JP2020102570A - 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェーハの周縁部をより均一に洗浄することができる半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法を提供する。【解決手段】複数枚の半導体ウェーハＷを洗浄液に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽１であって、上部に開口部１１ａを有し、複数枚の半導体ウェーハＷを収容するとともに洗浄液を貯留する槽本体１１と、第１の側面部３２ａと第２の側面部３２ｂとによって区画され半導体ウェーハＷを立設支持する複数のスロットＳが表面に設けられている複数のウェーハガイド３２とを備え、洗浄液を槽本体１１の開口部１１ａからオーバーフローさせながら複数枚の半導体ウェーハＷを洗浄する半導体ウェーハＷの洗浄槽において、第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂの各々に、洗浄液を噴射する洗浄液噴射口３２ｃが設けられてことを特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法に関する。

一般に、シリコンウェーハに代表される半導体ウェーハは、単結晶インゴットを育成し、育成した単結晶インゴットをブロックに切断した後薄くスライスし、粗研磨（ラッピング）、面取り、鏡面研磨（ポリッシング）、エッチングなどの工程を経て製造される。

上記工程では、半導体ウェーハの研磨粉などのパーティクルが発生し、半導体ウェーハに付着して表面が汚染する。このような汚染は、半導体ウェーハの品質を低下させるだけでなく、半導体デバイスに欠陥を発生させたり、デバイス特性の低下を引き起こし、半導体デバイスの歩留まりを低下させる。そのため、半導体ウェーハ表面の汚染を低減するために、酸またはアルカリなどのエッチング液や純水などの洗浄液を用いて、半導体ウェーハの洗浄を行うのが一般的である。

図１（ａ）は、一般的な半導体ウェーハを洗浄する洗浄槽の一例を示している。この図に示した半導体ウェーハの洗浄槽１００は、複数枚（例えば、２５枚）の半導体ウェーハＷを洗浄液に浸漬して一度に洗浄するバッチ式の洗浄槽であり、槽本体１１と、複数のウェーハガイド１２と、洗浄液供給部１３とを備える。

槽本体１１は、上部に開口部１１ａを有しており、内部に複数枚の半導体ウェーハＷを収容するとともに、半導体ウェーハＷを洗浄する洗浄液Ｌを貯留する。また、ウェーハガイド１２は、図１（ｂ）に示すように、その表面に、第１の側面部１２ａと第２の側面部１２ｂとによって区画された複数のスロットＳが所定の間隔（例えば、１０ｍｍ）で設けられており、各スロットＳにおいて半導体ウェーハＷが立設支持されるように構成されている。図１（ｂ）に例示したスロットＳは、その断面がＶ字状の形状を有している。

さらに、洗浄液供給部１３は、半導体ウェーハＷの下方から洗浄液を供給し、洗浄液が半導体ウェーハＷの下方から上方に向かって流れるようにして、槽本体１１の開口部１１ａからオーバーフローさせながら複数枚の半導体ウェーハＷを洗浄するように構成されている。

このようなオーバーフロー型のバッチ式洗浄槽１００の場合、洗浄液供給部１３がウェーハガイド１２の下方に配置されているため、洗浄液供給部１３からの洗浄液の流れが滞る領域（以下、「デッドゾーン」と言う。）が存在し、半導体ウェーハＷの周縁部を均一に洗浄できない問題がある。

そこで、特許文献１には、図２に示すように、ウェーハガイド２２に第１の側面部２２ａと第２の側面部２２ｂとによって断面がＶ字型のスロットＳを画定し、スロットＳ間の凸部２２ｃに洗浄液噴射口２２ｄを設けて洗浄液を噴射することによって、洗浄槽内の洗浄液の流れをより均一にして、半導体ウェーハＷをより均一に洗浄する洗浄槽について記載されている。

特表２０１２−５０７８８１号公報

しかしながら、特許文献１に記載された洗浄槽においては、スロットＳに配置された半導体ウェーハＷと、第１の側面部２２ａおよび第２の側面部２２ｂとの間にデッドゾーンＤが依然として存在し、半導体ウェーハＷの周縁部を均一に洗浄できない。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体ウェーハの周縁部をより均一に洗浄することができる半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法を提供することにある。

上記課題を解決する本発明は以下の通りである。
［１］複数枚の半導体ウェーハを洗浄液に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽であって、上部に開口部を有し、前記複数枚の半導体ウェーハを収容するとともに前記洗浄液を貯留する槽本体と、第１の側面部と第２の側面部とによって区画され前記半導体ウェーハを立設支持する複数のスロットが表面に設けられている複数のウェーハガイドとを備え、前記洗浄液を前記槽本体の開口部からオーバーフローさせながら前記複数枚の半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽において、
前記第１の側面部および前記第２の側面部の各々に、前記洗浄液を噴射する洗浄液噴射口が設けられていることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄槽。

［２］前記洗浄液噴射口は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向が、前記洗浄液噴射口から前記半導体ウェーハの中心に向かう方向に対して傾斜するように構成されている、前記［１］に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［３］前記第１の側面部の洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向と、前記第２の側面の洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向とが、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記半導体ウェーハの中心、前記半導体ウェーハと前記第１の側面部との接触点、および前記半導体ウェーハと前記第２の側面部との接触点を含み前記半導体ウェーハの主面に垂直な面に対して互いに逆向きである、前記［１］または［２］に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［４］前記第１の側面部および前記第２の側面部の各々について、前記半導体ウェーハと接触する接触点よりも前記スロットの深さ方向の深い位置および浅い位置の双方に前記洗浄液噴射口が設けられている、前記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［５］前記深い位置に設けられた洗浄液噴射口は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記深い位置に設けられた洗浄液噴射口からの洗浄液の噴射方向が、前記洗浄液噴射口と前記半導体ウェーハの中心とを通る直線に垂直となるように構成されている、前記［４］に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［６］前記第１の側面部に設けられた洗浄液噴射口の位置は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記第２の側面部に設けられた洗浄液噴射口の位置と異なる、前記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［７］前記複数枚の半導体ウェーハの下方から前記洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに備える、前記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［８］前記［１］〜［７］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽を用いて複数枚の半導体ウェーハを洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。

［９］前記洗浄液として純水を用いて半導体ウェーハのリンスのみ行う、前記［８］に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

本発明によれば、半導体ウェーハの周縁部をより均一に洗浄することができる。

一般的な半導体ウェーハの洗浄槽の一例を示す図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）はウェーハガイドを示す図である。 特許文献１に記載された洗浄槽におけるウェーハガイドを示す図である。 本発明による半導体ウェーハの洗浄槽の一例を示す図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）はウェーハガイドを示す図である。 本発明による半導体ウェーハの洗浄槽におけるウェーハガイドの好適な構成の一例を示す図である。 本発明による半導体ウェーハの洗浄槽におけるウェーハガイドの好適な構成の別の例を示す図である。 本発明による半導体ウェーハの洗浄槽におけるウェーハガイドの好適な構成のさらに別の例を示す図である。

（半導体ウェーハの洗浄槽）
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明による半導体ウェーハの洗浄槽は、複数枚の半導体ウェーハを洗浄液に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽であって、上部に開口部を有し、複数枚の半導体ウェーハを収容するとともに洗浄液を貯留する槽本体と、第１の側面部と第２の側面部とによって区画され半導体ウェーハを立設支持する複数のスロットが表面に設けられている複数のウェーハガイドとを備え、洗浄液を槽本体の開口部からオーバーフローさせながら複数枚の半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽である。ここで、上記第１の側面部および上記第２の側面部の各々に、洗浄液を噴射する洗浄液噴射口が設けられていることを特徴とする。

上述のように、特許文献１に記載された洗浄槽におけるウェーハガイド２２は、図２に示したように、スロットＳ間の凸部２２ｃに洗浄液噴射口２２ｄが設けられている。しかしながら、特許文献１に記載された洗浄槽においても、スロットＳに配置された半導体ウェーハＷと第１の側面部２２ａおよび第２の側面部２２ｂとの間にデッドゾーンＤが依然として存在し、半導体ウェーハＷの周縁部を均一に洗浄することができない。

本発明者は、上記デッドゾーンＤをなくして半導体ウェーハＷの周縁部をより均一に洗浄する方途について鋭意検討した。その結果、スロットを画定する第１の側面部および第２の側面部の各々に、洗浄液を噴射する洗浄液噴射口を設けることが極めて有効であることを見出し、本発明を完成させたのである。

図３は、本発明による半導体ウェーハの洗浄槽１の一例を示しており、（ａ）は全体図、（ｂ）はウェーハガイド３２をそれぞれ示している。なお、図１と同じ構成には同じ符号が付されている。図３（ａ）に示した洗浄槽１においては、図３（ｂ）に示すように、ウェーハガイド３２のスロットＳを画定する第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２の各々に、洗浄液を噴射する洗浄液噴射口３２ｃが設けられている。

このように構成された洗浄槽１のウェーハガイド３２に設けられたスロットＶの各々に半導体ウェーハＷを配置し、ウェーハガイド３２の第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂに設けられた洗浄液噴射口３２ｃから洗浄液を噴射し、洗浄液を槽本体１１の開口部１１ａからオーバーフローさせるようにする。これにより、図２（ｂ）に示したデッドゾーンＤにも洗浄液を供給して、半導体ウェーハＷの周縁部をより均一に洗浄することができる。

なお、図３（ａ）に示すように、従来の洗浄槽１００のように複数枚の半導体ウェーハＷの下方から洗浄液を供給する洗浄液供給部１３をさらに設けて、槽本体１１の底部に存在する洗浄液の流れを向上させることによって、半導体ウェーハＷの洗浄効果を向上させてもよいが、ウェーハガイド３２のみで洗浄液を供給するようにしてもよい。

また、本発明による洗浄槽１において、図４に示すように、洗浄液噴射口３２ｃは、半導体ウェーハＷがスロットＳに立設支持された状態で半導体ウェーハＷの主面に垂直な方向から見たときに、洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向Ｄ_lが、洗浄液噴射口３２ｃから半導体ウェーハＷの中心Ｃに向かう方向Ｄ_cに対して傾斜するように構成されていることが好ましい。

すなわち、ウェーハガイド３２内部に設けられた洗浄液流路３２ｄを流通する洗浄液が洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向Ｄ_lが、洗浄液噴射口３２ｃから半導体ウェーハＷの中心Ｃに向かう方向Ｄ_cに対して平行である場合（すなわち、洗浄液が半導体ウェーハＷの中心Ｃに向かう場合）には、洗浄液噴射口３２から噴射された洗浄液によって半導体ウェーハＷに付加される力の全てが半導体ウェーハＷの中心（重心）Ｃに向かう。その結果、洗浄液の噴射によって半導体ウェーハＷがウェーハガイド３２から離れて浮き上がり、ウェーハガイド３２との再接触などによって、半導体ウェーハＷの周縁部に傷が生じたり、パーティクルが発生してスロットＳが汚れ、次のバッチ洗浄を行う際に別の半導体ウェーハＷを汚染したりする虞がある。

そこで、洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向Ｄ_lが、洗浄液噴射口３２ｃから半導体ウェーハＷの中心Ｃに向かう方向Ｄ_cに対して傾斜させることにより、洗浄液により半導体ウェーハＷに付加される力のうち、半導体ウェーハＷの中心（重心）Ｃに向かう成分を低減して、半導体ウェーハＷがウェーハガイド３２から離れて浮き上がるのを抑制することができる。

なお、図５に示すように、第１の側面部３２ａに設けられた洗浄液噴射口３２ｃの位置は、半導体ウェーハＷがスロットＳに立設支持された状態で半導体ウェーハＷの主面に垂直な方向から見たときに、第２の側面部３２ｂに設けられた洗浄液噴射口３２ｃの位置と異なってもよい。すなわち、第１の側面部３２ａに設けられた洗浄液噴射口３２と第２の側面部３２ｂに設けられた洗浄液噴射口３２ｂとが、半導体ウェーハＷに対して対称な位置に設けられていなくてもよい。なお、図５において、第１の側面部３２ａに設けられた洗浄液噴射口３２ｃが二点鎖線で、第２の側面部３２ａに設けられた洗浄液噴射口３２ｃが破線で、それぞれ示されている。

また、第１の側面部３２ａの洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向Ｄ₁と、第２の側面３２ｂの洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向Ｄ₂とが、図５に示すように、半導体ウェーハＷがスロットＳに立設支持された状態で半導体ウェーハＷの主面に垂直な方向から見たときに、半導体ウェーハＷの中心と半導体ウェーハＷと第１の側面部３２ａとの接触点Ｐ（すなわち、半導体ウェーハＷと第２の側面部３２ｂとの接触点）とを通る直線ｌに垂直な方向に対して互いに逆向きであることが好ましい。

上述のように、洗浄液噴射口３２ｃからの洗浄液の噴射によって半導体ウェーハＷに力が付加されるが、付加される力のうち、半導体ウェーハＷの周方向の一方向の成分が大きい場合には、半導体ウェーハＷが回転してウェーハガイド３２と擦れ合い、半導体ウェーハＷの周縁部が傷が生じたり、パーティクルが発生してスロットＳが汚染し、次のバッチ洗浄を行う際に別の半導体ウェーハＷを汚染したりする虞がある。

そこで、図５に示すように、第１の側面部３２ａの洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向Ｄ₁と、第２の側面３２ｂの洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向Ｄ₂とを、上記直線ｌに垂直な方向に対して互いに逆向き（すなわち、噴射方向Ｄ₁および噴射方向Ｄ₂の直線ｌに垂直な直線方向の成分が互いに逆向き）にすることにより、半導体ウェーハＷが回転するのを抑制することができる。

また、第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂの各々に設ける洗浄液噴射口３２ｃの数は特に限定されず、１つでも複数でもよい。複数の洗浄液噴射口３２ｃを設ける場合、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂの各々について、半導体ウェーハＷと接触する接触点ＰよりもスロットＳの深さ方向の浅い位置Ｈのみならず、深い位置Ｌにも設けられていることが好ましい。これにより、半導体ウェーハＷの端面近傍の部分の洗浄効果を高めることができる。なお、図６においては、浅い位置Ｈおよび深い位置Ｌに設けられた洗浄液噴射口３２ｃの数はそれぞれ１つであるが、１つに限られず、複数でもよい。また、浅い位置Ｈと深い位置Ｌとで、洗浄液噴射口３２ｃの数が異なっていてもよい。

上記浅い位置Ｈに設けられた洗浄液噴射口３２は、半導体ウェーハＷと第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｃとの間の領域に洗浄液を供給して半導体ウェーハＷの周縁部をより均一に洗浄する点では、接触点Ｐの近傍に設けられていることが好ましい。具体的には、上記洗浄液噴射口３２ｃは、スロットＳの深さ方向について、洗浄液噴射口３２ｃの中心と接触点Ｐとの間の距離が１ｍｍ以上５ｍｍ以下となるように設けられていることが好ましい。

浅い位置Ｈに設けられた洗浄液噴射口３２ｃの中心と接触点Ｐとの間の距離を１ｍｍ以上とすることにより、半導体ウェーハＷをスロットＳに立設支持する際のばらつきによって、半導体ウェーハＷが洗浄液噴射口３２ｃと接触するのを防止することができる。また、洗浄液噴射口３２ｃの中心と接触点Ｐとの間の距離を５ｍｍ以下とすることにより、接触点Ｐ近傍でも洗浄液の流れを生じさせて、接触点Ｐ近傍の領域の洗浄効果を高めることができる。浅い位置Ｈに複数の洗浄液噴射口３２ｃが設けられている場合には、接触点Ｐに最も近くに設けられているものが上記範囲を満足すればよい。

また、上記深い位置Ｌに設けられた洗浄液噴射口３２ｃについても、半導体ウェーハＷの端面の洗浄効果の点で、接触点Ｐの近傍に設けられていることが好ましい。具体的には、上記洗浄液噴射口３２は、スロットＳの深さ方向について、洗浄液噴射口３２の中心と接触点Ｐとの間の距離が１ｍｍ以上５ｍｍ以下となるように設けられていることが好ましい。

上記範囲とする効果は、浅い位置Ｌの洗浄液噴射口３２ｃの場合と同様であり、深い位置Ｌに設けられた洗浄液噴射口３２ｃの中心と接触点Ｐとの間の距離を１ｍｍ以上とすることにより、半導体ウェーハＷをスロットＳに立設支持する際のばらつきによって、半導体ウェーハＷが洗浄液噴射口３２ｃと接触するのを防止することができる。また、洗浄液噴射口３２ｃの中心と接触点Ｐとの間の距離を５ｍｍ以下とすることにより、接触点Ｐ近傍でも洗浄液の流れを生じさせて、接触点Ｐ近傍の領域の洗浄効果を高めることができる。深い位置Ｌに複数の洗浄液噴射口３２ｃが設けられている場合には、接触点Ｐに最も近くに設けられているものが上記範囲を満足すればよい。

なお、深い位置Ｌに設けられた洗浄液噴射口３２ｃは、図６に示したように、第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂの双方に設けることによって、半導体ウェーハＷの端面近傍の部分の洗浄効果を高めることができるが、いずれか一方に設けてもよい。

また、洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向は、複数のウェーハガイド３２（図３では４つ）の全てで同じである必要はない。例えば、図３のように半導体ウェーハＷがスロットＳに立設支持された状態で半導体ウェーハＷの主面に垂直な方向から見たときに、左側２つのウェーハガイド３２と右側２つのウェーハガイド３２とで洗浄液噴射口３２ｃから噴射される洗浄液の噴射方向を左右対称とすることによって、半導体ウェーハ３２の回転の抑制効果を高めることができる。また、ウェーハガイド３２の数は、図３に示したような４つに限られず、２つ、３つまたは５つ以上であってよい。

上記深い位置Ｌに設けられた洗浄液噴射口３２ｃは、半導体ウェーハＷがスロットＳに立設支持された状態で半導体ウェーハＷの主面に垂直な方向から見たときに、深い位置Ｌに設けられた洗浄液噴射口３２ｃからの洗浄液の噴射方向Ｄ_lが、洗浄液噴射口３２ｃと半導体ウェーハＷの中心とを通る直線ｌに垂直となるように構成されていることが好ましい。これにより、半導体ウェーハＷの端面近傍部分の洗浄効果を高めることができるとともに、深い位置Ｌに設けられた洗浄液噴射口３２ｃからの洗浄液により半導体ウェーハＷが浮き上がるのを防止することができる。

槽本体１１およびウェーハガイド３２の材料については、洗浄液に対する耐性があり、半導体ウェーハＷの汚染の原因とならない任意の適切な材料を用いることができる。また、スリットＳの断面形状や深さ、洗浄液噴射口３２ｃの径などについても、適切に設定することができる。

こうして、スロットＳを画定する第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂに洗浄液噴射口３２ｃを設けたことによって、半導体ウェーハＷの周縁部をより均一に洗浄することができる。

（半導体ウェーハの洗浄方法）
次に、本発明による半導体ウェーハの洗浄方法について説明する。本発明による半導体ウェーハの洗浄方法は、上述した本発明による半導体ウェーハの洗浄槽を用いて複数枚の半導体ウェーハを洗浄することを特徴とする。

上述のように、本発明による半導体ウェーハの洗浄槽は、槽本体１１の内部に配置されたウェーハガイド３２について、その表面に設けられたスロットＳを画定する第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂの各々が、洗浄液を噴射する噴射口を有する。そのため、上記本発明による半導体ウェーハの洗浄槽を用いて半導体ウェーハを洗浄することにより、図２に示した特許文献２に記載された洗浄槽２００に存在した、半導体ウェーハＷと第１の側面部３２ａおよび第２の側面部３２ｂとの間のデッドゾーンＤを無くすことができ、半導体ウェーハＷの周縁部をより均一に洗浄することができる。

洗浄対象の半導体ウェーハＷは特に限定されないが、シリコンウェーハを好適に洗浄することができる。また、洗浄液として酸やアルカリのエッチング液を用いてエッチング洗浄することもできるが、洗浄液として純水を用いてエッチング後の半導体ウェーハＷのリンスのみ行うことが好ましい。

すなわち、本発明による洗浄槽１を酸化還元反応が同時に起きるような洗浄槽として使用する場合には、洗浄液噴射口３２付近の洗浄液の流れが速くなるため、局所的なエッチングが進み、表面粗れなどが生じる虞がある。この点、本発明による洗浄槽１を、エッチングなどの後のリンス槽としてのみに使用する場合には、上述のようなことは生じず、パーティクルの除去能力を向上させることができるため、好ましい。

本発明によれば、半導体ウェーハの周縁部をより均一に洗浄することができるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。

１，１００ 洗浄槽
１１ 槽本体
１２，２２，３２ ウェーハガイド
１２ａ，２２ａ，３２ａ 第１の側面部
１２ｂ，２２ｂ，３２ｂ 第２の側面部
２２ｄ，３２ｃ 洗浄液噴射口
１３ 洗浄液供給部
２２ｃ 凸部
３２ｄ 洗浄液流路
Ｃ 半導体ウェーハの中心
Ｄ デッドゾーン
Ｐ 接触点
Ｓ スロット
Ｗ 半導体ウェーハ

上記課題を解決する本発明は以下の通りである。
［１］複数枚の半導体ウェーハを洗浄液に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽であって、上部に開口部を有し、前記複数枚の半導体ウェーハを収容するとともに前記洗浄液を貯留する槽本体と、第１の側面部と第２の側面部とによって区画され前記半導体ウェーハを立設支持する複数のスロットが表面に設けられている複数のウェーハガイドとを備え、前記洗浄液を前記槽本体の開口部からオーバーフローさせながら前記複数枚の半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽において、
前記第１の側面部および前記第２の側面部の各々に、前記洗浄液を噴射する洗浄液噴射口が設けられており、前記第１の側面部の洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向と、前記第２の側面の洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向とが、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記半導体ウェーハの中心、前記半導体ウェーハと前記第１の側面部との接触点、および前記半導体ウェーハと前記第２の側面部との接触点を含み前記半導体ウェーハの主面に垂直な面に対して互いに逆向きであることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄槽。

［３］前記第１の側面部および前記第２の側面部の各々について、前記半導体ウェーハと接触する接触点よりも前記スロットの深さ方向の深い位置および浅い位置の双方に前記洗浄液噴射口が設けられている、前記［１］または［２］に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［４］前記深い位置に設けられた洗浄液噴射口は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記深い位置に設けられた洗浄液噴射口からの洗浄液の噴射方向が、前記洗浄液噴射口と前記半導体ウェーハの中心とを通る直線に垂直となるように構成されている、前記［３］に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［５］前記第１の側面部に設けられた洗浄液噴射口の位置は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記第２の側面部に設けられた洗浄液噴射口の位置と異なる、前記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［６］前記複数枚の半導体ウェーハの下方から前記洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに備える、前記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。

［７］前記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽を用いて複数枚の半導体ウェーハを洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。

［８］前記洗浄液として純水を用いて半導体ウェーハのリンスのみ行う、前記［７］に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

Claims (9)

1. 複数枚の半導体ウェーハを洗浄液に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽であって、上部に開口部を有し、前記複数枚の半導体ウェーハを収容するとともに前記洗浄液を貯留する槽本体と、第１の側面部と第２の側面部とによって区画され前記半導体ウェーハを立設支持する複数のスロットが表面に設けられている複数のウェーハガイドとを備え、前記洗浄液を前記槽本体の開口部からオーバーフローさせながら前記複数枚の半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽において、
   前記第１の側面部および前記第２の側面部の各々に、前記洗浄液を噴射する洗浄液噴射口が設けられていることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄槽。
2. 前記洗浄液噴射口は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向が、前記洗浄液噴射口から前記半導体ウェーハの中心に向かう方向に対して傾斜するように構成されている、請求項１に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。
3. 前記第１の側面部の洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向と、前記第２の側面の洗浄液噴射口から噴射される洗浄液の噴射方向とが、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記半導体ウェーハの中心、前記半導体ウェーハと前記第１の側面部との接触点、および前記半導体ウェーハと前記第２の側面部との接触点を含み前記半導体ウェーハの主面に垂直な面に対して互いに逆向きである、請求項１または２に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。
4. 前記第１の側面部および前記第２の側面部の各々について、前記半導体ウェーハと接触する接触点よりも前記スロットの深さ方向の深い位置および浅い位置の双方に前記洗浄液噴射口が設けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。
5. 前記深い位置に設けられた洗浄液噴射口は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記深い位置に設けられた洗浄液噴射口からの洗浄液の噴射方向が、前記洗浄液噴射口と前記半導体ウェーハの中心とを通る直線に垂直となるように構成されている、請求項４に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。
6. 前記第１の側面部に設けられた洗浄液噴射口の位置は、前記半導体ウェーハが前記スロットに立設支持された状態で前記半導体ウェーハの主面に垂直な方向から見たときに、前記第２の側面部に設けられた洗浄液噴射口の位置と異なる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。
7. 前記複数枚の半導体ウェーハの下方から前記洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄槽を用いて複数枚の半導体ウェーハを洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
9. 前記洗浄液として純水を用いて前記複数枚の半導体ウェーハのリンスのみ行う、請求項８に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

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