に到達した場合にのみ洗浄液を噴射することができる。一方、洗浄液流路外壁125の開放部分の個数または方向などを調整することで、洗浄液噴射口を通じた洗浄液の噴射量または噴射方向などを調整することができる。
図7は、本発明の一実施例によるウエハー洗浄装置による洗浄液の噴射状態を示した図である。図面を参照すれば、一般的な洗浄装置の場合は洗浄液の流れが円滑でないデッドゾーンDが生じることがある。しかし、本発明による洗浄装置の場合、ウエハー支持棒120が多くの方向に洗浄液を噴射することで、デッドゾーンDの流体の流れを円滑にして洗浄液が停滞することを防止する。よって、本発明による洗浄装置はウエハー110の均一な洗浄を可能にし、不純物の停滞によるウエハー110への再吸着を防止することができる。また、上述したように、メガソニックオシレーター193によってメガソニックを印加することで洗浄効果を向上させることができる。
一方、洗浄液噴射口121、122を通じて噴射される洗浄液は、洗浄槽111内に満たされる主洗浄液と同じであっても違っても良い。また、洗浄液噴射口121、122を通じて噴射される流体は、液体ではなく気体であっても良い。この場合、気体の噴射によって洗浄槽111内の洗浄液が円滑に流れるようになる。
以下、上記のような構成を有する本実施例のウエハー洗浄装置を用いた洗浄方法を説明する。
まず、ウエハーに対する単位工程が終了すれば、ウエハーを上記のような構成のウエハー洗浄装置のウエハー支持棒に装着する。その後、ウエハー洗浄装置を作動させれば、洗浄槽に洗浄液が供給され、ウエハーの表面と接触することでウエハーの洗浄が始まる。
本発明による、回転可能なウエハー支持棒にウエハーを装着してウエハーを円周方向に回転させながらウエハーに洗浄液を噴射してウエハーを洗浄する方法は、前記ウエハー支持棒の内部に形成された洗浄液流路を通じて洗浄液を供給し、前記ウエハー支持棒の表面に形成された洗浄液噴射口を通じて前記洗浄液を前記ウエハーに噴射する。また、ウエハー洗浄中にウエハーにメガソニックを印加することもできる。
上述したように、洗浄液噴射口はウエハー支持棒のスロットとスロットとの間に形成され、洗浄液がウエハーの表面に噴射されることが望ましい。より望ましくは、洗浄液噴射口はウエハー支持棒のスロットにも形成され、洗浄液がウエハーのエッジにも噴射される。
また、洗浄液噴射口は洗浄液流路を中心に放射状に形成され、洗浄液が放射状に噴射されることが望ましい。
以上、本実施例が半導体ウエハーの洗浄に適用される場合を挙げて説明したが、本実施例はウエハーの洗浄だけでなく、食刻を含め処理液でウエハーを処理する一般的な処理工程にも適用することができる。この場合、上述した説明における「洗浄」と言う用語は「食刻」や「処理」に代替することで同様の説明が可能である。
また、上述した説明では処理液、すなわち液体を用いてウエハーを処理する場合について説明したが、本発明はそれに限定されず、気体を用いてウエハーを処理する場合にも適用することができる。この場合、上述した説明における「洗浄液」、「食刻液」は「処理流体」と一般化することができる。
一方、本実施例においてウエハー支持棒120は洗浄槽内部の下側に3本が設けられることが示されたが、ウエハー支持棒120の個数と設置個所は変更可能である。特に、本実施例の装置を激しい化学反応が伴う食刻に用いる場合は、激しい化学反応によって発生する気体や食刻液の流れによってウエハー110が揺れて衝突するか浮び上がるなどの不都合を防止するため、ウエハー支持棒120をウエハーの上端部にも設けることが望ましい。さらに、後述する実施例のように、多数のウエハー支持棒120をバレル形態に構成することもできる。
図8ないし図12は、本発明の他の実施例によるウエハー処理装置としてウエハー食刻装置を示した図である。すなわち、本実施例は、特にウエハー食刻に好適な装置として説明されるが、ウエハー洗浄にも使用できることは言うまでもない。図8ないし図11を参照して本実施例のウエハー食刻装置について説明する。なお、図面で上述した実施例と同じ部材番号は上述した実施例と同じ構成を有する同じ部材であるため、それに対する説明は省き、上述した実施例と異なる点を中心に説明する。
本実施例によるウエハー食刻装置は、食刻液及び食刻対象であるウエハー110が収容される食刻槽、ウエハー110を収納するバレル200(図9参照)、循環ポンプ191、食刻液温度調節装置194、及び拡散板300を含む。すなわち、本実施例のウエハー食刻装置と上述した実施例のウエハー洗浄装置との主な相違点は、ウエハーを支持するウエハー支持棒120がウエハー110の上部と下部ともに配置されるバレル200形態で提供され、バレル200の下部で供給または循環供給される食刻液を食刻槽の内部に拡散させる拡散板300が提供されることである。
本実施例のウエハー食刻処理に使用される食刻液は、NaOH、KOHなどのアルカリ溶液でも良く、フッ酸(HF)、窒酸(HNO)、酢酸(CHCOOH)、リン酸(HPO)などの酸または混合酸、またはフッ化塩(NHHF)、窒酸塩(NHNO)またはその混合物などを使用することもできる。ウエハー食刻の化学反応は主に発熱反応であるため、食刻中にかなりの熱が発生し、これにより食刻液の温度を一定に維持することができなくなる。食刻液の温度変化と不均一な温度は、結果的にウエハー平坦度を悪化させることがある。したがって、食刻槽に供給される食刻液を、熱交換機などで具現される食刻液温度調節装置194に通過させることで、食刻液の温度を一定に維持することが望ましい。また、上述した実施例と同様に、不純物などをろ過するフィルター192(図1参照)を備えることもできる。
図9を参照して本実施例によるウエハー食刻装置に使用されるバレルについて詳しく説明する。
本実施例によるバレルは複数のウエハー支持棒120、両側板201、202、及び回転手段を含む。
ウエハー支持棒120は、相互平行に複数本(本実施例ではウエハー110の外周に沿って4つ)が配置され、両側板201、202に回転可能に固定される。ウエハー支持棒120の具体的な構成、すなわちスロット124、処理流体流路123、処理流体噴射口121、122などの構成は、上述した実施例で図3ないし図6を参照して説明したことと基本的に同じであるため、その説明は省く。一方、図9で部材番号126はそれぞれのウエハー支持棒120の処理流体流路123に処理流体を供給するための配管である。
両側板201、202は基本的に板状であって、ウエハー支持棒120の両端部が回転可能に挿入される孔が形成され、該孔にウエハー支持棒120を挿入して固定する。一方、複数のウエハー支持棒120の配置によってはバレル200にウエハー110を装着し難いことがある。このような場合は、ウエハー装着のために両側板が左右に(図9では前後に)開かれるか上下に分離される構造、または一部のウエハー支持棒120の位置を変更できる構造が提供される。すなわち、例えば、図9の左側面図である図10に示したように、4つのウエハー支持棒120のうち1つ(図10では右上側に位置したウエハー支持棒)が移動できるように両側板201、202に開口ホール203を形成し、このウエハー支持棒120を開口ホール203の下方に移動させてからウエハーを装着し、ウエハーが全て装着されれば、ウエハー支持棒を再び開口ホールの上方に移動させて固定した後、食刻工程に投入することができる。
ウエハー支持棒120を回転させる回転手段は、例えば図9に示したように、モーター210、動力伝達装置220、ギア231、232などで構成することができる。すなわち、片方の測板202にモーター210を装着し、ベベルギア又はウォームとウォームギアなどの動力伝達装置220を用いてモーター210の回転力の回転方向を変え、測板202の中心に回転可能に固定された中心ギア231を駆動する。すると、中心ギア231に噛合され、それぞれのウエハー支持棒120の端部に結合されたギア232が一方向に回転しながら、各ウエハー支持棒120のスロット124に装着されたウエハー110が回転するようになる。もちろん、回転手段はギアを用いて駆動する構成に限定されず、チェーンやベルトなど多様な均等手段に変形することができる。
一方、本実施例による食刻装置を用いて食刻工程を行う間、バレル200を上下に揺り動かすことでより均一に食刻することもできる。このために、本実施例による食刻装置は、図示していないが、例えば両側板201、202の上部に連結されてバレル200を上下に揺り動かすバレル揺動手段を備えることができる。また、本実施例による食刻装置はバレル揺動手段と共に、または、その代りに上述した実施例で使用したメガソニックオシレーター193をさらに備えることもできる。
本実施例によるウエハー食刻装置には、食刻槽の下部に供給される(または循環供給される)食刻液を食刻槽の上部へ拡散させて供給する拡散板300が備えられる。また、この拡散板300には気体供給配管320及び流量調節弁321が連結され、外部から気体が供給されるようになっている。すなわち、拡散板300は食刻槽の下部に供給される食刻液を拡散させるだけでなく、外部から供給される気体を拡散噴出する機能も同時に担当する。このように拡散供給される気体は、食刻液の円滑な流れを助け、食刻液とウエハー110表面との反応で生じる副産物気体を食刻槽の上方へ迅速に排出することを助ける役割を果たすものであって、窒素やアルゴンなどの不活性気体を使用することができる。また、場合によっては食刻液とともにウエハーの食刻に作用する気体を使用することもできる。
拡散板300は食刻槽の平面形状とほぼ一致する平面形状であって、上面、下面及び側面によって規定される内部空間を有する構造である。拡散板300は食刻液によって腐食されないように、PVDF(ポリフッ化ビニリデン)、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(ポリフルオロアルコキシ)などのフッ素系樹脂からなることが望ましい。
また、拡散板300には、図11及び図12に示したように、上面と下面とを貫通する通孔311が多数形成されている。この通孔311は食刻液が通過する食刻液通孔である。通孔311には内壁が設けられ、拡散板300の内部空間とは分離した構造である。また、拡散板300には、食刻液通孔311が形成されていない部分に上面のみを貫通して内部空間と連通する気体噴出口312が多数形成されている。よって、食刻液通孔311を通じて下部で供給される食刻液が均一に拡散して上部に供給され、気体噴出口312を通じて外部から供給される気体が食刻槽の上部へと均一に供給されるようになる。特に、本実施例による拡散板300には食刻液通孔311と気体噴出口312が同時に形成されており、特許文献5に開示された複数の拡散板を有する構造に比べて食刻装置を一層コンパクトに構成することができる。また、食刻液通孔311と気体噴出口312とが相互干渉しない構造であるため、食刻液の流れと気体の流れとが相互干渉しなくなり、均一な平坦度のウエハーが得られる。
一方、食刻液通孔311と気体噴出口312の大きさ、形状、配置などは多様に変形することができる。例えば、図11及び図12では、食刻液通孔311と気体噴出口312のそれぞれは同じ大きさと形状を有するものとして示されたが、気体供給配管320からの距離に応じてその大きさと形状を変化させることができ、食刻液通孔311の断面形状を下面から上面へ行くほど細くなるように形成することもできる。また、気体供給配管320は拡散板300側面の1箇所で連結されるものとして示されたが、連結個所と気体供給配管320の個数も多様に変形可能である。
さらに、本実施例の食刻装置は、図9及び図10に示されたバレル200と図11及び図12に示された拡散板300を共に備える構成であるが、本発明はいずれか片方のみを備えるか又は上述した実施例と本実施例の各構成要素を任意に組み合わせて構成することもできる。すなわち、ウエハー処理装置を上述した実施例の非バレル形態のウエハー支持棒120又は処理流体流路と処理流体噴射口を有しない一般的なバレルと、本実施例の拡散板300とを組み合わせて構成するか、本実施例のバレル200のみを備える構成にすることもできる。
また、本実施例も上述した実施例と同様に、ウエハー食刻だけではなく洗浄など処理液をもってウエハーを処理する一般的な処理工程に適用でき、気体を用いてウエハーを処理する場合にも適用することができる。また、上述した「洗浄液」、「食刻液」は「処理流体」に一般化され得る。
以上、本発明を限定された実施例と図面によって説明したが、本発明はこれによって限定されるものではなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を持つ者によって本発明の技術思想と特許請求範囲の均等範囲内で多様な修正及び変形が可能であることは言うまでもない。
本発明は、半導体ウエハーや基板など円盤状または平板状の対象物、さらには任意形状の対象物に対して洗浄、食刻などの湿式処理を行うときに用いることができる。

Claims (36)

  1. 対象物の湿式処理装置に使用される流体拡散板であって、
    上面、下面及び側面によって規定される内部空間と、
    前記内部空間に処理流体を供給する流体供給部と、を有し、
    前記上面と下面とを貫通する多数の通孔が形成され、前記通孔は隔壁によって前記内部空間と分離されており、
    前記上面で前記通孔が形成されていない部分に前記上面を貫通して前記内部空間と連通する多数の流体噴出口が形成されていることを特徴とする流体拡散板。
  2. それぞれ長さ方向の垂直方向に平板状の処理対象物を立設する複数のスロットが表面に形成され、相互平行に配置された複数の対象物支持棒と、
    前記複数の対象物支持棒の両端部をそれぞれ回転可能に固定する両側板と、
    前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、
    前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されていることを特徴とするバレル。
  3. 前記処理流体噴射口は、前記スロットとスロットとの間に形成されて前記対象物の表面に処理流体を噴射する第1処理流体噴射口を含むことを特徴とする請求項2に記載のバレル。
  4. 前記処理流体噴射口は、前記スロットに形成されて前記対象物のエッジに処理流体を噴射する第2処理流体噴射口をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のバレル。
  5. 前記処理流体流路は前記対象物支持棒の内部に形成され、
    前記処理流体噴射口は前記処理流体流路を中心に放射状に形成され、処理流体を放射状に噴射することを特徴とする請求項2に記載のバレル。
  6. 前記処理流体流路は一部分が開放された処理流体流路外壁によって規定され、
    前記処理流体流路外壁及び前記対象物支持棒の前記処理流体流路外壁以外の部分のうち一方は固定され、他方が回転可能であることを特徴とする請求項5に記載のバレル。
  7. 処理対象物が収容されて処理される処理槽と、
    前記処理対象物を収納して支持する対象物支持手段と、
    前記処理槽の下部で処理液を供給する処理液供給手段と、
    前記対象物支持手段と処理液供給手段との間に配置される請求項1に記載の流体拡散板と、を含むことを特徴とする対象物の湿式処理装置。
  8. 前記処理対象物が平板状であることを特徴とする請求項7に記載の対象物の湿式処理装置。
  9. 前記処理対象物がウエハーであり、
    前記対象物支持手段は、その表面には前記ウエハーを前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の支持棒であることを特徴とする請求項8に記載の対象物の湿式処理装置。
  10. 前記支持棒は前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、
    前記支持棒に連結され、前記支持棒を回転させることで前記ウエハーを円周方向に回転させる回転手段を備えることを特徴とする請求項9に記載の対象物の湿式処理装置。
  11. 前記支持棒は、前記ウエハーの外周に沿って複数本が相互平行に配置されてバレルを構成することを特徴とする請求項9または請求項10に記載の対象物の湿式処理装置。
  12. 前記バレルを前記処理槽の内部で上下方向に揺り動かせるバレル揺動手段をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の対象物の湿式処理装置。
  13. 前記処理対象物にメガソニックを印加するメガソニックオシレーターをさらに備えることを特徴とする請求項7に記載の対象物の湿式処理装置。
  14. 前記処理対象物が平板状であり、
    前記対象物支持手段は請求項2ないし請求項6のうちいずれか1項に記載のバレルであることを特徴とする請求項7に記載の対象物の湿式処理装置。
  15. 平板状の処理対象物が収容されて処理される処理槽と、
    前記処理対象物を収納して支持する対象物支持手段として請求項2ないし請求項6のうちいずれか1項に記載のバレルと、
    前記処理槽の下部で処理液を供給する処理液供給手段と、を含むことを特徴とする対象物の湿式処理装置。
  16. ウエハー処理装置であって、
    処理対象であるウエハーが収容されて処理される処理槽と、
    前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面にはウエハーを前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状のウエハー支持棒と、
    前記ウエハー支持棒に連結されて前記ウエハー支持棒を回転させることで前記ウエハーを円周方向に回転させる回転手段と、を備え、
    前記ウエハー支持棒には、前記ウエハーに処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されていることを特徴とするウエハー処理装置。
  17. 前記処理流体噴射口は、前記スロットとスロットとの間に形成されて前記ウエハーの表面に処理流体を噴射する第1処理流体噴射口を含むことを特徴とする請求項16に記載のウエハー処理装置。
  18. 前記処理流体噴射口は、前記スロットに形成されて前記ウエハーのエッジに処理流体を噴射する第2処理流体噴射口をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載のウエハー処理装置。
  19. 前記処理流体流路は前記ウエハー支持棒の内部に形成され、
    前記処理流体噴射口は前記処理流体流路を中心に放射状に形成され、処理流体を放射状に噴射することを特徴とする請求項16に記載のウエハー処理装置。
  20. 前記処理流体流路は一部分が開放された処理流体流路外壁によって規定され、
    前記処理流体流路外壁及び前記ウエハー支持棒の前記処理流体流路外壁以外の部分のうち一方は固定され、他方が回転可能であることを特徴とする請求項19に記載のウエハー処理装置。
  21. 前記ウエハーにメガソニックを印加するメガソニックオシレーターをさらに備えることを特徴とする請求項16に記載のウエハー処理装置。
  22. 前記ウエハー支持棒は、前記ウエハーの外周に沿って複数本が相互平行に配置されてバレルを構成することを特徴とする請求項16に記載のウエハー処理装置。
  23. 前記バレルを前記処理槽の内部で上下方向に揺り動かすバレル揺動手段をさらに備えることを特徴とする請求項22に記載のウエハー処理装置。
  24. 処理槽内で処理対象物を湿式処理する方法であって、
    前記処理槽内の処理対象物の下部で処理液と処理流体を拡散させて供給し、拡散する前記処理液の流れと処理流体の流れとが相互干渉しないように供給することを特徴とする対象物の湿式処理方法。
  25. 前記処理対象物がウエハーであり、
    前記ウエハーを前記処理槽の底面と垂直方向に複数枚立てて処理することを特徴とする請求項24に記載の対象物の湿式処理方法。
  26. 前記ウエハーを円周方向に回転させながら処理することを特徴とする請求項25に記載の対象物の湿式処理方法。
  27. 前記処理対象物の処理中に前記処理対象物にメガソニックを印加することを特徴とする請求項24に記載の対象物の湿式処理方法。
  28. 前記処理対象物の処理中に前記処理対象物を上下に揺り動かすことを特徴とする請求項24に記載の対象物の湿式処理方法。
  29. それぞれ回転可能であって処理槽内に相互平行に配置される複数のウエハー支持棒に、複数のウエハーを前記ウエハー支持棒の長さ方向に沿って相互平行に装着する段階と、
    前記ウエハー支持棒を回転させることで前記ウエハーを円周方向に回転させながら、ウエハーに処理流体を噴射してウエハーを処理する段階と、を含み、
    前記ウエハーを処理する段階では、前記ウエハー支持棒の内部に形成された処理流体流路を通じて処理流体を供給し、前記ウエハー支持棒の表面に形成された処理流体噴射口を通じて前記処理流体を前記ウエハーに噴射することを特徴とするウエハー処理方法。
  30. 前記処理流体噴射口は、前記ウエハー支持棒のスロットとスロットとの間に形成されて前記処理流体がウエハーの表面に噴射されることを特徴とする請求項29に記載のウエハー処理方法。
  31. 前記処理流体噴射口は、前記ウエハー支持棒のスロットにも形成されて前記処理流体がウエハーのエッジにも噴射されることを特徴とする請求項30に記載のウエハー処理方法。
  32. 前記処理流体噴射口が前記処理流体流路を中心に放射状に形成され、前記処理流体が放射状に噴射されることを特徴とする請求項29に記載のウエハー処理方法。
  33. 前記ウエハーの処理中に、前記ウエハーにメガソニックを印加することを特徴とする請求項29に記載のウエハー処理方法。
  34. 前記ウエハー支持棒の下部でウエハー処理液を前記処理槽の内部に拡散させながら供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載のウエハー処理方法。
  35. 前記ウエハーの処理中に、拡散する前記ウエハー処理液の流れと干渉しないように前記ウエハーに向かって気体を噴出させることを特徴とする請求項34に記載のウエハー処理方法。
  36. 前記ウエハーの処理中に、前記複数のウエハー支持棒を上下に揺り動かすことを特徴とする請求項29に記載のウエハー処理方法。
JP2011535506A 2008-11-04 2009-11-03 対象物の湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレル Pending JP2012507881A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0108937 2008-11-04
KR20080108937 2008-11-04
KR10-2009-0102899 2009-10-28
KR1020090102899A KR20100050403A (ko) 2008-11-04 2009-10-28 대상물의 습식 처리 장치 및 방법과 이에 사용되는 유체 확산판
PCT/KR2009/006402 WO2010053280A2 (ko) 2008-11-04 2009-11-03 대상물의 습식 처리 장치 및 방법과 이에 사용되는 유체 확산판 및 배럴

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012507881A true JP2012507881A (ja) 2012-03-29

Family

ID=42276537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011535506A Pending JP2012507881A (ja) 2008-11-04 2009-11-03 対象物の湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレル

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110309051A1 (ja)
EP (1) EP2357663A4 (ja)
JP (1) JP2012507881A (ja)
KR (2) KR20100050403A (ja)
CN (2) CN102246277B (ja)
WO (1) WO2010053280A2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017139384A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2020102570A (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 株式会社Sumco 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法
JP2020113621A (ja) * 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2021514542A (ja) * 2018-06-18 2021-06-10 エスケー シルトロン カンパニー リミテッド ウェハー洗浄装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157352A (zh) * 2011-03-23 2011-08-17 北京大学 一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置
JP6092653B2 (ja) * 2012-02-27 2017-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び洗浄方法
CN102941201B (zh) * 2012-10-12 2016-01-20 上海华力微电子有限公司 机台传送部件自清洗方法以及机台传送部件
CN103219273A (zh) * 2013-03-14 2013-07-24 上海华力微电子有限公司 一种提湿法刻蚀承托装置和方法
SG11201508467SA (en) * 2013-04-22 2015-11-27 Acm Res Shanghai Inc Method and apparatus for through-silicon vias reveal
US9349617B2 (en) * 2013-11-22 2016-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for wafer cleaning
CN104867846B (zh) * 2014-02-26 2020-10-27 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 晶圆加工装置
CN103985660B (zh) * 2014-05-30 2017-11-07 上海集成电路研发中心有限公司 湿法刻蚀系统、湿法刻蚀方法
CN106702496B (zh) * 2015-07-20 2019-01-25 有研半导体材料有限公司 一种酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的装置及方法
CN106449483B (zh) * 2016-10-24 2019-03-26 上海华力微电子有限公司 药液槽承载晶圆的底座及提高槽式湿法刻蚀均匀性的方法
US11414757B2 (en) * 2017-11-13 2022-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gas tube, gas supply system and manufacturing method of semiconductor device using the same
CN107946229B (zh) * 2017-11-21 2021-01-26 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆刻蚀的升降装置
CN109940771A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 有研半导体材料有限公司 一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置及工艺
CN108321104B (zh) * 2018-03-15 2024-01-23 福建省福联集成电路有限公司 一种具有管路结构的蚀刻装置
CN108598016B (zh) * 2018-03-15 2024-01-23 福建省福联集成电路有限公司 一种均匀场流的蚀刻装置
US20200006093A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet bench structure
JP7176904B2 (ja) 2018-09-21 2022-11-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN111106024B (zh) * 2018-10-26 2023-09-29 长鑫存储技术有限公司 流场分布的检测方法
CN111199869A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 长鑫存储技术有限公司 晶圆的清洗方法
CN110369390A (zh) * 2019-07-05 2019-10-25 上海提牛机电设备有限公司 一种陶瓷盘360度旋装置
CN110364421B (zh) * 2019-07-17 2022-02-25 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法
CN110620066A (zh) * 2019-09-06 2019-12-27 上海华力集成电路制造有限公司 槽式湿法刻蚀机台及利用其进行湿法刻蚀的方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0864572A (ja) * 1994-08-19 1996-03-08 Nec Corp ウエット処理装置
EP0856873A2 (en) * 1997-02-04 1998-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
KR0132642Y1 (ko) * 1994-11-02 1999-02-01 김주용 버블러
KR20030056702A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼 에칭장치
KR20050030348A (ko) * 2003-09-25 2005-03-30 주식회사 실트론 메가소닉을 이용한 웨이퍼 세정장치
KR20050044943A (ko) * 2003-11-08 2005-05-16 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼를세정 및 건조하기 위한 장치
JP2006032640A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体ウェーハのエッチング装置
JP2007287790A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
KR20080087519A (ko) * 2007-03-27 2008-10-01 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04150028A (ja) * 1990-10-12 1992-05-22 Nippon Steel Corp ウエハ洗浄装置
DE4103084A1 (de) * 1991-02-01 1992-08-13 Wacker Chemitronic Magazin zur halterung von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, bei der nasschemischen oberflaechenbehandlung in fluessigkeitsbaedern
JPH05182946A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 洗浄装置
JP3352868B2 (ja) * 1995-12-20 2002-12-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理槽
JPH09181038A (ja) * 1995-12-26 1997-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理槽
US6058945A (en) * 1996-05-28 2000-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
US6187216B1 (en) * 1997-08-27 2001-02-13 Motorola, Inc. Method for etching a dielectric layer over a semiconductor substrate
KR20030054732A (ko) 2001-12-26 2003-07-02 주식회사 실트론 웨이퍼 에칭장치
KR20050002532A (ko) 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 웨이퍼 습식세정방법
JP4509501B2 (ja) * 2003-07-31 2010-07-21 Sumco Techxiv株式会社 円板状部材のエッチング方法及び装置
KR20050059895A (ko) 2003-12-15 2005-06-21 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정 장치
JP4381947B2 (ja) * 2004-10-04 2009-12-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100849366B1 (ko) * 2006-08-24 2008-07-31 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법
CN201117639Y (zh) * 2007-10-26 2008-09-17 上海华虹Nec电子有限公司 湿法浸入式设备的药液处理槽

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0864572A (ja) * 1994-08-19 1996-03-08 Nec Corp ウエット処理装置
KR0132642Y1 (ko) * 1994-11-02 1999-02-01 김주용 버블러
EP0856873A2 (en) * 1997-02-04 1998-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
KR20030056702A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼 에칭장치
KR20050030348A (ko) * 2003-09-25 2005-03-30 주식회사 실트론 메가소닉을 이용한 웨이퍼 세정장치
KR20050044943A (ko) * 2003-11-08 2005-05-16 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼를세정 및 건조하기 위한 장치
JP2006032640A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体ウェーハのエッチング装置
JP2007287790A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
KR20080087519A (ko) * 2007-03-27 2008-10-01 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017139384A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2021514542A (ja) * 2018-06-18 2021-06-10 エスケー シルトロン カンパニー リミテッド ウェハー洗浄装置
JP7007491B2 (ja) 2018-06-18 2022-01-24 エスケー シルトロン カンパニー リミテッド ウェハー洗浄装置
JP2020102570A (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 株式会社Sumco 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法
CN111383950A (zh) * 2018-12-25 2020-07-07 胜高股份有限公司 半导体晶片的清洗槽及清洗方法
JP2020113621A (ja) * 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7190912B2 (ja) 2019-01-10 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110309051A1 (en) 2011-12-22
KR20100050403A (ko) 2010-05-13
CN103354213A (zh) 2013-10-16
KR20100050404A (ko) 2010-05-13
CN102246277A (zh) 2011-11-16
CN102246277B (zh) 2014-06-11
WO2010053280A2 (ko) 2010-05-14
WO2010053280A3 (ko) 2010-08-05
EP2357663A4 (en) 2012-07-18
EP2357663A2 (en) 2011-08-17
KR101104016B1 (ko) 2012-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012507881A (ja) 対象物の湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレル
US9418831B2 (en) Method for precision cleaning and drying flat objects
KR20040075323A (ko) 단일- 또는 두-기판 처리용 장치 및 방법
WO2006033186A1 (ja) 基板処理装置
JP2012164957A (ja) 液処理装置および液処理方法
KR20100045802A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
US7648580B2 (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP2009060112A (ja) 枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
KR100808237B1 (ko) 전이 유동에 의한 물체의 표면처리방법
JP5112946B2 (ja) 基板処理装置
KR20210042380A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2009267167A (ja) 基板処理装置
JP2006108512A (ja) 基板処理装置
JP4781253B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2020170808A (ja) 処理液生成装置、基板処理装置、処理液生成方法および基板処理方法
KR20200113366A (ko) 웨이퍼 세정 장치
US20080236615A1 (en) Method of processing wafers in a sequential fashion
KR20100060094A (ko) 기판 이면 세정 방법
KR101445680B1 (ko) 웨이퍼 회전이 가능한 배치타입 세정장치 및 세정방법
KR20050038761A (ko) 기판세정장치
KR20070058798A (ko) 매엽식 기판 처리 장치
JP6016093B2 (ja) 薬液供給装置、基板処理システム、および基板処理方法
KR102548592B1 (ko) 기판 세정 방법 및 장치
JP2000223470A (ja) ウェットエッチング装置
JP2016187049A (ja) ウェハの洗浄装置および洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121029

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140408