KR20050044943A - 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼를세정 및 건조하기 위한 장치 - Google Patents

웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼를세정 및 건조하기 위한 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050044943A
KR20050044943A KR1020030078841A KR20030078841A KR20050044943A KR 20050044943 A KR20050044943 A KR 20050044943A KR 1020030078841 A KR1020030078841 A KR 1020030078841A KR 20030078841 A KR20030078841 A KR 20030078841A KR 20050044943 A KR20050044943 A KR 20050044943A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
drying
wafer
container
cleaning
dry gas
Prior art date
Application number
KR1020030078841A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100636035B1 (ko
Inventor
이헌정
정원영
박상오
이예로
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030078841A priority Critical patent/KR100636035B1/ko
Priority to US10/983,023 priority patent/US7386944B2/en
Publication of KR20050044943A publication Critical patent/KR20050044943A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100636035B1 publication Critical patent/KR100636035B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Abstract

웨이퍼를 세정 및 건조하기 위한 장치에 있어서, 웨이퍼는 세정 용기에 수용된 세정액에 침지됨으로써 세정되고, 상기 세정 용기의 상부에 배치된 건조 용기의 내부에서 건조 가스에 의해 건조된다. 상기 세정 용기와 건조 용기는 셔터에 의해 격리되며, 웨이퍼 보트는 세정 용기와 건조 용기 사이에서 웨이퍼를 수직 방향으로 이동시킨다. 상기 건조 용기 내부의 양측 부위에는 상기 건조 가스를 웨이퍼 상으로 공급하기 위한 노즐들이 각각 배치되며, 상기 노즐들은 상기 건조 가스를 반복적으로 번갈아 공급하기 위한 건조 가스 공급부와 연결된다.

Description

웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼를 세정 및 건조하기 위한 장치{Method and apparatus for drying a wafer, and apparatus for cleaning and drying a wafer}
본 발명은 웨이퍼를 건조시키기 위한 방법 및 장치와, 웨이퍼를 세정 및 건조시키기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol; IPA) 증기를 이용하여 웨이퍼를 건조시키기 위한 방법 및 장치와, 세정액을 이용하여 웨이퍼를 세정한 후 이소프로필 알콜 증기를 이용하여 세정된 웨이퍼를 건조시키기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 세정된 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 공정과, 상기 막 또는 패턴의 결함을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기와 같은 공정들 중에서, 통상적으로 알려진 세정 공정은 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위하여 세정액 또는 린스액에 웨이퍼를 침지시켜 수행된다. 상기와 같은 세정 공정을 수행하기 위한 세정 장치는 건조 장치와 함께 제공된다. 상기 건조 장치는 마란고니 효과(Marangoni effect)를 이용하여 웨이퍼로부터 수분을 제거하기 위하여 웨이퍼를 이소프로필 알콜과 같은 휘발성 유기 용제를 포함하는 건조 가스를 웨이퍼 상에 잔류하는 린스액과 접촉시킨다.
예를 들면, 미합중국 특허 제6,068,002호(Kamikawa et al.)에 따르면, 세정 및 건조 장치는 세정액 또는 린스액을 저장하기 위한 세정 용기와, 상기 세정 용기 상부에 배치되는 건조 용기와, 상기 세정 용기와 건조 용기 사이에 배치되는 셔터와, 상기 세정 용기와 건조 용기 사이에서 웨이퍼를 이동시키기 위한 웨이퍼 보트를 포함한다.
상기 웨이퍼 보트는 다수의 웨이퍼들을 지지하며, 각각의 웨이퍼는 수직 방향으로 웨이퍼 보트의 슬롯에 지지된다. 상기 건조 용기 내부의 양측 부위에는 이소프로필 알콜 증기를 포함하는 건조 가스를 수직 방향으로 지지된 웨이퍼의 상단 부위로 공급하기 위한 한 쌍의 노즐들이 배치되어 있으며, 웨이퍼 표면의 수분은 상기 이소프로필 알콜 증기에 의해 제거된다.
도 1은 종래의 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 건조 장치(100)는 건조 용기(110), 가스 공급부(120), 한 쌍의 노즐들(136), 웨이퍼 보트(140)를 포함한다.
상기 건조 용기(110)는 세정 용기(미도시)의 상부에 배치되어 건조 챔버(110a)를 한정하며, 건조 용기(110)와 세정 용기는 수평 방향으로 이동 가능한 셔터(150)에 의해 서로 격리된다. 건조 용기(110)는 세정 용기 상부에 배치되는 고정 베이스(112, fixed base)와, 상기 고정 베이스(112) 상에 배치되며 상기 고정 베이스(112)에 대하여 수직 방향으로 이동 가능한 상부 커버(114, top cover)를 포함한다. 상기 상부 커버(114)는 아치(arch) 형상의 단면을 가지며, 상기 상부 커버(114)와 고정 베이스(112) 사이 및 고정 베이스(112)와 셔터(150) 사이에는 실링 부재(160, sealing member)들이 각각 개재된다.
건조 용기(110)의 내부에는 다수의 웨이퍼들(W, 예를 들면, 50매의 웨이퍼들)을 일렬로 지지하기 위한 웨이퍼 보트(140)가 배치되며, 웨이퍼 보트(140)는 상기 세정 용기와 건조 용기(110) 사이에서 웨이퍼들(W)을 이동시킨다. 상기 웨이퍼 보트(140)는 상기 웨이퍼들(W)을 파지하기 위한 다수의 슬롯들을 가지며, 각각의 웨이퍼(W)는 상기 슬롯 내부에 삽입되어 수직 방향으로 지지된다.
상기 한 쌍의 노즐들(136)은 상기 건조 용기(110)의 내부에서 상기 고정 베이스(112)의 양쪽 측벽에 각각 인접하도록 배치되며, 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위한 건조 가스를 건조 용기(110) 내부로 공급한다.
상기 노즐들(136)은 건조 가스를 공급하기 위한 건조 가스 공급부(120)와 연결되어 있으며, 실질적으로 상기 웨이퍼들(W)의 상측 부위들을 향해 건조 가스를 분사한다. 구체적으로, 노즐들(136)은 상기 건조 가스를 상방으로 분사하며, 건조 가스는 건조 용기(110)의 측벽들의 내측면을 따라 상방으로 흐르고, 상부 커버(114)에 의해 한정된 공간의 중앙 부위를 따라 하방으로 흐르며, 고정 베이스(112)에 형성된 배출공(112a)을 통해 건조 용기(110)로부터 배출된다.
상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기와 질소 가스를 포함한다. 상기 건조 가스 공급부(120)는 질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기(122)와, 액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기(124)와, 상기 질소 가스를 가열하기 위한 제1히터(126)와, 상기 액상의 이소프로필 알콜을 펌핑하기 위한 펌프(128)와, 상기 건조 가스를 가열하기 위한 제2히터(130)를 포함한다.
상기 제1히터(126)는 제1저장 용기(122)와 연결되어 있으며, 상기 펌프(128)는 상기 제2저장용기(124)와 연결되어 있다. 상기 제2히터(130)는 제1분기된 배관(132, diverged pipe)을 통해 상기 제1히터(126)와 펌프(128)에 연결되어 있고, 제2분기된 배관(134)을 통해 상기 노즐들(136)과 연결되어 있다. 상기 펌프(128)에 의해 공급되는 액상의 이소프로필 알콜은 상기 제1히터(126)에 의해 가열된 질소 가스에 의해 상기 제1분기된 배관(132) 내에서 기화된다. 상기 제2히터(130)는 이소프로필 알콜 증기와 질소 가스를 포함하는 건조 가스를 가열하여 제2분기된 배관(134) 및 상기 노즐들(136)을 통해 상기 건조 용기(110) 내부로 공급한다.
상기 건조 용기(110) 내부의 압력과 이소프로필 알콜 증기의 공급량은 상기 펌프(128)의 동작 사이클에 따라 주기적으로 변화되므로, 웨이퍼들(W)의 건조 효율이 저하되는 단점이 있다. 특히, 웨이퍼들(W)의 상측 부위들(Wt)에는 건조 가스의 공급량이 다른 부위들에 비하여 상대적으로 부족하며, 상기 한 쌍의 노즐들(136)로부터 공급되는 건조 가스들에 의해 불안정한 기류가 형성되므로, 물반점과 같은 건조 불량이 다른 부위들에 비하여 상대적으로 많이 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1목적은 웨이퍼 상으로 공급되는 건조 가스의 양을 증가시키고, 상기 건조 가스를 웨이퍼 상으로 균일하게 공급함으로써, 웨이퍼의 건조 효율을 향상시키는 웨이퍼 건조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제2목적은 상술한 바와 같은 웨이퍼 건조 방법을 수행하는데 적합한 웨이퍼 건조 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 제3목적은 상술한 바와 같은 웨이퍼 건조 장치를 갖는 웨이퍼 세정 및 건조 장치를 제공하는데 있다.
상기 제1목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼를 건조 챔버 내에 위치시키는 단계와, 상기 웨이퍼의 양측 부위에서 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 번갈아 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법을 제공한다. 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기 및 질소 가스를 포함하며, 서로 다른 동작 사이클을 갖는 펌프들에 의해 상기 웨이퍼 상으로 공급된다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치는, 건조 챔버를 한정하며 그 내부에서 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기와, 상기 건조 용기 내부에 배치되며 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지유닛과, 상기 건조 용기 내부의 양측 부위에 각각 배치되며 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 분사하기 위한 한 쌍의 노즐들과, 상기 노즐들과 연결되며 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 상기 건조 가스를 번갈아 펌핑하기 위한 한 쌍의 펌프들을 포함한다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치는, 건조 챔버를 한정하며 그 내부에서 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기와, 상기 건조 용기 내부에 배치되며 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지유닛과, 상기 지지유닛에 의해 지지된 웨이퍼의 양측 부위로부터 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 상기 웨이퍼 상으로 번갈아 공급하기 위한 건조 가스 공급부를 포함한다.
상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기 및 질소 가스를 포함하며, 상기 건조 가스 공급부는, 상기 질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기와, 액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기와, 상기 제1저장용기와 개별적으로 연결되며 상기 질소 가스를 가열하기 위한 한 쌍의 제1히터들과, 상기 제2저장용기와 개별적으로 연결되며 상기 액상의 이소프로필 알콜을 번갈아 공급하기 위해 서로 다른 동작 사이클을 갖는 한 쌍의 펌프들과, 상기 노즐들과 각각 연결되며 상기 건조 가스를 가열하기 위한 한 쌍의 제2히터들과, 상기 지지유닛에 의해 지지된 웨이퍼의 양측 부위에 배치되며 상기 건조 가스를 상기 건조 용기 내부로 공급하기 위한 한 쌍의 노즐들을 포함한다.
상기 제2히터들은 한 쌍의 분기된 배관들을 통해 상기 펌프들 및 상기 제1히터들과 각각 연결되고, 상기 각각의 분기된 배관의 내부에서 상기 액상의 이소프로필 알콜은 상기 각각의 제1히터에 의해 가열된 질소 가스에 의해 기화된다.
상기 웨이퍼는 상기 지지유닛에 의해 수직 방향으로 상기 건조 용기 내부에서 정렬되며, 상기 노즐들은 상기 웨이퍼의 상측 부위를 향해 건조 가스를 번갈아 분사한다.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같은 종래의 건조 장치와 비교하여, 건조 가스의 공급량이 증가되며, 웨이퍼의 상측 부위에서 건조 가스의 흐름이 안정화된다. 이에 따라, 웨이퍼의 건조 효율이 향상되며, 물반점과 같은 건조 불량 발생이 억제된다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치는, 건조 챔버를 한정하며 그 내부에서 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기와, 상기 건조 용기 내부에 배치되며 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지유닛과, 상기 건조 용기 내부의 양측 부위에 각각 배치되며 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 분사하기 위한 한 쌍의 노즐들과, 상기 노즐들과 연결되며 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 상기 건조 가스를 번갈아 펌핑하기 위해 서로 다른 동작 사이클을 갖는 다수의 펌프들을 포함한다.
따라서, 건조 용기 내부로 공급되는 건조 가스의 양이 증가되며, 건조 용기 내부의 압력이 일정 수준 이상으로 항상 유지되므로, 웨이퍼의 건조 효율이 향상된다.
상기 본 발명의 제3목적을 달성하기 위한 본 발명에 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치는, 세정 챔버를 한정하며 그 내부에 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용하고 상측 부위가 개방된 세정 용기와, 상기 세정 용기와 연통되도록 상기 세정 용기의 상부에 배치되어 건조 챔버를 한정하며 그 내부에서 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기와, 상기 웨이퍼를 지지하며 상기 세정 용기 및 상기 건조 용기 사이에서 상기 웨이퍼를 이동시키기 위한 지지유닛과, 상기 지지유닛에 의해 상기 웨이퍼가 상기 건조 챔버 내에 위치되어 있는 동안 상기 웨이퍼의 양측 부위로부터 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 번갈아 공급하기 위한 건조 가스 공급부를 포함한다.
상기 본 발명의 제3목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치는, 세정 챔버를 한정하며 그 내부에 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용하고 상측 부위가 개방된 세정 용기와, 상기 세정 용기와 연통되도록 상기 세정 용기의 상부에 배치되어 건조 챔버를 한정하며 그 내부에서 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기와, 상기 웨이퍼를 지지하며 상기 세정 용기 및 상기 건조 용기 사이에서 상기 웨이퍼를 이동시키기 위한 지지유닛과, 상기 건조 용기 내부의 양측 부위에 각각 배치되며 상기 지지유닛에 의해 상기 웨이퍼가 상기 건조 챔버 내에 위치되어 있는 동안 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 분사하기 위한 한 쌍의 노즐들과, 상기 노즐들과 연결되며 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 상기 건조 가스를 번갈아 펌핑하기 위해 서로 다른 동작 사이클을 갖는 다수의 펌프들을 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 제2노즐들을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 웨이퍼 세정 및 건조 장치(200)는 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 불순물들을 제거하기 위한 세정액을 수용하는 세정 용기(202)와, 웨이퍼(W) 표면의 수분을 제거하기 위한 건조 용기(214)와, 다수의 웨이퍼들(W)을 지지하기 위한 웨이퍼 보트(226, 웨이퍼 지지유닛)와, 상기 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위한 건조 가스를 공급하는 건조 가스 공급부(230)를 포함한다.
상기 세정 용기(202)는 웨이퍼 보트(226)에 수납된 다수의 웨이퍼들(W)을 세정하기 위한 세정 챔버(202a)를 한정하며, 상기 세정액을 수용하기 위한 내조(204, inner bath)와, 상기 내조(204)의 상측 부위를 감싸도록 배치되며 상기 내조(204)로부터 넘쳐 흐르는 세정액을 수용하기 위한 외조(206, outer bath)를 포함한다.
상기 세정 용기(202)의 상측 부위에는 개구가 형성되어 있으며, 내조(204)의 내부 양측 부위에는 내조(204)의 내부에 위치된 웨이퍼들(W) 상으로 세정액을 공급하기 위한 제1노즐들(208)이 배치되어 있다. 내조(204)의 하부에는 내조(204)에 수용된 세정액을 배출하기 위한 제1드레인 배관(210, drain pipe) 및 제1드레인 밸브(210a, drain valve)가 연결되어 있고, 외조(206)의 하부에는 외조(206)에 수용된 세정액을 배출하기 위한 제2드레인 배관(212) 및 제2드레인 밸브(212a)가 연결되어 있다.
상기 건조 용기(214)는 세정 용기(202)의 상부에 배치되며, 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위한 건조 챔버(214a)를 한정한다. 상기 건조 용기(214)는 세정 용기(202)의 상부에 배치된 고정 베이스(216)와, 상기 고정 베이스(216) 상에 배치된 상부 커버(218)를 포함한다. 상기 고정 베이스(216)는 상기 세정 용기(202)의 개구와 연통되며, 상기 고정 베이스(216)와 상부 커버(218) 사이 및 상기 고정 베이스(216)와 상기 셔터(220) 사이에는 실링 부재들(222)이 각각 개재된다.
상기 상부 커버(218)는 상기 고정 베이스(216)에 대하여 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치되며, 아치 형상의 단면을 갖는다. 상기 건조 용기(214)의 내부 양측 부위에는 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위한 건조 가스를 분사하기 위한 한 쌍의 제2노즐들(224a, 224b)이 배치된다. 구체적으로, 상기 한 쌍의 제2노즐들(224a, 224b)은 고정 베이스(216)의 양쪽 내측벽을 따라 수평 방향으로 연장되며, 각각의 제2노즐(224a 또는 224b)은 파이프 형상을 가지며 건조 가스를 분사하기 위한 다수의 개구들(224c, 224d)을 갖는다. 한편, 고정 베이스(216)에는 건조 용기(214) 내부의 건조 가스를 배출하기 위한 배출 배관(미도시)과 연결되는 배출공(216a, exhaust port)이 형성되어 있다.
상기 세정 용기(202)와 건조 용기(214) 사이에는 수평 방향으로 이동 가능하도록 셔터(220)가 배치되며, 상기 건조 챔버(214a)는 상기 건조 용기(214)의 내측벽들과 상기 셔터(220)의 상부면에 의해 한정된다.
상기 웨이퍼 보트(226)는 다수의 웨이퍼들(W, 예를 들면, 50매의 웨이퍼들)을 일렬로 지지하며, 각각의 웨이퍼(W)는 상기 웨이퍼 보트(226)의 슬롯에 삽입되어 수직 방향으로 정렬된다. 상기 웨이퍼들(W)은 웨이퍼 이송 로봇(미도시)에 의해 웨이퍼 보트(226)로 이송되며, 웨이퍼 보트(226)는 세정 용기(202)와 건조 용기(214) 사이에서 상기 웨이퍼들(W)을 수직 방향으로 이동시킨다. 구체적으로, 웨이퍼 보트(226)는 웨이퍼들(W)을 세정하기 위해 상기 웨이퍼들(W)이 내조(204)에 수용된 세정액에 침지되도록 웨이퍼들(W)을 하방으로 이동시키고, 세정된 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위해 상방으로 이동시킨다. 한편, 상기 웨이퍼 보트(226)가 상기 웨이퍼들(W)을 상방으로 이동시키는 동안 웨이퍼들(W)의 표면들에 자연 산화막이 생성되는 것을 방지하기 위해 상기 웨이퍼들(W) 상으로 질소 가스가 공급될 수도 있다.
상기 세정액은 불산 수용액 또는 순수(pure water)를 포함한다. 상기 불산 수용액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 불순물 또는 자연 산화막을 제거하기 위해 사용되며, 상기 순수는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 파티클 또는 불산 수용액과 같은 화학 용액에 의해 세정된 웨이퍼를 린스하기(rinse) 위해 사용된다. 그러나, 세정액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 불순물의 종류에 따라 다양하게 선택된 수 있다.
상기와 같은 구성 요소들에 대한 추가적인 상세 설명은 이미 공지되어 있으므로(예를 들면, 미합중국 특허 제6,068,002호) 생략하기로 한다.
상기 건조 가스 공급부(230)는 상기 한 쌍의 제2노즐들(224a, 224b)과 연결되며, 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기와 질소 가스를 포함한다. 상기 건조 가스 공급부(230)는 질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기(232)와, 액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기(234)와, 제1저장 용기(232)로부터 공급되는 질소 가스를 가열하기 위한 제1 및 제2히터(238, 248)와, 상기 액상의 이소프로필 알콜을 번갈아 펌핑하기 위한 제1 및 제2펌프(240, 250)와, 상기 건조 가스를 가열하기 제3 및 제4히터(244, 254)를 포함한다.
상기 제1 및 제2히터(238, 248)는 상기 제1저장 용기(232)와 개별적으로 연결되어 있으며, 상기 제1 및 제2펌프(240, 250)는 상기 제2저장 용기(234)와 개별적으로 연결되어 있다. 상기 제3히터(244)는 제1분기된 배관(242)을 통해 상기 제1히터(238) 및 제1펌프(240)와 연결되어 있고, 상기 제4히터(254)는 제2분기된 배관(252)을 통해 상기 제2히터(248) 및 제2펌프(250)와 연결되어 있다. 또한, 상기 제3 및 제4히터(244, 254)는 제1공급 배관(256) 및 제2공급 배관(258)을 통해 상기 한 쌍의 제2노즐들(224a, 224b)과 각각 연결되어 있다.
도 2에 도시된 바에 따르면, 구체적으로, 상기 건조 가스 공급부(230)는 좌측의 제2노즐(224a)과 연결된 제1공급부(236)와 우측의 제2노즐(224b)과 연결된 제2공급부(246)와, 제1저장 용기(232) 및 제2저장 용기(234)를 포함한다. 상기 제1공급부(236)는 상기 제1저장 용기(232)와 연결된 제1히터(238)와, 상기 제2저장 용기(234)와 연결된 제1펌프(240)와, 제1분기된 배관(242)에 의해 상기 제1히터(238) 및 제1펌프(240)와 연결된 제3히터(244)를 포함한다.
제1펌프(240)에 의해 공급된 액상의 이소프로필 알콜은 제1분기된 배관(242)의 내부에서 상기 제1히터(238)에 의해 가열된 질소 가스에 의해 기화된다. 상기 이소프로필 알콜 증기와 질소 가스를 포함하는 제1건조 가스는 제3히터(244)에 의해 가열되고, 가열된 건조 가스는 좌측의 제2노즐(224a)을 통해 건조 용기(214) 내부로 공급된다.
상기 제2공급부(246)는 우측의 제2노즐(224b)을 통해 건조 용기(214) 내부로 제2건조 가스를 공급하며, 제2히터(248), 제2펌프(250), 제2분기된 배관(252) 및 제4히터(254)를 포함한다. 상기 제2공급부(246)에 대한 상세 설명은 상기 제1공급부(236)와 유사하므로 생략하기로 한다.
여기서, 상기 제1건조 가스와 제2건조 가스가 상기 건조 용기(214) 내부로 주기적으로 번갈아 공급될 수 있도록 상기 제1공급부(236)의 제1펌프(240)와 상기 제2공급부(246)의 제2펌프(250)는 서로 다른 동작 사이클을 갖는다. 즉, 제1펌프(240)에 의해 공급되는 제1건조 가스의 양이 최대값에 도달될 때, 제2펌프(250)에 의해 공급되는 제2건조 가스의 양은 최소값에 도달된다. 이와 반대로, 제2건조 가스의 양이 최대값에 도달될 때, 제1건조 가스의 양은 최소값에 도달된다.
도 4a는 건조 용기 내부에서의 제1건조 가스의 흐름을 설명하기 위한 단면도이고, 도 4b는 건조 용기 내부에서의 제2건조 가스의 흐름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 제1건조 가스의 공급량이 제2건조 가스의 공급량보다 많은 경우, 웨이퍼들(W)은 제1건조 가스에 의해 건조되며, 좌측의 제2노즐(224a)로부터 상방으로 분사된 제1건조 가스는 상부 커버(218)의 내측벽을 따라 흐르며, 웨이퍼들(W)의 상측 부위들(Wt)을 통과하여 시계 방향으로 회전한다. 이와 반대로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제2건조 가스의 공급량이 제1건조 가스의 공급량보다 많은 경우, 웨이퍼들(W)은 제2건조 가스에 의해 건조되며, 우측의 제2노즐(224b)로부터 상방으로 분사된 제2건조 가스는 상부 커버(218)의 내측벽을 따라 흐르며, 웨이퍼들(W)의 상측 부위들(Wt)을 통과하여 반시계 방향으로 회전한다.
상기한 바에 따르면, 도 1에 도시된 종래의 건조 장치(100)에 비하여 건조 용기(214) 내부로 공급되는 건조 가스의 공급량이 증가되며, 웨이퍼 보트(226)에 의해 건조 용기(214) 내부에 위치된 웨이퍼들(W)의 상측 부위들(Wt)에는 제1건조 가스 및 제2건조 가스가 번갈아 안정적으로 공급되므로, 상기 웨이퍼들(W)에 대한 건조 효율이 향상된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이며, 도 6은 도 5에 도시된 건조 용기 내부의 압력을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 웨이퍼 세정 및 건조 장치(300)는, 세정액을 이용하여 웨이퍼들(W)을 세정하기 위한 세정 용기(302)와, 상기 세정 용기(302) 상부에 배치되어 상기 세정액에 의해 세정된 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위한 건조 용기(314)와, 상기 세정 용기(302)와 건조 용기(314) 사이에 수평 방향으로 이동 가능하도록 배치되어 상기 세정 용기(302)와 건조 용기(314)를 격리시키기 위한 셔터(320)와, 상기 건조 용기(314)와 세정 용기(302) 사이에서 다수의 웨이퍼들(W)을 이동시키기 위한 웨이퍼 보트(326)와, 상기 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위한 건조 가스 공급부(330)를 포함한다.
상기 건조 용기(314)는 상기 세정 용기(302)의 상부에 배치되는 고정 베이스(316)와, 상기 고정 베이스(316)의 상부에 배치되어 수직 방향으로 이동 가능한 상부 커버(318)를 포함한다. 고정 베이스(316)의 내부 양측 부위에는 웨이퍼 보트(326)에 수납된 다수의 웨이퍼들(W)을 건조시키기 위한 건조 가스를 공급하는 한 쌍의 제2노즐들(324a, 324b)이 배치되어 있다.
도면 참조 부호 302a, 304, 306, 308, 310, 310a, 312, 312a, 314a, 316a, 320 및 322는 순서대로 세정 챔버, 내조, 외조, 제1노즐들, 제1드레인 배관, 제1드레인 밸브, 제2드레인 배관, 제2드레인 밸브, 건조 챔버, 배출공, 셔터 및 실링 부재를 의미한다.
상기와 같은 구성 요소들에 대한 추가적인 상세 설명은 도 2 및 도 3을 참조하여 이미 설명된 웨이퍼 세정 및 건조 장치(200)의 구성 요소들과 유사하므로 생략하기로 한다.
상기 건조 가스 공급부(330)는 상기 제2노즐들(324a, 324b)과 연결되며, 질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기(332)와, 액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기(334)와, 상기 제1저장 용기(332)와 연결되어 상기 질소 가스를 가열하기 위한 제1히터(336)와, 상기 제2저장 용기(334)와 개별적으로 연결되어 상기 액상의 이소프로필 알콜을 펌핑하기 위한 제1 및 제2펌프(338, 340)와, 이소프로필 알콜 증기와 질소 가스를 포함하는 건조 가스를 가열하기 위한 제2히터(342)를 포함한다.
상기 제2히터(342)는 제1분기된 배관(344)을 통해 상기 제1히터(336)와 상기 펌프들(338, 340)에 연결되어 있으며, 제2분기된 배관(346)을 통해 상기 제2노즐들(324a, 324b)과 연결되어 있다. 상기 펌프들(338, 340)에 의해 공급되는 액상의 이소프로필 알콜은 제1분기된 배관(344) 내부에서 제1히터(336)에 의해 가열된 질소 가스에 의해 기화된다.
상기 건조 가스는 제2히터(342)에 의해 가열되고, 상기 제2노즐들(324a, 324b)은 실질적으로 상기 웨이퍼 보트(326)에 의해 상기 건조 용기(314) 내부에 위치된 웨이퍼들(W)의 상측 부위들(Wt)을 향해 가열된 건조 가스를 분사한다. 구체적으로, 상기 제2노즐들(324a, 324b)은 상기 건조 가스를 상방으로 분사하며, 건조 가스는 건조 용기(314)의 측벽들의 내측면을 따라 상방으로 흐르고, 상부 커버(318)에 의해 한정된 공간의 중앙 부위를 따라 하방으로 흐르며, 고정 베이스(316)에 형성된 배출공(316a)을 통해 건조 용기(314)로부터 배출된다.
상기 건조 용기(314) 내부의 압력은 상기 제2노즐들(324a, 324b)을 통해 공급되는 건조 가스의 양에 따라 변화되며, 상기 제1 및 제2펌프(338, 340)는 상기 건조 용기(314) 내부의 압력이 일정 수준 이상의 압력으로 유지되도록 서로 다른 동작 사이클을 갖는다. 도 6에 도시된 바와 같이, 건조 용기(314) 내부의 압력은 제1펌프(338) 또는 제2펌프(340)의 동작에 의해 형성되는 최대 압력과 같거나 높은 압력으로 유지될 수 있다. 즉, 건조 용기(314) 내부의 최소 압력은 제1펌프(338) 또는 제2펌프(340)에 의해 형성되는 최대 압력과 동일하다.
상기와 같이 건조 용기(314)의 내부 압력은 제1 및 제2펌프(338, 340)에 의해 일정 수준 이상으로 유지되므로 웨이퍼들(W)의 건조 효율이 향상될 수 있다.
상기한 바에 따르면, 상기 웨이퍼 세정 및 건조 장치(300)는 제1 및 제2펌프(338, 340)를 사용하고 있으나, 웨이퍼들(W)의 건조 효율을 향상시키기 위해 그보다 더 많은 다수의 펌프들이 사용될 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 웨이퍼들을 건조시키기 위한 건조 가스는 서로 다른 동작 사이클을 갖는 제1펌프 및 제2펌프에 의해 반복적으로 번갈아 건조 용기 내부로 공급된다. 따라서, 건조 용기 내부의 압력은 일정 수준 이상으로 유지될 수 있으므로 웨이퍼들에 대한 건조 효율이 향상될 수 있다.
또한, 제1펌프에 의해 공급되는 제1건조 가스 및 제2펌프에 의해 공급되는 제2건조 가스는 웨이퍼들 상으로 반복적으로 번갈아 공급된다. 따라서, 웨이퍼들의 상측 부위들에는 반복적으로 제1건조 가스 및 제2건조 가스가 안정적으로 공급되므로, 웨이퍼들이 균일하게 건조될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제2노즐들을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 4a는 건조 용기 내부에서의 제1건조 가스의 흐름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4b는 건조 용기 내부에서의 제2건조 가스의 흐름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 건조 용기 내부의 압력을 설명하기 위한 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
200 : 세정 및 건조 장치 202 : 세정 용기
204 : 내조 206 : 외조
208 : 제1노즐 210 : 제1드레인 배관
210a : 제1드레인 밸브 212 : 제2드레인 배관
212a : 제2드레인 밸브 214 : 건조 용기
216 : 고정 베이스 218 : 상부 커버
220 : 셔터 222 : 실링 부재
224 : 제2노즐 226 : 웨이퍼 보트
230 : 건조 가스 공급부 232 : 제1저장 용기
234 : 제2저장 용기 236 : 제1공급부
238 : 제1히터 240 : 제1펌프
242 : 제1분기된 배관 244 : 제3히터
246 : 제2공급부 248 : 제2히터
250 : 제2펌프 252 : 제2분기된 배관
254 : 제4히터 256 : 제1공급 배관
258 : 제2공급 배관

Claims (20)

  1. 웨이퍼를 건조 챔버 내에 위치시키는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 양측 부위에서 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 상기 웨이퍼 상으로 번갈아 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기 및 질소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  3. 건조 챔버를 한정하며, 그 내부에서 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기;
    상기 건조 용기 내부에 배치되며, 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지유닛;
    상기 건조 용기 내부의 양측 부위에 각각 배치되며, 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 분사하기 위한 한 쌍의 노즐들; 및
    상기 노즐들과 연결되며, 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 상기 건조 가스를 번갈아 펌핑하기 위한 한 쌍의 펌프들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기 및 질소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 건조 가스를 공급하기 위한 건조 가스 공급부를 더 포함하되, 상기 건조 가스 공급부는,
    질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기;
    상기 제1저장 용기와 연결되며, 상기 제1저장 용기로부터 공급된 질소 가스를 가열하기 위한 제1히터;
    상기 펌프들과 연결되며, 액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기; 및
    제1분기된 배관(diverged pipe)을 통해 상기 제1히터 및 상기 펌프들과 연결되고 제2분기된 배관을 통해 상기 노즐들과 연결되며, 상기 제1분기된 배관의 내부에서 기화된 이소프로필 알콜 증기와 상기 제1히터에 의해 가열된 질소 가스를 포함하는 상기 건조 가스를 가열하여 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 공급하기 위한 제2히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기;
    상기 펌프들과 연결되며, 액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기; 및
    상기 노즐들과 각각 연결되고, 상기 노즐들에 상기 건조 가스를 각각 공급하기 위한 제1 및 제2건조 가스 공급부를 더 포함하되, 상기 각각의 건조 가스 공급부는,
    상기 제1저장 용기와 연결되며, 상기 제1저장 용기로부터 공급된 질소 가스를 가열하기 위한 제1히터; 및
    분기된 배관을 통해 상기 제1히터 및 상기 펌프들 중 하나와 연결되고, 상기 분기된 배관의 내부에서 기화된 이소프로필 알콜 증기와 상기 제1히터에 의해 가열된 질소 가스를 포함하는 상기 건조 가스를 가열하고, 가열된 건조 가스를 상기 건조 용기 내부로 공급하기 위하여 상기 노즐들 중 하나와 연결된 제2히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 지지유닛에 의해 수직 방향으로 지지되며, 상기 노즐들은 상기 웨이퍼의 상측 부위를 향해 상기 건조 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  8. 건조 챔버를 한정하며, 그 내부에서 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기;
    상기 건조 용기 내부에 배치되며, 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지유닛; 및
    상기 지지유닛에 의해 지지된 웨이퍼의 양측 부위로부터 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 번갈아 공급하기 위한 건조 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기 및 질소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 건조 가스 공급부는,
    상기 질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기;
    액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기;
    상기 제1저장용기와 개별적으로 연결되며, 상기 질소 가스를 가열하기 위한 한 쌍의 제1히터들;
    상기 제2저장용기와 개별적으로 연결되며, 상기 액상의 이소프로필 알콜을 번갈아 공급하기 위해 서로 다른 동작 사이클을 갖는 한 쌍의 펌프들;
    상기 노즐들과 각각 연결되며, 상기 건조 가스를 가열하기 위한 한 쌍의 제2히터들; 및
    상기 지지유닛에 의해 지지된 웨이퍼의 양측 부위에 배치되며, 상기 건조 가스를 상기 건조 용기 내부로 공급하기 위한 한 쌍의 노즐들을 포함하되,
    상기 제2히터들은 한 쌍의 분기된 배관들을 통해 상기 펌프들 및 상기 제1히터들과 각각 연결되고, 상기 각각의 분기된 배관의 내부에서 상기 액상의 이소프로필 알콜은 상기 각각의 제1히터에 의해 가열된 질소 가스에 의해 기화되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  11. 건조 챔버를 한정하며, 그 내부에서 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기;
    상기 건조 용기 내부에 배치되며, 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지유닛;
    상기 건조 용기 내부의 양측 부위에 각각 배치되며, 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 분사하기 위한 한 쌍의 노즐들; 및
    상기 노즐들과 연결되며, 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 상기 건조 가스를 번갈아 펌핑하기 위해 서로 다른 동작 사이클을 갖는 다수의 펌프들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  12. 세정 챔버를 한정하며, 그 내부에 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용하고, 상측 부위가 개방된 세정 용기;
    상기 세정 용기와 연통되도록 상기 세정 용기의 상부에 배치되어 건조 챔버를 한정하며, 그 내부에서 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기;
    상기 웨이퍼를 지지하며, 상기 세정 용기 및 상기 건조 용기 사이에서 상기 웨이퍼를 이동시키기 위한 지지유닛; 및
    상기 지지유닛에 의해 상기 웨이퍼가 상기 건조 챔버 내에 위치되어 있는 동안 상기 웨이퍼의 양측 부위로부터 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 번갈아 공급하기 위한 건조 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 증기 및 질소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 건조 가스 공급부는,
    상기 질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기;
    액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기;
    상기 제1저장용기와 개별적으로 연결되며, 상기 질소 가스를 가열하기 위한 한 쌍의 제1히터들;
    상기 제2저장용기와 개별적으로 연결되며, 상기 액상의 이소프로필 알콜을 번갈아 공급하기 위해 서로 다른 동작 사이클을 갖는 한 쌍의 펌프들;
    상기 노즐들과 각각 연결되며, 상기 건조 가스를 가열하기 위한 한 쌍의 제2히터들; 및
    상기 지지유닛에 의해 지지된 웨이퍼의 양측 부위에 배치되며, 상기 건조 가스를 상기 건조 용기 내부로 공급하기 위한 한 쌍의 노즐들을 포함하되,
    상기 제2히터들은 한 쌍의 분기된 배관들을 통해 상기 펌프들 및 상기 제1히터들과 각각 연결되고, 상기 각각의 분기된 배관의 내부에서 상기 액상의 이소프로필 알콜은 상기 각각의 제1히터에 의해 가열된 질소 가스에 의해 기화되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 세정액은 불산 수용액 또는 순수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 건조 용기와 상기 세정 용기 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하도록 배치되며, 상기 건조 챔버와 상기 세정 챔버를 서로 격리시키기 위한 셔터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  17. 제12항에 있어서, 상기 건조 용기는, 상기 세정 용기에 대하여 상대적으로 수직 방향으로 이동 가능한 상부 커버(top cover)와, 상기 상부 커버의 하부에 배치되는 고정 베이스(fixed base)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  18. 제12항에 있어서, 상기 세정 용기는, 상기 세정액을 수용하기 위한 내조(inner bath)와, 상기 내조로부터 넘쳐 흐르는 세정액을 수용하기 위해 상기 내조의 상측 부위를 감싸는 외조(outer bath)를 포함하며,
    상기 지지유닛에 의해 상기 내조의 내부에 위치된 웨이퍼 상에 상기 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급 노즐이 상기 내조의 내부에 배치되어 있으며, 상기 내조 및 외조의 하측 부위들에는 상기 내조 및 외조에 수용된 세정액들을 배출하기 위한 배출 배관들이 각각 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  19. 세정 챔버를 한정하며, 그 내부에 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용하고, 상측 부위가 개방된 세정 용기;
    상기 세정 용기와 연통되도록 상기 세정 용기의 상부에 배치되어 건조 챔버를 한정하며, 그 내부에서 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 용기;
    상기 웨이퍼를 지지하며, 상기 세정 용기 및 상기 건조 용기 사이에서 상기 웨이퍼를 이동시키기 위한 지지유닛;
    상기 건조 용기 내부의 양측 부위에 각각 배치되며, 상기 지지유닛에 의해 상기 웨이퍼가 상기 건조 챔버 내에 위치되어 있는 동안 상기 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 가스를 분사하기 위한 한 쌍의 노즐들; 및
    상기 노즐들과 연결되며, 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 상기 건조 가스를 번갈아 펌핑하기 위해 서로 다른 동작 사이클을 갖는 다수의 펌프들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 건조 가스를 공급하기 위한 건조 가스 공급부를 더 포함하되, 상기 건조 가스 공급부는,
    질소 가스를 저장하기 위한 제1저장 용기;
    상기 제1저장 용기와 연결되며, 상기 제1저장 용기로부터 공급된 질소 가스를 가열하기 위한 제1히터;
    상기 펌프들과 연결되며, 액상의 이소프로필 알콜을 저장하기 위한 제2저장 용기; 및
    제1분기된 배관(diverged pipe)을 통해 상기 제1히터 및 상기 펌프들과 연결되고, 제2분기된 배관을 통해 상기 노즐들과 연결되며, 상기 제1분기된 배관의 내부에서 기화된 이소프로필 알콜 증기와 상기 제1히터에 의해 가열된 질소 가스를 포함하는 상기 건조 가스를 가열하여 상기 노즐들을 통해 상기 건조 용기 내부로 공급하기 위한 제2히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
KR1020030078841A 2003-11-08 2003-11-08 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 KR100636035B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030078841A KR100636035B1 (ko) 2003-11-08 2003-11-08 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
US10/983,023 US7386944B2 (en) 2003-11-08 2004-11-05 Method and apparatus for drying a wafer, and an apparatus for cleaning and drying a wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030078841A KR100636035B1 (ko) 2003-11-08 2003-11-08 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050044943A true KR20050044943A (ko) 2005-05-16
KR100636035B1 KR100636035B1 (ko) 2006-10-18

Family

ID=34545799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030078841A KR100636035B1 (ko) 2003-11-08 2003-11-08 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7386944B2 (ko)
KR (1) KR100636035B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101104016B1 (ko) * 2008-11-04 2012-01-06 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 처리 장치 및 이에 사용되는 배럴과, 웨이퍼 처리 방법
KR20170122271A (ko) * 2015-03-10 2017-11-03 엠이아이, 엘엘씨 웨이퍼 건조기 장치 및 방법
KR20190019581A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법
KR20200100483A (ko) * 2019-02-18 2020-08-26 엘지전자 주식회사 감압 건조 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081301A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Ebara Corporation Polishing apparatus and substrate processing apparatus
KR101244896B1 (ko) * 2006-06-05 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 기판 식각장치
KR101431197B1 (ko) * 2008-01-24 2014-09-17 삼성전자주식회사 원자층 증착설비 및 그의 원자층 증착방법
US9285168B2 (en) * 2010-10-05 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US9728428B2 (en) * 2013-07-01 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Single use rinse in a linear Marangoni drier
US11220758B2 (en) * 2016-06-15 2022-01-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Systems and methods for thermal hydro-synthesis of semiconductor materials by holding a substrate wafer within a chamber in a vertical direction
SG11201810379TA (en) * 2016-06-16 2018-12-28 Applied Materials Inc Wafer processor door interface
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
CN109712922A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种清洗干燥晶片用的花篮
JP2022138907A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 キオクシア株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970005262B1 (ko) 1994-05-12 1997-04-14 대우통신 주식회사 내선 측음기능을 갖는 디지틀 키폰의 통화회로
JPH0969509A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Matsushita Electron Corp 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法
JPH10393A (ja) * 1996-06-12 1998-01-06 Asahi Sanac Kk 自動塗装ガン
US6164297A (en) * 1997-06-13 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus for objects to be processed
US6642155B1 (en) * 1998-06-05 2003-11-04 Micron Technology, Inc. Method for applying a fluid to a rotating silicon wafer surface
JP3247673B2 (ja) 1998-11-24 2002-01-21 東邦化成株式会社 ウェハ乾燥装置及び方法
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
EP1170564B1 (en) * 2000-01-17 2004-07-07 Toho Kasei Co., Ltd. Method and device for drying substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101104016B1 (ko) * 2008-11-04 2012-01-06 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 처리 장치 및 이에 사용되는 배럴과, 웨이퍼 처리 방법
JP2012507881A (ja) * 2008-11-04 2012-03-29 シルトロン インク 対象物の湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレル
KR20170122271A (ko) * 2015-03-10 2017-11-03 엠이아이, 엘엘씨 웨이퍼 건조기 장치 및 방법
KR20190019581A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법
US11152228B2 (en) 2017-08-18 2021-10-19 Sk Siltron Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and cleaning method using the same
KR20200100483A (ko) * 2019-02-18 2020-08-26 엘지전자 주식회사 감압 건조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100636035B1 (ko) 2006-10-18
US20050097771A1 (en) 2005-05-12
US7386944B2 (en) 2008-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100636035B1 (ko) 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
KR100417040B1 (ko) 웨이퍼를 건조시키기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한웨이퍼 건조장치
US20090120459A1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor substrates
US20110168211A1 (en) Semiconductor wafer cleaning system and method
JP2006295194A (ja) 半導体基板を洗浄する装置及び半導体基板の洗浄方法
US6757989B2 (en) Wafer drying apparatus
US11721565B2 (en) Multi-chamber apparatus
KR20140029095A (ko) 기판 처리 방법
KR20200095218A (ko) 기판 건조 챔버
KR100672942B1 (ko) 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 건조 장치 및 방법
KR100645042B1 (ko) 반도체 기판 세정 장치
KR100715983B1 (ko) 기판 세정 장치 및 방법
KR100568104B1 (ko) 반도체 기판 세정 장치 및 세정 방법
CN112071784A (zh) 用于处理基板的装置及方法
KR102327873B1 (ko) 기판 건조 챔버
KR100757329B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치
KR100634166B1 (ko) 반도체 기판 건조 방법
US20230015936A1 (en) Substrate processing method
KR100697266B1 (ko) 이송 로봇의 척 세정장치
US20230023265A1 (en) Substrate processing apparatus
KR101977385B1 (ko) 웨이퍼 건조 장치 및 방법
KR20030074949A (ko) 이소프로필 알콜 증기 건조 장치 및 건조 방법
KR20020088233A (ko) 마란고니형 웨이퍼 세정장치
KR20230140470A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20030082827A (ko) 세정 건조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee