JPH0864572A - ウエット処理装置 - Google Patents
ウエット処理装置Info
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- JPH0864572A JPH0864572A JP21787094A JP21787094A JPH0864572A JP H0864572 A JPH0864572 A JP H0864572A JP 21787094 A JP21787094 A JP 21787094A JP 21787094 A JP21787094 A JP 21787094A JP H0864572 A JPH0864572 A JP H0864572A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェット処理装置、特に薄膜半導体装置製造
用大型ガラス基板のウェット処理装置を提供すること。 【構成】 処理槽(外槽)1及び処理槽(内槽)2からなり、
該処理槽(内槽)2内にガラス基板8を保持したカセット4
を配置したウェット処理装置であって、前記処理槽(内
槽)2の上部からオ−バ−フロ−した薬液3を前記処理槽
(外槽)1の底部から排液し、前記処理槽(内槽)2の底部に
入液する液循環系が形成されているウェット処理装置に
おいて、前記処理槽(内槽)2の底部に入液するパイプ兼
基板支持棒9に薬液3の吹出し孔10を設けたウェット処理
装置。 【効果】 このような吹出し孔10から噴出させること
で、基板表面での薬液循環が困難な部分がなくなり、洗
浄処理が均一に行うことができ、１μｍ以上のパ−ティ
クル除去数が約5〜10％向上する。
用大型ガラス基板のウェット処理装置を提供すること。 【構成】 処理槽(外槽)1及び処理槽(内槽)2からなり、
該処理槽(内槽)2内にガラス基板8を保持したカセット4
を配置したウェット処理装置であって、前記処理槽(内
槽)2の上部からオ−バ−フロ−した薬液3を前記処理槽
(外槽)1の底部から排液し、前記処理槽(内槽)2の底部に
入液する液循環系が形成されているウェット処理装置に
おいて、前記処理槽(内槽)2の底部に入液するパイプ兼
基板支持棒9に薬液3の吹出し孔10を設けたウェット処理
装置。 【効果】 このような吹出し孔10から噴出させること
で、基板表面での薬液循環が困難な部分がなくなり、洗
浄処理が均一に行うことができ、１μｍ以上のパ−ティ
クル除去数が約5〜10％向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェット処理装置に関
し、特に、薄膜半導体装置の製造に用いる大型ガラス基
板のウェット処理装置に関する。
し、特に、薄膜半導体装置の製造に用いる大型ガラス基
板のウェット処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェット処理装置について、図３
を参照して説明する。なお、図３は、従来のウェット処
理槽を説明する図であって、このうち(Ａ)はその全体構
造を示す図、(Ｂ)はカセット部の斜視図、(Ｃ)は(Ｂ)の
円部分の拡大図である。
を参照して説明する。なお、図３は、従来のウェット処
理槽を説明する図であって、このうち(Ａ)はその全体構
造を示す図、(Ｂ)はカセット部の斜視図、(Ｃ)は(Ｂ)の
円部分の拡大図である。
【０００３】従来のウェット処理槽は、図３(Ａ)に示す
ように、処理槽(外槽)１の内部に処理槽(内槽)２を配設
し、この処理槽(内槽)２内に被処理用基板保持用のカセ
ット４を備えた構造からなる。また、処理液(薬液３)
は、循環系を形成しており、処理槽(内槽)２からオ−バ
−フロ−して処理槽(外槽)１に集められ、処理槽(外槽)
１の底部近くから液循環ポンプ12により吸液し(このと
き薬液３は、フィルタ11により濾過される)、処理槽(内
槽)２に出液するように構成されている。
ように、処理槽(外槽)１の内部に処理槽(内槽)２を配設
し、この処理槽(内槽)２内に被処理用基板保持用のカセ
ット４を備えた構造からなる。また、処理液(薬液３)
は、循環系を形成しており、処理槽(内槽)２からオ−バ
−フロ−して処理槽(外槽)１に集められ、処理槽(外槽)
１の底部近くから液循環ポンプ12により吸液し(このと
き薬液３は、フィルタ11により濾過される)、処理槽(内
槽)２に出液するように構成されている。
【０００４】そして、薄膜半導体装置の製造に用いるガ
ラス基板を洗浄する場合、従来法では、図３に示すウェ
ット処理槽を使用して行っている。即ち、図３(Ｂ)及び
(Ｃ)に示すように、カセット４内に複数枚のガラス基板
８を縦方向に入れ、これを図３(Ａ)の処理槽(内槽)２内
に配置し、洗浄液(薬液３)を循環させながらガラス基板
８を洗浄している。なお、図３(Ｂ)、(Ｃ)において、７
はカセット側板、９ａは基板支持棒である。
ラス基板を洗浄する場合、従来法では、図３に示すウェ
ット処理槽を使用して行っている。即ち、図３(Ｂ)及び
(Ｃ)に示すように、カセット４内に複数枚のガラス基板
８を縦方向に入れ、これを図３(Ａ)の処理槽(内槽)２内
に配置し、洗浄液(薬液３)を循環させながらガラス基板
８を洗浄している。なお、図３(Ｂ)、(Ｃ)において、７
はカセット側板、９ａは基板支持棒である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、カラ−液晶
ディスプレイ用の薄膜トランジスタアレイを形成するガ
ラス基板は、表示面積の大型化が進んでおり、また、生
産効率向上のために大型化の方向に進んでいる。
ディスプレイ用の薄膜トランジスタアレイを形成するガ
ラス基板は、表示面積の大型化が進んでおり、また、生
産効率向上のために大型化の方向に進んでいる。
【０００６】ガラス基板に数μｍ以上のパ−ティクルが
付着していると、パタ−ン欠陥を形成し、表示不良とな
るので、このパ−ティクルを除去するため、ガラス基板
を洗浄などの処理を施す必要がある。特に表示面積や基
板サイズが大きくなると、このパ−ティクル付着に対し
てより厳しくなり、より一層高精度な洗浄などの処理プ
ロセスが要求される。基板サイズが大きくなると、処理
槽の容量が大きくなるため液循環に時間がかかるばかり
でなく、十分な洗浄効果が現われないという問題があっ
た。また、超音波洗浄を用いてもムラなく洗浄すること
が困難であった。
付着していると、パタ−ン欠陥を形成し、表示不良とな
るので、このパ−ティクルを除去するため、ガラス基板
を洗浄などの処理を施す必要がある。特に表示面積や基
板サイズが大きくなると、このパ−ティクル付着に対し
てより厳しくなり、より一層高精度な洗浄などの処理プ
ロセスが要求される。基板サイズが大きくなると、処理
槽の容量が大きくなるため液循環に時間がかかるばかり
でなく、十分な洗浄効果が現われないという問題があっ
た。また、超音波洗浄を用いてもムラなく洗浄すること
が困難であった。
【０００７】また、従来の前記したウェット処理槽で
は、薄膜半導体装置用ガラス基板をウェット処理する場
合、基板サイズの大型化に伴いウェット処理中に基板を
保持するカセット４や基板支持棒９ａ［前記図３(Ｂ)、
(Ｃ)参照］の形状等により影となる部分が発生し、この
ため、ガラス基板表面を流れる薬液ないし純水が不均一
となり、エッチングの均一性低下、パ−ティクル除去の
均一性低下などの問題があった。
は、薄膜半導体装置用ガラス基板をウェット処理する場
合、基板サイズの大型化に伴いウェット処理中に基板を
保持するカセット４や基板支持棒９ａ［前記図３(Ｂ)、
(Ｃ)参照］の形状等により影となる部分が発生し、この
ため、ガラス基板表面を流れる薬液ないし純水が不均一
となり、エッチングの均一性低下、パ−ティクル除去の
均一性低下などの問題があった。
【０００８】これを解決する手段として、底部に薬液噴
出部を設けたウェットエッチング装置が提案されている
(特開平4-162723号公報参照)。しかしながら、この装置
では、薬液噴出部が槽の底部に配設されているので、槽
底部の薬液を攪拌する能力が弱く、特に、槽内に配置さ
れているカセット内のガラス基板底部と密接する部分の
薬液を攪拌する能力が弱く、依然として問題が残ってい
る。
出部を設けたウェットエッチング装置が提案されている
(特開平4-162723号公報参照)。しかしながら、この装置
では、薬液噴出部が槽の底部に配設されているので、槽
底部の薬液を攪拌する能力が弱く、特に、槽内に配置さ
れているカセット内のガラス基板底部と密接する部分の
薬液を攪拌する能力が弱く、依然として問題が残ってい
る。
【０００９】本発明は、上記した問題点などに鑑み成さ
れたものであって、その目的とするところは、 ・第１に、高精度な洗浄などの処理プロセスを可能とす
るウェット処理装置を提供することにあり、 ・第２に、洗浄ないしエッチング処理等の均一性が改善
されたウェット処理装置を提供することにあり、 ・第３に、薄膜半導体装置用の特に大型ガラス基板を対
象とした洗浄等の処理に好適なウェット処理装置を提供
することにある。
れたものであって、その目的とするところは、 ・第１に、高精度な洗浄などの処理プロセスを可能とす
るウェット処理装置を提供することにあり、 ・第２に、洗浄ないしエッチング処理等の均一性が改善
されたウェット処理装置を提供することにあり、 ・第３に、薄膜半導体装置用の特に大型ガラス基板を対
象とした洗浄等の処理に好適なウェット処理装置を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェット処
理装置は、 ・被処理用基板を内側処理槽内に支持するための基板支
持棒として、内側処理槽の底部に入液するパイプそのも
のを使用する点、即ちパイプ兼基板支持棒とする点、 ・このパイプ兼基板支持棒に被処理用基板を保持したカ
セットの底部（被処理用基板の底部）を嵌合する点、 ・このパイプ兼基板支持棒の所望箇所に処理液噴出孔を
設ける点、 を特徴とし、これにより前記した目的とするウェット処
理装置を提供するものである。
理装置は、 ・被処理用基板を内側処理槽内に支持するための基板支
持棒として、内側処理槽の底部に入液するパイプそのも
のを使用する点、即ちパイプ兼基板支持棒とする点、 ・このパイプ兼基板支持棒に被処理用基板を保持したカ
セットの底部（被処理用基板の底部）を嵌合する点、 ・このパイプ兼基板支持棒の所望箇所に処理液噴出孔を
設ける点、 を特徴とし、これにより前記した目的とするウェット処
理装置を提供するものである。
【００１１】即ち、本発明は、外側処理槽及び内側処理
槽からなり、該内側処理槽内に被処理用基板を保持した
カセットを配置してなるウェット処理装置であって、前
記内側処理槽の上部からオ−バ−フロ−した処理液を前
記外側処理槽の底部から排液し、前記内側処理槽の底部
に入液する液循環系が形成されているウェット処理装置
において、 ・前記内側処理槽の底部に入液するパイプ兼基板支持棒
に処理液噴出孔を設けてなることを特徴とし（請求項
１）、また、 ・前記内側処理槽の底部に入液するパイプ兼基板支持棒
に、被処理用基板を保持したカセットの底部（被処理用
基板の底部）を嵌合し、該カセツト底部の被処理用基板
の底部に当接するパイプ兼基板支持棒部分に処理液噴出
孔を設けてなることを特徴とし（請求項２）、 ・前記処理液噴出孔が、被処理用基板の底部に処理液が
噴出する孔と、該基板の表面及び裏面に処理液が噴出す
る孔を斜め方向に穿孔した孔とから構成されていること
を特徴とする（請求項３）。
槽からなり、該内側処理槽内に被処理用基板を保持した
カセットを配置してなるウェット処理装置であって、前
記内側処理槽の上部からオ−バ−フロ−した処理液を前
記外側処理槽の底部から排液し、前記内側処理槽の底部
に入液する液循環系が形成されているウェット処理装置
において、 ・前記内側処理槽の底部に入液するパイプ兼基板支持棒
に処理液噴出孔を設けてなることを特徴とし（請求項
１）、また、 ・前記内側処理槽の底部に入液するパイプ兼基板支持棒
に、被処理用基板を保持したカセットの底部（被処理用
基板の底部）を嵌合し、該カセツト底部の被処理用基板
の底部に当接するパイプ兼基板支持棒部分に処理液噴出
孔を設けてなることを特徴とし（請求項２）、 ・前記処理液噴出孔が、被処理用基板の底部に処理液が
噴出する孔と、該基板の表面及び裏面に処理液が噴出す
る孔を斜め方向に穿孔した孔とから構成されていること
を特徴とする（請求項３）。
【００１２】
【作用】本発明に係るウェット処理装置では、上記した
とおり、被処理用基板が圧接しているカセット底部の支
持部の棒(パイプ兼基板支持棒)の内部から処理液が噴出
するようにしたので、本来最も処理液が滞留している箇
所が強制的に攪乱されることになり、その結果処理液の
均一性が非常に早く達成できる作用が生じる。
とおり、被処理用基板が圧接しているカセット底部の支
持部の棒(パイプ兼基板支持棒)の内部から処理液が噴出
するようにしたので、本来最も処理液が滞留している箇
所が強制的に攪乱されることになり、その結果処理液の
均一性が非常に早く達成できる作用が生じる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明について図１及び図２を参照し
て詳細に説明する。なお、図１は、本発明の実施例１を
説明するための図であり、図２は、本発明の実施例２を
説明するための図である。
て詳細に説明する。なお、図１は、本発明の実施例１を
説明するための図であり、図２は、本発明の実施例２を
説明するための図である。
【００１４】（実施例１）図１は、本発明に係るウェッ
ト処理装置を大型のガラス基板の洗浄に適用した例(実
施例１)を説明する図であって、このうち(Ａ)は、ウェ
ット処理装置の全体構造を示す図であり、 (Ｂ)は、
(Ａ)のカセット支持部、薬液導入部及びパイプ兼基板支
持棒付近の部分拡大詳細図である。
ト処理装置を大型のガラス基板の洗浄に適用した例(実
施例１)を説明する図であって、このうち(Ａ)は、ウェ
ット処理装置の全体構造を示す図であり、 (Ｂ)は、
(Ａ)のカセット支持部、薬液導入部及びパイプ兼基板支
持棒付近の部分拡大詳細図である。
【００１５】本実施例１に係るウェット処理装置は、図
１(Ａ)に示すように、処理槽(外槽)１の内側に処理槽
(内槽)２を配設し、この処理槽(内槽)２内にカセット４
を備えた構造からなる。一方、処理液(薬液３)は、循環
使用し得るように構成されている。即ち、薬液３は、処
理槽(内槽)２からオ−バ−フロ−して処理槽(外槽)１に
集められ、該薬液３を処理槽(外槽)１の底部近くから液
循環ポンプ12により吸液し、フィルタ11により濾過した
後、カセツト４の薬液導入部５より出液するように構成
されている。
１(Ａ)に示すように、処理槽(外槽)１の内側に処理槽
(内槽)２を配設し、この処理槽(内槽)２内にカセット４
を備えた構造からなる。一方、処理液(薬液３)は、循環
使用し得るように構成されている。即ち、薬液３は、処
理槽(内槽)２からオ−バ−フロ−して処理槽(外槽)１に
集められ、該薬液３を処理槽(外槽)１の底部近くから液
循環ポンプ12により吸液し、フィルタ11により濾過した
後、カセツト４の薬液導入部５より出液するように構成
されている。
【００１６】上記図１(Ａ)のウェット処理装置は、従来
のそれと同じであるが、本実施例１では、この装置を大
型ガラス基板の洗浄に適用した例であって、被洗浄用の
大型のガラス基板８を保持したカセット４を、図１(Ｂ)
に示すように、カセット支持部６上に支持すると共に、
大型のガラス基板８を内側処理槽内に支持するための基
板支持棒として、内側処理槽の底部に入液するパイプそ
のものを使用し、これをパイプ兼基板支持棒９とする。
そして、このパイプ兼基板支持棒９に大型のガラス基板
８の底部を嵌合させ、かつ、このガラス基板８の底部に
当接する箇所のパイプ兼基板支持棒９に処理液吹出し孔
10を設けたウェット処理装置を使用するものである。
のそれと同じであるが、本実施例１では、この装置を大
型ガラス基板の洗浄に適用した例であって、被洗浄用の
大型のガラス基板８を保持したカセット４を、図１(Ｂ)
に示すように、カセット支持部６上に支持すると共に、
大型のガラス基板８を内側処理槽内に支持するための基
板支持棒として、内側処理槽の底部に入液するパイプそ
のものを使用し、これをパイプ兼基板支持棒９とする。
そして、このパイプ兼基板支持棒９に大型のガラス基板
８の底部を嵌合させ、かつ、このガラス基板８の底部に
当接する箇所のパイプ兼基板支持棒９に処理液吹出し孔
10を設けたウェット処理装置を使用するものである。
【００１７】即ち、まずカセット４に複数枚の大型のガ
ラス基板８を縦方向に保持させ、このカセット４を、図
１(Ａ)に示すカセット支持部６上に配置する。この時、
大型のガラス基板８の底部は、図１(Ｂ)に示すように、
カセット支持部６上のパイプ兼基板支持棒９に嵌合する
ように配置される。次に、洗浄液である薬液３で処理槽
(内槽)２を満たし、ここからオ−バ−フロ−した薬液３
をフィルタ11により濾過した後、図１(Ｂ)に示すよう
に、カセツト支持部６の薬液導入部５よりパイプ兼基板
支持棒９に導入し、大型のガラス基板８の底部に当接す
る吹出し孔10より噴出させる。
ラス基板８を縦方向に保持させ、このカセット４を、図
１(Ａ)に示すカセット支持部６上に配置する。この時、
大型のガラス基板８の底部は、図１(Ｂ)に示すように、
カセット支持部６上のパイプ兼基板支持棒９に嵌合する
ように配置される。次に、洗浄液である薬液３で処理槽
(内槽)２を満たし、ここからオ−バ−フロ−した薬液３
をフィルタ11により濾過した後、図１(Ｂ)に示すよう
に、カセツト支持部６の薬液導入部５よりパイプ兼基板
支持棒９に導入し、大型のガラス基板８の底部に当接す
る吹出し孔10より噴出させる。
【００１８】このような吹出し孔10から噴出させること
で、ガラス基板８の底部ばかりでなくその基板８の表面
全体までもムラなく薬液３が循環し、洗浄の面内均一性
が向上する。例えば400×500ｍｍ□程度のガラス基板８
を処理した場合、１μｍ以上のパ−ティクル除去数が約
5〜10％向上することが認められた。
で、ガラス基板８の底部ばかりでなくその基板８の表面
全体までもムラなく薬液３が循環し、洗浄の面内均一性
が向上する。例えば400×500ｍｍ□程度のガラス基板８
を処理した場合、１μｍ以上のパ−ティクル除去数が約
5〜10％向上することが認められた。
【００１９】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
説明するための図であって、吹出し孔部の部分拡大図で
ある。本実施例２では、図２に示すように、大型のガラ
ス基板８のすべての面(即ち底面、表面 、裏面及び側
面)に薬液３が噴出する孔を備えたウェット処理装置を
使用するものである。
説明するための図であって、吹出し孔部の部分拡大図で
ある。本実施例２では、図２に示すように、大型のガラ
ス基板８のすべての面(即ち底面、表面 、裏面及び側
面)に薬液３が噴出する孔を備えたウェット処理装置を
使用するものである。
【００２０】即ち、本実施例２では、洗浄槽の構造につ
いては、第１の実施例と同様であるが［図１(Ａ)参
照］、パイプ兼基板支持棒９に設けられた薬液３の吹出
し孔10については、図２に示すように、ガラス基板８の
側面に噴出する孔と、該基板８の表面と裏面に噴出する
斜め方向に開けられた孔とにより構成したものである。
このような吹出し孔10より薬液３を噴出させることで、
ガラス基板８の被洗浄面全体がより高精度で洗浄され、
より一層洗浄効果が向上する。
いては、第１の実施例と同様であるが［図１(Ａ)参
照］、パイプ兼基板支持棒９に設けられた薬液３の吹出
し孔10については、図２に示すように、ガラス基板８の
側面に噴出する孔と、該基板８の表面と裏面に噴出する
斜め方向に開けられた孔とにより構成したものである。
このような吹出し孔10より薬液３を噴出させることで、
ガラス基板８の被洗浄面全体がより高精度で洗浄され、
より一層洗浄効果が向上する。
【００２１】以上本発明の実施例として、大型ガラス基
板の洗浄に適用した例を挙げたが、本発明は、これに限
定されるものではなく、他の基板や他の処理手段にも適
用可能である。また、そのウェット処理装置について
も、本発明の要旨を変更しない限り適宜設計変更が可能
であり、いずれも本発明に包含されるものである。
板の洗浄に適用した例を挙げたが、本発明は、これに限
定されるものではなく、他の基板や他の処理手段にも適
用可能である。また、そのウェット処理装置について
も、本発明の要旨を変更しない限り適宜設計変更が可能
であり、いずれも本発明に包含されるものである。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係るウェット処理装置は、以上
詳記したとおり、被処理用基板のウェット処理時に該基
板表面での薬液循環が困難な部分がなくなったため、洗
浄、エッチング等の処理が均一に行うことができ、例え
ば本発明のウェット処理装置を大型ガラス基板の洗浄装
置に適用した場合、１μｍ以上のパ−ティクル除去数が
約5〜10％向上する効果が生じる。
詳記したとおり、被処理用基板のウェット処理時に該基
板表面での薬液循環が困難な部分がなくなったため、洗
浄、エッチング等の処理が均一に行うことができ、例え
ば本発明のウェット処理装置を大型ガラス基板の洗浄装
置に適用した場合、１μｍ以上のパ−ティクル除去数が
約5〜10％向上する効果が生じる。
【図１】本発明に係るウェット処理装置を大型のガラス
基板の洗浄に適用した例(実施例１)を説明する図であっ
て、このうち(Ａ)はウェット処理装置の全体構造を示す
図、 (Ｂ)は(Ａ)のカセット支持部、薬液導入部及びパ
イプ兼基板支持棒付近の部分拡大詳細図。
基板の洗浄に適用した例(実施例１)を説明する図であっ
て、このうち(Ａ)はウェット処理装置の全体構造を示す
図、 (Ｂ)は(Ａ)のカセット支持部、薬液導入部及びパ
イプ兼基板支持棒付近の部分拡大詳細図。
【図２】図１のウェット処理装置の他の例(実施例２)を
示すパイプ兼基板支持棒付近の部分拡大図。
示すパイプ兼基板支持棒付近の部分拡大図。
【図３】従来のウェット処理槽を説明する図であって、
このうち(Ａ)はその全体構造を示す図、(Ｂ)はカセット
部の斜視図、(Ｃ)は(Ｂ)の円部分の拡大図。
このうち(Ａ)はその全体構造を示す図、(Ｂ)はカセット
部の斜視図、(Ｃ)は(Ｂ)の円部分の拡大図。
１ 処理槽（外槽） ２ 処理槽（内槽） ３ 薬液 ４ カセット ５ 薬液導入部 ６ カセツト支持部 ７ カセット側板 ８ ガラス基板 ９ パイプ兼基板支持棒 ９ａ 基板支持棒 １０ 吹出し孔 １１ フイルタ １２ 液循環ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306
Claims (4)
- 【請求項１】 外側処理槽及び内側処理槽からなり、該
内側処理槽内に被処理用基板を保持したカセットを配置
してなるウェット処理装置であって、前記内側処理槽の
上部からオ−バ−フロ−した処理液を前記外側処理槽の
底部から排液し、前記内側処理槽の底部に入液する液循
環系が形成されているウェット処理装置において、前記
内側処理槽の底部に入液するパイプ兼基板支持棒に処理
液噴出孔を設けてなることを特徴とするウェット処理装
置。 - 【請求項２】 前記被処理用基板の底部が、前記内側処
理槽の底部に入液するパイプ兼基板支持棒に嵌合し、該
被処理用基板の底部に当接するパイプ兼基板支持棒部分
に処理液噴出孔を設けてなることを特徴とする請求項１
記載のウェット処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の処理液噴出孔が、
被処理用基板の底部に処理液が噴出する孔と、該基板の
表面及び裏面に処理液が噴出する孔を斜め方向に穿孔し
た孔とから構成されていることを特徴とする請求項１又
は２記載のウェット処理装置。 - 【請求項４】 前記被処理用基板が、薄膜半導体装置用
大型ガラス基板であることを特徴とする請求項１又は２
記載のウェット処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21787094A JP2606150B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | ウエット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21787094A JP2606150B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | ウエット処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864572A true JPH0864572A (ja) | 1996-03-08 |
| JP2606150B2 JP2606150B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16711065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21787094A Expired - Fee Related JP2606150B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | ウエット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606150B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1994
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| JP2606150B2 (ja) | 1997-04-30 |
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